JPH05210029A - 双方向光伝送モジュール - Google Patents
双方向光伝送モジュールInfo
- Publication number
- JPH05210029A JPH05210029A JP4015910A JP1591092A JPH05210029A JP H05210029 A JPH05210029 A JP H05210029A JP 4015910 A JP4015910 A JP 4015910A JP 1591092 A JP1591092 A JP 1591092A JP H05210029 A JPH05210029 A JP H05210029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- waveguide
- multiplexing
- demultiplexing
- optical multiplexing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は光導波路型光合分波素子を形成してい
る石英基板の裏面に光合分波素子の方向性結合部の下部
に相当する部分を除いてメタライズを施し、この基板を
筐体にハンダ付けした際に発生する機械的応力が方向性
結合部に加わることを防止し、光合分波特性の劣化を低
減する。 【構成】光導波路型光合分波素子と光送受信端導波路と
光結合された光ファイバと光送信端導波路と光結合され
た半導体レーザと光受信端導波路と光結合された受信用
フォトダイオードから成り、光合分波素子の方向性結合
部の下部に相当する裏面部分のメタライズが除去されて
おり、この基板を筐体にハンダ付け固定して構成され
る。
る石英基板の裏面に光合分波素子の方向性結合部の下部
に相当する部分を除いてメタライズを施し、この基板を
筐体にハンダ付けした際に発生する機械的応力が方向性
結合部に加わることを防止し、光合分波特性の劣化を低
減する。 【構成】光導波路型光合分波素子と光送受信端導波路と
光結合された光ファイバと光送信端導波路と光結合され
た半導体レーザと光受信端導波路と光結合された受信用
フォトダイオードから成り、光合分波素子の方向性結合
部の下部に相当する裏面部分のメタライズが除去されて
おり、この基板を筐体にハンダ付け固定して構成され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は双方向光伝送システム用
の伝送モジュールに関する。
の伝送モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光導波路は特開平1-237504号及び
特開平2-81006号に記載のように、導波路が形成された
基板の実装については考慮されていない。
特開平2-81006号に記載のように、導波路が形成された
基板の実装については考慮されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術から成る
光導波路を用いた光合分波素子を用いて双方向伝送モジ
ュールを構成する場合、光合分波素子を筐体に広い動作
温度範囲にて機械的に安定に固定，実装することが必要
となる。固定方法としては種々考えられるが安定性，信
頼度，組立コストの観点から電子部品の実装と同様には
んだ付け固定が最善の方法となる。このため、光導波路
が形成された基板裏面をメタライズし、筐体にハンダ付
け固定する。しかし、光導波路基板と筐体、接合に用い
るハンダとの間に熱膨張係数の差がある場合には、ハン
ダ付け固定の際、光合分波素子の方向性結合部に機械的
応力が加わり、光合分波特性に劣化が生ずる。
光導波路を用いた光合分波素子を用いて双方向伝送モジ
ュールを構成する場合、光合分波素子を筐体に広い動作
温度範囲にて機械的に安定に固定，実装することが必要
となる。固定方法としては種々考えられるが安定性，信
頼度，組立コストの観点から電子部品の実装と同様には
んだ付け固定が最善の方法となる。このため、光導波路
が形成された基板裏面をメタライズし、筐体にハンダ付
け固定する。しかし、光導波路基板と筐体、接合に用い
るハンダとの間に熱膨張係数の差がある場合には、ハン
ダ付け固定の際、光合分波素子の方向性結合部に機械的
応力が加わり、光合分波特性に劣化が生ずる。
【０００４】本発明は光導波路型光合分波素子の光合分
波特性を損なう事無く機械的に安定に筐体に固定するこ
とにある。
波特性を損なう事無く機械的に安定に筐体に固定するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、光合分波素子基板の裏面に形成されるハンダ付け固
定用のメタライズを光合分波素子の方向性結合部の下部
に相当する裏面部分を除去したパターンする。
に、光合分波素子基板の裏面に形成されるハンダ付け固
定用のメタライズを光合分波素子の方向性結合部の下部
に相当する裏面部分を除去したパターンする。
【０００６】
【作用】光合分波素子の方向性結合部下面はメタライズ
されていないため基板を筐体にハンダ付けした際、ハン
ダ付けによる機械的応力が加わらないため、光合分波特
性を劣化させることがない。
されていないため基板を筐体にハンダ付けした際、ハン
ダ付けによる機械的応力が加わらないため、光合分波特
性を劣化させることがない。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１により説明す
る。光導波路型光合分波素子1は石英基板上にモノリシ
ックに導波路を形成し、方向性結合器構造を用いて結合
器長により波長の分離を行う方向性結合部2からなって
いる。光合分波素子1の光送受信端導波路には光信号を
送受する単一モード光ファイバ3がCO2レーザにより融着
接続され光学的に結合している。半導体レーザ3はその
光軸上に整列されたモニタ用フォトダイオード5と光結
合用集束形ロッドレンズ6とともにステム7に搭載され、
光合分波素子1の固定された気密筐体9の内壁面に光合分
波素子1の光送信端導波路と光学的に結合される位置に
固定されている。受信用フォトダイオード8は光合分波
素子1の光受信端導波路と光学的に結合する位置に搭載
されている。
る。光導波路型光合分波素子1は石英基板上にモノリシ
ックに導波路を形成し、方向性結合器構造を用いて結合
器長により波長の分離を行う方向性結合部2からなって
いる。光合分波素子1の光送受信端導波路には光信号を
送受する単一モード光ファイバ3がCO2レーザにより融着
接続され光学的に結合している。半導体レーザ3はその
光軸上に整列されたモニタ用フォトダイオード5と光結
合用集束形ロッドレンズ6とともにステム7に搭載され、
光合分波素子1の固定された気密筐体9の内壁面に光合分
波素子1の光送信端導波路と光学的に結合される位置に
固定されている。受信用フォトダイオード8は光合分波
素子1の光受信端導波路と光学的に結合する位置に搭載
されている。
【０００８】図１に示した本実施例においては、ステム
7、受信用フォトダイオード8、気密筐体9の具備する電
気配線リードの図示は省略した。
7、受信用フォトダイオード8、気密筐体9の具備する電
気配線リードの図示は省略した。
【０００９】本実施例では、光合分波素子1は石英基板
の表面に電子ビーム蒸着法により屈折率が石英よりも約
0.3%高いSiO2-TiO2系ガラス膜をフォトリソグラフィド
ライエッチングにより形成したコア導波路がパターン化
されており、これを覆うようにコア導波路より屈折率が
約0.3%低いSiO2-P2O5-B2O3系ガラス膜からなるクラッド
層が形成されている。コア導波路は8μm厚、10μm幅の
寸法を有し、波長1.2μm以上において単一モード導波路
となっている。
の表面に電子ビーム蒸着法により屈折率が石英よりも約
0.3%高いSiO2-TiO2系ガラス膜をフォトリソグラフィド
ライエッチングにより形成したコア導波路がパターン化
されており、これを覆うようにコア導波路より屈折率が
約0.3%低いSiO2-P2O5-B2O3系ガラス膜からなるクラッド
層が形成されている。コア導波路は8μm厚、10μm幅の
寸法を有し、波長1.2μm以上において単一モード導波路
となっている。
【００１０】半導体レーザ4に発振波長1.3μm及び1.55
μmを用い、受信用フォトダイオード8には受光径100μm
のInGaAs-PiN-PDを用いた。送信光が1.3μmの場合には
光ファイバ3より受信され受信用フォトダイオード8に受
光される光は1.55μmとなる。
μmを用い、受信用フォトダイオード8には受光径100μm
のInGaAs-PiN-PDを用いた。送信光が1.3μmの場合には
光ファイバ3より受信され受信用フォトダイオード8に受
光される光は1.55μmとなる。
【００１１】送信光が1.55μmの場合はその逆となり、
双方向光伝送が行われる。
双方向光伝送が行われる。
【００１２】光合分波素子1にて斜線で示した部分10は
石英基板裏面に施されたメタライズを示す。石英基板裏
面を全面に渡りメタライズし、気密筐体9にハンダ付け
した場合には図2に示すように例えば1.3μmに阻止域、
1.55μmに通過域を持つ光合分波特性のアイソレーショ
ンは6dBであったが、本発明により方向性結合部の下面
のメタライズを除去した場合には34dBとハンダ付け前に
光合分波素子を単体で測定した値と同等のアイソレーシ
ョンを得た。
石英基板裏面に施されたメタライズを示す。石英基板裏
面を全面に渡りメタライズし、気密筐体9にハンダ付け
した場合には図2に示すように例えば1.3μmに阻止域、
1.55μmに通過域を持つ光合分波特性のアイソレーショ
ンは6dBであったが、本発明により方向性結合部の下面
のメタライズを除去した場合には34dBとハンダ付け前に
光合分波素子を単体で測定した値と同等のアイソレーシ
ョンを得た。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、光合分波素子の光合分
波特性を損なうことなく、筐体に機械的に安定なハンダ
付け固定が可能となる。
波特性を損なうことなく、筐体に機械的に安定なハンダ
付け固定が可能となる。
【図１】本発明の実施例を示す平面図である。
【図２】本発明の効果を示す光合分波特性図である。
1…光合分波素子、2…方向性結合部、3…単一モード光
ファイバ、4…半導体レーザ、5…モニタ用フォトダイオ
ード、6…集束形ロッドレンズ、7…ステム、8…受信用
フォトダイオード、9…気密筐体、10…石英基板裏面メ
タライズ。
ファイバ、4…半導体レーザ、5…モニタ用フォトダイオ
ード、6…集束形ロッドレンズ、7…ステム、8…受信用
フォトダイオード、9…気密筐体、10…石英基板裏面メ
タライズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/18 9170−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】屈折率の高いコア導波路を屈折率の低いク
ラッド層で覆った構造の光導波路型光合分波素子と該光
導波路型光合分波素子の光送受信端導波路に光学的に結
合された光ファイバと該光導波路型光合分波素子の光送
信端導波路と光受信端導波路に光学的に結合された半導
体レーザと受信用フォトダイオードから成る双方向光伝
送モジュールにおいて、該光導波路型光合分波素子を形
成するガラス、又は石英基板の裏面が金属蒸着等により
メタライズされており、前記光合分波素子の方向性結合
部の下部に相当する裏面部分のメタライズが除去されて
おり、この基板を筐体にハンダ付け固定したことを特徴
とする双方向光伝送モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015910A JPH05210029A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 双方向光伝送モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015910A JPH05210029A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 双方向光伝送モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05210029A true JPH05210029A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11901933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4015910A Pending JPH05210029A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 双方向光伝送モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05210029A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6718098B2 (en) | 2001-07-03 | 2004-04-06 | Nec Corporation | Two-way optical communication module and method for manufacturing the same |
| KR20050073907A (ko) * | 2004-01-12 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 방향성 결합기 및 이를 이용한 양방향 광송수신 모듈 |
| WO2017017965A1 (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module having multi-mode coupler formed on semiconductor substrate |
| US9696496B2 (en) | 2015-11-05 | 2017-07-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor optical device and semiconductor assembly |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4015910A patent/JPH05210029A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6718098B2 (en) | 2001-07-03 | 2004-04-06 | Nec Corporation | Two-way optical communication module and method for manufacturing the same |
| KR20050073907A (ko) * | 2004-01-12 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 방향성 결합기 및 이를 이용한 양방향 광송수신 모듈 |
| WO2017017965A1 (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module having multi-mode coupler formed on semiconductor substrate |
| JP2017032629A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| US9684126B2 (en) | 2015-07-29 | 2017-06-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module having multi-mode coupler formed on semiconductor substrate |
| CN107850732A (zh) * | 2015-07-29 | 2018-03-27 | 住友电气工业株式会社 | 具有形成在半导体基板上的多模耦合器的光学模块 |
| US9696496B2 (en) | 2015-11-05 | 2017-07-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor optical device and semiconductor assembly |
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