JPH05211589A - 読み取り装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】本発明は、光電変換素子が設けられた基板を移
動可能にし、この移動に伴い光電変換素子から出力され
る信号に所定の処理を施す回路を具備する読み取り装置
において、前記所定の機能を施す回路のうち、前記複数
の光電変換素子の出力信号をサンプルホールドする回路
とこのサンプルホールド回路からの信号を増幅する差動
増幅回路を、前記光電変換素子が設けられた基板上に一
体に設け、前記差動増幅回路からのアナログ信号をデジ
タル信号に変換し、このデジタル信号を前記基板外に設
けた記憶部に記憶することを特徴とする。 【効果】この発明によれば、基板上に設けられた回路で
施される処理は、光電変換素子からの出力をそのまま用
いるので、より正しい処理ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、読み取り装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】画像等の入力機器として、密着センサ等
の装置が開発されている。これらの装置は、その構成が
容易と共に、原稿据え置きであることもその利点の一つ
である。

【０００３】このために、多くの場合、光電変換素子が
設けられた基板を、原稿載置台に対して移動可能とし、
例えば、ライン型のスキャンを繰り返し、原稿全画面を
読み取っていく。

【０００４】基板を搬送可能にすることから基板は軽量
であることが必要とされている。そこで、従来の読み取
り装置では、基板上には、光電変換素子のみを設け、こ
の素子からの出力を信号線で、基板外に設けられている
処理回路に供給していた。

【０００５】このような構成によれば、基板自体は軽量
化されるが、読み取り領域が広くしたいという一般的要
求から、上記基板の移動距離も長くなり、これに伴い信
号線も長くなった。又、当然のことながら読み取り装置
は、他の電子機器と組み合わされることからノイズの発
生し易い環境に置かれ長い信号線はノイズを拾い易かっ
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来技術
では、光電変換素子が設けられた基板を移動可能とした
ために、信号線でノイズを拾い易く、以って、読み取り
信号の品質が著しく低下してしまった。

【０００７】本発明はこのような従来の問題を克服した
読み取り装置を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、光電変換素子
が設けられた基板を移動可能にし、この移動に伴い光電
変換素子から出力される信号に所定の処理を施す回路を
具備する読み取り装置において、前記所定の機能を施す
回路のうち、前記複数の光電変換素子の出力信号をサン
プルホールドする回路とこのサンプルホールド回路から
の信号を増幅する差動増幅回路を、前記光電変換素子が
設けられた基板上に一体に設け、前記差動増幅回路から
のアナログ信号をデジタル信号に変換し、このデジタル
信号を前記基板外に設けた記憶部に記憶することを特徴
とする。

【０００９】

【作用】この発明によれば、基板上に設けられた回路で
施される処理は、光電変換素子からの出力をそのまま用
いるので、より正しい処理ができる。

【００１０】

【実施例】次に、この発明の実施例を図面に従って説明
する。この実施例での密着センサは、Ａ４判の大きさの
カラー原稿を読取可能なものである。

【００１１】この密着センサは、光電変換素子及びこの
光電変換素子により変換された電荷を転送する転送部
と、光電変換素子上に１対１の正立の実像を結像しうる
光学系としての集束性ロッドレンズアレイ及び線状光源
とから構成される。

【００１２】この実施例では光電変換素子及び転送部と
しての電荷結合素子を含むものをＣＣＤ(Charge Couple
d Device) と呼ぶ。これらは同一チップ上に形成され
る。更に、この実施例では光電変換素子、即ち、ホトダ
イオードをＣ−Ｓｉで形成する。このＣ−Ｓｉによるホ
トダイオードは光電変換速度が高く、１ｍsec 以下であ
る。又、以下の説明では光電変換素子をＣＣＤセンサと
呼ぶ。

【００１３】このＣＣＤセンサは１４μｍのピッチで設
けられ１チップに2048素子設けられている。このような
ＣＣＤチップ(11a) 乃至(11h) を８個、図１に示すよう
にセラミック基板(12)上に千鳥状に設ける。ＣＣＤチッ
プ(11a) 乃至(11h) は全体として少なくともＡ４判の幅
を覆うｌ＝210mm の長さが必要である。又、この実施例
では各ＣＣＤチップ(11a) 乃至(11h) は重なりｄ＝2.38
mm、これはＣＣＤセンサの170 素子分に相当する、を許
して配列される。

【００１４】このようなＣＣＤチップ(11a) 乃至(11h)
に対し、図２に示すように、２枚の集束性ロッドレンズ
アレイ（商品名セルフォックレンズ、日本板硝子製）(2
1a)，(21b) をＶ字形に配列する。個々の集束性ロッド
レンズアレイ(21a) ，(21b)は、長さがＡ４判の原稿の
幅以上とし、８個のＣＣＤチップ(11a) 乃至(11h) の全
体としての長さと同一としておく。また、この集束性ロ
ッドレンズアレイ(21a) ，(21b) の高さｈは、設計上２
０mm乃至５０mmが適当である。この値は、この集束性ロ
ッドレンズアレイ(21a) ，(21b) の焦点深度を深くする
ためである。特に５０mmの時は焦点深度が深い。集束性
ロッドレンズアレイ(21a) ，(21b) は、通常板状であ
る。しかし、この実施例では２つの集束性ロッドレンズ
アレイ(21a) ，(21b) が噛み合うように、集束性ロッド
レンズアレイ(21a) ，(21b) の稜を削り取る。このよう
にすると削り取る斜面の角度を調節することによって、
２つの集束性ロッドレンズアレイ(21a) ，(21b) のなす
角度を調節できる。しかも、これらの集束性ロッドレン
ズアレイ(21a) ，(21b) の占める空間が小さくなる。但
し、削り取られた斜面から光が入り込まないようにして
いる。

【００１５】密着センサとして、線状光源(31a) ，(31
b) が必要である。線状光源(31a) ，(31b) は図３に示
すように集束性ロッドレンズアレイ(21a) ，(21b) に近
接して平行に設けられる。

【００１６】この線状光源(31a) ，(31b) 、集束性ロッ
ドレンズアレイ(21a) ，(21b) 及びセラミック基板(12)
が一体となって密着センサを構成する。この密着センサ
は原稿(32)を横断するように配置され、１ラインづつを
読み取っていく。

【００１７】線状光源(31a) ，(31b) からの光は原稿の
１ラインに照射される。照射された光は原稿(32)上で反
射し集束性ロッドレンズアレイ(21a) ，(21b) で受光さ
れる。集束性ロッドレンズアレイ(21a) ，(21b) は原稿
(32)上の画像をＣＣＤセンサ上に結像する。集束性ロッ
ドレンズアレイ(21a) ，(21b) は焦点深度が大きいの
で、集束性ロッドレンズアレイ(21a) ，(21b) と原稿(3
2)との距離が一定ではなく、多少の変動があってもＣＣ
Ｄセンサ上に鮮明な画像を結像させる。しかも、集束性
ロッドレンズアレイ(21a) ，(21b) は原稿(32)上の画像
を縮小することなく１対１でＣＣＤセンサ上に結像させ
る。

【００１８】次に、具体的かつ好ましい構造を説明す
る。図４に示すようにＣＣＤチップ(11a) 乃至(11h) が
装着された基板(11)に、窓(33a) 乃至(33h) が設けられ
た蓋(34)を取り付ける。この蓋(34)は窓(33a) 乃至(33
h) 以外からは光を通さない。窓(33a) 乃至(33h) はＣ
ＣＤチップ(11a) 乃至(11h) に対応して設けられてい
る。

【００１９】このような基板(11)及び蓋(34)に対して、
図５に示すように支持部(35)を取り付ける。この支持部
(35)は窓(33a) 乃至(33h) に対応した上壁に穴(36)が設
けられている。この穴(36)の上部に、集束性ロッドレン
ズアレイ(21a) ，(21b) が位置するように集束性ロッド
レンズアレイ(21a) ，(21b) を支持部(35)に取り付け
る。

【００２０】一方、この支持部(35)には１本の線状光源
(31a) を一体に取り付ける。この線状光源(31a) は図５
に示すように一部のみから光が放射さえるようにしてい
る。即ち、原稿(32)に対し４５°の角度付近からの光が
放射されるように窓(37)を設ける。他の部分からの光の
照射はない。

【００２１】このような密着センサは原稿(32)に対し、
図６に示されるように配置される。即ち、集束性ロッド
レンズアレイ(21a) ，(21b) が原稿(32)に対向するよう
に配置され、かつ線状光源(31a) の窓(37)が原稿(32)に
対し４５°の位置になるように配置される。

【００２２】密着センサの大きさは、図６に示すように
原稿(32)から基板(12)迄の距離Ｌが約６０mm、支持部(3
5)の端から線状光源(31a) の端迄の距離ｗ₁ が６０mm、
支持部(35)の端から線状光源(31a) の点灯回路(38)の端
迄の距離ｗ₂ が100mm である。

【００２３】次に、ＣＣＤセンサの配列ピッチについて
説明する。

【００２４】この実施例での密着センサの解像度は１２
本／mmとする。この式の１画素は約８４μｍである。こ
の１画素の大きさは、図７に示すように集束性ロッドレ
ンズアレイ(21a) ，(21b) によってＣＣＤセンサ上でも
やはり８４μｍである。このＣＣＤセンサは１４μｍの
ピッチで設けられている（実質上、ＣＣＤセンサは７２
本／mmの分解能がある。）ので、１画素の大きさの中に
６エレメントのセンサが含まれることになる。

【００２５】この１画素を構成する６エレメントに対
し、ホワイト（Ｗ），シアン（Ｃ），イエロ（Ｙ）のフ
ィルタを図４に示すようにこの順で２枚づつ貼り付け
る。但し端の６エレメントには黒のフィルタを貼り付け
ておく。後述するようにこの実施例でのフィルタの貼り
付けは、１枚のフィルタを貼り付ける場合に比べ相当の
誤差が許される。

【００２６】次にこのようなＣＣＤからの信号を処理す
る回路について説明する。この回路は図８に示すように
入力部(51)と、この入力部(51)からの出力を色毎に積分
する積分部(52)と、この積分部(52)からの出力を増幅す
る増幅部(53)と、この増幅部(53)からの出力をデジタル
信号に変換するＡ−Ｄ変換部(54)と、このＡ−Ｄ変換部
(54)からの信号を収納する記憶部(55)とから成る。

【００２７】入力部(51)は、シリアル信号を出力する第
１乃至第８のＣＣＤチップ(11a) 乃至(11h) と、零レベ
ルクランプ回路としてのサンプリングホールド回路(56
a) 乃至(56h) 及び差動増幅器(57a) 乃至(57h) とから
構成される。１つのＣＣＤチップ(11a) 乃至(11h) の出
力信号の各々は、サンプリングホールド回路(56a) 乃至
(56h) の各々と、差動増幅器(57a) 乃至(57h) の各々に
入力する。又サンプリングホールド回路(56a) 乃至(56
h) の出力は差動増幅器のもう１つの入力となる。

【００２８】積分部(52)は、差動増幅器(57a) 乃至(57
h) の出力を色毎に分離するマルチプレクサ(58a) 乃至
(58h) と、このマルチプレクサ(58a) 乃至(58h) からの
色毎の出力信号を積分器(591a)，(591b)，(591c)（第１
のＣＣＤチップ(11a) の出力信号に対応）、(592a)，(5
92b)，(592c)（第２のＣＣＤチップ(11b) の出力信号に
対応）、(593a)，(593b)，(593c)，（第３のＣＣＤチッ
プ(11c) の出力信号に対応）、(594a)，(594b)，(594c)
（第４のＣＣＤチップ(11c) の出力信号に対応）、(595
a)，(595b)，(595c)（第５のＣＣＤチップ(11d) の出力
信号に対応）、(596a)，(596b)，(596c)（第６のＣＣＤ
チップ(11e) の出力信号に対応）、(597a)，(597b)，(5
97c)（第７のＣＣＤチップ(11f) の出力信号に対応）、
(598a)，(598b)，(598c)（第８のＣＣＤチップ(11g) の
出力信号に対応）とから成る。

【００２９】増幅部(53)は、積分器(591a)乃至(598c)か
らの色毎の出力信号を増幅する増幅器(531a)，(531b)，
(531c)，(532a)，(532b)，(532c)，(533a)，(533b)，(5
33c)，(534a)，(534b)，(535c)，(536a)，(536b)，(536
c)，(537a)，(537b)，(537c)，(538a)，(538b)，(538c)
とから成る。

【００３０】Ａ−Ｄ変換部(54)は、３色毎に増幅された
信号を時分割で切り換えて出力するセレクタ(541a)乃至
(541h)とこのセレクタ(541a)乃至(541h)からのアナログ
信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器(542a)乃
至(542h)とから成る。

【００３１】記憶部(55)はホワイト，シアン，イエロ毎
のメモリを有し各色毎に２ライン分設けられており、Ａ
／Ｄ変換器(542a)乃至(542h)の出力信号を記憶してい
く。

【００３２】さてこのような回路の動作について、白色
原稿を読取る場合を例に上げ、第１のＣＣＤチップ(11
a) の出力信号を中心に説明する。

【００３３】第１乃至第８のＣＣＤチップ(11a) 乃至(1
1h) には図示しないＣＣＤ走査パルス発生器からのパル
ス信号が供給される。このパルス信号に同期して、ＣＣ
Ｄセンサで光電変換された信号がＣＣＤチップ(11a) 乃
至(11h) から出力される。

【００３４】第１のＣＣＤチップ(11a) からシリアルに
出力される信号は、図９に示されるように最初の６ドッ
ト分は黒のフィルタがＣＣＤセンサ上に貼り付けてある
ので、出力信号の電圧はＶ₁ である。この電圧はＣＣＤ
センサの暗電流に伴う電圧である。多くの場合、６乃至
８ボルトである。これに対し、Ｗ，Ｙ，Ｃのフィルタが
貼り付けられたＣＣＤセンサの出力信号の電圧はＶ₁ に
対し、100mV のオーダの変化量しかない。以下では電圧
Ｖ₁ を基準電圧と呼ぶ。

【００３５】このような信号群のうち、黒のフィルタが
貼り付けられたＣＣＤセンサからの信号がサンプリング
ホールド回路(56a) で保持される。このサンプリングホ
ールド回路(56a) は、2048個のＣＣＤセンサからの出力
信号が差動増幅器(57a) に全て送出されるまでの間、基
準電圧Ｖ₁ を有する信号を差動増幅器(57a) に送出す
る。

【００３６】従って、差動増幅器(57a) はＷ，Ｃ，Ｙの
フィルタが貼り付けられたＣＣＤセンサでの出力信号の
電圧と基準電圧との差をとり、同時にこの差の電圧を適
当に増幅する。

【００３７】この時の差動増幅器(57a) の出力は、図１
０に示すようにＷのフィルタが貼り付けられたＣＣＤセ
ンサからの信号(71W) 、Ｙのフィルタが貼り付けられた
ＣＣＤセンサからの信号(71Y) 、Ｃのフィルタが貼り付
けられたＣＣＤセンサからの信号(71C) の順序で連続し
ている。但しこれらの信号(71W) ，(71Y) ，(71C) は２
個のＣＣＤセンサからの出力である。従って、この時の
ＣＣＤセンサの画小読取画素の大きさ（カラーであるこ
とを考慮しなければ分離能）は、２８μｍ（３６本／m
m）である。

【００３８】このような連続したアナログ信号が、マル
チプレクサ(58a) に於いて色毎に分離する。図１１(a)
に示されるようなＷのフィルタが貼り付けられたＣＣＤ
センサからの信号(71W) は積分器(591a)に入力する。図
１１(b) に示されるようなＹのフィルタが貼り付けられ
たＣＣＤセンサからの信号(71Y) は積分器(591b)に入力
する。図１１(c) に示されるようなＣＣＤセンサからの
信号(71C) は積分器(591c)に入力する。

【００３９】積分器(591a)，(591b)，(591c)にこの中に
含まれるコンデンサ（図示しない）に電荷を蓄積する。
図１２に示されるように積分器(591a)，(591b)，(591c)
に信号が入力される時間ｔ₀ の間積分動作を行う。積分
が終了した時には、図１２の実線で示されるようなこの
時の電圧値を保持して増幅器(531a)，(531b)，(531c)に
送出する。

【００４０】積分器(591a)，(591b)，(591c)は次のよう
な効果を有する。例えば図１３に示されるように積分器
(591a)，(591b)，(591c)に入力する以前に、ノイズが信
号に乗ってしまう場合を考える。このような信号が積分
器(591a)，(591b)，(591c)に入力すると、図１２の点線
で示されるように、積分値に微小な変動があるだけでノ
イズの影響はほとんどなくなってしまう。

【００４１】このように、ノイズの影響がなくなった信
号が増幅器(531a)，(531b)，(531c)に供給される。この
増幅器(531a)，(531b)，(531c)の個々の増幅率は色毎の
出力の電圧が同一になるように調整される。従って、増
幅器(531a)，(531b)，(531c)の出力が原稿が全て白画像
の場合同一電圧Ｖ₂ の信号が出力される。

【００４２】このような信号が、セレクタ(541a)に供給
される。セレクタ(541a)は一種のスイッチである。この
セレクタ(541a)は、ＣＣＤ走査パルス発生器からのパル
ス信号の周期の２倍の周期でスイッチ動作、即ち切り換
え動作を行う。従ってセレクタ(541a)からは、図１４
(a) ，(b) ，(c) に示されるような時分割された信号が
多重化されて出力される。

【００４３】このように時分割された信号が、Ａ／Ｄ変
換器(542a)に供給される。３個の増幅器(531a)，(531
b)，(531c)に対応して１個のＡ／Ｄ変換器(542a)を時分
割で用いている。Ａ／Ｄ変換器(542a)は高価であり、少
ない方が好ましい。

【００４４】Ａ／Ｄ変換器(542a)の出力は、記憶部(55)
に収納される。この記憶部(55)は前述のように、ホワイ
ト、イエロ、シアン毎のメモリ(121W)，(121Y)，(121C)
が用意されている。更にこの記憶部(55)にはゲートが設
けられている。このゲートは、セレクタ(541a)乃至(541
h)での信号切換と対応している。即ち、Ａ／Ｄ変換器(5
42a)乃至(542h)からのディジタル信号は、ＣＣＤセンサ
に貼り付けられたフィルタの色に応じて、ゲートが開か
れ、ホアイト、イエロ、シアン毎のメモリ(121W)，(121
Y)，(121C)に収納される。このメモリ(121W)，(121Y)，
(121C)には2048×８個の信号が記憶される訳ではない。
前述のように同一色のフィルタを２個のＣＣＤセンサに
貼り付けているので信号数は２分の１になる。更に、３
色の色毎に信号を完全に分離して記憶するので色毎のメ
モリ(121W)，(121Y)，(121C)に収納される信号数は、更
に３分の１となる。従って全体として色毎のメモリ(121
W)，(121Y)，(121C)には、全ＣＣＤセンサの６分の１の
数の信号数分だけを収納する能力があればよい。

【００４５】このような色毎のメモリ(121W)，(121Y)，
(121C)に収納された信号は、同一記憶容量を有する読み
出し用メモリ(122W)，(122Y)，(122C)にパラレルに供給
される。この読み出し用メモリ(122W)，(122Y)，(122C)
からの読み出しに際しては次のことを注意する。図１５
に示されるように第１乃至第８のＣＣＤチップ(11a)乃
至(11h) が、画像読取の走査線上でＣＣＤセンサ数で17
0 エレメント分光学的に重なっている。従って、この部
分を除去しながら読み出す必要がある。

【００４６】この実施例では、第１及び第８のＣＣＤチ
ップ(11a) 乃至(11h) をハイブリッド技術により設ける
際に重なり部分がわかるので、この重なりに対応する画
素を除去すればよい。但し、ＣＣＤチップ(11a) 乃至(1
1h) 上で画素と言及する時は、Ｗ，Ｃ，Ｙのフィルラが
貼り付けられた６個のＣＣＤセンサ群を指す。

【００４７】例えば図１６に示すように第１のＣＣＤチ
ップ(11a) 左端からｎ番目の画素迄は、第２ＣＣＤチッ
プ(11b) とは重ならず、（ｎ＋１）番目の画素からは第
２のＣＣＤチップ(11b) と重なる場合を説明する。この
実施例では（ｎ＋１）番目以降の画素には全てＣのフィ
ルタを貼り付けておく。

【００４８】メモリ(121W)，(121Y)，(121C)及び読み出
し用メモリ(122W)，(122Y)，(122C)の各々には、１画素
に対して１つの信号が収納される。従って（ｎ＋１）番
目からＣＣＤチップ(11a) 上の端の画素（ｎ₀ 番目の画
素とする。）までの信号を除去すればよい。これは、読
み出しの際にスキップさせればよい。このスキップを各
色毎の読み出しメモリ(122W)，(122Y)，(122C)からの読
み出し時に用いる。重なり部分の識別は、例えばＷの信
号について言えば、ハイブリッド化した後、ＣＣＤカラ
ーセンサで８０μ程度の細い縦線の原稿を読み取り、Ｗ
メモリ中からのディジタル信号をＤ／Ａ変換してアナロ
グ値として出力すると、その出力信号が２つの信号とし
て得られるので、これを１つの信号になるようにＣＣＤ
センサ後端部のメモリのアドレスを除去することにより
容易に行える。

【００４９】次に、以上の回路をどこに配置するかにつ
いて説明する。この実施例では入力部(51)をセラミック
基板(12)上に設ける。但し図１には、第１乃至第８のＣ
ＣＤチップ(11a) 乃至(11h) のみを示している。積分部
(52)，増幅部(53)，Ａ／Ｄ変換部及び記憶部(55)は密着
センサを構成する基板(12)上には設けず、基板(12)外部
に設ける。そしてこれらの回路と入力部(51)とをコード
で電気的に接続する。

【００５０】この利点は （ｉ）ＣＣＤチップ(11a) 乃至(11h) 、サンプリングホ
ールド回路(56a) 乃至(56h) 及び差動増幅器(57a) 乃至
(58h) そして線状光源(31a) ，(31b) 、集束性ロッドレ
ンズアレイ(21a) ，(21b) が基板(12)と一体に設けられ
ているので軽量である。

【００５１】（ii）基板(12)上に入力部(51)を設けてい
るので、基板(12)からは、有意な信号成分が増幅された
ものになっているので、ノイズの影響が軽減されると共
に （iii ）基板外部の回路には積分(52)が設けられている
ので、ノイズの影響を実質上除去することができる。

【００５２】この実施例では基板(12)上に設けた入力部
(51)として、主に差動増幅器(17)を設けているだけであ
るが、これは実施に即し適宜変形，選択できるのは当然
であるが、この実施例においても明白であるように、光
電変換素子の出力に対して、外部に出力される以前に直
接演算を施すので、演算そのものが正確であり、又、制
約を受けない分だけ自由度も高いものとなる。

【００５３】又、２つのＣＣＤセンサに同一色のフィル
タを貼り付けているので、一方のＣＣＤセンサに欠陥が
あっても他方のＣＣＤセンサからの信号を用いればよ
い。実際、ＣＣＤは2048素子を１チップに形成すると２
乃至３個の欠陥素子が発生することはよくある。この場
合には、不良品として廃棄していたがこのように利用す
ると欠陥素子であっても実質上、欠陥素子はないのと等
価である。これは、白黒の原稿を読取る際により効果を
発揮する。

【００５４】欠陥がない場合には、２つのＣＣＤセンサ
からの信号を用いるとＳ／Ｎが上昇する。もっとも、１
画素を３個のＣＣＤセンサにより読取ってもよい。その
時にはＷ，Ｙ，Ｃのフィルタを１枚づつＣＣＤセンサに
貼り付ける。白黒の原稿を読取る場合は、１画素を１Ｃ
ＣＤセンサで読み取ってもよい。

【００５５】更に、同一色のフィルタを１画素中に貼り
付けると、フィルタの貼り付け誤差が多少あっても色分
離が確実にできる。

【００５６】この実施例での回路上の特徴をまとめると
次の通りである。

【００５７】（ｉ）ノイズに強い。

【００５８】（ii）Ａ／Ｄ変換器が少なくて済む。

【００５９】（iii ）色毎の信号の調整が可能である。

【００６０】（iv）移動する基板上に設けられる構成要
素が少く基板の移動の支障とならない。 （ｉ）及び
（iv）の利点は関連があり、色に応じた信号のみを取出
すと同時に適当に増幅する入力部(51)のみを基板に設け
ているので基板重量は軽い。

【００６１】ここで得られた信号を信号線により積分部
(52)に送るので、信号線でノイズが拾われても積分部(5
2)でノイズが消される。

【００６２】そしてノイズが消された後に増幅部(53)で
増幅するのでノイズの影響は表われない。

【００６３】（ii）の利点は、時分割で用いているため
である。

【００６４】（iii ）の利点は、色毎に増幅器を設けて
いるためである。

【００６５】又、この実施例ではＣＣＤにより信号の転
送を行っているがＣＣＤは転送速度が速い。又、例えば
Ａ４判の大きさの原稿の読取りに際し、この大きさのＣ
ＣＤを１個用いるよりも、この実施例のように８個のＣ
ＣＤを用いた方が並列に信号転送を行うので転送時間が
短かい。余分に読取ってしまった信号は、前述のように
読み出し用メモリ(122W)，(122Y)，(122C)からの信号の
読み出しを選択して行えばよく、しかもそれは大きなＣ
ＣＤを１個用いた場合に対して読み取りに要する時間は
同じである。

【００６６】以上、この発明の実施例について説明した
が、実施例には何等拘束されるものではない。実施例で
は光電変換素子列と転送部とをＣＣＤにより実現した
が、ＣＴＤ（Charge Transfer Device：電荷転送素子）
を用いてもよい。例えばＢＢＤ(Bucket Brigade Devic
e) ，ＣＩＤ(Charge Injection Device) ，ＬＣＤ(Ligh
tCoupled Device)，ＰＣＤ(Plasma Coupled Device) ，
スキャンターである。又、光電変換素子列は、千鳥状に
配列しなくとも読取領域を覆うように３列に配置しても
よく、いかなる複数個の配置をとってもよい。

【００６７】光学系は、集束性ロッドレンズアレイには
限定されない。光源も２個ではなく１個でもよく、数に
は限定されない。又、光源としては蛍光灯，ＬＥＤ(Lig
ht Emitting Diode)でもよい。

【００６８】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば信号線
に印加するノイズに影響されない読み取り信号を得るこ
とができる。

【００６９】又、基板上に設けた回路に対して所定の機
能を割当てるので、光電変換素子の出力に対して直接処
理を施すことになり、より自由度の高い処理が実現でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例である８個のＣＣＤチップの
配置を示す図。

【図２】 ＣＣＤチップと集束性ロッドレンズアレイと
の位置関係を示す模式斜視図。

【図３】 ＣＣＤチップ上への結像を説明するための密
着センサの模式断面図。

【図４】 ＣＣＤチップが設けられた基板を密着センサ
として構成する際の組立図。

【図５】 密着センサの斜視図。

【図６】 第５図に示される密着センサの側面図。

【図７】 ＣＣＤセンサ上へのフィルタの貼り付け方を
示す図。

【図８】 この密着センサの電気回路図。

【図９】 電気回路図内のＣＣＤチップからシリアルに
出力される信号を示す図。

【図１０】 電気回路図内のＣＣＤセンサからの信号を
示す図。

【図１１】 電気回路図内のＣＣＤセンサからの信号を
示す図。

【図１２】 電気回路図内の積分後の信号を示す図。

【図１３】 電気回路図内の積分前の信号を示す図。

【図１４】 電気回路図内の時分割された信号を示す
図。

【図１５】 記憶部を示す図。

【図１６】 ＣＣＤチップの重なりを示す図。

【符号の説明】

(11a) ，(11b) ，(11c) ，(11d) ，(11e) ，(11g) ，(1
1h) …ＣＣＤチップ (21a) ，(21b) …集束性ロッドレンズアレイ (31a) ，(31b) …線状光源

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光源と、 この光源からの光が照射される原稿に対向して設けられ
   た基板と、 この基板上に設けられた複数の光電変換素子と、 この光電変換素子に前記原稿からの反射光が受光される
   ように配置された光学系と、 少なくとも前記基板と前記原稿とを相対的に移動させる
   手段と、 この手段による移動に伴い前記光電変換素子からの出力
   に所定の処理を施す回路とから成る読み取り装置におい
   て、 前記所定の処理を施す回路のうち、前記複数の光電変換
   素子の出力信号をサンプルホールドする回路と、このサ
   ンプルホールド回路からの信号を増幅する差動増幅回路
   を、前記光電変換素子が設けられた基板上に一体に設
   け、 前記差動増幅回路からのアナログ信号をデジタル信号に
   変換し、 このデジタル信号を前記基板外に設けた記憶部に記憶す
   ることを特徴とする読み取り装置。