JPH0521348B2 - - Google Patents
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- JPH0521348B2 JPH0521348B2 JP60136991A JP13699185A JPH0521348B2 JP H0521348 B2 JPH0521348 B2 JP H0521348B2 JP 60136991 A JP60136991 A JP 60136991A JP 13699185 A JP13699185 A JP 13699185A JP H0521348 B2 JPH0521348 B2 JP H0521348B2
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- capacitance
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光電変換素子を用いて原稿等の画像
面上の画像を電気信号に変換するイメージセンサ
に係り、特に電荷蓄積型の密着型イメージセンサ
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an image sensor that converts an image on an image surface of a document or the like into an electrical signal using a photoelectric conversion element, and particularly relates to a charge accumulation type contact image sensor. Regarding sensors.
フアクシミリ等に用いられる画像読取り装置を
小型化するために、密着型イメージセンサが使用
されている。
2. Description of the Related Art Contact type image sensors are used to downsize image reading devices used in facsimiles and the like.
この密着型イメージセンサは、画像情報をほぼ
１：１の大きさで読取るイメージセンサであつ
て、特に電荷蓄積型の密着型イメージセンサの信
号読取方式は電圧読取方式により行われている。 This contact type image sensor is an image sensor that reads image information at a ratio of approximately 1:1, and in particular, the signal reading method of the charge accumulation type contact type image sensor is performed by a voltage reading method.
この種のイメージセンサは、基本的に第８図に
示すように構成されている。 This type of image sensor is basically constructed as shown in FIG.
すなわち、同図においてＰは、素子容量C0と
光量に応じた電荷量を流すフオトダイオードＤか
らなる電荷蓄積型の光電変換素子であり、通常一
列に配列されている。 That is, in the figure, P is a charge storage type photoelectric conversion element consisting of an element capacitance C 0 and a photodiode D that flows an amount of charge according to the amount of light, and is usually arranged in a line.
これらの光電変換素子Ｐの各一端は電源Ｅに接
続され、各他端は実積回路Ｉのスイツチング素子
Ｓに配線パターンＬを介してそれぞれ接続されて
いる。スイツチング素子ＳはシフトレジスタSR
により順次駆動され、光電変換素子Ｐに蓄積され
ている電荷信号が読出される。 One end of each of these photoelectric conversion elements P is connected to a power source E, and each other end is connected to a switching element S of an actual product circuit I via a wiring pattern L. Switching element S is shift register SR
The photoelectric conversion element P is sequentially driven by the photoelectric conversion element P, and the charge signal stored in the photoelectric conversion element P is read out.
すなわち、スイツチング素子Ｓが順次ON状態
となり、１ラインの読取りが終了した後、再び
ON状態となるまでの時間、光電変換素子Ｐの発
生電荷を素子容量C0に蓄積し、その蓄積電荷を
スイツチング素子Ｓのうちの対応するスイツチン
グ素子Ｓが再度ON状態になつたときに読出する
のである。そして、この読出し電荷が検出回路を
介して読取り出力として出力される。 That is, the switching elements S are sequentially turned on, and after reading one line is completed, they are turned on again.
The charge generated by the photoelectric conversion element P is accumulated in the element capacitance C0 until it becomes ON state, and the accumulated charge is read out when the corresponding switching element S among the switching elements S becomes ON state again. It is. This read charge is then output as a read output via the detection circuit.
しかしながら、このような従来のイメージセン
サにおいては、上述したように光電変換素子Ｐと
集積回路Ｉとほ絶縁基板上に形成された配線パタ
ーンＬにより接続されるが、集積回路の実装上こ
れらの配線パターンＬは配線長が一定とならず、
各々の配線パターンＬの持つ配線容量も不均一と
なるため出力信号にゆがみが生じるという問題が
ある。 However, in such a conventional image sensor, as described above, the photoelectric conversion element P and the integrated circuit I are connected by the wiring pattern L formed on the insulating substrate. In pattern L, the wiring length is not constant,
Since the wiring capacitance of each wiring pattern L is also non-uniform, there is a problem in that the output signal is distorted.
すなわち、配線パターンＬは対地容量C1と配
線間容量C2の２つの配線容量を持ち、集積回路
Ｉ等により発生する残りの容量をC3、光電変換
素子Ｐに蓄積される電荷量をＱとすると、電圧読
取方式の場合、配線パターン端部の光電変換素子
の出力信号は次の(1)式で表され、それ以外の部分
の光電変換素子の出力信号は次の(2)式で表わされ
る。 That is, the wiring pattern L has two wiring capacitances: ground capacitance C 1 and inter-wiring capacitance C 2 , the remaining capacitance generated by the integrated circuit I etc. is C 3 , and the amount of charge accumulated in the photoelectric conversion element P is Q Then, in the case of the voltage reading method, the output signal of the photoelectric conversion element at the end of the wiring pattern is expressed by the following equation (1), and the output signal of the photoelectric conversion element in other parts is expressed by the following equation (2). expressed.
Ｑ／（C0＋C1＋C2＋C3） ……(1)
Ｑ／（C0＋C1＋2C2＋C3） ……(2)
従つて、配線パターンＬが長尺または高密度に
なると、配線容量（C1＋C2）のばらつきが大き
くなつて、それにともない出力信号のばらつきが
大きくなり、例えば第９図に示すように、マー
ク、例えば黒マーク１ａとこれよりやや淡色のマ
ーク１ｂをイメージセンサ２により読取る場合、
各光電変換素子Ｐからの出力信号が一定となら
ず、第１０図に示すように、出力にゆがみが生ず
るのである。このため、一般に出力信号を“１”
と“０”とで読む場合には、しきい値SLをとる
ことが行なわれている。しかしながら、例えばカ
ラーセンサ等の場合には、第１１図に示すよう
に、２つのしきい値SL1、SL2を必要とするため、
出力補正回路を用いて出力信号を一旦、第１２図
に示すように補正する必要が生じる。 Q/(C 0 +C 1 +C 2 +C 3 ) ...(1) Q/(C 0 +C 1 +2C 2 +C 3 ) ...(2) Therefore, when the wiring pattern L becomes long or dense, the wiring As the variation in capacitance (C 1 + C 2 ) increases, the variation in the output signal increases accordingly. For example, as shown in FIG. When reading by 2,
The output signal from each photoelectric conversion element P is not constant, and as shown in FIG. 10, distortion occurs in the output. For this reason, the output signal is generally set to “1”.
When reading as "0", a threshold value SL is taken. However, in the case of a color sensor, for example, as shown in FIG. 11, two threshold values SL 1 and SL 2 are required.
It becomes necessary to once correct the output signal as shown in FIG. 12 using an output correction circuit.
しかしながら、このように補正回路を付加する
ことは、イメージセンサの構成を複雑にし、製品
コストを高くするという問題がある。 However, adding a correction circuit in this way has the problem of complicating the configuration of the image sensor and increasing product cost.
また、このような出力のばらつきを補正する手
段として、第１３図に示すように、集積回路Ｉの
配線パターンＬの配線幅を配線長の長いものほど
細くなるように変化させ、対地容量C1を調整し
て、配線容量（C1＋C2）のばらつきを均一にす
る方法も提案されている。なお同図においてＴは
光電変換素子の接続端子、Ｗはボンデイングワイ
ヤである。 In addition, as a means of correcting such output variations, as shown in FIG. 13, the wiring width of the wiring pattern L of the integrated circuit I is changed so that the wiring pattern L becomes thinner as the wiring length becomes longer, and the ground capacitance C 1 A method has also been proposed in which the variation in wiring capacitance (C 1 +C 2 ) is made uniform by adjusting. In the figure, T is a connection terminal of a photoelectric conversion element, and W is a bonding wire.
しかしこの方法は通常光電変換素子の配列ピツ
チが等しくなつていることから配線パターンの対
地容量C1の補正はできても、浮遊容量のひとつ
である配線間容量C2は隣接配線パターン間の間
隔が一定とならないためにその不均一となる問題
がある。また、図示していないが光電変換素子Ｐ
の素子容量C0を変えて、配線長の差によつて生
じる配線パターンＬに生じる浮遊容量の不均一を
補正する方法も本発明者らは考慮してみた。しか
し、配線パターンＬの浮遊容量C1、C2に比較し、
素子容量C0は１〜4dots／mmのような低密度のイ
メージセンサの場合、大きいためその補正値はフ
オトエツチング工程の変動すなわちフオトエツチ
ングの条件等が変ることにより大きく変化するた
め配線パターンの浮遊容量との和も一定化されず
イメージセンサの出力電圧の均一化の改善度合が
少なく実用に供しないという問題がある。また、
8dots／mm以上のような高密度イメージセンサに
ついて言えば、配線パターンＬの浮遊容量C1、
C2が素子容量C0より大きくなることによりその
補正効果は少ないと同時に、逆に光電変換素子の
素子容量C0を決定する電極の長さ（副走査方向
をさす）を大きく変えてC0を大きくすると副走
査方向の読取り位置が各々の光電変換素子間で異
なつてくるため、その読取精度の面で実用上問題
がある。さらに、配線容量の補正に伴い配線パタ
ーンが長大なものとなり、イメージセンサが大型
化するという問題があつた。 However, with this method, since the array pitch of the photoelectric conversion elements is usually the same, it is possible to correct the ground capacitance C 1 of the wiring pattern, but the inter-wiring capacitance C 2 , which is one type of stray capacitance, is reduced by the distance between adjacent wiring patterns. There is a problem in that it is not uniform because it is not constant. Also, although not shown, a photoelectric conversion element P
The present inventors have also considered a method of correcting the non-uniformity of stray capacitance that occurs in the wiring pattern L due to the difference in wiring length by changing the element capacitance C 0 of . However, compared to the stray capacitances C 1 and C 2 of the wiring pattern L,
Since the element capacitance C0 is large in the case of a low-density image sensor such as 1 to 4 dots/mm, its correction value changes greatly due to variations in the photo-etching process, i.e., changes in the photo-etching conditions, etc., resulting in floating wiring patterns. There is a problem that the sum with the capacitance is not made constant and the degree of improvement in uniformity of the output voltage of the image sensor is small, making it impractical. Also,
Regarding high-density image sensors such as 8 dots/mm or more, the stray capacitance C 1 of the wiring pattern L,
If C 2 becomes larger than the element capacitance C 0 , the correction effect will be small, and at the same time, conversely, by greatly changing the length of the electrode (pointing in the sub-scanning direction) that determines the element capacitance C 0 of the photoelectric conversion element, C 0 If this value is increased, the reading position in the sub-scanning direction differs between each photoelectric conversion element, which poses a practical problem in terms of reading accuracy. Furthermore, as wiring capacitance is corrected, the wiring pattern becomes longer and longer, causing the problem that the image sensor becomes larger.
本発明はこのような従来の難点を解消すべくな
されたもので、生産性が良好で、しかも大型化す
ることなく配線パターン等の容量歪みにより発生
する出力信号のばらつきを補正できるイメージセ
ンサを提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve these conventional problems, and provides an image sensor that has good productivity and can correct variations in output signals caused by capacitance distortion of wiring patterns, etc., without increasing the size. The purpose is to
上述の目的を達成するため、本発明のイメージ
センサの概要を簡潔に述べるならば、絶縁基板上
に形成された配線長が少なくとも一部で均一でな
い接続用配線パターンの不均一を補正する容量調
整用配線パターンを光電変換部の下部またはその
近傍の少なくとも一方に絶縁層を介して配置した
ことを特徴とし、これにより各々の配線パターン
の浮遊容量を実質的に同一とすることができる。
In order to achieve the above object, the image sensor of the present invention can be briefly summarized as follows: capacitance adjustment for correcting non-uniformity of a connection wiring pattern formed on an insulating substrate where the wiring length is not uniform at least in part; The wiring pattern is disposed at least on one side of the lower part of the photoelectric conversion section or in the vicinity thereof, with an insulating layer interposed therebetween, so that the stray capacitance of each wiring pattern can be made substantially the same.
以下この発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は第１の本発明の一実施例を示す断面
図、第２図はその配線パターンを示す部分断面図
である。 FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the first invention, and FIG. 2 is a partial sectional view showing its wiring pattern.
この実施例のイメージセンサは、駆動回路部Ａ
と光導電変換部Ｂにより構成されている。 The image sensor of this embodiment has a drive circuit section A.
and a photoconductive conversion section B.
駆動回路部Ａは、セラミツク基板３と、この上
に形成されたアルミニウムまたは金等の薄膜より
なる配線パターン４と、この配線パターン４上に
導電性エポキシ樹脂５により固着されたアナログ
スイツチ機能を有する集積回路６とからその主要
部分が構成されている。 The drive circuit section A has a ceramic substrate 3, a wiring pattern 4 made of a thin film of aluminum or gold formed on the ceramic substrate 3, and an analog switch function fixed on the wiring pattern 4 with a conductive epoxy resin 5. Its main part is composed of an integrated circuit 6.
配線パターン４は、接続用配線パターン４ａと
容量調整用配線パターン４ｂとからなつている。
この接続用配線パターン４ａは従来の配線パター
ンと同様に両端のものほど配線長が長くなる配線
長の不均等な同一線幅の配線パターンからなり、
またこの容量調整用配線パターン４ｂは、これら
の接続用配線パターン４ａにそれぞれ接続され、
かつ配線長の長い接続用配線パターン４ａに接続
されたものほど面積が小さくなるように形成され
て、接続用配線パターン４ａと容量調整用配線パ
ターン４ｂの面積の和がほぼ等しくなるように調
整され、接続用配線パターンよりも配線の幅が広
い配線パターンから構成されている。 The wiring pattern 4 consists of a connection wiring pattern 4a and a capacitance adjustment wiring pattern 4b.
This connection wiring pattern 4a is made up of a wiring pattern of the same line width with unequal wiring lengths in which the wiring length is longer at both ends, similar to the conventional wiring pattern,
Further, the capacitance adjustment wiring pattern 4b is connected to each of these connection wiring patterns 4a,
In addition, the wires connected to the connection wiring pattern 4a having a longer wiring length are formed so that the area thereof becomes smaller, and the sum of the areas of the connection wiring pattern 4a and the capacitance adjustment wiring pattern 4b is adjusted to be approximately equal. , is composed of a wiring pattern whose width is wider than that of the connection wiring pattern.
集積回路６は、金あるいはアルミニウムワイヤ
７により接続用配線パターン４ａと電気的に接続
され、また容量調整用配線パターン４ｂ上には、
光電変換部Ｂの絶縁層１０（例えばポリイミド樹
脂、ガラス系無機物等）がスピンコートあるいは
スクリーン印刷法等により形成され、その上部に
膜技術により光電変換部Ｂが構成されている。な
お、集積回路６から接続用配線パターン４ａの接
続端子にかけて絶縁性樹脂８がポツテイングさ
れ、その外周は保護キヤツプ９で覆われている。 The integrated circuit 6 is electrically connected to the connection wiring pattern 4a by a gold or aluminum wire 7, and on the capacitance adjustment wiring pattern 4b,
The insulating layer 10 (for example, polyimide resin, glass-based inorganic material, etc.) of the photoelectric conversion section B is formed by spin coating or screen printing, and the photoelectric conversion section B is constructed on top of the insulating layer 10 by a film technique. Note that an insulating resin 8 is potted from the integrated circuit 6 to the connection terminal of the connection wiring pattern 4a, and its outer periphery is covered with a protective cap 9.
一方、光電変換部Ｂは、絶縁層１０と、この絶
縁層１０上にクロムまたはアルミ薄膜を用いて形
成された個別電極１１ａ、この個別電極１１ａ上
に順に着膜されたα−Si：Ｈ等からなる高抵抗光
導電膜１１ｂ、SnO2、ITO膜等の透明導電膜１
１ｃからなる光電変換素子１１とから構成されて
おり、光電変換素子１１の各個別電極１１ａには
金あるいはアルミニウム薄膜の着膜によりボンデ
イングパツトが形成され、金あるいはアルミニウ
ムワイヤ１２により接続用配線パターン４ａに接
続されている。 On the other hand, the photoelectric conversion section B includes an insulating layer 10, an individual electrode 11a formed using a chromium or aluminum thin film on this insulating layer 10, and α-Si:H etc. deposited in order on this individual electrode 11a. A high-resistance photoconductive film 11b consisting of a transparent conductive film 1 such as SnO 2 , ITO film, etc.
A bonding pad is formed on each individual electrode 11a of the photoelectric conversion element 11 by depositing a gold or aluminum thin film, and a connection wiring pattern 4a is formed with a gold or aluminum wire 12. It is connected to the.
また、１１ｄは光電変換素子Ｐの個別電極１１
ａに対向する透明導電膜１１ｃを導出し電源Ｅに
電気的導通をとるための共通電極である。 Further, 11d is an individual electrode 11 of the photoelectric conversion element P.
This is a common electrode for leading out the transparent conductive film 11c facing the electrode a and establishing electrical continuity with the power source E.
さらに、光電変換素子１１上には保護ガラス板
１３が透明絶縁樹脂１４により固着され、かつ保
護ガラス板１３の周囲からキヤツプ９にかけて同
一樹脂がポツテイングされている。 Furthermore, a protective glass plate 13 is fixed onto the photoelectric conversion element 11 with a transparent insulating resin 14, and the same resin is potted from the periphery of the protective glass plate 13 to the cap 9.
この実施例のイメージセンサでは、光電変換素
子の出力信号は、金あるいはアルミニウムワイヤ
１２、接続用配線パターン４ａおよび金あるいは
アルミニウムワイヤ７を介して集積回路６に導通
される。 In the image sensor of this embodiment, the output signal of the photoelectric conversion element is conducted to the integrated circuit 6 via the gold or aluminum wire 12, the connection wiring pattern 4a, and the gold or aluminum wire 7.
一実施例のイメージセンサでは、配線パターン
４を光電変換部Ｂの下部およびその近傍に延長し
てその面積が等しくなるようにしたので、全体を
大型化することなく配線容量の補正を完全に行な
うことができる。なお、配線パターン４は光電変
換部Ｂの下部またはその近傍の一方に延長するだ
けでも良いことは言うまでもない。 In the image sensor of one embodiment, the wiring pattern 4 is extended to the bottom of the photoelectric conversion part B and its vicinity so that the areas thereof are equal, so that the wiring capacitance can be completely corrected without increasing the overall size. be able to. Note that it goes without saying that the wiring pattern 4 may be simply extended to either the lower part of the photoelectric conversion section B or the vicinity thereof.
第３図は第２の発明の実施例を示す断面図であ
る。なお以下の説明において、第１図と共通する
部分には同一符号を付して重視する説明を省略す
る。 FIG. 3 is a sectional view showing an embodiment of the second invention. In the following description, parts common to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and important descriptions will be omitted.
この実施例では、個々の光電変換素子に対応す
る各接続用配線パターン４ａをＬ字状に形成する
とともに、これらに接続された容量調整用配線パ
ターン４ｂを、それらの延長上に点対称となるよ
うに形成して、隣接配線間隔の同一な部分の配線
長さの和を全配線パターン４を通じて同一長さと
し、これによつて各配線パターン４の対地容量
C1と配線間容量C2とをそれぞれほぼ等しくなる
ように調整している。 In this embodiment, each connection wiring pattern 4a corresponding to each photoelectric conversion element is formed in an L shape, and the capacitance adjustment wiring pattern 4b connected to these is point symmetrical on the extension thereof. The sum of the wiring lengths at the same intervals between adjacent wiring patterns is the same throughout all wiring patterns 4, thereby increasing the ground capacitance of each wiring pattern 4.
C 1 and inter-wiring capacitance C 2 are adjusted to be approximately equal to each other.
第４図はさらに第３の発明の実施例の要部を示
す断面図である。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing a main part of the third embodiment of the invention.
この実施例においては、配線パターン形成時に
プロセス変動や、絶縁基板表面の仕上り差等によ
つて生ずる対地容量C1の均一性を向上さすべく、
対地容量補正パターン４ｄを付加したもので、
各々配線パターンの対地容量の変動比率を減少さ
せ配線間容量をほぼ均一に構成したものである。 In this embodiment, in order to improve the uniformity of the ground capacitance C 1 caused by process variations during wiring pattern formation, differences in the finish of the insulating substrate surface, etc.
With the addition of ground capacity correction pattern 4d,
The variation ratio of the ground capacitance of each wiring pattern is reduced, and the inter-wiring capacitance is made almost uniform.
第５図は第１図に示した第１の本発明の他の実
施例を示し、光電変換素子Ｐの個別電極１１ａと
接続用配線パターン４ａとを絶縁層１０の一部１
１a-1にスルホールを設け、スルホールを用いて
電気的接続を行なつて構成したイメージセンサの
例である。（第１図のものはワイヤボンデイング
接続である。）
第６図は第１〜第３の発明の他の実施例であ
る。 FIG. 5 shows another embodiment of the first invention shown in FIG.
This is an example of an image sensor configured by providing a through hole in 1 a-1 and making electrical connection using the through hole. (The one in FIG. 1 is a wire bonding connection.) FIG. 6 shows another embodiment of the first to third inventions.
この実施例のイメージセンサは絶縁層１０の光
電変換素子１１の構成部にスルホールを設けて、
容量調整用配線パターン４ｂの一部を光電変換素
子１１の個別電極１１ａとしたものでは、やはり
配線パターンの浮遊容量歪補正は一実施例（第１
図に示したもの）と同様に実施し各々の配線容量
をほぼ均一に構成したものである。 In the image sensor of this embodiment, a through hole is provided in the component of the photoelectric conversion element 11 of the insulating layer 10,
In the case where a part of the capacitance adjustment wiring pattern 4b is used as the individual electrode 11a of the photoelectric conversion element 11, the correction of stray capacitance distortion of the wiring pattern is performed according to one embodiment (first embodiment).
The wiring capacitance of each wiring is made almost uniform.
第７図は第１〜第３の発明の他の実施例で共通
電極１１ｄを絶縁層１０の上部に構成したもので
ある。 FIG. 7 shows another embodiment of the first to third inventions in which the common electrode 11d is formed on the upper part of the insulating layer 10.
以上説明したようにこの発明のイメージセンサ
は、光電変換素子と集積回路とを結ぶ接続用配線
パターンにそれぞれ接続されて光電変換部の下部
あるいはその近傍に絶縁層を介して容量調整用配
線パターンを形成したから大型化することなく、
配線パターン等の容量歪みにより発生する出力信
号のばらつきを完全に補正することができる。さ
らに配線パターンの容量調整用配線パターンの一
部を用い光電変換素子の一部を構成したことによ
り光電変換部と駆動回路部の接続点が大幅に減少
し、生産性が向上するとともに信頼性の高いイメ
ージセンサが得られる。
As explained above, the image sensor of the present invention has capacitance adjustment wiring patterns connected to the connection wiring patterns connecting the photoelectric conversion element and the integrated circuit through an insulating layer below or in the vicinity of the photoelectric conversion section. Because it is formed, it does not become large.
It is possible to completely correct variations in output signals caused by capacitive distortion of wiring patterns and the like. Furthermore, by using part of the wiring pattern for capacitance adjustment to form part of the photoelectric conversion element, the number of connection points between the photoelectric conversion part and the drive circuit part is greatly reduced, improving productivity and reliability. A high quality image sensor can be obtained.
第１図は本発明のイメージセンサの一実施例を
示す断面図、第２図ないし第４図はそれぞれ本発
明の他の実施例の要部を示す平面図、第５図は本
発明の他の実施例を示す断面図、第６図ないし第
７図は本発明の他の実施例を示す断面図、第８図
はイメージセンサの等価回路図、第９図ないし第
１２図は従来イメージセンサにおいて出力信号に
バラツキを解消する方法を説明するための模式
図、第１３図は従来の出力信号のバラツキを解消
したイメージセンサの要部を示す平面図である。
３……絶縁基板、４……配線パターン、４ａ…
…接続用配線パターン、４ｂ……容量調整用配線
パターン、５……導電性エポキシ樹脂、６……集
積回路、７，１２……ワイヤ、８……絶縁樹脂、
９……保護キヤツプ、１０……絶縁層、１１……
光電変換素子、１１ａ……個別電極、１１ｂ……
高抵抗光導膜、１１ｃ……透明性導電膜、１３…
…保護ガラス板、Ａ……駆動回路部、Ｂ……光電
変換部、C0……素子容量、C1……対地容量、C2
……配線間容量、Ｄ……フオトダイオード、Ｅ…
…電源、Ｌ……配線パターン、Ｐ……光電変換素
子、Ｓ……スイツチ、SR……シフトレジスタ。
FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the image sensor of the present invention, FIGS. 2 to 4 are plan views showing main parts of other embodiments of the present invention, and FIG. FIGS. 6 to 7 are sectional views showing other embodiments of the present invention, FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of an image sensor, and FIGS. 9 to 12 are conventional image sensors. FIG. 13 is a schematic diagram for explaining a method of eliminating variations in output signals in FIG. 3...Insulating board, 4...Wiring pattern, 4a...
...Wiring pattern for connection, 4b... Wiring pattern for capacity adjustment, 5... Conductive epoxy resin, 6... Integrated circuit, 7, 12... Wire, 8... Insulating resin,
9...Protective cap, 10...Insulating layer, 11...
Photoelectric conversion element, 11a...Individual electrode, 11b...
High resistance photoconductive film, 11c...Transparent conductive film, 13...
...Protective glass plate, A...Drive circuit section, B...Photoelectric conversion section, C0 ...Element capacitance, C1 ...Earth capacitance, C2
...Inter-wiring capacitance, D...Photodiode, E...
...power supply, L...wiring pattern, P...photoelectric conversion element, S...switch, SR...shift register.
Claims (1)
子を配列してなる光電変換部と、これらの光電変
換素子からの出力信号を順次読出す駆動回路部と
を有し、前記光電変換部と前記駆動回路部とが、
前記絶縁基板上に形成された配線長が少なくとも
１本異なる接続用配線パターンにより接続された
イメージセンサにおいて、前記接続用配線パター
ンの少なくとも１本の配線長を補正する容量調整
用配線パターンを前記光電変換部の下部またはそ
の近傍のうち少なくとも一方に絶縁層を介して配
置し、かつ前記容量調整用配線パターンの各々の
面積が前記接続用配線パターンの各々長さに比例
して小さくすることにより各々の前記接続用配線
パターンの浮遊容量を実質的に均一にすることを
特徴とするイメージセンサ。 ２ 前記容量調整用配線パターンの少なくとも一
部は、前記光電変換素子の一部を構成しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメ
ージセンサ。 ３ 前記光電変換素子は、電荷蓄積型の光電変換
素子であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項記載のイメージセンサ。 ４ 絶縁基板上に形成された複数個の光電変換素
子を配列してなる光電変換部と、これらの光電変
換素子からの出力信号を順次読出す駆動回路部と
を有し、前記光電変換部と前記駆動回路部とが、
前記絶縁基板上に形成された配線長が少なくとも
１本異なる接続用配線パターンにより接続された
イメージセンサにおいて、前記接続用配線パター
ンの少なくとも１本の配線長を補正する容量調整
用配線パターンを前記光電変換部の下部またはそ
の近傍のうち少なくとも一方に絶縁層を介して配
置し、かつ前記容量調整用配線パターンの相互に
隣接する配線間容量が、前記容量調整用配線パタ
ーンの各々に接続する前記接続用配線パターンの
長さに比例して小さくするように前記容量調整用
配線パターンの長さまたは配線間隔の少なくとも
一方を調整することにより各々の前記接続用配線
パターンの浮遊容量を実質的に均一にすることを
特徴とするイメージセンサ。 ５ 前記容量調整用配線パターンの少なくとも一
部は、前記光電交換素子の一部を構成しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のイメ
ージセンサ。 ６ 前記光電変換素子は、電荷蓄積型の光電変換
素子であることを特徴とする特許請求の範囲第４
項または第５項記載のイメージセンサ。 ７ 絶縁基板上に形成された複数個の光電変換素
子を配列してなる光電変換部と、これらの光電変
換素子からの出力信号を順次読出す駆動回路部と
を有し、前記光電変換部と前記駆動回路部とが、
前記絶縁基板上に形成された配線長が少なくとも
１本異なる接続用配線パターンにより接続された
イメージセンサにおいて、前記接続用配線パター
ンの少なくとも１本の配線長を補正する容量調整
用配線パターンを前記光電変換部の下部またはそ
の近傍のうち少なくとも一方に絶縁層を介して配
置し、かつ前記容量調整用配線パターンの相互に
隣接する配線間容量が、前記容量調整用配線パタ
ーンの各々に接続する前記接続用配線パターンの
各配線長に比例して小さくなるように前記容量調
整用パターンの各配線長または配線間隔の少なく
とも一方を調整し、さらに前記容量調整用配線パ
ターンの少なくとも一部に一定の対地容量補正手
段を配置することにより各々の前記接続用配線パ
ターンの浮遊容量を実質的に均一にすることを特
徴とするイメージセンサ。 ８ 前記容量調整用配線パターンの少なくとも一
部は、前記光電変換素子の一部を構成しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載のイメ
ージセンサ。 ９ 前記光電変換素子は、電荷蓄積型の光電変換
素子であることを特徴とする特許請求の範囲第７
項または第８項記載のイメージセンサ。 １０ 前記対地容量補正手段は、対地容量補正用
の配線パターンであることを特徴とする特許請求
の範囲第８項記載のイメージセンサ。[Scope of Claims] 1. A photoelectric conversion unit formed by arranging a plurality of photoelectric conversion elements formed on an insulating substrate, and a drive circuit unit that sequentially reads out output signals from these photoelectric conversion elements. , the photoelectric conversion section and the drive circuit section,
In an image sensor connected by connection wiring patterns formed on the insulating substrate and having at least one wiring length different from each other, the capacitance adjustment wiring pattern for correcting the wiring length of at least one of the connection wiring patterns is connected to the photoelectric sensor. Each of the wiring patterns for capacitance adjustment is arranged at least one of the lower part of the conversion part or the vicinity thereof with an insulating layer interposed therebetween, and the area of each of the wiring patterns for capacitance adjustment is made small in proportion to the length of each of the wiring patterns for connection. An image sensor characterized in that the stray capacitance of the connection wiring pattern is made substantially uniform. 2. The image sensor according to claim 1, wherein at least a part of the capacitance adjustment wiring pattern constitutes a part of the photoelectric conversion element. 3. Claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a charge storage type photoelectric conversion element.
The image sensor according to item 1 or 2. 4. A photoelectric conversion section formed by arranging a plurality of photoelectric conversion elements formed on an insulating substrate, and a drive circuit section that sequentially reads output signals from these photoelectric conversion elements, and the photoelectric conversion section and The drive circuit section is
In an image sensor connected by connection wiring patterns formed on the insulating substrate and having at least one wiring length different from each other, the capacitance adjustment wiring pattern for correcting the wiring length of at least one of the connection wiring patterns is connected to the photoelectric sensor. The connection is arranged in at least one of the lower part of the conversion part or the vicinity thereof with an insulating layer interposed therebetween, and the capacitances between mutually adjacent wirings of the capacitance adjustment wiring patterns are connected to each of the capacitance adjustment wiring patterns. The stray capacitance of each of the connection wiring patterns is made substantially uniform by adjusting at least one of the length or the wiring spacing of the capacitance adjustment wiring patterns so as to be reduced in proportion to the length of the connection wiring patterns. An image sensor characterized by: 5. The image sensor according to claim 4, wherein at least a part of the capacitance adjustment wiring pattern constitutes a part of the photoelectric exchange element. 6. Claim 4, wherein the photoelectric conversion element is a charge storage type photoelectric conversion element.
The image sensor according to item 1 or item 5. 7. It has a photoelectric conversion section formed by arranging a plurality of photoelectric conversion elements formed on an insulating substrate, and a drive circuit section that sequentially reads output signals from these photoelectric conversion elements, and the photoelectric conversion section and The drive circuit section is
In an image sensor connected by connection wiring patterns formed on the insulating substrate and having at least one wiring length different from each other, the capacitance adjustment wiring pattern for correcting the wiring length of at least one of the connection wiring patterns is connected to the photoelectric sensor. The connection is arranged in at least one of the lower part of the conversion part or the vicinity thereof with an insulating layer interposed therebetween, and the capacitances between mutually adjacent wirings of the capacitance adjustment wiring patterns are connected to each of the capacitance adjustment wiring patterns. At least one of the wiring lengths or wiring intervals of the capacitance adjustment pattern is adjusted so that the wiring length of the capacitance adjustment wiring pattern becomes smaller in proportion to the wiring length of the wiring pattern, and furthermore, at least a part of the capacitance adjustment wiring pattern has a constant ground capacitance. An image sensor characterized in that stray capacitance of each of the connection wiring patterns is made substantially uniform by arranging a correction means. 8. The image sensor according to claim 7, wherein at least a part of the capacitance adjustment wiring pattern constitutes a part of the photoelectric conversion element. 9. Claim 7, wherein the photoelectric conversion element is a charge storage type photoelectric conversion element.
The image sensor according to item 8 or item 8. 10. The image sensor according to claim 8, wherein the ground capacitance correction means is a wiring pattern for ground capacitance correction.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136991A JPS61295656A (en) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Image sensor |
| KR1019850008472A KR900003772B1 (en) | 1984-11-28 | 1985-11-13 | Image sensor |
| US06/802,160 US4679088A (en) | 1984-11-28 | 1985-11-25 | Image sensor with means to adjust capacitance of signal leads |
| DE8585308577T DE3579890D1 (en) | 1984-11-28 | 1985-11-26 | IMAGE SENSOR. |
| EP85308577A EP0183525B1 (en) | 1984-11-28 | 1985-11-26 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136991A JPS61295656A (en) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Image sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61295656A JPS61295656A (en) | 1986-12-26 |
| JPH0521348B2 true JPH0521348B2 (en) | 1993-03-24 |
Family
ID=15188226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60136991A Granted JPS61295656A (en) | 1984-11-28 | 1985-06-25 | Image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61295656A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6429826U (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-22 | ||
| JP4635191B2 (en) * | 2003-10-21 | 2011-02-16 | 国立大学法人静岡大学 | Super-resolution pixel electrode arrangement structure and signal processing method |
| JP5679679B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-03-04 | 京セラ株式会社 | Optical print head and image forming apparatus using the same |
| JP2022083871A (en) | 2020-11-25 | 2022-06-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Image sensor and image sensor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5582562A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Pick up unit for original read-in |
| JPS579776A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Microbial Chem Res Found | Production of anthracycline |
| JPS59152775A (en) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | Fuji Xerox Co Ltd | Original reader |
| JPS60178663A (en) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | Large-scaled image sensor |
| JPS617767A (en) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Fuji Xerox Co Ltd | Original reader |
| JPS61172367A (en) * | 1985-01-25 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | Image sensor |
| JPS61253859A (en) * | 1985-05-02 | 1986-11-11 | Hitachi Ltd | image sensor |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP60136991A patent/JPS61295656A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61295656A (en) | 1986-12-26 |
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