JPH05214101A - 熱可塑型ポリエステルイミドとそれを用いた電子部品および電子装置 - Google Patents
熱可塑型ポリエステルイミドとそれを用いた電子部品および電子装置Info
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- JPH05214101A JPH05214101A JP2096392A JP2096392A JPH05214101A JP H05214101 A JPH05214101 A JP H05214101A JP 2096392 A JP2096392 A JP 2096392A JP 2096392 A JP2096392 A JP 2096392A JP H05214101 A JPH05214101 A JP H05214101A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】各種電子装置用の低温短時間硬化型ポリエステ
ルイミドの提供。 【構成】一般式〔１〕 【化５】 （但し、Ｒ1は炭素数７〜１８、Ｒ2は炭素数５〜１８の
アルキル基、Ｒ3，Ｒ4は炭素数１〜１８のアルキル基、
Ｒ5，Ｒ6は水素または炭素数１〜１８のアルキル基）を
示し、Ｘは炭素数１〜４のアルキル基で、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０，１または２の整数を示しこれらは同じでも
よい。〕で表わされるテトラカルボン酸とジアミンの組
成物の重合体からなるポリエステルイミド。
ルイミドの提供。 【構成】一般式〔１〕 【化５】 （但し、Ｒ1は炭素数７〜１８、Ｒ2は炭素数５〜１８の
アルキル基、Ｒ3，Ｒ4は炭素数１〜１８のアルキル基、
Ｒ5，Ｒ6は水素または炭素数１〜１８のアルキル基）を
示し、Ｘは炭素数１〜４のアルキル基で、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０，１または２の整数を示しこれらは同じでも
よい。〕で表わされるテトラカルボン酸とジアミンの組
成物の重合体からなるポリエステルイミド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な熱可塑型ポリエ
ステルイミドとそれを用いた電子部品および電子装置に
関する。
ステルイミドとそれを用いた電子部品および電子装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、各種の電子装置および該部品の絶
縁層，バッファコート膜等にテトラカルボン酸二無水物
とジアミンを重縮合して得られる耐熱性の優れたポリイ
ミドが用いられている。
縁層，バッファコート膜等にテトラカルボン酸二無水物
とジアミンを重縮合して得られる耐熱性の優れたポリイ
ミドが用いられている。
【０００３】また、液晶表示素子の配向膜として、例え
ば、ピロメリット酸二無水物と４，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル縮合のポリイミド（特公昭５５−１０１
８号公報）膜をはじめ、表示素子の透明性あるいは液晶
の高プレチルト角の要求から、これを目的とするポリイ
ミドが提案されている（特開昭６３−２５９５１５号，
特開昭６４−２５１２６号，特開昭６２−２６２８２
９，特開昭６４−２５１２７，特開昭６２−１２７８２
７，特開昭６２−１７４７２５，特開平２−２１０３２
８公報）。また、半導体装置等の多層配線用絶縁膜にも
同様に種々のポリイミドが提案されている（特開昭５０
−８４６９号，特開昭５０−６２７９号公報）。
ば、ピロメリット酸二無水物と４，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル縮合のポリイミド（特公昭５５−１０１
８号公報）膜をはじめ、表示素子の透明性あるいは液晶
の高プレチルト角の要求から、これを目的とするポリイ
ミドが提案されている（特開昭６３−２５９５１５号，
特開昭６４−２５１２６号，特開昭６２−２６２８２
９，特開昭６４−２５１２７，特開昭６２−１２７８２
７，特開昭６２−１７４７２５，特開平２−２１０３２
８公報）。また、半導体装置等の多層配線用絶縁膜にも
同様に種々のポリイミドが提案されている（特開昭５０
−８４６９号，特開昭５０−６２７９号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ポリイミド膜の硬化
（イミド化率９０％以上）には、通常、高温（２５０℃
以上）で長時間（３０分以上）の加熱が必要である。ま
た、硬化後のポリイミドは一般に不融不溶であるため、
一旦形成された皮膜はアルカリ溶液等を用いてエッチン
グしようとしても容易でない。しかし、近年の各種電子
装置の絶縁等には、低温、短時間で硬化し，エッチング
の容易なポリイミドが要求されている。
（イミド化率９０％以上）には、通常、高温（２５０℃
以上）で長時間（３０分以上）の加熱が必要である。ま
た、硬化後のポリイミドは一般に不融不溶であるため、
一旦形成された皮膜はアルカリ溶液等を用いてエッチン
グしようとしても容易でない。しかし、近年の各種電子
装置の絶縁等には、低温、短時間で硬化し，エッチング
の容易なポリイミドが要求されている。
【０００５】例えば、液晶表示装置において表示素子の
大画面，高密度化に伴い、該素子の基板も大型化し高い
精度のものが要求されるためにますます高価になってい
る。該基板のカラーフィルタまたはオーバーコート膜と
してこれまでポリイミド膜を適用した場合、該膜の不良
が発生しても容易に剥離することができず、従って基板
の再使用（repair）の容易性が重要課題になってきてい
る。その他、半導体装置等の分野でも配線の微細化に伴
い、絶縁層として使用するポリイミドの高温硬化による
配線のストレスマイグレーション（材料の熱膨張係数の
差によって生ずる熱応力に基づくクラックや断線等）の
発生が問題となる。
大画面，高密度化に伴い、該素子の基板も大型化し高い
精度のものが要求されるためにますます高価になってい
る。該基板のカラーフィルタまたはオーバーコート膜と
してこれまでポリイミド膜を適用した場合、該膜の不良
が発生しても容易に剥離することができず、従って基板
の再使用（repair）の容易性が重要課題になってきてい
る。その他、半導体装置等の分野でも配線の微細化に伴
い、絶縁層として使用するポリイミドの高温硬化による
配線のストレスマイグレーション（材料の熱膨張係数の
差によって生ずる熱応力に基づくクラックや断線等）の
発生が問題となる。
【０００６】本発明の目的は、低温（２２０℃以下）で
短時間（１０分以下）硬化することができ、エッチング
も容易な新規な熱可塑型ポリエステルイミドを提供する
ことにある。
短時間（１０分以下）硬化することができ、エッチング
も容易な新規な熱可塑型ポリエステルイミドを提供する
ことにある。
【０００７】本発明の他の目的は、前記ポリエステルイ
ミドを用いた電子部品および電子装置を提供することに
ある。
ミドを用いた電子部品および電子装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、ビス〔４−（ジカルボキシベンゾイルオキシ）
フェニル〕型のテトラカルボン酸の中央連結基に、特定
のアルキル基からなるフレキシブルチエーンを導入する
ことにより前記課題を解決できることを見出し、本発明
に到達した。本発明の要旨は次のとおりである。
の結果、ビス〔４−（ジカルボキシベンゾイルオキシ）
フェニル〕型のテトラカルボン酸の中央連結基に、特定
のアルキル基からなるフレキシブルチエーンを導入する
ことにより前記課題を解決できることを見出し、本発明
に到達した。本発明の要旨は次のとおりである。
【０００９】（１）一般式〔１〕
【００１０】
【化３】
【００１１】（但し、Ｒ1は炭素数７〜１８、Ｒ2は炭素
数５〜１８のアルキル基、Ｒ3，Ｒ4は炭素数１〜１８の
アルキル基、Ｒ5，Ｒ6は水素または炭素数１〜１８のア
ルキル基）を示し、Ｘは炭素数１〜４のアルキル基で、
ａ，ｂ，ｃおよびｄは０，１または２の整数を示しこれ
らは同じでもよい。〕で表わされるテトラカルボン酸と
ジアミンの組成物の重合体である熱可塑型ポリエステル
イミド。
数５〜１８のアルキル基、Ｒ3，Ｒ4は炭素数１〜１８の
アルキル基、Ｒ5，Ｒ6は水素または炭素数１〜１８のア
ルキル基）を示し、Ｘは炭素数１〜４のアルキル基で、
ａ，ｂ，ｃおよびｄは０，１または２の整数を示しこれ
らは同じでもよい。〕で表わされるテトラカルボン酸と
ジアミンの組成物の重合体である熱可塑型ポリエステル
イミド。
【００１２】（２）また、前記ジアミンが一般式〔２〕
【００１３】
【化４】
【００１４】（但し、Ｒ1，Ｒ2はアルキル基，パーフル
オロアルキル基）を示し、Ｘ'はハロゲン原子，炭素数
１〜４のアルキル基で、ａ，ｂ，ｃおよびｄは０，１ま
たは２の整数を示しこれらは同じでもよい。〕で表わさ
れるジアミンである前記（１）に記載の熱可塑型ポリエ
ステルイミド。
オロアルキル基）を示し、Ｘ'はハロゲン原子，炭素数
１〜４のアルキル基で、ａ，ｂ，ｃおよびｄは０，１ま
たは２の整数を示しこれらは同じでもよい。〕で表わさ
れるジアミンである前記（１）に記載の熱可塑型ポリエ
ステルイミド。
【００１５】（３）テトラカルボン酸が前記一般式
〔１〕で示されるテトラカルボン酸５〜９５モルと他の
テトラカルボン酸９５〜９モル含むものである。また、
ジアミンが前記一般式〔２〕で示されるジアミン５〜９
５モルと他のジアミン９５〜５モル含むものである。
〔１〕で示されるテトラカルボン酸５〜９５モルと他の
テトラカルボン酸９５〜９モル含むものである。また、
ジアミンが前記一般式〔２〕で示されるジアミン５〜９
５モルと他のジアミン９５〜５モル含むものである。
【００１６】前記の重合体を各種電子装置、例えば、液
晶表示装置の配向膜に用いることにより、耐熱性が低い
カラーフィルタやオーバーコート膜を用いることがで
き、また、特性の点でも輝度ムラが改良される。更にま
た、基板の再生，エッチングも著しく容易にできる。
晶表示装置の配向膜に用いることにより、耐熱性が低い
カラーフィルタやオーバーコート膜を用いることがで
き、また、特性の点でも輝度ムラが改良される。更にま
た、基板の再生，エッチングも著しく容易にできる。
【００１７】また、半導体装置の絶縁膜等に使用して
も、硬化温度が低いのでアルミ配線層に加わる熱応力が
小さいために、ストレスマイグレーション等の発生を抑
制できる。
も、硬化温度が低いのでアルミ配線層に加わる熱応力が
小さいために、ストレスマイグレーション等の発生を抑
制できる。
【００１８】前記重合体を液晶表示装置の配向膜とし
て、液晶分子のプレチルト角を高めるためには、前記一
般式〔１〕で示されるテトラカルボン酸のＲ1の炭素数
が７以上のものを用いることが望ましい。
て、液晶分子のプレチルト角を高めるためには、前記一
般式〔１〕で示されるテトラカルボン酸のＲ1の炭素数
が７以上のものを用いることが望ましい。
【００１９】前記一般式〔１〕で示されるビス〔４−
（ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕型のテト
ラカルボン酸としては、２，２−ビス〔４−（３，４−
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕ノナン、
２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイル
オキシ）フェニル〕デカン、２，２−ビス〔４−（３，
４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕トリデ
カン、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕テトラデカン、２，２−ビス
〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェ
ニル〕ペンタデカン、１，１−ビス〔４−（３，４−ジ
カルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕−２−メチル
デカン、１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベ
ンゾイルオキシ）フェニル〕−２−メチルオクタン、
１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイル
オキシ）フェニル〕−２−エチルペンタデカン、２，２
−ビス〔３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキ
シベンゾイルオキシ）フェニル〕ドデカン、２，２−ビ
ス〔３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキシベ
ンゾイルオキシ）フェニル〕デカン、２，２−ビス
〔３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕トリデカン、２，２−ビス
〔３，５−ジエチル−４−（３，４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕ペンタデカン、１，１−ビス
〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェ
ニル〕シクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（３，４−
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕プロピルシ
クロヘキサン、１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボ
キシベンゾイルオキシ）フェニル〕ヘプチルシクロヘキ
サン等の二無水物またはカルボン酸がある。これらは上
記ビス〔４−（ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕型以外のテトラカルボン酸にモル比で５〜９５配合
して使用するのがよい。９５モルより多くなると重合度
が上がりにくいと云う問題がある。
（ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕型のテト
ラカルボン酸としては、２，２−ビス〔４−（３，４−
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕ノナン、
２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイル
オキシ）フェニル〕デカン、２，２−ビス〔４−（３，
４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕トリデ
カン、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕テトラデカン、２，２−ビス
〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェ
ニル〕ペンタデカン、１，１−ビス〔４−（３，４−ジ
カルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕−２−メチル
デカン、１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベ
ンゾイルオキシ）フェニル〕−２−メチルオクタン、
１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイル
オキシ）フェニル〕−２−エチルペンタデカン、２，２
−ビス〔３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキ
シベンゾイルオキシ）フェニル〕ドデカン、２，２−ビ
ス〔３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキシベ
ンゾイルオキシ）フェニル〕デカン、２，２−ビス
〔３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕トリデカン、２，２−ビス
〔３，５−ジエチル−４−（３，４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕ペンタデカン、１，１−ビス
〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェ
ニル〕シクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（３，４−
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕プロピルシ
クロヘキサン、１，１−ビス〔４−（３，４−ジカルボ
キシベンゾイルオキシ）フェニル〕ヘプチルシクロヘキ
サン等の二無水物またはカルボン酸がある。これらは上
記ビス〔４−（ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕型以外のテトラカルボン酸にモル比で５〜９５配合
して使用するのがよい。９５モルより多くなると重合度
が上がりにくいと云う問題がある。
【００２０】前記ビス〔４−（ジカルボキシベンゾイル
オキシ）フェニル〕型以外のテトラカルボン酸二無水物
としては、ピロメリット酸、メチルピロメリット酸、ジ
メチルピロメリット酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロ
メリット酸、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸、５，５′−ジメチル−３，３′，４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸、ｐ−（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ベンゼン、２，３，３′，４′−テトラ
カルボキシジフェニル、３，３′，４，４′−テトラカ
ルボキシジフェニルエーテル、２，３，３′，４′−テ
トラカルボキシジフェニルエーテル、３，３′，４，
４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３，
３′，４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，
３，６，７−テトラカルボキシナフタレン、１，４，
５，７−テトラカルボキシナフタレン、１，２，５，６
−テトラカルボキシナフタレン、３，３′，４，４′−
テトラカルボキシジフェニルメタン、２，３，３′，
４′−テトラカルボキシジフェニルメタン、２，２−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル〕トリデカン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）ヘキサフロロプロパン、３，３′，４，
４′−テトラカルボキシジフェニルスルホン、３，４，
９，１０−テトラカルボキシペリレン、ブタンテトラカ
ルボン酸、３，３′，４，４′−エチレングリコールビ
ス（フェニル）テトラカルボン酸、シクロブタンテトラ
カルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸などの二
無水物またはカルボン酸等がある。
オキシ）フェニル〕型以外のテトラカルボン酸二無水物
としては、ピロメリット酸、メチルピロメリット酸、ジ
メチルピロメリット酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロ
メリット酸、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸、５，５′−ジメチル−３，３′，４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸、ｐ−（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ベンゼン、２，３，３′，４′−テトラ
カルボキシジフェニル、３，３′，４，４′−テトラカ
ルボキシジフェニルエーテル、２，３，３′，４′−テ
トラカルボキシジフェニルエーテル、３，３′，４，
４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３，
３′，４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，
３，６，７−テトラカルボキシナフタレン、１，４，
５，７−テトラカルボキシナフタレン、１，２，５，６
−テトラカルボキシナフタレン、３，３′，４，４′−
テトラカルボキシジフェニルメタン、２，３，３′，
４′−テトラカルボキシジフェニルメタン、２，２−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル〕トリデカン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）ヘキサフロロプロパン、３，３′，４，
４′−テトラカルボキシジフェニルスルホン、３，４，
９，１０−テトラカルボキシペリレン、ブタンテトラカ
ルボン酸、３，３′，４，４′−エチレングリコールビ
ス（フェニル）テトラカルボン酸、シクロブタンテトラ
カルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸などの二
無水物またはカルボン酸等がある。
【００２１】一方、前記一般式〔２〕で示されるジアミ
ンの具体例としては、２，２−ビス〔４−（ｐ−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテル、２，２−ビス〔４−
（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、２，２−
ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕エステ
ル、２，２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルホン、２，２−ビス〔４−（ｍ−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン、２，２−ビス〔４−（ｐ
−アミノフェノキシ）〕ビフェニル、２，２−ビス〔４
−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，
２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ペ
ンタン、２，２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）
フェニル〕オクタン、２、２−ビス〔４−（ｐ−アミノ
フェノキシ）フェニル〕トリデカン，１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５−
ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−
２，２−ビス〔３，５−ジブロモ−４（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，２，２，
４，４，５，５，５−デカフルオロ−３，３−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ペンタン、１，
１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロ−２，２
−ビス（４−アミノフェニル）ブタン等がある。
ンの具体例としては、２，２−ビス〔４−（ｐ−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテル、２，２−ビス〔４−
（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、２，２−
ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕エステ
ル、２，２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルホン、２，２−ビス〔４−（ｍ−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン、２，２−ビス〔４−（ｐ
−アミノフェノキシ）〕ビフェニル、２，２−ビス〔４
−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，
２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ペ
ンタン、２，２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）
フェニル〕オクタン、２、２−ビス〔４−（ｐ−アミノ
フェノキシ）フェニル〕トリデカン，１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５−
ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−
２，２−ビス〔３，５−ジブロモ−４（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，２，２，
４，４，５，５，５−デカフルオロ−３，３−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ペンタン、１，
１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロ−２，２
−ビス（４−アミノフェニル）ブタン等がある。
【００２２】また、前記以外のジアミンの具体例として
は、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミ
ン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニル
メタン、２，２−ジアミノジフェニルプロパン、ジアミ
ノジフェニルスルホン、ジアミノベンゾフェノン、ジア
ミノナフタレン、ジアミノタ−フェニル、１，４−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼンなどの芳香族ジアミ
ン、ジアミノジシクロヘキシルエーテル、ジアミノシク
ロヘキサンなどの脂環式ジアミン、１，６−ジアミノヘ
キサン、１，８−ジアミノオクタンなどの脂肪族ジアミ
ン、ジアミノシロキサン、ジアミノシラン等がある。
は、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミ
ン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニル
メタン、２，２−ジアミノジフェニルプロパン、ジアミ
ノジフェニルスルホン、ジアミノベンゾフェノン、ジア
ミノナフタレン、ジアミノタ−フェニル、１，４−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼンなどの芳香族ジアミ
ン、ジアミノジシクロヘキシルエーテル、ジアミノシク
ロヘキサンなどの脂環式ジアミン、１，６−ジアミノヘ
キサン、１，８−ジアミノオクタンなどの脂肪族ジアミ
ン、ジアミノシロキサン、ジアミノシラン等がある。
【００２３】本発明において、前駆体ワニスの合成法は
一般的にはＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰ
と云う）、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキサイド、硫酸ジメチル、スルフォ
ラン、ブチルラクトン、クレゾール、フェノール、ハロ
ゲン化フェノール、シクロヘキサノン、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、アセトフェノンなどの溶媒中で、−
２０〜＋２００℃で行なうことができる。
一般的にはＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰ
と云う）、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキサイド、硫酸ジメチル、スルフォ
ラン、ブチルラクトン、クレゾール、フェノール、ハロ
ゲン化フェノール、シクロヘキサノン、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、アセトフェノンなどの溶媒中で、−
２０〜＋２００℃で行なうことができる。
【００２４】該前駆体ワニスとしては、完全なポリアミ
ック酸あるいはその誘導体以外にイミド化がある程度進
行したものでもよい。また、シランカップリング剤、チ
タネートカップリング剤、アルミニウムアルコレート、
アルミニウムキレート、ジルコニウムキレート、アルミ
ニウムアセチルアセトンなどの表面処理剤を前駆体ワニ
ス中に混合，反応することができる。
ック酸あるいはその誘導体以外にイミド化がある程度進
行したものでもよい。また、シランカップリング剤、チ
タネートカップリング剤、アルミニウムアルコレート、
アルミニウムキレート、ジルコニウムキレート、アルミ
ニウムアセチルアセトンなどの表面処理剤を前駆体ワニ
ス中に混合，反応することができる。
【００２５】また、前駆体ワニスの流動性、硬化物の熱
膨張係数、弾性率、誘電率、屈折率等の調節のために、
無機質または有機質の粉末，繊維等を本発明の目的を失
わない範囲で混合して用いてもよい。
膨張係数、弾性率、誘電率、屈折率等の調節のために、
無機質または有機質の粉末，繊維等を本発明の目的を失
わない範囲で混合して用いてもよい。
【００２６】該ポリエステルイミド前駆体膜の形成は、
一般的なスピンコート、あるいは、印刷等によって行う
ことができる。
一般的なスピンコート、あるいは、印刷等によって行う
ことができる。
【００２７】前記一般式〔１〕のテトラカルボン酸は、
通常のエポキシ樹脂の硬化剤，可塑剤，ポリアミド樹
脂，ポリエステル樹脂，感光性樹脂等の様々分野に応用
することが可能である。
通常のエポキシ樹脂の硬化剤，可塑剤，ポリアミド樹
脂，ポリエステル樹脂，感光性樹脂等の様々分野に応用
することが可能である。
【００２８】
【作用】本発明の熱可塑型ポリエステルイミドは、テト
ラカルボン酸とジアミンの両者が、ビス〔４−（ジカル
ボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕型の基本骨格を有
するため、従来のポリイミドに比べてフレキシブルなコ
ンフォメーションを有する。そして、テトラカルボン酸
の中央結合基Ｙの分子短軸方向にも、長鎖のアルキル基
を導入したことによって、更にポリマのフレキシブルな
性質が高まると共に、ガラス転移温度も低下し、そのた
めに低温硬化性とエッチング性が優れているものと考え
る。
ラカルボン酸とジアミンの両者が、ビス〔４−（ジカル
ボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕型の基本骨格を有
するため、従来のポリイミドに比べてフレキシブルなコ
ンフォメーションを有する。そして、テトラカルボン酸
の中央結合基Ｙの分子短軸方向にも、長鎖のアルキル基
を導入したことによって、更にポリマのフレキシブルな
性質が高まると共に、ガラス転移温度も低下し、そのた
めに低温硬化性とエッチング性が優れているものと考え
る。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき具体的に説明
する。
する。
【００３０】〔実施例 １〕合成した２，２−ビス〔４
−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕トリデカン二無水物を０.２モル％、ピロメリット
酸二無水物を０.８モル％、１，６−ヘキサメチレンジ
アミンを０.８モル％および２，２−ビス〔４−（ｐ−
アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンの０．２モル％
をＮＭＰ中で５℃，１０時間反応させポリエステルイミ
ド前駆体ワニスを作成した。得られた前駆体ワニスの還
元粘度ηｓｐ／ｃは０.３５ｄｌ／ｇ（０.５重量％，Ｎ
ＭＰ溶液，２５℃）であった。
−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕トリデカン二無水物を０.２モル％、ピロメリット
酸二無水物を０.８モル％、１，６−ヘキサメチレンジ
アミンを０.８モル％および２，２−ビス〔４−（ｐ−
アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンの０．２モル％
をＮＭＰ中で５℃，１０時間反応させポリエステルイミ
ド前駆体ワニスを作成した。得られた前駆体ワニスの還
元粘度ηｓｐ／ｃは０.３５ｄｌ／ｇ（０.５重量％，Ｎ
ＭＰ溶液，２５℃）であった。
【００３１】なお、前記の２,２−ビス〔４−（３,４−
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕トリデカン
二無水物のＩＲスペクトルを図１に示す。２９２０ｃｍ
~1，２８４０ｃｍ~1にアルキル基に基づく吸収が、ま
た、１７３０ｃｍ~1，１７８０ｃｍ~1，１８５０ｃｍ~1
にカルボニル基に基づく吸収が見られる。
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕トリデカン
二無水物のＩＲスペクトルを図１に示す。２９２０ｃｍ
~1，２８４０ｃｍ~1にアルキル基に基づく吸収が、ま
た、１７３０ｃｍ~1，１７８０ｃｍ~1，１８５０ｃｍ~1
にカルボニル基に基づく吸収が見られる。
【００３２】前記ポリエステルイミド前駆体ワニスを濃
度５重量％に希釈後、基板の透明電極上にＳｉＯ2−Ｔ
ｉＯ2無機膜を形成した面上にスピンコートし、２２０
℃，１０分間熱処理して５００Åのポリエステルイミド
膜を形成した。該基板によって挾持する液晶分子のツイ
スト角を２６０度にするために、上記の上下基板をそれ
ぞれ所定の角度でラビングし、該基板間にスペーサを挾
んで基板ギャップ６．５μｍの液晶セルを組立てた。該
セルにビフェニル系液晶、フェニルシクロヘキサン系液
晶、エステルシクロヘキサン系液晶、フェニルシクロヘ
キサンメチルエーテル系液晶を主成分とするネマチック
液晶に旋光性物質（メルク社製：Ｓ８１１）を０.５重
量％添加した液晶材料を真空封入した。
度５重量％に希釈後、基板の透明電極上にＳｉＯ2−Ｔ
ｉＯ2無機膜を形成した面上にスピンコートし、２２０
℃，１０分間熱処理して５００Åのポリエステルイミド
膜を形成した。該基板によって挾持する液晶分子のツイ
スト角を２６０度にするために、上記の上下基板をそれ
ぞれ所定の角度でラビングし、該基板間にスペーサを挾
んで基板ギャップ６．５μｍの液晶セルを組立てた。該
セルにビフェニル系液晶、フェニルシクロヘキサン系液
晶、エステルシクロヘキサン系液晶、フェニルシクロヘ
キサンメチルエーテル系液晶を主成分とするネマチック
液晶に旋光性物質（メルク社製：Ｓ８１１）を０.５重
量％添加した液晶材料を真空封入した。
【００３３】該液晶セルのしきい値電圧の周波数変化
（３０Ｈｚ／５００Ｈｚ）を測定したところ０.９９の
値を示し、輝度ムラが低減された。また、ポリエステル
イミド膜が不良な基板は、アルカリ溶液中で５分間エッ
チングしてポリエステルイミド膜を除去し、基板を再生
した。
（３０Ｈｚ／５００Ｈｚ）を測定したところ０.９９の
値を示し、輝度ムラが低減された。また、ポリエステル
イミド膜が不良な基板は、アルカリ溶液中で５分間エッ
チングしてポリエステルイミド膜を除去し、基板を再生
した。
【００３４】〔実施例 ２〕合成した１，１−ビス〔４
−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕シクロヘキサン二無水物を０.８モル％、ピロメリ
ット酸二無水物０.２モル％および１，８−ジアミノヘ
キサンを０.８モル％、１,１,１,３,３,３−ヘキサフル
オロ−２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパンを０.２モル％をジメチルアセトアミ
ド中で２０℃，１５時間反応させポリエステルイミド前
駆体ワニスを作成した。得られた前駆体ワニスの還元粘
度ηｓｐ／ｃは０.３３ｄｌ／ｇ（０.５重量％，ＮＭＰ
溶液，２５℃）であった。
−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕シクロヘキサン二無水物を０.８モル％、ピロメリ
ット酸二無水物０.２モル％および１，８−ジアミノヘ
キサンを０.８モル％、１,１,１,３,３,３−ヘキサフル
オロ−２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパンを０.２モル％をジメチルアセトアミ
ド中で２０℃，１５時間反応させポリエステルイミド前
駆体ワニスを作成した。得られた前駆体ワニスの還元粘
度ηｓｐ／ｃは０.３３ｄｌ／ｇ（０.５重量％，ＮＭＰ
溶液，２５℃）であった。
【００３５】なお、前記の１，１−ビス〔４−（３，４
−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕シクロヘ
キサン二無水物のＩＲスペクトルを図２に示す。２９３
０ｃｍ~1，２８５０ｃｍ~1にアルキル基に基づく吸収
が、また、１７３０ｃｍ~1，１７８０ｃｍ~1，１８６０
ｃｍ~1にカルボニル基に基づく吸収が見られる。
−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕シクロヘ
キサン二無水物のＩＲスペクトルを図２に示す。２９３
０ｃｍ~1，２８５０ｃｍ~1にアルキル基に基づく吸収
が、また、１７３０ｃｍ~1，１７８０ｃｍ~1，１８６０
ｃｍ~1にカルボニル基に基づく吸収が見られる。
【００３６】前記ポリエステルイミド前駆体ワニスを濃
度３重量％に希釈後、図３に示すカラ−液晶表示装置の
酸化インジウム透明電極４上に該溶液をスピンコートし
て、２００℃で１０分間熱処理し、４００Åのポリエス
テルイミド膜５を形成した。その後、液晶分子のツイス
ト角を２４０度にするために、上下基板１をそれぞれ所
定の角度でラビングを行い、該基板間にスペーサを挾ん
でギャップ７．０μｍの液晶セルを組立てた。該セルに
前記実施例１と同じ液晶材料を真空封入した。
度３重量％に希釈後、図３に示すカラ−液晶表示装置の
酸化インジウム透明電極４上に該溶液をスピンコートし
て、２００℃で１０分間熱処理し、４００Åのポリエス
テルイミド膜５を形成した。その後、液晶分子のツイス
ト角を２４０度にするために、上下基板１をそれぞれ所
定の角度でラビングを行い、該基板間にスペーサを挾ん
でギャップ７．０μｍの液晶セルを組立てた。該セルに
前記実施例１と同じ液晶材料を真空封入した。
【００３７】耐熱性が低い染料カラーフィルタを用いて
も前記ワニスの焼付け温度が２００℃と低温であるた
め、該フィルタは劣化退色することなく、また、セル特
性もしきい値電圧の周波数変化（３０Ｈｚ／５００Ｈ
ｚ）が０.９９の値を示し、輝度ムラの低減を図ること
ができた。また、ポリエステルイミド膜が不良な基板
は、アルカリ溶液中で５分間エッチング除去して該ポリ
エステルイミド膜を除去し、基板を再生した。
も前記ワニスの焼付け温度が２００℃と低温であるた
め、該フィルタは劣化退色することなく、また、セル特
性もしきい値電圧の周波数変化（３０Ｈｚ／５００Ｈ
ｚ）が０.９９の値を示し、輝度ムラの低減を図ること
ができた。また、ポリエステルイミド膜が不良な基板
は、アルカリ溶液中で５分間エッチング除去して該ポリ
エステルイミド膜を除去し、基板を再生した。
【００３８】〔実施例 ３〕合成した２，２−ビス
〔３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕ドデカン二無水物を０.７モ
ル％、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
ヘキサフロロプロパン二無水物を０.３モル％および
２，２−ビス〔４−（４−ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパンを０.７モル％、ジアミノシロキサンを
０.３モル％をジメチルアセトアミド中で５０℃，１２
時間反応させポリエステルイミド前駆体ワニスを作成し
た。得られた前駆体ワニスの還元粘度ηｓｐ／ｃは０.
３５ｄｌ／ｇ（０.５重量％，ＮＭＰ溶液，２５℃）で
あった。
〔３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕ドデカン二無水物を０.７モ
ル％、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
ヘキサフロロプロパン二無水物を０.３モル％および
２，２−ビス〔４−（４−ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパンを０.７モル％、ジアミノシロキサンを
０.３モル％をジメチルアセトアミド中で５０℃，１２
時間反応させポリエステルイミド前駆体ワニスを作成し
た。得られた前駆体ワニスの還元粘度ηｓｐ／ｃは０.
３５ｄｌ／ｇ（０.５重量％，ＮＭＰ溶液，２５℃）で
あった。
【００３９】なお、前記の２，２−ビス〔３，５−ジメ
チル−４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）
フェニル〕ドデカン二無水物のＩＲスペクトルを図４に
示す。２９５０ｃｍ~1，２９３０ｃｍ~1，２８５０ｃｍ
~1にアルキル基に基づく吸収が、また、１７３０ｃｍ
~1，１７８０ｃｍ~1，１８５０ｃｍ~1にカルボニル基に
基づく吸収が見られる。
チル−４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）
フェニル〕ドデカン二無水物のＩＲスペクトルを図４に
示す。２９５０ｃｍ~1，２９３０ｃｍ~1，２８５０ｃｍ
~1にアルキル基に基づく吸収が、また、１７３０ｃｍ
~1，１７８０ｃｍ~1，１８５０ｃｍ~1にカルボニル基に
基づく吸収が見られる。
【００４０】前記ポリエステルイミド前駆体ワニスを濃
度３重量％に希釈後、カラーフィルタのオーバーコート
膜としてスピンコートし、２１０℃，１０分間熱処理し
た。また、透明電極上に該溶液を更にスピンコートし、
同様に加熱処理してポリエステルイミド膜を形成した。
度３重量％に希釈後、カラーフィルタのオーバーコート
膜としてスピンコートし、２１０℃，１０分間熱処理し
た。また、透明電極上に該溶液を更にスピンコートし、
同様に加熱処理してポリエステルイミド膜を形成した。
【００４１】液晶分子のツイスト角を２４０度にするた
めに、上下基板をそれぞれ所定の角度でラビングし、基
板間にスペーサを挾んでギャップ６．０μｍの液晶セル
を組立てた。該セルに実施例１と同じ液晶材料を真空封
入した。
めに、上下基板をそれぞれ所定の角度でラビングし、基
板間にスペーサを挾んでギャップ６．０μｍの液晶セル
を組立てた。該セルに実施例１と同じ液晶材料を真空封
入した。
【００４２】カラーフィルタのオーバーコート膜として
の平坦性が優れ、カラーフィルタの劣化退色もなく、ま
た、セル特性もしきい値電圧の周波数変化（３０Ｈｚ／
５００Ｈｚ）が０.９９の値を示し、輝度ムラの低減を
図ることができた。なお、ポリエステルイミド膜が不良
な基板は、アルカリ中で５分程度のエッチングにより除
去，再生することができた。
の平坦性が優れ、カラーフィルタの劣化退色もなく、ま
た、セル特性もしきい値電圧の周波数変化（３０Ｈｚ／
５００Ｈｚ）が０.９９の値を示し、輝度ムラの低減を
図ることができた。なお、ポリエステルイミド膜が不良
な基板は、アルカリ中で５分程度のエッチングにより除
去，再生することができた。
【００４３】〔実施例 ４〕合成した１,１−ビス〔４
−（３,４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕−２−メチルオクタン二無水物を０.７モル％、シ
クロブタンテトラカルボン酸を０.３モル％および２,２
ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン
を０.５モル％、１,８−ジアミノオクタンを０.５モル
％をＮＭＰ中で１２０℃，６時間反応させポリエステル
エーテルイミド前駆体ワニスを作成した。得られた前駆
体ワニスの還元粘度ηｓｐ／ｃは０.２５ｄｌ／ｇ（０.
５重量％，ＮＭＰ溶液，２５℃）であった。
−（３,４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕−２−メチルオクタン二無水物を０.７モル％、シ
クロブタンテトラカルボン酸を０.３モル％および２,２
ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン
を０.５モル％、１,８−ジアミノオクタンを０.５モル
％をＮＭＰ中で１２０℃，６時間反応させポリエステル
エーテルイミド前駆体ワニスを作成した。得られた前駆
体ワニスの還元粘度ηｓｐ／ｃは０.２５ｄｌ／ｇ（０.
５重量％，ＮＭＰ溶液，２５℃）であった。
【００４４】なお、前記の１,１−ビス〔４−（３,４−
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕−２−メチ
ルオクタン二無水物のＩＲスペクトルを図５に示す。２
９６０ｃｍ~1，２８７０ｃｍ~1にアルキル基に基づく吸
収が、また、１７３０ｃｍ~1，１７８０ｃｍ~1，１８６
０ｃｍ~1にカルボニル基に基づく吸収が見られる。
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕−２−メチ
ルオクタン二無水物のＩＲスペクトルを図５に示す。２
９６０ｃｍ~1，２８７０ｃｍ~1にアルキル基に基づく吸
収が、また、１７３０ｃｍ~1，１７８０ｃｍ~1，１８６
０ｃｍ~1にカルボニル基に基づく吸収が見られる。
【００４５】前記ポリエステルイミド前駆体ワニスを濃
度５重量％に希釈後、アクティブマトリックス型電極上
およびカラーフィルタ上に該溶液をスピンコートし、２
２０℃，１０分間熱処理して１０００Åのポリエステル
イミド膜を形成した。その後、液晶分子のツイスト角を
９０度以下のラビングを行い、該基板間にスペーサを挾
んでギャップ７．５μｍの液晶セルを組立てた。該セル
に実施例１と同じ液晶材料を真空封入した。
度５重量％に希釈後、アクティブマトリックス型電極上
およびカラーフィルタ上に該溶液をスピンコートし、２
２０℃，１０分間熱処理して１０００Åのポリエステル
イミド膜を形成した。その後、液晶分子のツイスト角を
９０度以下のラビングを行い、該基板間にスペーサを挾
んでギャップ７．５μｍの液晶セルを組立てた。該セル
に実施例１と同じ液晶材料を真空封入した。
【００４６】耐熱性の低いカラーフィルタを用いても前
記ワニスの焼付けにより劣化退色することなく、また、
ポリエステルイミド膜が不良な基板は、アルカリ中でエ
ッチング除去した。なお、不良ポリエステルイミド膜の
除去は１０分程度のアルカリ液浸漬で十分である。
記ワニスの焼付けにより劣化退色することなく、また、
ポリエステルイミド膜が不良な基板は、アルカリ中でエ
ッチング除去した。なお、不良ポリエステルイミド膜の
除去は１０分程度のアルカリ液浸漬で十分である。
【００４７】〔実施例 ５〕合成した１,１−ビス〔４
−（３,４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕プロピルシクロヘキサン二無水物を０.５モル％、
ピロメリット酸二無水物を０.５モル％および２,２−ビ
ス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕オクタン
を０.５モル％、２,２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパンの０.５モル％をジメチルア
セトアミドとジメチルホルムアミド中で−１０℃，１５
時間反応させポリエステル前駆体ワニスを作成した。得
られた前駆体ワニスの還元粘度ηｓｐ／ｃは０.４１ｄ
ｌ／ｇ（０.５重量％，ＮＭＰ溶液，２５℃）であっ
た。
−（３,４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕プロピルシクロヘキサン二無水物を０.５モル％、
ピロメリット酸二無水物を０.５モル％および２,２−ビ
ス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕オクタン
を０.５モル％、２,２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパンの０.５モル％をジメチルア
セトアミドとジメチルホルムアミド中で−１０℃，１５
時間反応させポリエステル前駆体ワニスを作成した。得
られた前駆体ワニスの還元粘度ηｓｐ／ｃは０.４１ｄ
ｌ／ｇ（０.５重量％，ＮＭＰ溶液，２５℃）であっ
た。
【００４８】なお、前記の１,１−ビス〔４−（３,４−
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕プロピルシ
クロヘキサン二無水物のＩＲスペクトルを図６に示す。
２９３０ｃｍ~1，２８５０ｃｍ~1にアルキル基に基づく
吸収が、また、１７３０ｃｍ~1，１７８０ｃｍ~1，１８
５０ｃｍ~1にカルボニル基に基づく吸収がみられる。
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕プロピルシ
クロヘキサン二無水物のＩＲスペクトルを図６に示す。
２９３０ｃｍ~1，２８５０ｃｍ~1にアルキル基に基づく
吸収が、また、１７３０ｃｍ~1，１７８０ｃｍ~1，１８
５０ｃｍ~1にカルボニル基に基づく吸収がみられる。
【００４９】前記ポリエステルイミド前駆体ワニスを濃
度５重量％に希釈後、透明電極上に形成したＳｉＯ2無
機膜上に該溶液をオフセット印刷機でコートし、２２０
℃，５分間熱処理して６００Åのポリエステルイミド膜
を形成した。その後、液晶分子のツイスト角を２４０度
にするために、上下基板をそれぞれの角度でラビング
し、基板間にスペーサを挾んでギャップ６．２μｍの液
晶セルを組立た。該セルに実施例１と同じ液晶材料を真
空封入した。
度５重量％に希釈後、透明電極上に形成したＳｉＯ2無
機膜上に該溶液をオフセット印刷機でコートし、２２０
℃，５分間熱処理して６００Åのポリエステルイミド膜
を形成した。その後、液晶分子のツイスト角を２４０度
にするために、上下基板をそれぞれの角度でラビング
し、基板間にスペーサを挾んでギャップ６．２μｍの液
晶セルを組立た。該セルに実施例１と同じ液晶材料を真
空封入した。
【００５０】しきい値電圧の周波数変化（３０Ｈｚ／５
００Ｈｚ）は０.９９を示し輝度ムラの低減を図ること
ができた。更に、位相板を付設して白黒表示の液晶表示
装置とした。なお、不良ポリエステルイミド膜の除去は
５分程度の浸漬で十分である。
００Ｈｚ）は０.９９を示し輝度ムラの低減を図ること
ができた。更に、位相板を付設して白黒表示の液晶表示
装置とした。なお、不良ポリエステルイミド膜の除去は
５分程度の浸漬で十分である。
【００５１】〔実施例 ６〕前記各実施例は、液晶表示
装置に用いた場合について述べたが、各種の電子装置に
適用した場合の具体例を図面を用いて説明する。
装置に用いた場合について述べたが、各種の電子装置に
適用した場合の具体例を図面を用いて説明する。
【００５２】図７は、多層配線構造を有するＬＳＩの模
式断面図である。半導体素子７の表面にＳｉＯ2絶縁膜
８を設け金属被膜を形成し、これをエッチング法で不要
部分の金属被膜を除去して、所望の配線パターンを有す
る第１の配線９を設ける。該配線９はＳｉＯ2膜８の所
定の個所に設けたスルーホールを介して半導体素子７と
電気的に接続される。次に、実施例１で用いたポリエス
テルイミド前駆体ワニスをスピンコートし、最終温度２
２０℃でポリエステルイミド膜１０を形成後、金属被膜
からなる第２の配線９′と第１の配線９とを電気的に接
続することによって回路を形成しＬＳＩを得た。また、
該ＬＳＩはその表面にエポキシ樹脂１１の保護層を設け
た。
式断面図である。半導体素子７の表面にＳｉＯ2絶縁膜
８を設け金属被膜を形成し、これをエッチング法で不要
部分の金属被膜を除去して、所望の配線パターンを有す
る第１の配線９を設ける。該配線９はＳｉＯ2膜８の所
定の個所に設けたスルーホールを介して半導体素子７と
電気的に接続される。次に、実施例１で用いたポリエス
テルイミド前駆体ワニスをスピンコートし、最終温度２
２０℃でポリエステルイミド膜１０を形成後、金属被膜
からなる第２の配線９′と第１の配線９とを電気的に接
続することによって回路を形成しＬＳＩを得た。また、
該ＬＳＩはその表面にエポキシ樹脂１１の保護層を設け
た。
【００５３】上記ＬＳＩは、ポリエステルイミド膜１０
の硬化温度が２２０℃と低いので、金属（アルミ）配線
層に加わる熱応力が小さいためにストレスマイグレーシ
ョンの発生も少ない。
の硬化温度が２２０℃と低いので、金属（アルミ）配線
層に加わる熱応力が小さいためにストレスマイグレーシ
ョンの発生も少ない。
【００５４】図８はα線遮蔽層を有する半導体メモリ素
子の模式断面図である。シリコンチップから成るメモリ
素子１３が基板１２上に固着され、メモリ素子１３はボ
ンディングワイヤ１４によって外部に電気的に接続され
ている。上記メモリ素子１３の表面に、前記実施例２の
ポリエステルイミド前駆体ワニスをスピンコートし、２
２０℃で硬化してα線遮蔽層１５を形成した。ストレス
マイグレーションの発生は認められかった。
子の模式断面図である。シリコンチップから成るメモリ
素子１３が基板１２上に固着され、メモリ素子１３はボ
ンディングワイヤ１４によって外部に電気的に接続され
ている。上記メモリ素子１３の表面に、前記実施例２の
ポリエステルイミド前駆体ワニスをスピンコートし、２
２０℃で硬化してα線遮蔽層１５を形成した。ストレス
マイグレーションの発生は認められかった。
【００５５】図９は薄膜磁気ヘッドの模式断面図であ
る。基板１６上に下部アルミナ１７，下部磁性体１８お
よびギャップアルミナ１９が形成されており、導体コイ
ル２０を、前記実施例３のポリエステルイミド前駆体ワ
ニスをスピンコートし、２２０℃で硬化して層間絶縁膜
２１で絶縁した。この上部に磁性体１８′を設けた。上
記ポリエステルイミドの硬化による前記導体コイル２０
の劣化もなく、平坦性の優れた層間絶縁膜２１を有する
薄膜磁気ヘッドが得られた。
る。基板１６上に下部アルミナ１７，下部磁性体１８お
よびギャップアルミナ１９が形成されており、導体コイ
ル２０を、前記実施例３のポリエステルイミド前駆体ワ
ニスをスピンコートし、２２０℃で硬化して層間絶縁膜
２１で絶縁した。この上部に磁性体１８′を設けた。上
記ポリエステルイミドの硬化による前記導体コイル２０
の劣化もなく、平坦性の優れた層間絶縁膜２１を有する
薄膜磁気ヘッドが得られた。
【００５６】図１０は磁気バブルメモリ素子の模式断面
図である。ガーネット基板２２上にコンダクタ２５を設
け、その上に前記実施例４のポリエステルイミド前駆体
ワニスをスピンコートし、２００℃で硬化してポリエス
テルイミド絶縁膜２３を形成し、その上にパーマロイ２
４を形成後、通常の手法でパターン化を行った。コンダ
クタ２５の劣化が防止され、該磁気バルブメモリ素子の
ストレスマイグレーションの発生は認められなかった。
図である。ガーネット基板２２上にコンダクタ２５を設
け、その上に前記実施例４のポリエステルイミド前駆体
ワニスをスピンコートし、２００℃で硬化してポリエス
テルイミド絶縁膜２３を形成し、その上にパーマロイ２
４を形成後、通常の手法でパターン化を行った。コンダ
クタ２５の劣化が防止され、該磁気バルブメモリ素子の
ストレスマイグレーションの発生は認められなかった。
【００５７】図１１は高密度配線板の模式断面図であ
る。シリコンウェハ基板２６上に熱酸化ＳｉＯ2膜２７
が形成されており、該膜上に第１の銅配線２９が形成さ
れている。そして、絶縁膜２８を介して第２の銅配線２
９が形成され、更にその上に絶縁膜２８が形成されてい
る。Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜３０を介してＰｂ／Ｓｎ電極３
１が設けられている。上記絶縁膜２８として前記実施例
５のポリエステルイミド前駆体ワニスをスピンコート
後、２００℃で硬化したポリエステルイミドでパターン
膜を形成した。本実施例の高密度配線板の銅配線は、カ
ルボン酸による銅溶解が抑制され、また、膜の劣化も認
められなかった。
る。シリコンウェハ基板２６上に熱酸化ＳｉＯ2膜２７
が形成されており、該膜上に第１の銅配線２９が形成さ
れている。そして、絶縁膜２８を介して第２の銅配線２
９が形成され、更にその上に絶縁膜２８が形成されてい
る。Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜３０を介してＰｂ／Ｓｎ電極３
１が設けられている。上記絶縁膜２８として前記実施例
５のポリエステルイミド前駆体ワニスをスピンコート
後、２００℃で硬化したポリエステルイミドでパターン
膜を形成した。本実施例の高密度配線板の銅配線は、カ
ルボン酸による銅溶解が抑制され、また、膜の劣化も認
められなかった。
【００５８】図１２はフレキシブルプリント板の模式断
面図である。銅箔に直接前記実施例１のポリエステルイ
ミド前駆体ワニスを塗布し、低温硬化でポリエステルイ
ミド膜の絶縁膜３３を形成後、銅箔を所定のパターン状
にエッチングして配線層３２を形成し、フレキシブルプ
リント板を作成した。絶縁膜３３を２００℃で形成した
ために、銅箔の酸化劣化が抑制され、銅箔との接着強度
の大きなフレキシブルプリント板が得らた。
面図である。銅箔に直接前記実施例１のポリエステルイ
ミド前駆体ワニスを塗布し、低温硬化でポリエステルイ
ミド膜の絶縁膜３３を形成後、銅箔を所定のパターン状
にエッチングして配線層３２を形成し、フレキシブルプ
リント板を作成した。絶縁膜３３を２００℃で形成した
ために、銅箔の酸化劣化が抑制され、銅箔との接着強度
の大きなフレキシブルプリント板が得らた。
【００５９】図１３はＬＳＩ搭載プリント配線板の模式
断面図である。金属製基板３４にフィルムキャリヤ方式
でＬＳＩ３９が埋設され、該ＬＳＩは半田バンプに半田
ボール３６を介して銅配線３５と接続されている。キャ
リヤフィルム３７とは導電部以外は層間絶縁膜４０によ
って絶縁されている。そして、端子３８によって外部と
接続される。該層間絶縁膜４０に前記実施例２のポリエ
ステルイミド前駆体ワニスをスピンコートにより形成
し、２００℃硬化した。銅によるポリエステルイミド膜
の劣化等は認められなかった。
断面図である。金属製基板３４にフィルムキャリヤ方式
でＬＳＩ３９が埋設され、該ＬＳＩは半田バンプに半田
ボール３６を介して銅配線３５と接続されている。キャ
リヤフィルム３７とは導電部以外は層間絶縁膜４０によ
って絶縁されている。そして、端子３８によって外部と
接続される。該層間絶縁膜４０に前記実施例２のポリエ
ステルイミド前駆体ワニスをスピンコートにより形成
し、２００℃硬化した。銅によるポリエステルイミド膜
の劣化等は認められなかった。
【００６０】〔比較例 １〕３,３′,４,４′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物１.０モル％および４,
４′−ジアミノジフェニルエーテル１.０モル％をＮＭ
Ｐ中で５℃，５時間反応させポリイミド前駆体ワニスを
作成した。得られた前駆体ワニスの還元粘度ηｓｐ／ｃ
は０.３８ｄｌ／ｇ（０.５重量％，ＮＭＰ溶液，２５
℃）であった。
ニルテトラカルボン酸二無水物１.０モル％および４,
４′−ジアミノジフェニルエーテル１.０モル％をＮＭ
Ｐ中で５℃，５時間反応させポリイミド前駆体ワニスを
作成した。得られた前駆体ワニスの還元粘度ηｓｐ／ｃ
は０.３８ｄｌ／ｇ（０.５重量％，ＮＭＰ溶液，２５
℃）であった。
【００６１】上記前駆体ワニスを４重量％に希釈後、図
３に示すカラー液晶表示装置の酸化インジウム透明電極
上にスピンコートし、２５０℃，３０分熱処理して７０
０Åのポリイミド膜を形成した。液晶分子のツイスト角
を２６０度にするために、上下基板をそれぞれの角度で
ラビングを行い、基板間にスペーサを挾んでギャップ
６．０μｍの液晶セルを組立てた。該液晶セルに前記実
施例１と同じ液晶材料を真空封入した。付設されている
カラーフィルタは劣化退色し、また、該液晶セルのしき
い値電圧の周波数変化（３０Ｈｚ／５００Ｈｚ）は０.
９５であった。セルは輝度ムラの発生が認められた。ま
た、ポリイミド膜が不良な基板をアルカリ中でエッチン
グしたが、剥離するのに３０分要した。
３に示すカラー液晶表示装置の酸化インジウム透明電極
上にスピンコートし、２５０℃，３０分熱処理して７０
０Åのポリイミド膜を形成した。液晶分子のツイスト角
を２６０度にするために、上下基板をそれぞれの角度で
ラビングを行い、基板間にスペーサを挾んでギャップ
６．０μｍの液晶セルを組立てた。該液晶セルに前記実
施例１と同じ液晶材料を真空封入した。付設されている
カラーフィルタは劣化退色し、また、該液晶セルのしき
い値電圧の周波数変化（３０Ｈｚ／５００Ｈｚ）は０.
９５であった。セルは輝度ムラの発生が認められた。ま
た、ポリイミド膜が不良な基板をアルカリ中でエッチン
グしたが、剥離するのに３０分要した。
【００６２】なお、上記を２２０℃，５分で硬化したも
のは、カラーフィルタの劣化退色はなかったがイミド化
率が５０％以下で、２５０℃硬化時よりも更に多くの輝
度ムラが発生した。
のは、カラーフィルタの劣化退色はなかったがイミド化
率が５０％以下で、２５０℃硬化時よりも更に多くの輝
度ムラが発生した。
【００６３】〔比較例 ２〕３,３’,４,４’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物を１.０モル％およ
び１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロ−２,２−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンを
１.０モル％とを、前記比較例１と同様にしてポリイミ
ド前駆体ワニスを作成した。これを用いて比較例１と同
様に液晶セルを作成した。付設のカラーフィルタは劣化
退色し、該液晶セルの輝度ムラが発生した。また、ポリ
イミド膜が不良な基板をアルカリ中でエッチングした
が、剥離するのに３０分要した。
フェノンテトラカルボン酸二無水物を１.０モル％およ
び１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロ−２,２−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンを
１.０モル％とを、前記比較例１と同様にしてポリイミ
ド前駆体ワニスを作成した。これを用いて比較例１と同
様に液晶セルを作成した。付設のカラーフィルタは劣化
退色し、該液晶セルの輝度ムラが発生した。また、ポリ
イミド膜が不良な基板をアルカリ中でエッチングした
が、剥離するのに３０分要した。
【００６４】なお、上記を２２０℃，５分で硬化したも
のは、カラーフィルタの劣化退色はなかったがイミド化
率が５０％以下で、２５０℃硬化時よりも更に多くの輝
度ムラが発生した。
のは、カラーフィルタの劣化退色はなかったがイミド化
率が５０％以下で、２５０℃硬化時よりも更に多くの輝
度ムラが発生した。
【００６５】〔比較例 ３〕比較例１で用いたポリイミ
ド前駆体ワニスを、図７のＬＳＩの半導体素子７の層間
絶縁膜１０として適用し２５０℃で硬化した。また、図
８の半導体メモリ素子のα線遮蔽層１５に適用し２５０
℃で硬化した。
ド前駆体ワニスを、図７のＬＳＩの半導体素子７の層間
絶縁膜１０として適用し２５０℃で硬化した。また、図
８の半導体メモリ素子のα線遮蔽層１５に適用し２５０
℃で硬化した。
【００６６】これらは硬化温度が２５０℃と高いためア
ルミ配線層に加わる熱応力が大きくなり、ストレスマイ
グレーションが発生した。
ルミ配線層に加わる熱応力が大きくなり、ストレスマイ
グレーションが発生した。
【００６７】〔比較例 ４〕比較例２で用いたポリイミ
ド前駆体ワニスを、図９に示す薄膜磁気ヘッドの層間絶
縁膜２１、図１０の磁気バブルメモリ素子の絶縁膜２
３、フレキシブルプリント基板の絶縁膜３３に適用し、
２５０℃で硬化した。その結果、導体コイル、パーマロ
イおよび銅板等が劣化した。
ド前駆体ワニスを、図９に示す薄膜磁気ヘッドの層間絶
縁膜２１、図１０の磁気バブルメモリ素子の絶縁膜２
３、フレキシブルプリント基板の絶縁膜３３に適用し、
２５０℃で硬化した。その結果、導体コイル、パーマロ
イおよび銅板等が劣化した。
【００６８】
【発明の効果】本発明のポリイミドは、２２０℃以下の
温度で、短時間に硬化してイミド化率９０％以上とする
ことができる。また、該ポリイミド皮膜は容易にエッチ
ングすることができるので、不用な皮膜の除去等も容易
である。従って、膜不良基板の再生が容易となり、製品
の歩留りを向上することができる。
温度で、短時間に硬化してイミド化率９０％以上とする
ことができる。また、該ポリイミド皮膜は容易にエッチ
ングすることができるので、不用な皮膜の除去等も容易
である。従って、膜不良基板の再生が容易となり、製品
の歩留りを向上することができる。
【００６９】また、各種の電子装置の絶縁膜、バッファ
コート膜等に用いた場合、ストレスマイグレーション等
の発生を抑制できるので、品質の優れた電子装置を提供
することができる。
コート膜等に用いた場合、ストレスマイグレーション等
の発生を抑制できるので、品質の優れた電子装置を提供
することができる。
【００７０】特に、液晶表示装置の配向膜として輝度ム
ラの発生が少なく、また、付設されているカラーフィル
タ膜の劣化退色を防止することができる。
ラの発生が少なく、また、付設されているカラーフィル
タ膜の劣化退色を防止することができる。
【図１】２,２−ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕トリデカン二無水物の赤外線
吸収スペクトルである。
ゾイルオキシ）フェニル〕トリデカン二無水物の赤外線
吸収スペクトルである。
【図２】１,１−ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕シクロヘキサン二無水物の赤
外線吸収スペクトルである。
ゾイルオキシ）フェニル〕シクロヘキサン二無水物の赤
外線吸収スペクトルである。
【図３】カラー液晶表示装置の模式断面図である。
【図４】２,２−ビス〔３，５−ジメチル−４−（３,４
−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕ドデカン
二無水物の赤外線吸収スペクトルである。
−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕ドデカン
二無水物の赤外線吸収スペクトルである。
【図５】１,１−ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕−２−メチルオクタン二無水
物の赤外線吸収スペクトルである。
ゾイルオキシ）フェニル〕−２−メチルオクタン二無水
物の赤外線吸収スペクトルである。
【図６】１,１−ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベン
ゾイルオキシ）フェニル〕プロピルシクロヘキサン二無
水物の赤外線吸収スペクトルである。
ゾイルオキシ）フェニル〕プロピルシクロヘキサン二無
水物の赤外線吸収スペクトルである。
【図７】多層配線構造を有するＬＳＩの模式断面図であ
る。
る。
【図８】α線遮蔽層を有する半導体メモリ素子の模式断
面図である。
面図である。
【図９】薄膜磁気ヘッドの模式断面図である。
【図１０】磁気バブルメモリ素子の模式断面図である。
【図１１】高密度配線板の模式断面図である。
【図１２】フレキシブルプリント板の模式断面図であ
る。
る。
【図１３】ＬＳＩ搭載プリント配線板の模式断面図であ
る。
る。
１…ガラス基板、２…カラーフィルタ、３…オーバーコ
ート膜、４…電極、５…配向膜、６…液晶層、７,３４
…基板、８…ＳｉＯ2膜、９,３２…配線層、１０…ポリ
エステルイミド膜、１１…エポキシ樹脂、１２,１６,２
２,２６…基板、１３…メモリ素子、１４…ボンディン
グワイヤ、１５…α線遮蔽層、１７…下部アルミナ、１
８…磁性体、１９…ギャップアルミナ、２０…導体コイ
ル、２１,３３,４０…絶縁膜、２２…基板、２３,２８
…絶縁膜、２４…パーマロイ、２５…コンダクタ、２７
…ＳｉＯ2膜、２９,３５…銅配線、３０…Ｃｒ／Ｎｉ／
Ａｕ膜、３１…Ｐｂ／Ｓｎ電極、３６…半田ボール、３
７…キャリヤフィルム、３８…端子、３９…ＬＳＩ。
ート膜、４…電極、５…配向膜、６…液晶層、７,３４
…基板、８…ＳｉＯ2膜、９,３２…配線層、１０…ポリ
エステルイミド膜、１１…エポキシ樹脂、１２,１６,２
２,２６…基板、１３…メモリ素子、１４…ボンディン
グワイヤ、１５…α線遮蔽層、１７…下部アルミナ、１
８…磁性体、１９…ギャップアルミナ、２０…導体コイ
ル、２１,３３,４０…絶縁膜、２２…基板、２３,２８
…絶縁膜、２４…パーマロイ、２５…コンダクタ、２７
…ＳｉＯ2膜、２９,３５…銅配線、３０…Ｃｒ／Ｎｉ／
Ａｕ膜、３１…Ｐｂ／Ｓｎ電極、３６…半田ボール、３
７…キャリヤフィルム、３８…端子、３９…ＬＳＩ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ 8518−4Ｍ Ｈ０５Ｋ 1/03 Ｌ 7011−4Ｅ (72)発明者 中田 忠夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 近藤 克己 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 大原 周一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 長谷川真二 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内
Claims (15)
- 【請求項１】一般式〔１〕 【化１】 （但し、Ｒ1は炭素数７〜１８、Ｒ2は炭素数５〜１８の
アルキル基、Ｒ3，Ｒ4は炭素数１〜１８のアルキル基、
Ｒ5，Ｒ6は水素または炭素数１〜１８のアルキル基）を
示し、Ｘは炭素数１〜４のアルキル基で、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０，１または２の整数を示しこれらは同じでも
よい。〕で表わされるテトラカルボン酸とジアミンの組
成物の重合体であることを特徴とする熱可塑型ポリエス
テルイミド。 - 【請求項２】テトラカルボン酸が、前記一般式〔１〕で
示されるテトラカルボン酸５〜９５モルに対し他のテト
ラカルボン酸９５〜５モル含むことを特徴とする請求項
１に記載の熱可塑型ポリエステルイミド。 - 【請求項３】前記ジアミンが一般式〔２〕 【化２】 （但し、Ｒ1，Ｒ2はアルキル基，パーフルオロアルキル
基）を示し、Ｘ'はハロゲン原子，炭素数１〜４のアル
キル基で、ａ，ｂ，ｃおよびｄは０，１または２の整数
を示しこれらは同じでもよい。〕で表わされるジアミン
であることを特徴とする請求項１または２に記載の熱可
塑型ポリエステルイミド。 - 【請求項４】ジアミンが、前記一般式〔２〕で示される
ジアミン５〜９５モルに対し他のジアミン９５〜５モル
含むことを特徴とする請求項３に記載の熱可塑型ポリエ
ステルイミド。 - 【請求項５】透明電極を有し少なくとも一方が透明な一
対の基板間に、正の誘電異方性を示すネマチック液晶を
挾持してなる液晶表示装置であって、前記一般式〔１〕
で示される熱可塑型ポリエステルイミドの配向膜が基板
と液晶との間に設けられていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項６】透明電極を有し少なくとも一方が透明な一
対の基板間に、旋光性物質が添加され正の誘電異方性を
示すネマチック液晶が挾持され、該液晶のツイスト角が
２４０度以上であるスーパーツイスト型液晶表示装置で
あって、前記一般式〔１〕で示される熱可塑型ポリエス
テルイミドの配向膜が基板と液晶層との間に設けられて
いることを特徴とするスーパーツイスト型液晶表示装
置。 - 【請求項７】透明電極を有し少なくとも一方が透明な一
対の基板間に、旋光性物質が添加され正の誘電異方性を
示すネマチック液晶が挾持され、該液晶のツイスト角が
２４０度以上であるカラー液晶表示装置であって、透明
電極とカラーフィルタ間のオーバーコート膜が前記一般
式〔１〕で示される熱可塑型ポリエステルイミドから成
ることを特徴とするカラー液晶表示装置。 - 【請求項８】電極がアクティブマトリックス型電極であ
ることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の液
晶表示装置。 - 【請求項９】半導体素子とその表面に絶縁層を介して配
線が設けられた半導体装置であって、前記絶縁膜が前記
一般式〔１〕で示される熱可塑型ポリエステルイミドで
あることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１０】半導体素子の表面に設けられたα線遮蔽
層が、前記一般式〔１〕で示される熱可塑型ポリエステ
ルイミドであることを特徴とする半導体素子。 - 【請求項１１】絶縁基板上に設けた下部磁性体層、該下
部磁性体層上に絶縁層により絶縁された上部磁性体層、
前記絶縁層中に設けた導体層を有する薄膜磁気ヘッドで
あって、前記絶縁層が前記一般式〔１〕で示される熱可
塑型ポリエステルイミドであることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項１２】基板に搭載された半導体素子とキャリヤ
フィルムの回路と接続する配線、該配線を絶縁する層間
絶縁層を有する半導体装置であって、前記層間絶縁層が
前記一般式〔１〕で示される熱可塑型ポリエステルイミ
ドであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１３】磁性基板上に設けた導体パターン、該導
体パターンと上部磁性体パターン間を絶縁する絶縁層を
有する磁気バブルメモリ装置であって、前記絶縁層が前
記一般式〔１〕で示される熱可塑型ポリエステルイミド
であることを特徴とする磁気バブルメモリ装置。 - 【請求項１４】セラミックス基板上に薄膜絶縁層を介し
て金属配線が設けられた高密度セラミックス配線板であ
って、前記薄膜絶縁層が前記一般式〔１〕で示される熱
可塑型ポリエステルイミドであることを特徴とする高密
度セラミックス配線板。 - 【請求項１５】フレキシブル基板とその上に金属配線が
設けられたフレキシブルプリント板であって、前記基板
が前記一般式〔１〕で示される熱可塑型ポリエステルイ
ミドであることを特徴とするフレキシブルプリント板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2096392A JPH05214101A (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 熱可塑型ポリエステルイミドとそれを用いた電子部品および電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2096392A JPH05214101A (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 熱可塑型ポリエステルイミドとそれを用いた電子部品および電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05214101A true JPH05214101A (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=12041832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2096392A Pending JPH05214101A (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 熱可塑型ポリエステルイミドとそれを用いた電子部品および電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05214101A (ja) |
Cited By (8)
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| WO2001025313A1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-04-12 | Kaneka Corporation | Process for producing polyimide resin |
| WO2001099124A1 (en) * | 2000-06-21 | 2001-12-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Laminate and use thereof |
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-
1992
- 1992-02-06 JP JP2096392A patent/JPH05214101A/ja active Pending
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