JPH0521436U - 乾燥装置 - Google Patents

乾燥装置

Info

Publication number
JPH0521436U
JPH0521436U JP7722591U JP7722591U JPH0521436U JP H0521436 U JPH0521436 U JP H0521436U JP 7722591 U JP7722591 U JP 7722591U JP 7722591 U JP7722591 U JP 7722591U JP H0521436 U JPH0521436 U JP H0521436U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
inert gas
wafer
drying device
drying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7722591U
Other languages
English (en)
Other versions
JP2567413Y2 (ja
Inventor
秀雄 工藤
勇雄 内山
隆司 田中島
嘉晴 木村
盛江 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin-Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP7722591U priority Critical patent/JP2567413Y2/ja
Publication of JPH0521436U publication Critical patent/JPH0521436U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2567413Y2 publication Critical patent/JP2567413Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 [目的] 板状被乾燥物を1枚ずつ速成乾燥させるこ
と。 [構成] ウエーハW(板状被乾燥物)を上下方向に吊
した状態で収容する石英製の円筒状又は偏平で断面矩形
の容器142を耐熱性の高いハウジング141内に収容
し、該容器142の上部をその周囲に僅かな隙間δを残
して覆うとともに、該上部に純水を噴出すべきシャワー
装置143を設け、同容器142の下部は流体を排出す
るためのドレインパイプ145と不活性ガス供給パイプ
144に接続し、前記ドレインパイプ145は前記シャ
ワー装置143が作動するときのみ流通し、前記不活性
ガス供給パイプ144から容器142内に供給される不
活性ガスは容器142の前記隙間δから外部に排出され
るようにし、容器142内にはこれを囲繞するよう赤外
線ヒーター147,148を上下方向略全長に亘って複
数配置し、ハウジング141に冷却ファン150を内装
して乾燥装置を構成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、赤外線によって板状被乾燥物として例えばシリコンの半導体ウエー ハを速成乾燥させる乾燥装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子製造において、半導体ウエーハの表面に付着した不純物は半導体素 子の性能に悪影響を及ぼす。
【0003】 そこで、半導体ウエーハの製造工程の中には洗浄及び乾燥工程が含まれており 、洗浄工程ではウエーハが種々の方法によって洗浄されるが、ウエーハの洗浄方 法には大別して物理的洗浄方法と化学的洗浄方法とがある。
【0004】 上記前者の物理的洗浄方法としては、洗浄ブラシ等を用いてウエーハ表面に付 着した不純物を直接除去する方法、噴射ノズルから加圧流体をウエーハの一部又 は全体に向けて噴射し、これによって不純物を除去する方法、ウエーハを液中に 浸漬してこれに超音波を当てて該ウエーハに付着した不純物を除去する方法(超 音波洗浄法)等がある。
【0005】 又、前記後者の化学的洗浄方法としては、種々の薬剤、酵素等によってウエー ハ表面に付着した不純物を化学的に分解除去する方法等がある。尚、物理的洗浄 方法と化学的洗浄方法が併用されることもある。
【0006】 而して、鏡面研磨が終了したウエーハは、前記方法による数段階の洗浄工程を 経た後に清浄な空間内で乾燥され、製品としてウエーハ保管用の容器に収納され る。
【0007】 上記鏡面ウエーハの乾燥工程において、洗浄直後のウエーハ鏡面の水滴が付着 している部分では、往々にしてシリコンと水及び空気による水和反応に起因する と考えられるシミが発生するため、鏡面ウエーハは速やかに水切り乾燥されなけ ればならない。そのための速成乾燥としては、従来より遠心分離法、蒸気乾燥法 、熱風乾燥法等が採用されている。
【0008】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、半導体の製造分野においては、近年の半導体デバイスの高集積化の 傾向に伴って半導体ウエーハが大口径化し、複数枚のウエーハをキャリアに収容 して洗浄及び乾燥する従来の方式によれば、多大な労力を要する。
【0009】 又、ウエーハをキャリアに収容して運搬する方式を採ると、ウエーハとキャリ アとの接触等によってウエーハにパーティクル(微細粉塵)等が付着してウエー ハが汚染されるという問題も生じる。
【0010】 そこで、ウエーハを1枚ずつ支持してこれを複数の洗浄槽の洗浄液中に順次浸 漬せしめることによって、ウエーハを1枚ずつ洗浄した後に乾燥させる毎葉式の ウエーハ自動洗浄・乾燥装置が提案される。
【0011】 しかしながら、乾燥装置を特に前記毎葉式のウエーハ自動洗浄・乾燥装置に適 用する場合、従来から採用されているスピンドライヤーのような遠心分離方式や IPA(イソプロピルアルコール)を利用する蒸気乾燥方式は、ウエーハを1枚 ずつ処理する毎葉式のウエーハ洗浄・乾燥装置には馴染まず、必ずしも効率的な 速成乾燥を実現することができない。即ち、ウエーハの大口径化や、より厳しく なるパーティクル管理の要求は、ややもすると装置の大型化や複雑化を招き、結 果としてウエーハの品質やそのコスト及び製造時の安全性等の面で新たな問題を 惹起する。
【0012】 本考案は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、板状被乾燥 物を1枚ずつ速成乾燥させることができる乾燥装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく本考案は、板状被乾燥物を上下方向に吊した状態で収容 する石英製の円筒状又は偏平で断面矩形の容器を耐熱性のハウジング内に収納し 、該容器の上部をその周囲に僅かな隙間を残して覆うとともに、該上部に純水を 噴出すべきシャワー装置を設け、同容器の下部は流体を排出するためのドレイン パイプと不活性ガスを供給すべき不活性ガス供給パイプに接続し、前記ドレイン パイプは前記シャワー装置が作動するときのみ流通し、前記不活性ガス供給パイ プから容器内に供給される不活性ガスは容器上部の隙間から外部に排出されるよ うにし、容器の周囲にはこれを囲繞するよう赤外線ヒーターを上下方向略全長に 亘って複数配置し、前記断熱性ハウジングに冷却ファンを内装して乾燥装置を構 成したことをその特徴とする。
【0014】
【作用】
本考案によれば、容器内に設けられた純水を噴射するシャワー装置は、容器内 を清浄化する手段を与えると同時に、前工程の洗浄仕上を補助する手段を与える 。即ち、洗浄仕上されたウエーハを乾燥装置内で再洗浄した後、即時に赤外線熱 により速成乾燥させることを可能にする。
【0015】 本考案に係る短波長側の赤外線ヒーターは、板状被乾燥物を容器内の所定位置 にセットした後、或いはセットして再洗浄後にONすることにより、板状被乾燥 物を短時間で加熱昇温させる効果を有する。このとき、中波長側の赤外線ヒータ ーをONしたまま容器内全体を恒常的に保温加熱するか、或いは前記短波長側の 赤外線ヒーターも同時にONすることにより、速成乾燥の効果を高めることがで きる。
【0016】 而して、本考案は遠心機械装置を用いないため、装置の製作費は安価で済み、 且つ機械的作業による板状被乾燥物の損傷を避けることができる。又、蒸気乾燥 用の可燃性有機溶剤も使用しないため、安全で溶剤のコストが節約できる。更に 、赤外線ヒーターのON/OFF及びパワー制御のみによって乾燥が比較的容易 になされるため、当該乾燥装置は板状被乾燥物を1枚ずつ確実に処理する毎葉式 のウエーハ乾燥装置として好適である。
【0017】 又、不活性ガスは容器内に下方から供給されるため、板状被乾燥物にパーティ クルが付着しにくい。
【0018】
【実施例】
以下に本考案の一実施例を添付図面に基づいて説明する。
【0019】 図4、図5、図6は本考案に係る乾燥装置を備える毎葉式のウエーハ自動洗浄 ・乾燥装置の正面図、平面図、側面図であり、該ウエーハ自動洗浄・乾燥装置は 、ローダ部A、ウエーハ受槽B、予備洗浄槽C、ブラシ洗浄槽D、洗浄槽E,F ,G,H,I、2つの予備槽J,K、本考案に係る乾燥装置L及びアンローダ部 Mを有している。
【0020】 而して、前工程である研磨工程においてその表面を鏡面研磨されたウエーハW は、図5に示すように、そのまま継続してローダ部Aに1枚ずつ搬入され、純水 の流れに沿ってウエーハ受槽B内に送られる。
【0021】 ところで、ウエーハ受槽Bには不図示のウエーハ起立装置が設けられており、 ウエーハ受槽Bに搬入されたウエーハWは、ウエーハ起立装置によって起立せし められる。そして、垂直に起立されたウエーハWは、搬送ロボット20によって 垂直に支持されてウエーハ受槽Bから予備洗浄槽Cまで自動的に搬送され、予備 洗浄槽Cでは洗浄液中に浸漬されてその背面に付着したワックスが除去される。 そして、予備洗浄槽Cにてワックスを除去されたウエーハWは、搬送ロボット2 0によって垂直に支持されてブラシ洗浄槽Dに送られ、このブラシ洗浄槽Dにて その両面を同時にブラシ洗浄されてパーティクル等が除去される。
【0022】 以上のようにブラシ洗浄されたウエーハWは、搬送ロボット20によって前記 洗浄槽E,F,G,H,Iに順次搬送されて洗浄処理される。
【0023】 而して、予備洗浄槽C乃至洗浄槽Iによって洗浄処理されたウエーハWは、搬 送ロボット20によって本考案に係る乾燥装置Lに搬送され、ここで速成乾燥さ れる。
【0024】 ここで、乾燥装置Lの構成の詳細を図1に基づいて説明する。
【0025】 該乾燥装置Lは耐熱性の高いSUS製のハウジング141を有し、該ハウジン グ141内の中央部には石英製の円筒状又は偏平で断面矩形の容器142が立設 されている。容器142の上部は蓋部材149によって覆われており、その周囲 には僅かな隙間δが形成されている。そして、容器142の上端部には純水を噴 出すべきシャワー装置143が設けられており、下端部には不活性ガス供給パイ プ144及び純水ドレインパイプ145が接続されている。
【0026】 又、上記容器142はその周囲を筒状の遮蔽板146によって被われており、 該遮蔽板146の内面には、短波長側の赤外線ヒーター(以下、短波長赤外線ヒ ーターと称す)147…と中波長側の赤外線ヒーター(以下、中波長赤外腺ヒー ターと称す)148…が容器142を囲繞するようにして該容器142の上下方 向略全長に亘って配置されている。
【0027】 更に、前記ハウジング141の上部には2台の冷却ファン150,150が内 装されている。
【0028】 而して、容器142の内部はシャワー装置143から噴出される純水によって 洗浄され、洗浄に共された純水は前記純水ドレインパイプ145からハウジング 141外へ排出される。尚、純水ドレインパイプ145はシャワー装置143が 作動するときのみ流通する。
【0029】 その後、中波長赤外線ヒーター148…と冷却ファン150,150がONさ れ、中波長赤外線ヒーター148…によって容器142が先ず温められる。尚、 中波長赤外線ヒーター148から出射される中波長赤外線の波長域はその最大値 を2.6μm以下とする近傍にあって、中波長赤外線ヒーター148,148( 800W×2)による中波長赤外線の照射時間と槽内温度との関係を図2に示す 。
【0030】 次に、容器142内にウエーハWが上下方向に吊した状態でセットされると、 短波長赤外線ヒーター147…がONされるとともに、容器142内には不活性 ガス供給パイプ144からN2 ガス、クリーンエアー等の不活性ガスが封入され 、不活性ガスは容器142上部の隙間δから外部に排出され、ウエーハWは不活 性ガス雰囲気中でその鏡面(研磨面)を短波長赤外線ヒーター147…によって 短波長赤外線の照射を受けて強制的に速成乾燥せしめられる。尚、不活性ガスは 容器142内に下方から供給されるため、ウエーハWにパーティクルが付着しに くい。
【0031】 ここで、短波長赤外線ヒーター147,147(1.5KW×2)による短波 長赤外線の照射時間と槽内温度との関係を図3に示すが、短波長赤外線ヒーター 147から出射される短波長赤外線の波長域はその最大値を1.3μm以下とす る近傍にある。
【0032】 ところで、中波長赤外線ヒーター148,148によって中波長赤外線を30 秒間照射すると槽内温度が約25℃となる(図2参照)のに対し、短波長赤外線 ヒーター147,147によって短波長赤外線を同じ時間(30秒間)だけ照射 すると約70℃に急上昇することがわかる。尚、短波長赤外線ヒーター147, 147、中波長赤外線ヒーター148,148がONされると冷却ファン150 ,150が駆動され、これら短波長赤外線ヒーター147,147及び中波長赤 外線ヒーター148,148が冷却される。
【0033】 以上のように、赤外線によって速成乾燥されたウエーハWは、搬送ロボット2 0によってウエーハ乾燥装置Lから取り出されてアンローダ部Mにセットされた 不図示のウエーハカセット内に1枚ずつ収納され、ここにウエーハWの洗浄が1 枚ずつ連続的、且つ自動的になされる。
【0034】 以上において、本考案に係る乾燥装置Lは遠心機械装置を用いないため、装置 の製作費は安価で済み、且つ機械的作業によるウエーハWの損傷を避けることが できる。
【0035】 又、蒸気乾燥用の可燃性有機溶剤も使用しないため、安全で溶剤のコストが節 約できる。
【0036】 更に、赤外線ヒーター147,147、148,148の電気的なON/OF F及びパワー制御のみによって乾燥が比較的容易になされるため、当該乾燥装置 LはウエーハWを1枚ずつ確実に処理する毎葉式のウエーハ乾燥装置として好適 である。
【0037】
【考案の効果】
以上の説明で明らかな如く、本考案によれば、板状被乾燥物を上下方向に吊し た状態で収容する石英製の円筒状又は偏平で断面矩形の容器を耐熱性のハウジン グ内に収納し、該容器の上部をその周囲に僅かな隙間を残して覆うとともに、該 上部に純水を噴出すべきシャワー装置を設け、同容器の下部は流体を排出するた めのドレインパイプと不活性ガスを供給すべき不活性ガス供給パイプに接続し、 前記ドレインパイプは前記シャワー装置が作動するときのみ流通し、前記不活性 ガス供給パイプから容器内に供給される不活性ガスは容器上部の隙間から外部に 排出されるようにし、容器の周囲にはこれを囲繞するよう赤外線ヒーターを上下 方向略全長に亘って複数配置し、前記断熱性ハウジングに冷却ファンを内装して 乾燥装置を構成したため、板状被乾燥物を1枚ずつ速成乾燥させることができる という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に係る乾燥装置の縦断面図である。
【図2】中長波長側の赤外線ヒーターによる中波長赤外
線の照射時間と槽内温度との関係を示す図である。
【図3】短波長側の赤外線ヒーターによる短波長赤外線
の照射時間と槽内温度との関係を示す図である。
【図4】ウエーハ自動洗浄・乾燥装置の正面図である。
【図5】ウエーハ自動洗浄・乾燥装置の平面図である。
【図6】ウエーハ自動洗浄・乾燥装置の側面図である。
【符号の説明】
141 ハウジング 142 容器 143 シャワー装置 144 不活性ガス供給パイプ 145 ドレインパイプ 147 短波長側の赤外線ヒーター 148 中波長側の赤外線ヒーター 150 冷却ファン L 乾燥装置 W ウエーハ(板状被乾燥物) δ 容器上部の隙間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 田中島 隆司 群馬県群馬郡群馬町足門762三益半導体工 業株式会社内 (72)考案者 木村 嘉晴 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研 究所内 (72)考案者 鈴木 盛江 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研 究所内

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 板状被乾燥物を上下方向に吊した状態で
    収容する石英製の円筒状又は偏平で断面矩形の容器を耐
    熱性のハウジング内に収納し、該容器の上部をその周囲
    に僅かな隙間を残して覆うとともに、該上部に純水を噴
    出すべきシャワー装置を設け、同容器の下部は流体を排
    出するためのドレインパイプと不活性ガスを供給すべき
    不活性ガス供給パイプに接続し、前記ドレインパイプは
    前記シャワー装置が作動するときのみ流通し、前記不活
    性ガス供給パイプから容器内に供給される不活性ガスは
    容器上部の隙間から外部に排出されるようにし、容器の
    周囲にはこれを囲繞するよう赤外線ヒーターを上下方向
    略全長に亘って複数配置し、前記断熱性ハウジングに冷
    却ファンを内装して構成されることを特徴とする乾燥装
    置。
  2. 【請求項2】 前記赤外線ヒーターは、波長域がその最
    大値を1.3μm以下とする近傍のものである短波長側
    の赤外線ヒーターと、波長域がその最大値を2.6μm
    以下とする近傍のものである中波長側の赤外線ヒーター
    であることを特徴とする請求項1記載の乾燥装置。
JP7722591U 1991-08-30 1991-08-30 乾燥装置 Expired - Lifetime JP2567413Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7722591U JP2567413Y2 (ja) 1991-08-30 1991-08-30 乾燥装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7722591U JP2567413Y2 (ja) 1991-08-30 1991-08-30 乾燥装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0521436U true JPH0521436U (ja) 1993-03-19
JP2567413Y2 JP2567413Y2 (ja) 1998-04-02

Family

ID=13627915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7722591U Expired - Lifetime JP2567413Y2 (ja) 1991-08-30 1991-08-30 乾燥装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2567413Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2567413Y2 (ja) 1998-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5547515A (en) Method for handling or processing semiconductor wafers
US20020066464A1 (en) Processing a workpiece using ozone and sonic energy
US5964958A (en) Methods for drying and cleaning objects using aerosols
JPH05326483A (ja) ウエハ処理装置およびウエハ一貫処理装置
JPH0817165B2 (ja) 工作物を洗浄し乾燥する方法
JP2001176833A (ja) 基板処理装置
JPH04305929A (ja) 洗浄装置および洗浄方法
WO2013140955A1 (ja) 基板処理装置およびヒータ洗浄方法
CN115148641A (zh) 基板处理方法和基板处理装置
CN111710626B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JP2000308857A (ja) 液処理方法及び液処理装置
JP3948930B2 (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JP2567413Y2 (ja) 乾燥装置
JPH05121388A (ja) 半導体装置の洗浄方法と洗浄装置
JP3540550B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JPH04357836A (ja) 半導体ウエハー洗浄装置
JP2001156049A (ja) 有機物剥離装置及び有機物剥離方法
JPH11307507A (ja) ウエハ乾燥装置
JPH09134872A (ja) レジスト剥離方法及び装置
JPH06252115A (ja) 被洗浄物の洗浄方法
JP2767165B2 (ja) ウエーハ洗浄槽
JP2610441B2 (ja) ワークの乾燥方法
WO1997033702A1 (en) Method and apparatus for drying and cleaning objects using aerosols
JP2005090860A (ja) 乾燥処理方法及び乾燥処理装置
JP3009006B2 (ja) 半導体基板の乾燥装置