JPH05215926A - Glass waveguide and manufacturing therefor - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多孔質ガラス層を形成することにより、クラッ
ド層からの漏れ光による迷光を低減して、ガラス導波路
のアイソレーションの大幅な向上を図る。
【構成】石英ガラスの基板１１上にかさ密度が１〜２ｇ
／ｃｍ3 の多孔質ガラス層１２を形成した後、多孔質ガ
ラス層１２上に石英系ガラスの第１クラッド層１３、コ
ア１５、第２クラッド層１６を順次形成してガラス導波
路１０を作製する。第１クラッド層１３と基板１１との
間に散乱体となる多孔質ガラス層１２を設けて、これら
の間を光学的に遮断するようにしているため、第１クラ
ッド層１３内の伝搬光の一部が基板１１に漏れる漏れ光
の量及び基板１１から第１クラッド層１３側に侵入する
迷光の量が大幅に減少する。
(57) [Summary] [Objective] By forming a porous glass layer, stray light due to light leaking from the cladding layer is reduced, and the isolation of the glass waveguide is significantly improved. [Structure] A bulk density of 1 to 2 g on a quartz glass substrate 11.
/ Cm 3 of the porous glass layer 12 is formed, and then the first cladding layer 13, the core 15 and the second cladding layer 16 of silica glass are sequentially formed on the porous glass layer 12 to fabricate the glass waveguide 10. To do. Since the porous glass layer 12 serving as a scatterer is provided between the first clad layer 13 and the substrate 11 so as to optically block between them, the propagation light in the first clad layer 13 is prevented. The amount of leaked light that partially leaks to the substrate 11 and the amount of stray light that enters the first cladding layer 13 side from the substrate 11 are greatly reduced.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光集積回路など光通信シ
ステムにおける重要な光部品であるガラス導波路及びそ
の製造方法に係り、特にアイソレーションの改善を図っ
たガラス導波路及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass waveguide which is an important optical component in an optical communication system such as an optical integrated circuit and a manufacturing method thereof, and more particularly to a glass waveguide having improved isolation and a manufacturing method thereof. ..
【０００２】[0002]
【従来の技術】ガラス導波路は、軽量かつコンパクトな
パッシブデバイスあるいはモジュールを作製する上で重
要な光部品である。図２にガラス導波路１を用いた送受
信モジュールの一例を示す。図示するように、カプラ、
合分波回路等からなるガラス導波路１にレーザダイオー
ド３、レンズ４、フォトダイオード５、光ファイバ６が
実装されている。また、ガラス導波路１は図３に示すよ
うに、石英ガラス基板７上のクラッド層８に適宜パター
ンでコア２を形成したものである。2. Description of the Related Art A glass waveguide is an important optical component for manufacturing a lightweight and compact passive device or module. FIG. 2 shows an example of a transceiver module using the glass waveguide 1. As shown, the coupler,
A laser diode 3, a lens 4, a photodiode 5, and an optical fiber 6 are mounted on a glass waveguide 1 including a multiplexing / branching circuit and the like. Further, as shown in FIG. 3, the glass waveguide 1 has a core 2 formed in an appropriate pattern on a clad layer 8 on a quartz glass substrate 7.
【０００３】このモジュールでは、レーザダイオード３
から発せられた光は、レンズ４で集光されてガラス導波
路１のコア２に結合され、さらに光ファイバ６を通じて
送信される。一方、光ファイバ６からの光は、ガラス導
波路１によってフォトダイオード５へと伝送され、フォ
トダイオード５で受信される。In this module, the laser diode 3
The light emitted from is collected by the lens 4, is coupled to the core 2 of the glass waveguide 1, and is further transmitted through the optical fiber 6. On the other hand, the light from the optical fiber 6 is transmitted to the photodiode 5 by the glass waveguide 1 and received by the photodiode 5.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、フォトダイ
オード５には、光ファイバ６からの受信光以外に、レー
ザダイオード３の光の一部が迷光となってフォトダイオ
ード５に受光される。この迷光が、フォトダイオード５
の受信に対してノイズとなる。受信光以外の迷光は、一
般に次式で示すアイソレーションＡにより定義される。By the way, in addition to the light received from the optical fiber 6, a part of the light of the laser diode 3 becomes stray light and is received by the photodiode 5. This stray light causes the photodiode 5
It becomes noise for reception of. Stray light other than the received light is generally defined by the isolation A shown by the following equation.
【０００５】Ａ＝−１０ｌｏｇ10（Ｐ2 ／Ｐ1 ） ここで、Ｐ1 はレーザダイオード５が発振しているとき
のフォトダイオード５の出力、つまり迷光によるフォト
ダイオード５の出力であり、Ｐ2 はレーザダイオード５
が発振していないときの受信光によるフォトダイオード
５の出力である。A = -10 log 10 (P 2 / P 1 ) where P 1 is the output of the photodiode 5 when the laser diode 5 is oscillating, that is, the output of the photodiode 5 due to stray light, and P 2 Is the laser diode 5
Is the output of the photodiode 5 by the received light when is not oscillating.
【０００６】レーザダイオード３から発せられガラス導
波路１に結合された光はコア２内ばかりでなく、一部は
クラッド層８内を伝搬するが、クラッド層８内を伝搬す
る光は、石英ガラス基板７に漏れ出して石英ガラス基板
７内を乱反射し、その一部がフォトダイオード５に入射
する。このため、図３に示す従来のガラス導波路１で
は、クラッド層８から基板７への漏れ光によるアイソレ
ーションの低下が大きく、−３５ｄＢ以上が望ましいに
もかかわらず、アイソレーションＡの値は−１５〜−２
０ｄＢしか得られなかった。The light emitted from the laser diode 3 and coupled to the glass waveguide 1 propagates not only in the core 2 but also partially in the cladding layer 8. However, the light propagating in the cladding layer 8 is quartz glass. The light leaks to the substrate 7 and is diffusely reflected inside the quartz glass substrate 7, and a part of the light is incident on the photodiode 5. Therefore, in the conventional glass waveguide 1 shown in FIG. 3, the isolation is significantly reduced due to the leaked light from the cladding layer 8 to the substrate 7, and the value of the isolation A is −35 dB or more, though it is desirable. 15--2
Only 0 dB was obtained.
【０００７】本発明の目的は、上記の従来技術の欠点を
解消し、アイソレーションを大幅に向上させることがで
きるガラス導波路及びその製造方法を提供することにあ
る。It is an object of the present invention to provide a glass waveguide and a method for manufacturing the same, which can solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and can greatly improve the isolation.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のガラス導波路は、石英ガラスまたはシリ
コンからなる基板とクラッド層が被覆された石英系ガラ
スのコアとの間に、多孔質ガラス層を介設したものであ
る。In order to achieve the above object, a glass waveguide of the present invention comprises a quartz glass or silicon substrate and a silica glass core coated with a cladding layer. A porous glass layer is provided.
【０００９】また、本発明のガラス導波路の製造方法
は、石英ガラスまたはシリコンからなる基板上に多孔質
ガラス層を形成し、多孔質ガラス層上に石英系ガラスの
第１クラッド層を形成し、第１クラッド層上に石英系の
ガラス膜を形成した後、このガラス膜から余分な部分を
除去してコアを形成し、コア及び第１クラッド層を覆う
ように石英系ガラスの第２クラッド層を形成するように
したものである。Further, according to the method of manufacturing a glass waveguide of the present invention, a porous glass layer is formed on a substrate made of quartz glass or silicon, and a first cladding layer of silica glass is formed on the porous glass layer. After forming a silica-based glass film on the first clad layer, a surplus part is removed from the glass film to form a core, and the second clad of silica-based glass is formed so as to cover the core and the first clad layer. It is intended to form a layer.
【００１０】本発明において、上記多孔質ガラス層のか
さ密度は１〜２ｇ／ｃｍ3 とするのがよく、さらに多孔
質ガラスの軟化温度（ガラス転移温度）は上記コア、第
１及び第２クラッド層の軟化温度より高くするのが好ま
しい。また、上記石英系のガラス膜は電子ビーム蒸着ま
たはイオンスパッタリングを用いて第１クラッド層上に
形成するのがよい。In the present invention, the bulk density of the porous glass layer is preferably 1 to 2 g / cm 3, and the softening temperature (glass transition temperature) of the porous glass is the core, the first and second clads. It is preferably above the softening temperature of the layer. The quartz glass film is preferably formed on the first clad layer by using electron beam evaporation or ion sputtering.
【００１１】[0011]
【作用】ガラス導波路のクラッド層内を伝搬する光のう
ち一部は基板側へと漏れ出ようとするが、クラッド層と
基板との間には多孔質ガラス層が散乱体として存在する
ので、クラッド層から基板に漏れようとする光は多孔質
ガラス層で散乱され、基板への漏れ光は低減される。ま
た、基板に漏れて、基板内を乱反射し、再びクラッド層
に戻ろうとする光も多孔質ガラス層によって散乱され、
クラッド層への迷光の侵入は抑えられる。Function: Part of the light propagating in the clad layer of the glass waveguide tends to leak to the substrate side, but since the porous glass layer exists as a scatterer between the clad layer and the substrate. The light that leaks from the clad layer to the substrate is scattered by the porous glass layer, and the light leaking to the substrate is reduced. In addition, light leaking to the substrate, diffusely reflected in the substrate, and returning to the cladding layer is also scattered by the porous glass layer,
Stray light can be suppressed from entering the clad layer.
【００１２】多孔質ガラス層のかさ密度を１〜２ｇ／ｃ
ｍ3 としたのは、次の理由による。多孔質ガラス層のか
さ密度が１ｇ／ｃｍ3 以下では、加熱処理によりクラッ
ド層を形成する際に、多孔質ガラス層が収縮しクラッド
層が均一に形成されなくなるからである。また、かさ密
度が２ｇ／ｃｍ3 以上では、多孔質ガラス層の表面ない
し界面の凹凸がなくなると共に、多孔質ガラス層の空孔
部分が減少して、多孔質ガラス層の散乱性能が低下する
からである。The bulk density of the porous glass layer is 1-2 g / c.
The reason for setting m 3 is as follows. This is because when the bulk density of the porous glass layer is 1 g / cm 3 or less, the porous glass layer contracts when the cladding layer is formed by heat treatment, and the cladding layer cannot be formed uniformly. Further, when the bulk density is 2 g / cm 3 or more, the surface or the interface of the porous glass layer is not uneven, and the pores of the porous glass layer are reduced, so that the scattering performance of the porous glass layer is deteriorated. Is.
【００１３】さらに、多孔質ガラス層の軟化温度をコア
やクラッド層の軟化温度よりも高くすると、例えば多孔
質ガラス層を純粋ＳｉＯ2 とすると、多孔質ガラスを焼
結ガラス化してクラッド層やコアを形成する際に、多孔
質ガラス層が熱影響を受け難くなる。Further, if the softening temperature of the porous glass layer is made higher than the softening temperature of the core or the clad layer, for example, if the porous glass layer is pure SiO 2 , the porous glass is sintered and vitrified to form the clad layer or the core. When forming, the porous glass layer is less likely to be affected by heat.
【００１４】また、コア用の石英系のガラス膜を電子ビ
ーム蒸着またはイオンスパッタリングにより第１クラッ
ド層上に形成すると、ドーパントが少なく軟化温度が高
い多孔質ガラスを透明ガラス化してコア用のガラス膜を
形成する場合に生じる、高温加熱によるガラス導波路の
変形などの問題がなくなる。Further, when a silica-based glass film for the core is formed on the first cladding layer by electron beam evaporation or ion sputtering, the porous glass having a small softening temperature and having a small amount of dopant is made into a transparent glass to form the glass film for the core. The problem of deformation of the glass waveguide due to high temperature heating, which occurs when forming the film, is eliminated.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１に、本発明のガラス導波路の一実施例を示す。
図示するように、このガラス導波路１０は、石英ガラス
の基板１１上に純粋のＳｉＯ2 の多孔質ガラス層１２を
形成した後、多孔質ガラス層１２上に石英系ガラスの第
１クラッド層１３、コア１５及び第２クラッド層１６を
順次形成したものである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the glass waveguide of the present invention.
As shown in the figure, in this glass waveguide 10, a pure SiO 2 porous glass layer 12 is formed on a quartz glass substrate 11, and then a first cladding layer 13 of quartz glass is formed on the porous glass layer 12. The core 15 and the second cladding layer 16 are sequentially formed.
【００１６】次に、このガラス導波路１０の製造方法を
図４に従って具体的に述べる。まず、石英ガラスの基板
１１上に多孔質ガラス層１２を形成する（図４
（Ａ））。これは、バーナ（図示せず）に原料のＳｉＣ
ｌ4 および燃料を供給して、火炎加水分解反応によりＳ
ｉＯ2 を生成し、生成したＳｉＯ2 の微粒子を３インチ
径、厚さ１ｍｍの石英ガラスの基板１１上に５０μｍの
厚さとなるまで堆積させた。堆積した多孔質ガラスのか
さ密度は０．４ｇ／ｃｍ3 であった。その後、この基板
１１をＨｅ雰囲気の電気炉内で加熱し、かさ密度が１．
５ｇ／ｃｍ3 の多孔質ガラス層１２を得た。Next, a method of manufacturing the glass waveguide 10 will be specifically described with reference to FIG. First, the porous glass layer 12 is formed on the quartz glass substrate 11 (FIG. 4).
(A)). This is the raw material SiC for the burner (not shown).
L 4 and fuel are supplied, and S is generated by flame hydrolysis reaction.
io 2 was generated, and the generated particles of SiO 2 were deposited on a quartz glass substrate 11 having a diameter of 3 inches and a thickness of 1 mm to a thickness of 50 μm. The bulk density of the deposited porous glass was 0.4 g / cm 3 . Then, the substrate 11 is heated in an electric furnace in a He atmosphere so that the bulk density is 1.
A porous glass layer 12 of 5 g / cm 3 was obtained.
【００１７】次いで、多孔質ガラス層１２上に、火炎加
水分解反応を利用してＰ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系
の多孔質ガラス膜を堆積形成させた後、これを電気炉で
熱処理し、厚さ２０μｍの第１クラッド層１３を形成し
た（図４（Ｂ））。Then, a P 2 O 5 —B 2 O 3 —SiO 2 based porous glass film is deposited and formed on the porous glass layer 12 by utilizing a flame hydrolysis reaction, and this is then formed in an electric furnace. Then, the first clad layer 13 having a thickness of 20 μm was formed (FIG. 4B).
【００１８】次いで、第１クラッド層１３上に、電子ビ
ーム蒸着法によりＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 系のガラス膜１４
を形成した（図４（Ｃ））。これは、電子ビーム真空蒸
着装置（図示せず）内に基板１１を保持すると共にＴｉ
Ｏ2 −ＳｉＯ2 系ガラスのターゲットを設け、電子ビー
ムによりタブレットを加熱し、その蒸気を第１クラッド
層１３上に付着堆積させて、８μｍ厚のＴｉＯ2 −Ｓｉ
Ｏ2 系のガラス膜１４を形成したものである。Next, on the first cladding layer 13, a TiO 2 —SiO 2 based glass film 14 is formed by electron beam evaporation.
Was formed (FIG. 4 (C)). This is done by holding the substrate 11 in an electron beam vacuum deposition apparatus (not shown) and
A target of O 2 —SiO 2 glass is provided, the tablet is heated by an electron beam, and the vapor is deposited and deposited on the first clad layer 13 to form a 8 μm thick TiO 2 —Si film.
The glass film 14 of O 2 system is formed.
【００１９】しかる後、ガラス膜１４から余分な部分を
除去してコア１５を形成した（図４（Ｄ））。これに
は、パターン形成装置を用い、導波路のパターンをフォ
トリソグラフィにより転写した後、反応性イオンエッチ
ングでガラス膜１４の不用な部分を除去することによっ
て、導波路をパターン化してコア１５を得た。Thereafter, the excess portion was removed from the glass film 14 to form the core 15 (FIG. 4 (D)). For this purpose, a pattern forming device is used to transfer the waveguide pattern by photolithography, and then unnecessary portions of the glass film 14 are removed by reactive ion etching to pattern the waveguide to obtain the core 15. It was
【００２０】最後に、第１クラッド層１３を形成したの
と同様な条件で、多孔質ガラスの堆積と透明ガラス化と
を行って、コア１５及び第１クラッド層１３を覆う３０
μｍ厚でＰ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの第２
クラッド層１６を形成した（図４（Ｅ））。Finally, porous glass is deposited and transparent vitrification is performed under the same conditions as those for forming the first cladding layer 13 to cover the core 15 and the first cladding layer 30.
In μm thickness P 2 O 5 -B 2 O 3 -SiO 2 system second glass
The clad layer 16 was formed (FIG. 4 (E)).
【００２１】上記により製造した基板１１をダイシング
によりガラス導波路素子を切りだし、その両端面を研磨
した後、ガラス導波路素子にレーザダイオード、フォト
ダイオード、光ファイバなどを実装してアイソレーショ
ンの測定を行った。測定結果はアイソレーションの値が
−３８ｄＢと非常に良好であった。なお、上記実施例に
おける多孔質ガラス層１２をなくしたガラス導波路素子
では、アイソレーションは−１８ｄＢにすぎなかった。A glass waveguide element is cut out by dicing the substrate 11 manufactured as described above, both end faces thereof are polished, and then a laser diode, a photodiode, an optical fiber, etc. are mounted on the glass waveguide element to measure isolation. I went. The measurement result was a very good isolation value of -38 dB. In addition, in the glass waveguide element in which the porous glass layer 12 was removed in the above example, the isolation was only -18 dB.
【００２２】また、上記実施例において、多孔質ガラス
層のかさ密度を１ｇ／ｃｍ3 以下とすると、クラッド形
成中に多孔質ガラス層の収縮が起り、第２クラッド層の
ガラス膜が均一に形成されなかった。一方、かさ密度を
２ｇ／ｃｍ3 以上とすると、多孔質ガラス層の表面の凹
凸がなくなり、また多孔質ガラス層内の散乱体となる空
孔が少なくなるため、アイソレーションが−２８ｄＢ以
下に減少してしまった。Further, in the above embodiment, when the bulk density of the porous glass layer is set to 1 g / cm 3 or less, the porous glass layer contracts during the formation of the clad, and the glass film of the second clad layer is uniformly formed. Was not done. On the other hand, when the bulk density is 2 g / cm 3 or more, the surface roughness of the porous glass layer is eliminated, and the number of pores serving as scatterers in the porous glass layer is reduced, so that the isolation is reduced to -28 dB or less. have done.
【００２３】上記実施例では基板が石英ガラスの場合を
説明したが、基板にシリコンの基板を用い、上記と同様
に多孔質ガラス層を形成してガラス導波路素子を作製
し、アイソレーションの測定を行ったところ、−３６ｄ
Ｂと良好な結果を得た。In the above embodiments, the case where the substrate is quartz glass has been described. However, a silicon substrate is used as the substrate, a porous glass layer is formed in the same manner as above, a glass waveguide device is produced, and isolation is measured. Was done, -36d
B and good results were obtained.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によれば次のような効果が得られる。As is apparent from the above description, according to the present invention, the following effects can be obtained.
【００２５】（１）請求項１に記載のガラス導波路によ
れば、基板とクラッド層（第１クラッド層）との間に散
乱体となる多孔質ガラス層を形成しているため、クラッ
ド層から基板に漏れようとする光は多孔質ガラス層で散
乱され、基板への漏れ光は大幅に減少する。また、たと
え基板へと漏れ出し基板内を乱反射して再びクラッド層
に戻ろうとする光があっても多孔質ガラス層で散乱を受
けるので、クラッド層への迷光の侵入は良好に抑制され
る。このため、ガラス導波路のアイソレーションを大幅
に向上させることができる。(1) According to the glass waveguide of claim 1, since the porous glass layer serving as a scatterer is formed between the substrate and the clad layer (first clad layer), the clad layer is formed. Light leaking from the substrate to the substrate is scattered by the porous glass layer, and the light leaking to the substrate is greatly reduced. Further, even if there is light that leaks out to the substrate and diffusely reflects inside the substrate and returns to the cladding layer again, it is scattered by the porous glass layer, so that stray light can be suppressed from entering the cladding layer. Therefore, the isolation of the glass waveguide can be significantly improved.
【００２６】（２）請求項２に記載のガラス導波路の製
造方法によれば、石英系ガラスのコア、第１及び第２ク
ラッド層は、通常、火炎加水分解反応を利用して多孔質
ガラス膜を堆積させ、これを加熱し透明ガラス化して形
成されるが、これらを形成するために用いる既存の装置
・技術により、散乱体として設けた多孔質ガラスも形成
でき、簡易に且つ信頼性をもって本発明のガラス導波路
を製造することができる。(2) According to the method for producing a glass waveguide according to claim 2, the silica glass core and the first and second cladding layers are usually porous glass using a flame hydrolysis reaction. It is formed by depositing a film and heating it to form a transparent glass. With existing equipment and technology used to form these, porous glass provided as a scatterer can also be formed, and it is simple and reliable. The glass waveguide of the present invention can be manufactured.
【００２７】（３）請求項３または４に記載のガラス導
波路またはその製造方法によれば、多孔質ガラス層のか
さ密度を１ｇ／ｃｍ3 以上にすると、第１クラッド層等
を加熱処理により形成する際に、多孔質ガラス層を収縮
してクラッド層等に変形・歪みを与えることを防止でき
る。また、多孔質ガラス層のかさ密度を２ｇ／ｃｍ3以
下とすると、多孔質ガラス層の表面の凹凸や空孔を多く
保持でき、高い散乱性能の多孔質ガラス層が得られる。(3) According to the glass waveguide or the method for manufacturing the same of claim 3 or 4, when the bulk density of the porous glass layer is set to 1 g / cm 3 or more, the first cladding layer and the like are heat-treated. During formation, it is possible to prevent the porous glass layer from shrinking to give deformation or strain to the cladding layer or the like. When the bulk density of the porous glass layer is 2 g / cm 3 or less, many irregularities and pores on the surface of the porous glass layer can be retained, and a porous glass layer with high scattering performance can be obtained.
【００２８】（４）請求項５に記載のガラス導波路の製
造方法によれば、多孔質ガラス層の軟化温度をコアや第
１、第２クラッド層の軟化温度よりも高くすれば、多孔
質ガラスを焼結ガラス化してクラッド層やコアを形成す
る際に、多孔質ガラス層が熱影響を受け難くなり、確実
に所望の多孔質ガラス層を形成できる。(4) According to the glass waveguide manufacturing method of the fifth aspect, if the softening temperature of the porous glass layer is set higher than the softening temperatures of the core and the first and second cladding layers, the porous glass layer is porous. When the glass is sintered into glass to form the clad layer and the core, the porous glass layer is less likely to be affected by heat, and the desired porous glass layer can be reliably formed.
【００２９】（５）請求項６に記載のガラス導波路の製
造方法によれば、石英系のガラス膜を電子ビーム蒸着ま
たはイオンスパッタリングを用いて第１クラッド層上に
形成すれば、ドーパントが少なく軟化温度の高い多孔質
ガラスを透明ガラス化してコア用のガラス膜を形成する
場合における高温によるガラス導波路の変形などの問題
を回避でき、軟化温度の高いコアを有するガラス導波路
を高精度に製造することができる。(5) According to the method for manufacturing a glass waveguide of claim 6, when the silica-based glass film is formed on the first cladding layer by using electron beam evaporation or ion sputtering, the amount of the dopant is reduced. It is possible to avoid problems such as deformation of the glass waveguide due to high temperature when transparent glass is made from porous glass with a high softening temperature to form a glass film for a core, and a glass waveguide with a core with a high softening temperature is highly accurate. It can be manufactured.
【図１】本発明に係るガラス導波路の一実施例を示す横
断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a glass waveguide according to the present invention.
【図２】従来のガラス導波路を用いた光送受信モジュー
ルを示す概略構成図。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an optical transceiver module using a conventional glass waveguide.
【図３】図２のガラス導波路の横断面図。3 is a cross-sectional view of the glass waveguide of FIG.
【図４】図１のガラス導波路の製造方法の一実施例を示
す工程図。FIG. 4 is a process drawing showing an embodiment of a method for manufacturing the glass waveguide of FIG.
１ ガラス導波路 ２ コア ３ レーザダイオード ４ レンズ ５ フォトダイオード ６ 光ファイバ ７ 石英ガラス基板 ８ クラッド層 １０ ガラス導波路 １１ 基板 １２ 多孔質ガラス層 １３ 第１クラッド層 １４ ガラス膜 １５ コア １６ 第２クラッド層 1 Glass Waveguide 2 Core 3 Laser Diode 4 Lens 5 Photodiode 6 Optical Fiber 7 Quartz Glass Substrate 8 Cladding Layer 10 Glass Waveguide 11 Substrate 12 Porous Glass Layer 13 First Cladding Layer 14 Glass Film 15 Core 16 Second Cladding Layer
Claims (6)
クラッド層が被覆された石英系ガラスのコアとの間に、
多孔質ガラス層が介設されていることを特徴とするガラ
ス導波路。1. Between a substrate made of quartz glass or silicon and a silica-based glass core covered with a clad layer,
A glass waveguide in which a porous glass layer is provided.
／ｃｍ3 であることを特徴とする請求項１に記載のガラ
ス導波路。2. The bulk density of the porous glass layer is 1 to 2 g.
The glass waveguide according to claim 1, wherein the glass waveguide is / cm 3 .
に多孔質ガラス層を形成し、多孔質ガラス層上に石英系
ガラスの第１クラッド層を形成し、第１クラッド層上に
石英系のガラス膜を形成した後、このガラス膜から余分
な部分を除去してコアを形成し、コア及び第１クラッド
層を覆うように石英系ガラスの第２クラッド層を形成す
るようにしたことを特徴とするガラス導波路の製造方
法。3. A porous glass layer is formed on a substrate made of quartz glass or silicon, a first cladding layer of quartz glass is formed on the porous glass layer, and a quartz glass is formed on the first cladding layer. After forming the film, an excess portion is removed from the glass film to form a core, and a second cladding layer of silica-based glass is formed so as to cover the core and the first cladding layer. Method for manufacturing glass waveguide.
／ｃｍ3 としたことを特徴とする請求項３に記載のガラ
ス導波路の製造方法。4. The bulk density of the porous glass layer is 1 to 2 g.
/ Cm 3 The method for manufacturing a glass waveguide according to claim 3, wherein
クラッド層、コア及び第２クラッド層の軟化温度よりも
高いことを特徴とする請求項３または４に記載のガラス
導波路の製造方法。5. The softening temperature of the porous glass layer is the first
The method of manufacturing a glass waveguide according to claim 3, wherein the softening temperature is higher than the softening temperatures of the clad layer, the core and the second clad layer.
たはイオンスパッタリングにより上記第１クラッド層上
に形成するようにしたことを特徴とする請求項３ないし
５のいずれかに記載のガラス導波路の製造方法。6. The glass waveguide according to claim 3, wherein the quartz glass film is formed on the first cladding layer by electron beam evaporation or ion sputtering. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1722892A JP2827657B2 (en) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | Glass waveguide and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP1722892A JP2827657B2 (en) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | Glass waveguide and manufacturing method thereof |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05215926A true JPH05215926A (en) | 1993-08-27 |
| JP2827657B2 JP2827657B2 (en) | 1998-11-25 |
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ID=11938096
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1722892A Expired - Fee Related JP2827657B2 (en) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | Glass waveguide and manufacturing method thereof |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2827657B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6160945A (en) * | 1997-09-12 | 2000-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide device for loss absorption and fabrication method thereof |
| JP2009512898A (en) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | アールピーオー・ピーティワイ・リミテッド | Improved optical element for waveguide-based optical touch screens |
| JPWO2024105828A1 (en) * | 2022-11-16 | 2024-05-23 |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP1722892A patent/JP2827657B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US6160945A (en) * | 1997-09-12 | 2000-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide device for loss absorption and fabrication method thereof |
| JP2009512898A (en) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | アールピーオー・ピーティワイ・リミテッド | Improved optical element for waveguide-based optical touch screens |
| JPWO2024105828A1 (en) * | 2022-11-16 | 2024-05-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2827657B2 (en) | 1998-11-25 |
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