JPH05217424A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JPH05217424A JPH05217424A JP4278066A JP27806692A JPH05217424A JP H05217424 A JPH05217424 A JP H05217424A JP 4278066 A JP4278066 A JP 4278066A JP 27806692 A JP27806692 A JP 27806692A JP H05217424 A JPH05217424 A JP H05217424A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 還元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、
しかも結晶粒径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率
が得られる。 【構成】 主成分がＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚ
ｒおよびＮｂの各酸化物からなり、次の一般式、｛ (Ｂ
ａ1-x-y-z Ｓｒx Ｃａy Ｍｇz ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚ
ｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｙ，ｚ，ｏ，ｐお
よびｍが、０．０５≦ｘ≦０．３５、０．００５≦ｙ≦
０．１２、０．０００５≦ｚ≦０．０５、０＜ｏ≦０．
２０、０．０００５＜ｐ≦０．０２、１．０００≦ｍ≦
１．０４の関係を満足し、前記主成分１００モルに対し
て、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ
2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表した
とき、各酸化物の少なくとも一種類が０．０２〜２．０
モル添加され、前記主成分を１００重量部として、Ｂａ
Ｏ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物
ガラスを０．０５重量部〜５．０重量部含む。
しかも結晶粒径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率
が得られる。 【構成】 主成分がＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚ
ｒおよびＮｂの各酸化物からなり、次の一般式、｛ (Ｂ
ａ1-x-y-z Ｓｒx Ｃａy Ｍｇz ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚ
ｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｙ，ｚ，ｏ，ｐお
よびｍが、０．０５≦ｘ≦０．３５、０．００５≦ｙ≦
０．１２、０．０００５≦ｚ≦０．０５、０＜ｏ≦０．
２０、０．０００５＜ｐ≦０．０２、１．０００≦ｍ≦
１．０４の関係を満足し、前記主成分１００モルに対し
て、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ
2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表した
とき、各酸化物の少なくとも一種類が０．０２〜２．０
モル添加され、前記主成分を１００重量部として、Ｂａ
Ｏ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物
ガラスを０．０５重量部〜５．０重量部含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特にたとえば積層セラミックコンデンサな
どに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関する。
成物に関し、特にたとえば積層セラミックコンデンサな
どに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサを製造するに
は、まず、その表面に内部電極となる電極材料を塗布し
たシート状の誘電体材料が準備される。この誘電体材料
としては、たとえばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料な
どが用いられる。この電極材料を塗布したシート状の誘
電体材料を積層して熱圧着し、一体化したものを自然雰
囲気中において１２５０〜１３５０℃で焼成して、内部
電極を有する誘電体磁器が得られる。そして、この誘電
体磁器の端面に、内部電極と導通する外部電極を焼き付
けて、積層セラミックコンデンサが製造される。
は、まず、その表面に内部電極となる電極材料を塗布し
たシート状の誘電体材料が準備される。この誘電体材料
としては、たとえばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料な
どが用いられる。この電極材料を塗布したシート状の誘
電体材料を積層して熱圧着し、一体化したものを自然雰
囲気中において１２５０〜１３５０℃で焼成して、内部
電極を有する誘電体磁器が得られる。そして、この誘電
体磁器の端面に、内部電極と導通する外部電極を焼き付
けて、積層セラミックコンデンサが製造される。
【０００３】したがって、内部電極の材料としては、次
のような条件を満たす必要がある。
のような条件を満たす必要がある。
【０００４】（ａ）誘電体磁器と内部電極とが同時に焼
成されるので、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点
を有すること。
成されるので、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点
を有すること。
【０００５】（ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸
化されず、しかも誘電体と反応しないこと。
化されず、しかも誘電体と反応しないこと。
【０００６】このような条件を満足する電極材料として
は、白金，金，パラジウムあるいはこれらの合金などの
ような貴金属が用いられていた。
は、白金，金，パラジウムあるいはこれらの合金などの
ような貴金属が用いられていた。
【０００７】しかしながら、これらの電極材料は優れた
特性を有する反面、高価であった。そのため、積層セラ
ミックコンデンサに占める電極材料費の割合は３０〜７
０％にも達し、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。
特性を有する反面、高価であった。そのため、積層セラ
ミックコンデンサに占める電極材料費の割合は３０〜７
０％にも達し、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。
【０００８】貴金属以外に高融点をもつものとしてＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏなどの卑金属があるが、これ
らの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化され
てしまい、電極としての役目を果たさなくなってしま
う。そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデ
ンサの内部電極として使用するためには、誘電体磁器と
ともに中性または還元性雰囲気中で焼成される必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体磁器材料では、このよ
うな還元性雰囲気中で焼成すると著しく還元されてしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏなどの卑金属があるが、これ
らの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化され
てしまい、電極としての役目を果たさなくなってしま
う。そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデ
ンサの内部電極として使用するためには、誘電体磁器と
ともに中性または還元性雰囲気中で焼成される必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体磁器材料では、このよ
うな還元性雰囲気中で焼成すると著しく還元されてしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。
【０００９】このような欠点を克服するために、たとえ
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料が
考え出された。このような誘電体材料を使用することに
よって、還元性雰囲気中で焼成しても半導体化しない誘
電体磁器を得ることができ、内部電極としてニッケルな
どの卑金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造
が可能となった。
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料が
考え出された。このような誘電体材料を使用することに
よって、還元性雰囲気中で焼成しても半導体化しない誘
電体磁器を得ることができ、内部電極としてニッケルな
どの卑金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造
が可能となった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】近年のエレクトロニク
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化の傾向が顕著になってき
た。積層セラミックコンデンサを小型化する方法として
は、一般的に大きな誘電率を有する材料を用いるか、誘
電体層を薄膜化することが知られている。しかし、大き
な誘電率を有する材料は結晶粒が大きく、１０μｍ以下
のような薄膜になると、１つの層中に存在する結晶粒の
数が減少し、信頼性が低下してしまう。
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化の傾向が顕著になってき
た。積層セラミックコンデンサを小型化する方法として
は、一般的に大きな誘電率を有する材料を用いるか、誘
電体層を薄膜化することが知られている。しかし、大き
な誘電率を有する材料は結晶粒が大きく、１０μｍ以下
のような薄膜になると、１つの層中に存在する結晶粒の
数が減少し、信頼性が低下してしまう。
【００１１】一方、特開昭６１−１０１４５９号公報に
示されるように、チタン酸バリウム固溶体にＬａ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｄｙなどの希土類酸化物を添加した、結晶粒
径の小さい非還元性誘電体磁器が知られている。このよ
うに結晶粒径を小さくすることによって、１つの層中に
存在する結晶粒の数を増やすことができ、信頼性の低下
を防ぐことができる。
示されるように、チタン酸バリウム固溶体にＬａ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｄｙなどの希土類酸化物を添加した、結晶粒
径の小さい非還元性誘電体磁器が知られている。このよ
うに結晶粒径を小さくすることによって、１つの層中に
存在する結晶粒の数を増やすことができ、信頼性の低下
を防ぐことができる。
【００１２】しかしながら、この希土類酸化物を添加し
た材料では、大きな誘電率を得ることができない上、焼
成するときに還元されやすくなり、特性の面で問題があ
った。
た材料では、大きな誘電率を得ることができない上、焼
成するときに還元されやすくなり、特性の面で問題があ
った。
【００１３】それゆえに、この発明の主たる目的は、還
元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、しかも結晶粒
径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率が得られ、こ
れを用いることによって積層セラミックコンデンサを小
型化することができる、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。
元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、しかも結晶粒
径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率が得られ、こ
れを用いることによって積層セラミックコンデンサを小
型化することができる、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明は、その主成分
がＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｔｉ，ＺｒおよびＮｂの各
酸化物からなり、次の一般式、｛( Ｂａ1-x-y-z Ｓｒx
Ｃａy Ｍｇz ) Ｏ｝m( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ
2+p/2 で表され、ｘ，ｙ，ｚ，ｏ，ｐおよびｍが、０．
０５≦ｘ≦０．３５、０．００５≦ｙ≦０．１２、０．
０００５≦ｚ≦０．０５、０＜ｏ≦０．２０、０．００
０５＜ｐ≦０．０２、１．０００≦ｍ≦１．０４の関係
を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ
3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、各酸化
物の少なくとも一種類が０．０２〜２．０モル添加さ
れ、前記主成分を１００重量部として、ＢａＯ−ＳｒＯ
−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガラスを
０．０５重量部〜５．０重量部含む、非還元性誘電体磁
器組成物である。
がＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｔｉ，ＺｒおよびＮｂの各
酸化物からなり、次の一般式、｛( Ｂａ1-x-y-z Ｓｒx
Ｃａy Ｍｇz ) Ｏ｝m( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ
2+p/2 で表され、ｘ，ｙ，ｚ，ｏ，ｐおよびｍが、０．
０５≦ｘ≦０．３５、０．００５≦ｙ≦０．１２、０．
０００５≦ｚ≦０．０５、０＜ｏ≦０．２０、０．００
０５＜ｐ≦０．０２、１．０００≦ｍ≦１．０４の関係
を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ
3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、各酸化
物の少なくとも一種類が０．０２〜２．０モル添加さ
れ、前記主成分を１００重量部として、ＢａＯ−ＳｒＯ
−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガラスを
０．０５重量部〜５．０重量部含む、非還元性誘電体磁
器組成物である。
【００１５】
【発明の効果】この発明によれば、還元性雰囲気中で焼
成しても還元されず、半導体化しない非還元性誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この非還元
性誘電体磁器組成物を用いて磁器積層コンデンサを製造
すれば、電極材料として卑金属を用いることができ、１
２５０℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層
セラミックコンデンサのコストダウンを図ることができ
る。
成しても還元されず、半導体化しない非還元性誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この非還元
性誘電体磁器組成物を用いて磁器積層コンデンサを製造
すれば、電極材料として卑金属を用いることができ、１
２５０℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層
セラミックコンデンサのコストダウンを図ることができ
る。
【００１６】また、この非還元性誘電体磁器組成物を用
いた磁器では、誘電率が１１０００以上あり、しかもこ
のように高誘電率であるにもかかわらず、結晶粒が３μ
ｍ以下と小さい。したがって、積層セラミックコンデン
サを製造するときに、誘電体層を薄膜化しても、従来の
積層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶
粒の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、し
かも小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得るこ
とができる。
いた磁器では、誘電率が１１０００以上あり、しかもこ
のように高誘電率であるにもかかわらず、結晶粒が３μ
ｍ以下と小さい。したがって、積層セラミックコンデン
サを製造するときに、誘電体層を薄膜化しても、従来の
積層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶
粒の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、し
かも小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得るこ
とができる。
【００１７】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１８】
【実施例】まず、原料として、純度９９．８％以上のＢ
ａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＭｇＣＯ3 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，
Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯを準備した。これらの原料
を｛ (Ｂａ1-x-y-z ＳｒxＣａy Ｍｇz ) Ｏ｝m ( Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 の組成式で表され、ｘ，
ｙ，ｚ，ｍ，ｏ，ｐが表１に示す割合となるように配合
して、配合原料を得た。この配合原料をボールミルで湿
式混合し、粉砕したのち乾燥し、空気中において１１０
０℃で２時間仮焼して仮焼物を得た。この仮焼物を乾式
粉砕機によって粉砕し、粒径が１μｍ以下の粉砕物を得
た。この粉砕物に、予め準備した粒径１μｍ以下のＢａ
Ｏ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物
ガラスを秤量し、純水と酢酸ビニルバインダを加えて、
ボールミルで１６時間混合して混合物を得た。
ａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＭｇＣＯ3 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，
Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯを準備した。これらの原料
を｛ (Ｂａ1-x-y-z ＳｒxＣａy Ｍｇz ) Ｏ｝m ( Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 の組成式で表され、ｘ，
ｙ，ｚ，ｍ，ｏ，ｐが表１に示す割合となるように配合
して、配合原料を得た。この配合原料をボールミルで湿
式混合し、粉砕したのち乾燥し、空気中において１１０
０℃で２時間仮焼して仮焼物を得た。この仮焼物を乾式
粉砕機によって粉砕し、粒径が１μｍ以下の粉砕物を得
た。この粉砕物に、予め準備した粒径１μｍ以下のＢａ
Ｏ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物
ガラスを秤量し、純水と酢酸ビニルバインダを加えて、
ボールミルで１６時間混合して混合物を得た。
【００１９】
【表１】
【００２０】この混合物を乾燥造粒した後、２０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力で成形し、直径１０ｍｍ，厚さ０．５
ｍｍの円板を得た。得られた円板を空気中において５０
０℃まで加熱して有機バインダを燃焼させたのち、酸素
分圧が３×１０-8〜３×１０-10 ａｔｍのＨ2 −Ｎ2 −
空気ガスからなる還元雰囲気炉中において表２に示す温
度で２時間焼成し、円板状の磁器を得た。得られた磁器
の表面を、走査型電子顕微鏡で倍率１５００倍で観察
し、グレインサイズを測定した。
ｇ／ｃｍ2 の圧力で成形し、直径１０ｍｍ，厚さ０．５
ｍｍの円板を得た。得られた円板を空気中において５０
０℃まで加熱して有機バインダを燃焼させたのち、酸素
分圧が３×１０-8〜３×１０-10 ａｔｍのＨ2 −Ｎ2 −
空気ガスからなる還元雰囲気炉中において表２に示す温
度で２時間焼成し、円板状の磁器を得た。得られた磁器
の表面を、走査型電子顕微鏡で倍率１５００倍で観察
し、グレインサイズを測定した。
【００２１】
【表２】
【００２２】そして、得られた磁器の主表面に銀電極を
焼き付けて測定試料（コンデンサ）とした。得られた試
料について、室温での誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎ
δ）および温度変化に対する静電容量（Ｃ）の変化率を
測定した。なお、誘電率および誘電損失は、温度２５
℃，１ｋＨｚ，１Ｖrms の条件で測定した。また、温度
変化に対する静電容量の変化率については、２０℃での
静電容量を基準とした−２５℃と８５℃での変化率（Δ
Ｃ／Ｃ20）および−２５℃から８５℃の範囲内で絶対値
としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
20｜max ）を示した。
焼き付けて測定試料（コンデンサ）とした。得られた試
料について、室温での誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎ
δ）および温度変化に対する静電容量（Ｃ）の変化率を
測定した。なお、誘電率および誘電損失は、温度２５
℃，１ｋＨｚ，１Ｖrms の条件で測定した。また、温度
変化に対する静電容量の変化率については、２０℃での
静電容量を基準とした−２５℃と８５℃での変化率（Δ
Ｃ／Ｃ20）および−２５℃から８５℃の範囲内で絶対値
としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
20｜max ）を示した。
【００２３】さらに、また、絶縁抵抗計によって、５０
０Ｖの直流電流を２分間印加したのちの絶縁抵抗値を測
定した。絶縁抵抗は、２５℃および８５℃の値を測定
し、それぞれの体積抵抗率の対数（ｌｏｇρ）を算出し
た。これらの測定結果を表２に示す。
０Ｖの直流電流を２分間印加したのちの絶縁抵抗値を測
定した。絶縁抵抗は、２５℃および８５℃の値を測定
し、それぞれの体積抵抗率の対数（ｌｏｇρ）を算出し
た。これらの測定結果を表２に示す。
【００２４】次に、各組成の限定理由について説明す
る。
る。
【００２５】｛ (Ｂａ1-x-y-z Ｓｒx Ｃａy Ｍｇz )
Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 において、
試料番号１のように、ストロンチウム量ｘが０．０５未
満の場合、誘電率が１１０００未満で、誘電損失が２．
０％を超え、静電容量の温度変化率も大きくなり好まし
くない。また、試料番号１８のように、ストロンチウム
量ｘが０．３５を超えると、磁器の焼結性が悪く、誘電
率が１１０００未満で、静電容量の温度変化率がＪＩＳ
規格のＦ特性を満足しなくなり好ましくない。
Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 において、
試料番号１のように、ストロンチウム量ｘが０．０５未
満の場合、誘電率が１１０００未満で、誘電損失が２．
０％を超え、静電容量の温度変化率も大きくなり好まし
くない。また、試料番号１８のように、ストロンチウム
量ｘが０．３５を超えると、磁器の焼結性が悪く、誘電
率が１１０００未満で、静電容量の温度変化率がＪＩＳ
規格のＦ特性を満足しなくなり好ましくない。
【００２６】さらに、試料番号２のように、カルシウム
量ｙが０．００５未満であれば、磁器の焼結性が悪く、
誘電損失が２．０％を超え、絶縁抵抗の低下が生じ好ま
しくない。一方、試料番号１９のように、カルシウム量
ｙが０．１２を超えると、焼結性が悪くなり、誘電率が
低下し好ましくない。
量ｙが０．００５未満であれば、磁器の焼結性が悪く、
誘電損失が２．０％を超え、絶縁抵抗の低下が生じ好ま
しくない。一方、試料番号１９のように、カルシウム量
ｙが０．１２を超えると、焼結性が悪くなり、誘電率が
低下し好ましくない。
【００２７】また、試料番号３のように、マグネシウム
量ｚが０．０００５未満であれば、２５℃，８５℃での
絶縁抵抗値が低下し好ましくない。一方、試料番号２０
のように、マグネシウム量ｚが０．０５を超えると、誘
電率が１１０００未満に低下するだけでなく、絶縁性も
低下し、粒径が３μｍより大きくなり好ましくない。
量ｚが０．０００５未満であれば、２５℃，８５℃での
絶縁抵抗値が低下し好ましくない。一方、試料番号２０
のように、マグネシウム量ｚが０．０５を超えると、誘
電率が１１０００未満に低下するだけでなく、絶縁性も
低下し、粒径が３μｍより大きくなり好ましくない。
【００２８】試料番号４のように、ジルコニウム量ｏが
０の場合、誘電率が１１０００未満になり、静電容量の
温度変化率が大きくなり好ましくない。一方、試料番号
２１のように、ジルコニウム量ｏが０．２０を超える
と、焼結性が低下し、誘電率が１１０００未満になり好
ましくない。
０の場合、誘電率が１１０００未満になり、静電容量の
温度変化率が大きくなり好ましくない。一方、試料番号
２１のように、ジルコニウム量ｏが０．２０を超える
と、焼結性が低下し、誘電率が１１０００未満になり好
ましくない。
【００２９】試料番号５のように、ニオブ量ｐが０．０
００５未満の場合、誘電率が１１０００未満になり、結
晶粒径が３μｍより大きくなり、積層セラミックコンデ
ンサにした場合、誘電体層を薄膜化できず好ましくな
い。一方、試料番号２２のように、ニオブ量ｐが０．０
２を超えると、還元性雰囲気で焼成したときに、磁器が
還元され、半導体化して絶縁抵抗が大幅に低下し好まし
くない。
００５未満の場合、誘電率が１１０００未満になり、結
晶粒径が３μｍより大きくなり、積層セラミックコンデ
ンサにした場合、誘電体層を薄膜化できず好ましくな
い。一方、試料番号２２のように、ニオブ量ｐが０．０
２を超えると、還元性雰囲気で焼成したときに、磁器が
還元され、半導体化して絶縁抵抗が大幅に低下し好まし
くない。
【００３０】試料番号６のように、｛ (Ｂａ1-x-y-z Ｓ
ｒx Ｃａy Ｍｇz ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp )
Ｏ2+p/2 のモル比ｍが１．０００未満では、還元性雰囲
気中で焼成したときに磁器が還元され、半導体化して絶
縁抵抗が低下してしまい好ましくない。一方、試料番号
２３のように、モル比ｍが１．０４を超えると、焼結性
が極端に悪くなり好ましくない。
ｒx Ｃａy Ｍｇz ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp )
Ｏ2+p/2 のモル比ｍが１．０００未満では、還元性雰囲
気中で焼成したときに磁器が還元され、半導体化して絶
縁抵抗が低下してしまい好ましくない。一方、試料番号
２３のように、モル比ｍが１．０４を超えると、焼結性
が極端に悪くなり好ましくない。
【００３１】さらに、試料番号７のように、添加物
（Ａ）としてのＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，Ｃ
ｏＯ，ＮｉＯの添加量が０．０２モル未満の場合、８５
℃以上での絶縁抵抗が小さくなり、高温中における長時
間使用の信頼性が低下し好ましくない。一方、試料番号
２４のように、これらの添加物の量が２．０モルを超え
ると、誘電損失が２．０％を超えて大きくなり、同時に
絶縁抵抗も劣化し好ましくない。
（Ａ）としてのＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，Ｃ
ｏＯ，ＮｉＯの添加量が０．０２モル未満の場合、８５
℃以上での絶縁抵抗が小さくなり、高温中における長時
間使用の信頼性が低下し好ましくない。一方、試料番号
２４のように、これらの添加物の量が２．０モルを超え
ると、誘電損失が２．０％を超えて大きくなり、同時に
絶縁抵抗も劣化し好ましくない。
【００３２】また、試料番号８のように、添加物（Ｂ）
としてのＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分
とする酸化物ガラスの添加量が０．０５重量部未満の場
合、焼結性が悪くなり、誘電損失が２．０％を超えて好
ましくない。一方、試料番号２５のように、ＢａＯ−Ｓ
ｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガラス
の添加量が５．０重量部を超えると、誘電率が１１００
０未満に低下するとともに、結晶粒径が３μｍより大き
くなり好ましくない。
としてのＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分
とする酸化物ガラスの添加量が０．０５重量部未満の場
合、焼結性が悪くなり、誘電損失が２．０％を超えて好
ましくない。一方、試料番号２５のように、ＢａＯ−Ｓ
ｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガラス
の添加量が５．０重量部を超えると、誘電率が１１００
０未満に低下するとともに、結晶粒径が３μｍより大き
くなり好ましくない。
【００３３】それに対して、この発明の非還元性誘電体
磁器組成物を用いれば、誘電率が１１０００以上と高
く、誘電損失が２．０％以下で、温度に対する静電容量
の変化率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規
定するＦ特性規格を満足する誘電体磁器を得ることがで
きる。さらに、この誘電体磁器では、２５℃，８５℃に
おける絶縁抵抗は、体積抵抗率の対数で表したときに１
２以上と高い値を示す。また、この発明の非還元性誘電
体磁器組成物は、焼成温度も１２５０℃以下と比較的低
温で焼結可能であり、粒径についても３μｍ以下と小さ
い。
磁器組成物を用いれば、誘電率が１１０００以上と高
く、誘電損失が２．０％以下で、温度に対する静電容量
の変化率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規
定するＦ特性規格を満足する誘電体磁器を得ることがで
きる。さらに、この誘電体磁器では、２５℃，８５℃に
おける絶縁抵抗は、体積抵抗率の対数で表したときに１
２以上と高い値を示す。また、この発明の非還元性誘電
体磁器組成物は、焼成温度も１２５０℃以下と比較的低
温で焼結可能であり、粒径についても３μｍ以下と小さ
い。
Claims (1)
- 【請求項１】 その主成分がＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，
Ｔｉ，ＺｒおよびＮｂの各酸化物からなり、次の一般式 ｛ (Ｂａ1-x-y-z Ｓｒx Ｃａy Ｍｇz ) Ｏ｝m ( Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｙ，ｚ，ｏ，ｐおよびｍが、 ０．０５≦ｘ≦０．３５ ０．００５≦ｙ≦０．１２ ０．０００５≦ｚ≦０．０５ ０＜ｏ≦０．２０ ０．０００５＜ｐ≦０．０２ １．０００≦ｍ≦１．０４ の関係を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、
各酸化物の少なくとも一種類が０．０２〜２．０モル添
加され、前記主成分を１００重量部として、ＢａＯ−Ｓ
ｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガラス
を０．０５重量部〜５．０重量部含む、非還元性誘電体
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27806692A JP3368599B2 (ja) | 1991-09-25 | 1992-09-22 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-274586 | 1991-09-25 | ||
| JP27458691 | 1991-09-25 | ||
| JP27806692A JP3368599B2 (ja) | 1991-09-25 | 1992-09-22 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217424A true JPH05217424A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3368599B2 JP3368599B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=26551091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27806692A Expired - Lifetime JP3368599B2 (ja) | 1991-09-25 | 1992-09-22 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3368599B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100279512B1 (ko) * | 1998-05-08 | 2001-02-01 | 정웅기 | 정온도 계수 써미스터용 조성물 |
| CN113004030A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-06-22 | 太原理工大学 | 一种高介电常数陶瓷介质材料及其制备方法 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP27806692A patent/JP3368599B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100279512B1 (ko) * | 1998-05-08 | 2001-02-01 | 정웅기 | 정온도 계수 써미스터용 조성물 |
| CN113004030A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-06-22 | 太原理工大学 | 一种高介电常数陶瓷介质材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3368599B2 (ja) | 2003-01-20 |
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