JPH05217699A - シンクロトロン放射光発生装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光発生装置Info
- Publication number
- JPH05217699A JPH05217699A JP1730092A JP1730092A JPH05217699A JP H05217699 A JPH05217699 A JP H05217699A JP 1730092 A JP1730092 A JP 1730092A JP 1730092 A JP1730092 A JP 1730092A JP H05217699 A JPH05217699 A JP H05217699A
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- Japan
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- sor
- sor light
- synchrotron radiation
- electromagnet
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数のＳＯＲ光取出しポートをつけられるよ
うにする。 【構成】 複数個の偏向部および直線部から構成される
シンクロトロン放射光発生装置において、装置内を周回
する荷電粒子の一周の間の偏向角の総和を３６０度より
も大きくする。
うにする。 【構成】 複数個の偏向部および直線部から構成される
シンクロトロン放射光発生装置において、装置内を周回
する荷電粒子の一周の間の偏向角の総和を３６０度より
も大きくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシンクロトロン放射光
（以下ＳＯＲ光と称する）の発生装置に関わる。
（以下ＳＯＲ光と称する）の発生装置に関わる。
【０００２】
【従来の技術】図２に、従来のＳＯＲ光発生装置の平面
構成図の一例を示す。電子、陽電子等の荷電粒子のビー
ム（以下ビームと称する）は、高真空に保たれた真空チ
ャンバ２の中の設計軌道上を周回している。３は図示し
ない入射用予備加速器からビームを軌道上に投入するた
めのセプタム電磁石、４はビーム入射時に設計軌道を入
射点を通るように変更するためのバンプ電磁石である。
これらの電磁石はビーム入射時にだけ励磁する。ビーム
は偏向部に配置した二極電磁石５により偏向され閉じた
軌道を形成し、直線部に配置した四極電磁石６と図示し
ない多極電磁石により集束作用を受けビーム形状を維持
する。７はビームがＳＯＲ光の形で失ったエネルギーを
補償するための高周波加速空胴である。
構成図の一例を示す。電子、陽電子等の荷電粒子のビー
ム（以下ビームと称する）は、高真空に保たれた真空チ
ャンバ２の中の設計軌道上を周回している。３は図示し
ない入射用予備加速器からビームを軌道上に投入するた
めのセプタム電磁石、４はビーム入射時に設計軌道を入
射点を通るように変更するためのバンプ電磁石である。
これらの電磁石はビーム入射時にだけ励磁する。ビーム
は偏向部に配置した二極電磁石５により偏向され閉じた
軌道を形成し、直線部に配置した四極電磁石６と図示し
ない多極電磁石により集束作用を受けビーム形状を維持
する。７はビームがＳＯＲ光の形で失ったエネルギーを
補償するための高周波加速空胴である。
【０００３】ＳＯＲ光は、荷電粒子が磁場により偏向作
用を受けたときにビーム軌道の接線方向に放出される電
磁波で、著しい指向性を持ち強度が非常に大きいという
特徴を持つ。ＳＯＲ光発生装置ではＳＯＲ光を利用する
ため、ＳＯＲ光を装置から引き出すための取り出し用ポ
ート８を二極電磁石５の部分の真空チェンバに設ける。
取り出されたＳＯＲ光は、ＳＯＲ光用真空チャンバ９中
をチャンバ内に設置した図示しない光学系により照射装
置１０まで導かれ、ＬＳＩ製造のためのエックス線リソ
グラフィーなどの目的に供される。図２では、ＳＯＲ光
取り出し用ポートは２本しか示していないが、空間的に
許す限りポートを設けることができる。
用を受けたときにビーム軌道の接線方向に放出される電
磁波で、著しい指向性を持ち強度が非常に大きいという
特徴を持つ。ＳＯＲ光発生装置ではＳＯＲ光を利用する
ため、ＳＯＲ光を装置から引き出すための取り出し用ポ
ート８を二極電磁石５の部分の真空チェンバに設ける。
取り出されたＳＯＲ光は、ＳＯＲ光用真空チャンバ９中
をチャンバ内に設置した図示しない光学系により照射装
置１０まで導かれ、ＬＳＩ製造のためのエックス線リソ
グラフィーなどの目的に供される。図２では、ＳＯＲ光
取り出し用ポートは２本しか示していないが、空間的に
許す限りポートを設けることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにＳＯＲ光
はその特徴から産業上重要な分野で利用されるが、ＳＯ
Ｒ光発生装置としての性能はＳＯＲ光自身の強度と空間
的な広がり、ＳＯＲ光取り出し用ポートの数に大きく左
右される。
はその特徴から産業上重要な分野で利用されるが、ＳＯ
Ｒ光発生装置としての性能はＳＯＲ光自身の強度と空間
的な広がり、ＳＯＲ光取り出し用ポートの数に大きく左
右される。
【０００５】ＳＯＲ光の全強度はビーム電流とビームエ
ネルギーの４乗に比例する。したがって、ＳＯＲ光強度
を大きくするためにはビーム電流とビームエネルギーの
どちらか一方、またはその両方を大きくすればよい。し
かし、一般にビームエネルギーはＳＯＲ光のスペクトル
が最適な分布になるように設定するので、ＳＯＲ光の強
度はおもにビーム電流に依存することになる。しかし、
ビーム不安定性やビーム寿命などによりビーム電流をそ
の装置固有のある一定の値以上にするのは非常に難し
い。従って、ＳＯＲ光強度についても同様のことがいえ
る。
ネルギーの４乗に比例する。したがって、ＳＯＲ光強度
を大きくするためにはビーム電流とビームエネルギーの
どちらか一方、またはその両方を大きくすればよい。し
かし、一般にビームエネルギーはＳＯＲ光のスペクトル
が最適な分布になるように設定するので、ＳＯＲ光の強
度はおもにビーム電流に依存することになる。しかし、
ビーム不安定性やビーム寿命などによりビーム電流をそ
の装置固有のある一定の値以上にするのは非常に難し
い。従って、ＳＯＲ光強度についても同様のことがいえ
る。
【０００６】ＳＯＲ光の空間的な広がりは、指向性が強
いという性質のためＳＯＲ光発生装置内を周回するビー
ムの径に依存する。ＳＯＲ光発生装置内を周回するビー
ムの径は非常に小さいため、ＳＯＲ光の空間的な広がり
も小さくなる。
いという性質のためＳＯＲ光発生装置内を周回するビー
ムの径に依存する。ＳＯＲ光発生装置内を周回するビー
ムの径は非常に小さいため、ＳＯＲ光の空間的な広がり
も小さくなる。
【０００７】ＳＯＲ光取り出し用ポートは、二極電磁石
５の部分の真空チェンバに設けられるため、偏向部の弧
長の総和もしくは一周の間の偏向角の総和によって制限
される。特に産業用ＳＯＲ光発生装置の場合、装置全体
の小型化が望まれるので、ＳＯＲ光取り出し用ポートの
総数は、一周の間の偏向角の総和に強い制限を受けると
考えられる。
５の部分の真空チェンバに設けられるため、偏向部の弧
長の総和もしくは一周の間の偏向角の総和によって制限
される。特に産業用ＳＯＲ光発生装置の場合、装置全体
の小型化が望まれるので、ＳＯＲ光取り出し用ポートの
総数は、一周の間の偏向角の総和に強い制限を受けると
考えられる。
【０００８】以上のことから、たとえばＬＳＩ製造のた
めのエックス線リソグラフィーに使用する場合、ＳＯＲ
光強度もある値以上にできず、照射面積も小さい。ま
た、ＳＯＲ光取り出し用ポートの総数つまり一度に照射
できるシリコンウエファーの枚数にも制限を受けるの
で、単位時間当りの照射枚数を増やすことは難しい。本
発明は、ＳＯＲ光発生装置について多数のＳＯＲ光取出
しポートをつけられるようにすることを目的とする。
めのエックス線リソグラフィーに使用する場合、ＳＯＲ
光強度もある値以上にできず、照射面積も小さい。ま
た、ＳＯＲ光取り出し用ポートの総数つまり一度に照射
できるシリコンウエファーの枚数にも制限を受けるの
で、単位時間当りの照射枚数を増やすことは難しい。本
発明は、ＳＯＲ光発生装置について多数のＳＯＲ光取出
しポートをつけられるようにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においてはＳＯＲ光発生装置内を周回するビ
ームの一周の間の偏向角の総和を、３６０度よりも大き
くする。
に、本発明においてはＳＯＲ光発生装置内を周回するビ
ームの一周の間の偏向角の総和を、３６０度よりも大き
くする。
【００１０】
【作用】偏向角の総和を３６０度よりも大きくすること
により、ＳＯＲ光取り出し用ポートの取付数を増やすこ
とができ、たとえばＬＳＩ製造のためのエックス線リソ
グラフィーに使用する場合、一度に照射できるシリコン
ウエファーの枚数を増やすことができる。
により、ＳＯＲ光取り出し用ポートの取付数を増やすこ
とができ、たとえばＬＳＩ製造のためのエックス線リソ
グラフィーに使用する場合、一度に照射できるシリコン
ウエファーの枚数を増やすことができる。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例を、図１に示す。本実施例は
２７０度偏向二極電磁石５ａを４台使用した例で、真空
チャンバ２、セプタム電磁石３、バンプ電磁石４、四極
電磁石６、高周波加速空胴７、ＳＯＲ光取り出し用ポー
ト８、ＳＯＲ光用真空チャンバ９、照射装置１０、その
他図示しない多極電磁石等からなる。
２７０度偏向二極電磁石５ａを４台使用した例で、真空
チャンバ２、セプタム電磁石３、バンプ電磁石４、四極
電磁石６、高周波加速空胴７、ＳＯＲ光取り出し用ポー
ト８、ＳＯＲ光用真空チャンバ９、照射装置１０、その
他図示しない多極電磁石等からなる。
【００１２】このように２７０度偏向電磁石を４台使用
することにより、図１に破線で示したビーム軌道１を形
成することができる。この軌道を１周する間にビームは
１０８０度の偏向を受ける。
することにより、図１に破線で示したビーム軌道１を形
成することができる。この軌道を１周する間にビームは
１０８０度の偏向を受ける。
【００１３】前述のように、ＳＯＲ光は偏向部において
ビームの接線方向に放射される。装置本体の方向に向か
うＳＯＲ光取り出し用ポートは設けないとすると、一つ
の二極電磁石５ａあたりポートを設けるために利用でき
る角度は１８０度となる。装置全体としては７２０度と
なり、従来の二倍の角度が利用できる。これにより本実
施例のＳＯＲ光発生装置には、従来の二倍の台数の照射
装置１０を設置することができ、たとえばＬＳＩ製造の
ためのエックス線リソグラフィーに利用する場合、シリ
コンウエファーの単位時間あたりの照射枚数を２倍とす
る事ができる。 （他の実施例）
ビームの接線方向に放射される。装置本体の方向に向か
うＳＯＲ光取り出し用ポートは設けないとすると、一つ
の二極電磁石５ａあたりポートを設けるために利用でき
る角度は１８０度となる。装置全体としては７２０度と
なり、従来の二倍の角度が利用できる。これにより本実
施例のＳＯＲ光発生装置には、従来の二倍の台数の照射
装置１０を設置することができ、たとえばＬＳＩ製造の
ためのエックス線リソグラフィーに利用する場合、シリ
コンウエファーの単位時間あたりの照射枚数を２倍とす
る事ができる。 （他の実施例）
【００１４】上記実施例では２７０度偏向電磁石を４台
使用する例を示したが、本質的には一周の間の偏向角の
総和が３６０度の整数倍になっていれば、二極電磁石の
台数や一台あたりの偏向角に制限なく、いろいろな構成
を考えることができる。また、二極電磁石の励磁コイル
を超電導化すれば、偏向部の曲率半径を小さくすること
ができ装置を小型化できる。
使用する例を示したが、本質的には一周の間の偏向角の
総和が３６０度の整数倍になっていれば、二極電磁石の
台数や一台あたりの偏向角に制限なく、いろいろな構成
を考えることができる。また、二極電磁石の励磁コイル
を超電導化すれば、偏向部の曲率半径を小さくすること
ができ装置を小型化できる。
【００１５】
【発明の効果】本発明では、ＳＯＲ光発生装置内を周回
するビームの一周の間の偏向角の総和を３６０度よりも
大きくし、ＳＯＲ光取り出し用ポートの数を増やすこと
ができる。これにより、ＳＯＲ光の利用効率を向上させ
ることが可能である。以上のように本発明により、小型
でＳＯＲ光の利用効率の良い産業用ＳＯＲ光発生装置を
提供することができる。
するビームの一周の間の偏向角の総和を３６０度よりも
大きくし、ＳＯＲ光取り出し用ポートの数を増やすこと
ができる。これにより、ＳＯＲ光の利用効率を向上させ
ることが可能である。以上のように本発明により、小型
でＳＯＲ光の利用効率の良い産業用ＳＯＲ光発生装置を
提供することができる。
【図１】本発明の一実施例のＳＯＲ光発生装置の平面構
成図
成図
【図２】従来のＳＯＲ光発生装置の平面構成図
１…ビーム軌道 ２…真空チャンバ ３…セプタム電磁石 ４…バンプ電磁石 ５…９０度偏向二極電磁石 ５ａ…２７０度偏向二極電磁石 ６…四極電磁石 ７…高周波加速空胴 ８…ＳＯＲ光取り出し用ポート ９…ＳＯＲ光用真空チャンバ １０…照射装置
Claims (1)
- 【請求項１】 複数個の偏向部および直線部から構成さ
れるシンクロトロン放射光発生装置において、装置内を
周回する荷電粒子の一周の間の偏向角の総和が、３６０
度よりも大きいことを特徴とするシンクロトロン放射光
発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1730092A JPH05217699A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1730092A JPH05217699A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217699A true JPH05217699A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11940155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1730092A Pending JPH05217699A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05217699A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018195441A1 (en) * | 2017-04-21 | 2018-10-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Dc constant-field synchrotron providing inverse reflection of charged particles |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP1730092A patent/JPH05217699A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018195441A1 (en) * | 2017-04-21 | 2018-10-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Dc constant-field synchrotron providing inverse reflection of charged particles |
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