JPH05218122A - 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の樹脂封止金型Info
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- JPH05218122A JPH05218122A JP4040319A JP4031992A JPH05218122A JP H05218122 A JPH05218122 A JP H05218122A JP 4040319 A JP4040319 A JP 4040319A JP 4031992 A JP4031992 A JP 4031992A JP H05218122 A JPH05218122 A JP H05218122A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は樹脂注入完了の際にキャビテ
ィ内に残留する空気をなくすことである。 【構成】 金型７はキャビティ４に連続して形成されて
いる樹脂溜め６を有し、かつキャビティ４と樹脂溜め６
との間のゲートが、上下動するゲート開閉用ピン５にて
開閉可能な構造となっている。樹脂注入時には、キャビ
ティ４内の樹脂先端に位置する空気は樹脂溜や６内にす
べて排出するまで樹脂を注入し、次にこのゲート開閉用
ピン５を動かし、樹脂溜め６へのゲートを遮断する。更
に射出圧力が完全に樹脂圧に達するまで加圧し、ボイド
不良を低減できる。
ィ内に残留する空気をなくすことである。 【構成】 金型７はキャビティ４に連続して形成されて
いる樹脂溜め６を有し、かつキャビティ４と樹脂溜め６
との間のゲートが、上下動するゲート開閉用ピン５にて
開閉可能な構造となっている。樹脂注入時には、キャビ
ティ４内の樹脂先端に位置する空気は樹脂溜や６内にす
べて排出するまで樹脂を注入し、次にこのゲート開閉用
ピン５を動かし、樹脂溜め６へのゲートを遮断する。更
に射出圧力が完全に樹脂圧に達するまで加圧し、ボイド
不良を低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止金型に関し、特に、トランスファー樹脂封止成
形機に使用する樹脂封止金型に関する。
樹脂封止金型に関し、特に、トランスファー樹脂封止成
形機に使用する樹脂封止金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の樹脂封止用金型は、図１５
に示すように、半導体装置の封止本体となるキャビティ
４と、ランナーよりキャビティ４に樹脂を注入するため
のゲート３と、キャビティ４内の空気を排出するための
エアベント５８を備えた構造となっている。
に示すように、半導体装置の封止本体となるキャビティ
４と、ランナーよりキャビティ４に樹脂を注入するため
のゲート３と、キャビティ４内の空気を排出するための
エアベント５８を備えた構造となっている。
【０００３】上記金型にて半導体装置１２を樹脂封止す
る場合は、リードフレーム１１の素子搭載部に素子１２
を搭載し、かつワイヤボンディングされたリードフレー
ム１１を、上金型７と下金型９にて型締めし、その後、
図１３〜図１４に示すように、ゲート３を通してキャビ
ティ４内に樹脂１４を注入するのが一般的である。
る場合は、リードフレーム１１の素子搭載部に素子１２
を搭載し、かつワイヤボンディングされたリードフレー
ム１１を、上金型７と下金型９にて型締めし、その後、
図１３〜図１４に示すように、ゲート３を通してキャビ
ティ４内に樹脂１４を注入するのが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来構造の樹
脂封止金型では、ワイヤボンディングした半製品を樹脂
封止すると、近年の多ピン化によるパッケージサイズの
大型化と上キャビティ厚と下キャビティ厚の不均一によ
り、上キャビティと下キャビティに注入された樹脂が図
１３に示すように、上下不均一に流れる傾向にあった。
脂封止金型では、ワイヤボンディングした半製品を樹脂
封止すると、近年の多ピン化によるパッケージサイズの
大型化と上キャビティ厚と下キャビティ厚の不均一によ
り、上キャビティと下キャビティに注入された樹脂が図
１３に示すように、上下不均一に流れる傾向にあった。
【０００５】その結果、キャビティ４への樹脂の充填率
が高くなると、図１４に示すようにリードの間隙より上
キャビティから下キャビティへの樹脂の流れ込みが発生
し、この際樹脂の充填が完全に終了していないにもかか
わらず、エアベント５８が樹脂で閉止されてしまうこと
があり、ゲート対向部下キャビティに残った空気はエア
ベント５８から排出されないので、射出圧力が完全に樹
脂に加圧されても、図１５に示すようにゲート対向部下
キャビティの樹脂１４内に気泡１５が残るという傾向が
あった。
が高くなると、図１４に示すようにリードの間隙より上
キャビティから下キャビティへの樹脂の流れ込みが発生
し、この際樹脂の充填が完全に終了していないにもかか
わらず、エアベント５８が樹脂で閉止されてしまうこと
があり、ゲート対向部下キャビティに残った空気はエア
ベント５８から排出されないので、射出圧力が完全に樹
脂に加圧されても、図１５に示すようにゲート対向部下
キャビティの樹脂１４内に気泡１５が残るという傾向が
あった。
【０００６】そして樹脂１４内部に残った気泡１５は外
観上不良となるので、製造工程の歩留り低下を起こすと
いう問題点があった。
観上不良となるので、製造工程の歩留り低下を起こすと
いう問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、半導体
チップを収納するキャビティと、該キャビティに樹脂を
注入する第１ゲートとを有する樹脂封入型半導体装置の
樹脂封止金型において、上記キャビティに連続する樹脂
溜めと、キャビティと樹脂溜めとの間を開放、遮断する
第２ゲート用ピンとを備えたことである。
チップを収納するキャビティと、該キャビティに樹脂を
注入する第１ゲートとを有する樹脂封入型半導体装置の
樹脂封止金型において、上記キャビティに連続する樹脂
溜めと、キャビティと樹脂溜めとの間を開放、遮断する
第２ゲート用ピンとを備えたことである。
【０００８】
【発明の作用】半導体チップがキャビティに収納される
と、第２ゲート用ピンがキャビティと樹脂溜めを連結し
た状態で第１ゲートから樹脂を注入する。樹脂の注入に
ともない、キャビティ内の空気は樹脂溜めに排出され
る。樹脂がキャビティを満たしたころ、第２ゲート用ピ
ンはキャビティを樹脂溜めから遮断する。
と、第２ゲート用ピンがキャビティと樹脂溜めを連結し
た状態で第１ゲートから樹脂を注入する。樹脂の注入に
ともない、キャビティ内の空気は樹脂溜めに排出され
る。樹脂がキャビティを満たしたころ、第２ゲート用ピ
ンはキャビティを樹脂溜めから遮断する。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１は本発明の第１実施例の上金型の部分
を示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った
断面においてボンディング済みのリードフレーム１１を
型締めした状態を示す断面図、図３〜図６は樹脂の注入
状態を示す断面図である。図２において、１はメインラ
ンナー、２はサブランナー、３は第１ゲート、４はキャ
ビティ、５は上型第２ゲート開閉用ピン、６は上型樹脂
溜め、７は上金型、８はエアベント、９は下金型、１０
は上型第２ゲートである。
を示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った
断面においてボンディング済みのリードフレーム１１を
型締めした状態を示す断面図、図３〜図６は樹脂の注入
状態を示す断面図である。図２において、１はメインラ
ンナー、２はサブランナー、３は第１ゲート、４はキャ
ビティ、５は上型第２ゲート開閉用ピン、６は上型樹脂
溜め、７は上金型、８はエアベント、９は下金型、１０
は上型第２ゲートである。
【００１１】図２は本発明の第１実施例の封入金型に
て、リードフレーム１１を型締めした樹脂注入前の状態
であり、第２ゲート開閉用ピン５は上がっており、第２
ゲート１０は開いた状態になっている。
て、リードフレーム１１を型締めした樹脂注入前の状態
であり、第２ゲート開閉用ピン５は上がっており、第２
ゲート１０は開いた状態になっている。
【００１２】図２に示す状態にあるキャビティ４及び樹
脂溜め６に樹脂を注入した状態を示すのが図３〜図５で
あり、キャビティ４内の樹脂先端部に押圧される空気を
従来のエアベント５８ではすべて排出することはできな
いが、図２に示すように本実施例の金型では、樹脂溜め
６が任意の大きさでキャビティ４に連続して形成されて
いるので、すべて樹脂溜め６内に排出される。
脂溜め６に樹脂を注入した状態を示すのが図３〜図５で
あり、キャビティ４内の樹脂先端部に押圧される空気を
従来のエアベント５８ではすべて排出することはできな
いが、図２に示すように本実施例の金型では、樹脂溜め
６が任意の大きさでキャビティ４に連続して形成されて
いるので、すべて樹脂溜め６内に排出される。
【００１３】このキャビティ４内の樹脂先端部に位置す
る空気がすべて樹脂溜め６内に排出される図５に示す状
態になったとき、図６に示すように第２ゲート開閉用ピ
ン５を降下させ、第２ゲート１０を遮断すると共に、射
出圧力が設定値に達するまで加圧することにより、キャ
ビティ４内に気泡を残さずに樹脂封止できる。
る空気がすべて樹脂溜め６内に排出される図５に示す状
態になったとき、図６に示すように第２ゲート開閉用ピ
ン５を降下させ、第２ゲート１０を遮断すると共に、射
出圧力が設定値に達するまで加圧することにより、キャ
ビティ４内に気泡を残さずに樹脂封止できる。
【００１４】また、樹脂溜め６は樹脂注入の過程でキャ
ビティ４と第２ゲート開閉用ピン５にて分離されるの
で、樹脂溜め６の容積が比較的大きくても、成形後のパ
ッケージの形状を損なうことがない。
ビティ４と第２ゲート開閉用ピン５にて分離されるの
で、樹脂溜め６の容積が比較的大きくても、成形後のパ
ッケージの形状を損なうことがない。
【００１５】図７は本発明の第２実施例の封入金型を用
いてボンディング済みのリードフレーム１１を型締めし
た状態を示す断面図であり、図８〜図１１は樹脂の注入
状態を示す。
いてボンディング済みのリードフレーム１１を型締めし
た状態を示す断面図であり、図８〜図１１は樹脂の注入
状態を示す。
【００１６】図７は本発明の第２実施例の封入金型に
て、リードフレーム１１を型締めした樹脂注入前の状態
を示しており、上下金型７，９の第２ゲート開閉用ピン
５，１６は上下にそれぞれ開いており、第２ゲート１
０，１７は開いた状態になっている。
て、リードフレーム１１を型締めした樹脂注入前の状態
を示しており、上下金型７，９の第２ゲート開閉用ピン
５，１６は上下にそれぞれ開いており、第２ゲート１
０，１７は開いた状態になっている。
【００１７】図７の状態にて、近年の多ピン化によりリ
ード間隔が狭いリードフレーム１１である場合、リード
間隙は狭くなるのでキャビティ４内で樹脂１４が流動す
る際は、リード間隙からの上下方向の樹脂の流れは少な
くなる。したがって、図８〜図１０に示すように、上下
金型７，９のキャビティ４内での樹脂の流れはそれぞれ
上下のキャビティが分離して樹脂が流れている状態と同
様になるが、図７に示すように第２実施例では、上下金
型７，９にそれぞれ樹脂溜め６，１８が設けてあるの
で、キャビティ４内の樹脂先端に位置する空気は、リー
ド間隔が狭い場合でも図１０に示すように上下金型７，
９に設けられた樹脂溜め６，１８にすべて排出すること
ができる。
ード間隔が狭いリードフレーム１１である場合、リード
間隙は狭くなるのでキャビティ４内で樹脂１４が流動す
る際は、リード間隙からの上下方向の樹脂の流れは少な
くなる。したがって、図８〜図１０に示すように、上下
金型７，９のキャビティ４内での樹脂の流れはそれぞれ
上下のキャビティが分離して樹脂が流れている状態と同
様になるが、図７に示すように第２実施例では、上下金
型７，９にそれぞれ樹脂溜め６，１８が設けてあるの
で、キャビティ４内の樹脂先端に位置する空気は、リー
ド間隔が狭い場合でも図１０に示すように上下金型７，
９に設けられた樹脂溜め６，１８にすべて排出すること
ができる。
【００１８】このキャビティ内の樹脂先端部に位置した
空気がすべて樹脂溜め６，１８内に排出される図１０の
状態になったとき、図１１に示すように、第２ゲート開
閉用ピン５，１６を動かし、第２ゲート１０，１７を遮
断するとともに、射出圧力が設定圧力に達するまで加圧
することによりキャビティ内４に気泡を残さず樹脂封止
できる。
空気がすべて樹脂溜め６，１８内に排出される図１０の
状態になったとき、図１１に示すように、第２ゲート開
閉用ピン５，１６を動かし、第２ゲート１０，１７を遮
断するとともに、射出圧力が設定圧力に達するまで加圧
することによりキャビティ内４に気泡を残さず樹脂封止
できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、キャビテ
ィに連続して形成された樹脂溜めを有し、かつキャビテ
ィから樹脂溜めに樹脂を注入する際に、第２ゲート用ピ
ンにて開閉可能な構造となっているので、キャビティ内
の樹脂先端に位置する空気をすべて樹脂溜め内に排出
し、その後設定射出圧力まで加圧するので、キャビティ
内に気泡を残さず樹脂封止でき、外観上不良となるボイ
ドを低減することができる。またキャビティに連続して
形成された樹脂溜めは、樹脂封止中に第２ゲート用ピン
にてキャビティ部と樹脂溜め部に分離されるため、樹脂
封止後のパッケージの形状を損なうことなく、樹脂溜め
の大きさを任意に大きくすることができる。
ィに連続して形成された樹脂溜めを有し、かつキャビテ
ィから樹脂溜めに樹脂を注入する際に、第２ゲート用ピ
ンにて開閉可能な構造となっているので、キャビティ内
の樹脂先端に位置する空気をすべて樹脂溜め内に排出
し、その後設定射出圧力まで加圧するので、キャビティ
内に気泡を残さず樹脂封止でき、外観上不良となるボイ
ドを低減することができる。またキャビティに連続して
形成された樹脂溜めは、樹脂封止中に第２ゲート用ピン
にてキャビティ部と樹脂溜め部に分離されるため、樹脂
封止後のパッケージの形状を損なうことなく、樹脂溜め
の大きさを任意に大きくすることができる。
【００２０】なお、第１実施例では樹脂溜めおよびゲー
ト開閉用のピンが上型にしか設ける必要がないので、金
型を容易に製作することができる。また、第２実施例で
は上下の金型に樹脂溜めがあるため、内部リードの間隔
が狭くリードの間隙から樹脂の上下方向の流れ込みが起
こりにくく、上下のキャビティの樹脂の流れがそれぞれ
分離している場合でも、上下キャビティのそれぞれの樹
脂先端にある空気は上下に配置されている樹脂溜めにそ
れぞれ排出される。その結果、リード間隔が狭いパッケ
ージでもボイド不良を低減できる。また実際に１６０ｐ
ＱＦＰにて本発明の封止金型と従来構造の金型でボイド
不良発生率について比較したところ以下の結果となり効
果があることが分かった。
ト開閉用のピンが上型にしか設ける必要がないので、金
型を容易に製作することができる。また、第２実施例で
は上下の金型に樹脂溜めがあるため、内部リードの間隔
が狭くリードの間隙から樹脂の上下方向の流れ込みが起
こりにくく、上下のキャビティの樹脂の流れがそれぞれ
分離している場合でも、上下キャビティのそれぞれの樹
脂先端にある空気は上下に配置されている樹脂溜めにそ
れぞれ排出される。その結果、リード間隔が狭いパッケ
ージでもボイド不良を低減できる。また実際に１６０ｐ
ＱＦＰにて本発明の封止金型と従来構造の金型でボイド
不良発生率について比較したところ以下の結果となり効
果があることが分かった。
【００２１】
【図１】第１実施例を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】第１実施例の樹脂注入状況を示す断面図であ
る。
る。
【図４】第１実施例の他の樹脂注入状況を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】第１実施例の更に他の樹脂注入状況を示す断面
図である。
図である。
【図６】第１実施例の樹脂注入完了状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】第２実施例を示す断面図である。
【図８】第２実施例の樹脂注入状況を示す断面図であ
る。
る。
【図９】第２実施例の他の樹脂注入状況を示す断面図で
ある。
ある。
【図１０】第２実施例の更に他の樹脂注入状況を示す断
面図である。
面図である。
【図１１】第２実施例の樹脂注入完了状態を示す断面図
である。
である。
【図１２】従来例の断面図である。
【図１３】従来例の樹脂注入状況を示す断面図である。
【図１４】従来例の他の樹脂注入状況を示す断面図であ
る。
る。
【図１５】従来例の樹脂注入完了状態を示す断面図であ
る。
る。
１ メインランナー ２ サブランナー ３ 第１ゲート ４ キャビティ ５ 上型第２ゲート開閉用ピン ６ 上型樹脂溜め ７ 上金型 ８，５８ エアベント ９ 下金型 １０ 上型第２ゲート １１ リードフレーム １２ 素子 １３ ワイヤー １４ 樹脂 １５ 気泡 １６ 下型第２ゲート開閉用ピン １７ 下型第２ゲート １８ 下型樹脂溜め
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップを収納するキャビティと、
該キャビティに樹脂を注入する第１ゲートとを有する樹
脂封入型半導体装置の樹脂封止金型において、上記キャ
ビティに連続する樹脂溜めと、キャビティと樹脂溜めと
の間を開放、遮断する第２ゲート用ピンとを備えたこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の樹脂封止金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040319A JP2778332B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040319A JP2778332B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218122A true JPH05218122A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2778332B2 JP2778332B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=12577296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4040319A Expired - Lifetime JP2778332B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2778332B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009292076A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Apic Yamada Corp | トランスファモールド装置とこれを用いたトランスファモールド方法 |
| JP2014212251A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の圧縮樹脂封止方法及び圧縮樹脂封止装置 |
| JPWO2021070677A1 (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | ||
| CN114093777A (zh) * | 2020-08-24 | 2022-02-25 | 意法半导体股份有限公司 | 制造半导体器件的方法和对应的工具 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56120225U (ja) * | 1980-02-15 | 1981-09-12 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP4040319A patent/JP2778332B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56120225U (ja) * | 1980-02-15 | 1981-09-12 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009292076A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Apic Yamada Corp | トランスファモールド装置とこれを用いたトランスファモールド方法 |
| JP2014212251A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の圧縮樹脂封止方法及び圧縮樹脂封止装置 |
| JPWO2021070677A1 (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | ||
| WO2021070677A1 (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法ならびに半導体装置 |
| CN114514599A (zh) * | 2019-10-07 | 2022-05-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 |
| US12255080B2 (en) | 2019-10-07 | 2025-03-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device |
| CN114093777A (zh) * | 2020-08-24 | 2022-02-25 | 意法半导体股份有限公司 | 制造半导体器件的方法和对应的工具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2778332B2 (ja) | 1998-07-23 |
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