JPH05218555A - 狭帯域化レーザ発振装置 - Google Patents
狭帯域化レーザ発振装置Info
- Publication number
- JPH05218555A JPH05218555A JP4018014A JP1801492A JPH05218555A JP H05218555 A JPH05218555 A JP H05218555A JP 4018014 A JP4018014 A JP 4018014A JP 1801492 A JP1801492 A JP 1801492A JP H05218555 A JPH05218555 A JP H05218555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- diffraction grating
- reflection mirror
- total reflection
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザ光の取り出し効率を向上させて高出力化
を図る。また、空間コヒーレンスを低減し、さらに波長
選択素子の劣化を軽減する。 【構成】全反射鏡１２，シリンドリカル凹面鏡１３，回
折格子１７，全反射鏡１４およびレーザ媒質１１とでレ
ーザ共振器を構成する。波長選択素子であるエタロン１
５が回折格子１７と全反射鏡１７との間に設けられてレ
ーザ発振スペクトラムを狭帯域化を図る。回折格子１７
からの強い光度の０次回折光１９を出力レーザ光とし、
弱い光度の１次回折光１８を発振レーザ光の狭帯域化制
御に使用する。
を図る。また、空間コヒーレンスを低減し、さらに波長
選択素子の劣化を軽減する。 【構成】全反射鏡１２，シリンドリカル凹面鏡１３，回
折格子１７，全反射鏡１４およびレーザ媒質１１とでレ
ーザ共振器を構成する。波長選択素子であるエタロン１
５が回折格子１７と全反射鏡１７との間に設けられてレ
ーザ発振スペクトラムを狭帯域化を図る。回折格子１７
からの強い光度の０次回折光１９を出力レーザ光とし、
弱い光度の１次回折光１８を発振レーザ光の狭帯域化制
御に使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は狭帯域化されたレーザ光
を発生する狭帯域化レーザ発振装置に関し、特に屈折型
の光学系を有する縮小投影露光装置の光源に適するエキ
シマレーザ等の狭帯域化レーザ発振装置に関する。
を発生する狭帯域化レーザ発振装置に関し、特に屈折型
の光学系を有する縮小投影露光装置の光源に適するエキ
シマレーザ等の狭帯域化レーザ発振装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体露光用縮小投影露光において高い
解像度を得るためには、光学系の開口数を大きくするか
露光波長を短くすることが必要となる。一般に、開口数
の増大とともに光学系の焦点深度が減少するので、光源
の短波長化がより望ましい手段であるといえる。なかで
も、エキシマレーザは紫外から真空紫外の領域に発振波
長を有するため、露光光源としての応用が多く試みられ
ている。しかし、このような波長領域で適当な硝材は合
成石英のみであるため、屈折系光学系で色消しを図るこ
とは一般には容易ではない。そこで、このような屈折型
縮小投影露光装置等の光源としては波長の狭帯域化が必
要となる。
解像度を得るためには、光学系の開口数を大きくするか
露光波長を短くすることが必要となる。一般に、開口数
の増大とともに光学系の焦点深度が減少するので、光源
の短波長化がより望ましい手段であるといえる。なかで
も、エキシマレーザは紫外から真空紫外の領域に発振波
長を有するため、露光光源としての応用が多く試みられ
ている。しかし、このような波長領域で適当な硝材は合
成石英のみであるため、屈折系光学系で色消しを図るこ
とは一般には容易ではない。そこで、このような屈折型
縮小投影露光装置等の光源としては波長の狭帯域化が必
要となる。
【０００３】図２に雑誌（Ｃａｎ．Ｊ．Ｐｈｙｓ，６
３，２１４（’８５））より引用した従来の狭帯域化エ
キシマレーザ装置の構成概念図を示す。図２において、
全反射鏡２２および半透過鏡２３とで構成される光共振
器内に放電管２１が配置されている。放電管２１には希
ガスとハロゲンガスを含む媒質ガス（レーザ媒質）が封
入されており、この放電管２１の放電励起により上記共
振器内にレーザ発振が生じる。光共振器内には例えばエ
タランやプリズムといった特定の波長のレーザ光を通過
させる波長選択素子２４が設置されている。さらに、レ
ーザ媒質（放電管２１）をはさむようにスリット２５，
２６が設置されており、レーザ出力光２７はこれらスリ
ット２５，２６の幅で半透過鏡２３から出力される。こ
のような構成のエキシマレーザ装置においては、波長選
択素子２４で選択された特定の波長でのみレーザ発振器
出力が得られるので、高い出力の狭帯域レーザ光を得る
ことができる。
３，２１４（’８５））より引用した従来の狭帯域化エ
キシマレーザ装置の構成概念図を示す。図２において、
全反射鏡２２および半透過鏡２３とで構成される光共振
器内に放電管２１が配置されている。放電管２１には希
ガスとハロゲンガスを含む媒質ガス（レーザ媒質）が封
入されており、この放電管２１の放電励起により上記共
振器内にレーザ発振が生じる。光共振器内には例えばエ
タランやプリズムといった特定の波長のレーザ光を通過
させる波長選択素子２４が設置されている。さらに、レ
ーザ媒質（放電管２１）をはさむようにスリット２５，
２６が設置されており、レーザ出力光２７はこれらスリ
ット２５，２６の幅で半透過鏡２３から出力される。こ
のような構成のエキシマレーザ装置においては、波長選
択素子２４で選択された特定の波長でのみレーザ発振器
出力が得られるので、高い出力の狭帯域レーザ光を得る
ことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の狭帯域化エキシマレーザ装置においては、波長選択
素子で損失を低減し、有効に機能させるためには、レー
ザの横モード次数を低減する必要がある。そのため低次
の横モードのモード体積に応じてスリット幅を設定する
必要がある。しかし、一般に通常の共振器構成において
は、この低次横モードの断面積は小さく、スリット幅は
極めて細いものが必要となるため、発振されたレーザ光
の極く一部のみを取り出すことになり、励起体積の利用
効率が低く高出力が得られない。また、発振レーザ光を
狭帯域化するためには横モード数が少ないほど容易であ
るが、横モード数の低減は高い空間コヒーレンスをもた
らし、半導体露光装置に用いると露光面でスペックルが
発生する。さらに、レーザ共振器内の光強度分布が狭い
スリットによって制限されていることから、波長選択素
子の表面での光強度が高くなり、熱吸収による波長選択
素子の変形や劣化に起因する波長変動や出力低下が生じ
てしまうことが課題となっていた。
来の狭帯域化エキシマレーザ装置においては、波長選択
素子で損失を低減し、有効に機能させるためには、レー
ザの横モード次数を低減する必要がある。そのため低次
の横モードのモード体積に応じてスリット幅を設定する
必要がある。しかし、一般に通常の共振器構成において
は、この低次横モードの断面積は小さく、スリット幅は
極めて細いものが必要となるため、発振されたレーザ光
の極く一部のみを取り出すことになり、励起体積の利用
効率が低く高出力が得られない。また、発振レーザ光を
狭帯域化するためには横モード数が少ないほど容易であ
るが、横モード数の低減は高い空間コヒーレンスをもた
らし、半導体露光装置に用いると露光面でスペックルが
発生する。さらに、レーザ共振器内の光強度分布が狭い
スリットによって制限されていることから、波長選択素
子の表面での光強度が高くなり、熱吸収による波長選択
素子の変形や劣化に起因する波長変動や出力低下が生じ
てしまうことが課題となっていた。
【０００５】本発明は、上記の諸課題に着目してなされ
たものであり、励起体積を有効に利用し、レーザ光の取
り出し効率を向上させ高出力化を図り、かつ、空間コヒ
ーレンスを低減し、さらに、波長選択素子の変形や劣化
を回避し得る狭帯域化レーザ装置を提供することを目的
とする。
たものであり、励起体積を有効に利用し、レーザ光の取
り出し効率を向上させ高出力化を図り、かつ、空間コヒ
ーレンスを低減し、さらに、波長選択素子の変形や劣化
を回避し得る狭帯域化レーザ装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による狭帯域化レ
ーザ発振装置は、第１の全反射鏡、前記第１の全反射鏡
にレーザ媒質を挟んで対向配置されたシリンドリカル凹
面鏡、前記シリンドリカル凹面鏡に前記レーザ媒質を挟
んで対向配置された回折格子および前記回折格子に前記
レーザ媒質を挟んで対向配置された第２の全反射鏡を備
える光共振器を含み前記レーザ媒質の励起によりレーザ
光を発振するレーザ発振手段と、前記回折格子と前記第
２の全反射鏡との間に前記発振レーザ光の発振スペクト
ル波長の一部のみを通過させる波長選択素子とを有して
いる。
ーザ発振装置は、第１の全反射鏡、前記第１の全反射鏡
にレーザ媒質を挟んで対向配置されたシリンドリカル凹
面鏡、前記シリンドリカル凹面鏡に前記レーザ媒質を挟
んで対向配置された回折格子および前記回折格子に前記
レーザ媒質を挟んで対向配置された第２の全反射鏡を備
える光共振器を含み前記レーザ媒質の励起によりレーザ
光を発振するレーザ発振手段と、前記回折格子と前記第
２の全反射鏡との間に前記発振レーザ光の発振スペクト
ル波長の一部のみを通過させる波長選択素子とを有して
いる。
【０００７】また、好ましくは、上記狭帯域化レーザ発
振装置は、前記波長選択素子と前記第２の全反射鏡とが
前記回折格子の１次回折光路中に設けられており、且つ
前記回折格子からの０次回折光を出力レーザ光としてい
る。
振装置は、前記波長選択素子と前記第２の全反射鏡とが
前記回折格子の１次回折光路中に設けられており、且つ
前記回折格子からの０次回折光を出力レーザ光としてい
る。
【０００８】
【作用】本発明においては、レーザ出力鏡として用いら
れる回折格子からの１次回折光を波長選択素子へと導く
ことにより、波長選択素子における光強度を低減せし
め、熱吸収などに起因する波長選択素子の変形や劣化を
回避することが可能になう。また、回折格子とシリンド
リカル凹面鏡，および回折格子と第２の全反射鏡の間に
スリットを設ける必要がないため、励起体積の全体を有
効に利用することができるので、レーザ光の取り出し効
率を向上させ高出力化を図ることが可能となう。加え
て、シリンドリカル凹面鏡の使用により、レーザ光がス
リット状断面となるため、スリットにより制限されない
方向に関しては高次の横モード光の発生が許容される。
すなわち、マルチ横モードの単一波長レーザ光の発振が
可能となるので、空間的コヒーレンスを低減でき、特に
半導体の露光において問題となるスペクトルの発生が回
避できる。
れる回折格子からの１次回折光を波長選択素子へと導く
ことにより、波長選択素子における光強度を低減せし
め、熱吸収などに起因する波長選択素子の変形や劣化を
回避することが可能になう。また、回折格子とシリンド
リカル凹面鏡，および回折格子と第２の全反射鏡の間に
スリットを設ける必要がないため、励起体積の全体を有
効に利用することができるので、レーザ光の取り出し効
率を向上させ高出力化を図ることが可能となう。加え
て、シリンドリカル凹面鏡の使用により、レーザ光がス
リット状断面となるため、スリットにより制限されない
方向に関しては高次の横モード光の発生が許容される。
すなわち、マルチ横モードの単一波長レーザ光の発振が
可能となるので、空間的コヒーレンスを低減でき、特に
半導体の露光において問題となるスペクトルの発生が回
避できる。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の狭帯域化レーザ発振装置
を示す構成概念図である。
る。図１は本発明の一実施例の狭帯域化レーザ発振装置
を示す構成概念図である。
【００１０】この狭帯域化レーザ発振器装置は、レーザ
媒質１１をはさんで対向配置する全反射鏡１２およびシ
リンドリカル凹面鏡１３と、シリンドリカル凹面鏡１３
に対してレーザ媒質１１をはさんで対向配置する回折格
子１７と、回折格子１７に対してレーザ媒質１１をはさ
んで対向配置する全反射鏡１４により構成された光共振
器を含むレーザ発振手段と、このレーザ発振手段から発
振されたレーザ光の発振波長のスペクトルを狭帯域化す
るために上記発振波長の一部のみを通過させる波長選択
素子（光学的分散素子）としてエタロン１５を備えてい
る。上記レーザ光のうち回折格子１７の０次回折光１９
を出力レーザ光とし、１次回折光１８をエタロン１５に
導くことにより、上記出力レーザ光（０次回折光１９）
の狭帯域化を実現する。レーザ媒質１１とエタロン１５
との間に設けられたスリット１６は出力レーザ光の狭帯
域化に必要な基本発振モードを形成するのに必要なモー
ド選択を行うものである。モードの選択にあたっては図
２に示した従来例においてはレーザ媒質２１の両側にそ
れぞれスリット（２５，２６）を設ける必要があった
が、本実施例の共振器においては、回折格子１７の大き
さを所望の大きさに設定することでこれに替えることが
できる。本実施例の共振器においては、波長選択素子で
あるエタロン１５に導かれるレーザ光が１次回折光であ
るため光強度が弱く、熱吸収などに起因する波長選択素
子１５の変形や劣化を回避することが可能になる。その
ため、良好に狭帯域化されたレーザ光が形成され、これ
が回折格子１７，シリンドリカル凹面鏡１３，全反射鏡
１２を往復する際に増幅され、回折格子１７より、０次
回折光１９として取り出される。ここで、レーザ光が増
幅される回折格子１７とシリンドリカル凹面鏡１３およ
び全反射鏡１２の間にスリットを設ける必要がないの
で、励起体積の全体を有効に利用することができること
から、レーザ光の取り出し効率を向上させ高出力化を図
ることが可能となる。加えて、シリンドリカル凹面鏡１
３の使用により、レーザ光がスリット状断面となるた
め、スリット１６により制限されない方向に関しては高
次の横モード光の発生が許容される。すなわち、マルチ
横モードの単一波長レーザ光の発振が可能となるので、
空間的コヒーレンスを低減でき、特に半導体の露光にお
いて問題となるスペックルの発生が回避できる。
媒質１１をはさんで対向配置する全反射鏡１２およびシ
リンドリカル凹面鏡１３と、シリンドリカル凹面鏡１３
に対してレーザ媒質１１をはさんで対向配置する回折格
子１７と、回折格子１７に対してレーザ媒質１１をはさ
んで対向配置する全反射鏡１４により構成された光共振
器を含むレーザ発振手段と、このレーザ発振手段から発
振されたレーザ光の発振波長のスペクトルを狭帯域化す
るために上記発振波長の一部のみを通過させる波長選択
素子（光学的分散素子）としてエタロン１５を備えてい
る。上記レーザ光のうち回折格子１７の０次回折光１９
を出力レーザ光とし、１次回折光１８をエタロン１５に
導くことにより、上記出力レーザ光（０次回折光１９）
の狭帯域化を実現する。レーザ媒質１１とエタロン１５
との間に設けられたスリット１６は出力レーザ光の狭帯
域化に必要な基本発振モードを形成するのに必要なモー
ド選択を行うものである。モードの選択にあたっては図
２に示した従来例においてはレーザ媒質２１の両側にそ
れぞれスリット（２５，２６）を設ける必要があった
が、本実施例の共振器においては、回折格子１７の大き
さを所望の大きさに設定することでこれに替えることが
できる。本実施例の共振器においては、波長選択素子で
あるエタロン１５に導かれるレーザ光が１次回折光であ
るため光強度が弱く、熱吸収などに起因する波長選択素
子１５の変形や劣化を回避することが可能になる。その
ため、良好に狭帯域化されたレーザ光が形成され、これ
が回折格子１７，シリンドリカル凹面鏡１３，全反射鏡
１２を往復する際に増幅され、回折格子１７より、０次
回折光１９として取り出される。ここで、レーザ光が増
幅される回折格子１７とシリンドリカル凹面鏡１３およ
び全反射鏡１２の間にスリットを設ける必要がないの
で、励起体積の全体を有効に利用することができること
から、レーザ光の取り出し効率を向上させ高出力化を図
ることが可能となる。加えて、シリンドリカル凹面鏡１
３の使用により、レーザ光がスリット状断面となるた
め、スリット１６により制限されない方向に関しては高
次の横モード光の発生が許容される。すなわち、マルチ
横モードの単一波長レーザ光の発振が可能となるので、
空間的コヒーレンスを低減でき、特に半導体の露光にお
いて問題となるスペックルの発生が回避できる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、回折格子
を用いて、０次回折光を出力レーザ光とし、１次回折光
を共振器へと導くことにより、波長選択素子における光
強度を低減せしめ、熱吸収などに起因する波長選択素子
の変形や劣化を回避することが可能になる。また、回折
格子とシリンドリカル凹面鏡と第１の全反射鏡の間にス
リットを設ける必要がないため、励起体積の全体を有効
に利用することができるので、レーザ光の取り出し効率
を向上させ高出力化を図ることが可能となる。加えて、
シリンドリカル凹面鏡の使用により、レーザ光がスリッ
ト状断面となるため、スリットにより制限されない方向
に関しては高次の横モード光の発生が許容される。すな
わち、マルチ横モードの単一波長レーザ光の発振が可能
となるので、空間的コヒーレンスを低減でき、特に半導
体の露光において問題となるスペックルの発生が回避で
きる。
を用いて、０次回折光を出力レーザ光とし、１次回折光
を共振器へと導くことにより、波長選択素子における光
強度を低減せしめ、熱吸収などに起因する波長選択素子
の変形や劣化を回避することが可能になる。また、回折
格子とシリンドリカル凹面鏡と第１の全反射鏡の間にス
リットを設ける必要がないため、励起体積の全体を有効
に利用することができるので、レーザ光の取り出し効率
を向上させ高出力化を図ることが可能となる。加えて、
シリンドリカル凹面鏡の使用により、レーザ光がスリッ
ト状断面となるため、スリットにより制限されない方向
に関しては高次の横モード光の発生が許容される。すな
わち、マルチ横モードの単一波長レーザ光の発振が可能
となるので、空間的コヒーレンスを低減でき、特に半導
体の露光において問題となるスペックルの発生が回避で
きる。
【図１】本発明の一実施例の狭帯域化レーザ発振装置を
示す構成概念図である。
示す構成概念図である。
【図２】従来の狭帯域化レーザ発振装置の構成概念図で
ある。
ある。
１１ レーザ媒質 １２ 全反射鏡 １３ シリンドリカル凹面鏡 １４ 全反射鏡 １５ エタロン １６ スリット １７ 回折格子 １８ １次回折光 １９ ０次回折光 ２１ 放電管 ２２ 全反射鏡 ２３ 半透過鏡 ２４ 波長選択素子 ２５，２６ スリット ２７ 出力レーザ光
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の全反射鏡、前記第１の全反射鏡に
レーザ媒質を挟んで対向配置されたシリンドリカル凹面
鏡、前記シリンドリカル凹面鏡に前記レーザ媒質を挟ん
で対向配置された回折格子および前記回折格子に前記レ
ーザ媒質を挟んで対向配置された第２の全反射鏡を備え
る光共振器を含み前記レーザ媒質の励起によりレーザ光
を発振するレーザ発振手段と、前記回折格子と前記第２
の全反射鏡との間に前記発振レーザ光の発振スペクトル
波長の一部のみを通過させる波長選択素子とを有するこ
とを特徴とする狭帯域化レーザ発振装置。 - 【請求項２】 前記波長選択素子と前記第２の全反射鏡
とが前記回折格子の１次回折光路中に設けられており、
且つ前記回折格子からの０次回折光を出力レーザ光とす
る請求項１記載の狭帯域化レーザ発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018014A JPH05218555A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 狭帯域化レーザ発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018014A JPH05218555A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 狭帯域化レーザ発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218555A true JPH05218555A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11959820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4018014A Withdrawn JPH05218555A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 狭帯域化レーザ発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218555A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104820286A (zh) * | 2014-02-05 | 2015-08-05 | 恩耐激光技术有限公司 | 单发射器线束系统 |
| US11256076B2 (en) | 2011-01-04 | 2022-02-22 | Nlight, Inc. | High power laser system |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP4018014A patent/JPH05218555A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11256076B2 (en) | 2011-01-04 | 2022-02-22 | Nlight, Inc. | High power laser system |
| CN104820286A (zh) * | 2014-02-05 | 2015-08-05 | 恩耐激光技术有限公司 | 单发射器线束系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0230302A2 (en) | Light source for reduced projection | |
| WO1996031929A1 (en) | Narrow-band laser | |
| US6839373B1 (en) | Ultra-narrow band flourine laser apparatus | |
| JP4117856B2 (ja) | 狭帯域発振エキシマレーザ及びフッ化物プリズム | |
| KR20010032682A (ko) | 엑시머 레이저장치 | |
| CN112805886A (zh) | 激光器装置 | |
| JP2631567B2 (ja) | 狭帯域発振エキシマレーザ | |
| JP2631553B2 (ja) | レーザの波長制御装置 | |
| JP2967623B2 (ja) | 狭帯域化レーザ発振装置 | |
| JP3360078B2 (ja) | 狭帯域発振レーザ | |
| JP2729447B2 (ja) | 狭帯域レーザ装置 | |
| JPH0426174A (ja) | 狭帯域レーザ装置 | |
| JP2688991B2 (ja) | 狭帯域発振エキシマレーザ | |
| JP2715608B2 (ja) | 狭帯域化レーザ装置 | |
| JP2000332322A (ja) | 半導体露光用エキシマレーザ装置 | |
| JP2000216464A (ja) | 狭帯域化レ―ザ装置に用いられるエシェ―ルグレ―ティング | |
| JPH0472782A (ja) | 狭帯域発振レーザ装置 | |
| JP2600364B2 (ja) | 狭帯域化レーザ装置 | |
| JPH08195520A (ja) | 固体レーザ発振器 | |
| JPH05299759A (ja) | 狭帯域レーザ装置 | |
| JP2970121B2 (ja) | 狭帯域化レーザ発振装置 | |
| JPH02273981A (ja) | 狭帯域化レーザ装置 | |
| JP2586656B2 (ja) | 波長安定化レーザ装置 | |
| JP2931116B2 (ja) | 波長可変レーザ装置 | |
| JPH03173486A (ja) | 狭帯域化レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |