JPH0521981B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0521981B2 JPH0521981B2 JP27111385A JP27111385A JPH0521981B2 JP H0521981 B2 JPH0521981 B2 JP H0521981B2 JP 27111385 A JP27111385 A JP 27111385A JP 27111385 A JP27111385 A JP 27111385A JP H0521981 B2 JPH0521981 B2 JP H0521981B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- ring
- vacuum
- vacuum chamber
- window
- Prior art date
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空蒸着装置、放電反応装置、
PCVD装置、光CVD装置等の真空装置の真空室
内部に配置された放射線被照射体を、真空室外部
の放射線源から照射するときに使用される放射線
導入窓の構造に関する。
PCVD装置、光CVD装置等の真空装置の真空室
内部に配置された放射線被照射体を、真空室外部
の放射線源から照射するときに使用される放射線
導入窓の構造に関する。
（従来の技術）
上述のような真空装置では、反応を促進するた
めの強い紫外線や、基板を加熱するための強力な
赤外線などの放射線が使用されることが多い。こ
のとき必要とされる放射線は極めて強大であるた
め、通常、放射線源は真空室外に置かれ、放射線
導入窓を通して、内部の被照射体を照射してい
る。
めの強い紫外線や、基板を加熱するための強力な
赤外線などの放射線が使用されることが多い。こ
のとき必要とされる放射線は極めて強大であるた
め、通常、放射線源は真空室外に置かれ、放射線
導入窓を通して、内部の被照射体を照射してい
る。
以下、赤外線加熱を例にとると、従来の赤外線
導入窓は第２図に示すように、室外のランプヒー
タ５（６は反射板である）から出る赤外線は、赤
外線透過ガラス板４、真空シール用Ｏリング３、
真空室壁２を基本構成とする赤外線導入窓を経由
して、真空室内部１０の被照射基板１を照射し、
これを加熱するが、この場合、Ｏリング３を熱放
射線より保護して、その老化、温度の過上昇を防
止するために遮蔽板７がＯリング３を覆つて設け
られている。
導入窓は第２図に示すように、室外のランプヒー
タ５（６は反射板である）から出る赤外線は、赤
外線透過ガラス板４、真空シール用Ｏリング３、
真空室壁２を基本構成とする赤外線導入窓を経由
して、真空室内部１０の被照射基板１を照射し、
これを加熱するが、この場合、Ｏリング３を熱放
射線より保護して、その老化、温度の過上昇を防
止するために遮蔽板７がＯリング３を覆つて設け
られている。
そして殆んどの場合、この遮蔽板７はガラス板
４の固定金具を兼ねている。
４の固定金具を兼ねている。
（本発明が解決しようとする問題点）
この従来の放射線導入窓で問題になるのは、Ｏ
リング３を、図の斜めに入射する放射線８から守
るために、遮蔽板７の庇７０を深く（広く）しな
ければならないことである。
リング３を、図の斜めに入射する放射線８から守
るために、遮蔽板７の庇７０を深く（広く）しな
ければならないことである。
しかし、庇７０を深くすると、その分だけ実効
的な開口ｄを減ずるので、窓口Ｄを広く取つて不
足を補なう必要があり、そうするとガラス板４の
強度補強のため厚さｔを増さなければならなくな
り、厚さｔが増せば光の吸収が大きくなるので開
口ｄを広くする必要があり、また、斜めの光８を
防ぐ庇７０を一層深くしなければならぬ。という
悪循環を生じて予想外に広い窓口Ｄと厚いガラス
板４が必要となる。
的な開口ｄを減ずるので、窓口Ｄを広く取つて不
足を補なう必要があり、そうするとガラス板４の
強度補強のため厚さｔを増さなければならなくな
り、厚さｔが増せば光の吸収が大きくなるので開
口ｄを広くする必要があり、また、斜めの光８を
防ぐ庇７０を一層深くしなければならぬ。という
悪循環を生じて予想外に広い窓口Ｄと厚いガラス
板４が必要となる。
深い庇７０の遮蔽板７や厚いガラス板４では、
冷却の必要も生じ易く、そのときは一層装置が大
掛りとなる。
冷却の必要も生じ易く、そのときは一層装置が大
掛りとなる。
本発明は、放射線透過板の径を最小にし、構成
を簡素かつ経済的にする放射線導入窓の提供を目
的とする。
を簡素かつ経済的にする放射線導入窓の提供を目
的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は放射線透過板と真空室壁との間に使用
された真空シール用のＯリングを該放射線の照射
から遮蔽する目的の放射線反射薄膜を、該Ｏリン
グと該放射線透過板との間に該Ｏリングを覆うよ
うに介在付着させた放射線導入窓によつて前記目
的を達成したものである。
された真空シール用のＯリングを該放射線の照射
から遮蔽する目的の放射線反射薄膜を、該Ｏリン
グと該放射線透過板との間に該Ｏリングを覆うよ
うに介在付着させた放射線導入窓によつて前記目
的を達成したものである。
（作用）
上記のように構成したので放射線源から照射さ
れる熱放射線は、Ｏリングを覆つている放射線反
射薄膜によつて遮蔽され、当該Ｏリングが加熱す
るのを防ぐことができる。
れる熱放射線は、Ｏリングを覆つている放射線反
射薄膜によつて遮蔽され、当該Ｏリングが加熱す
るのを防ぐことができる。
（実施例）
第１図は本発明の実施例の放射線導入窓の断面
図である。第２図と同一の部材には同一の符号を
付している。
図である。第２図と同一の部材には同一の符号を
付している。
本実施例では新しく円板状のガラス板４に、こ
のガラス板４がＯリング３に接する位置を中心に
して、Ｏリング３を覆う幅に、環状のクロムの真
空蒸着膜７１が施されている。この膜は赤外線に
対して高反射率を有するため、熱線はこゝで反射
されて真空シール用Ｏリング３が加熱されない構
造となつている。
のガラス板４がＯリング３に接する位置を中心に
して、Ｏリング３を覆う幅に、環状のクロムの真
空蒸着膜７１が施されている。この膜は赤外線に
対して高反射率を有するため、熱線はこゝで反射
されて真空シール用Ｏリング３が加熱されない構
造となつている。
７２はガラス板４の固定金具であつて、この実
施例ではも早や、第２図のような庇７０は必要と
しない。この真空蒸着クロム膜（放射線反射薄
膜）７１が、従来の問題を解決し、狭い窓口で充
分に広い実質的開口を与え、薄いガラス板（放射
線透過板）４の使用を可能にすることは説明する
までもなく首肯できる。
施例ではも早や、第２図のような庇７０は必要と
しない。この真空蒸着クロム膜（放射線反射薄
膜）７１が、従来の問題を解決し、狭い窓口で充
分に広い実質的開口を与え、薄いガラス板（放射
線透過板）４の使用を可能にすることは説明する
までもなく首肯できる。
放射線が実施例のように赤外線である場合に
は、放射線反射薄膜７１としてはクロム（Cr）
のほかに金（Au）や銀（Ag）の膜が採用され、
放射線が紫外線の場合にはアルミニウム（Al）
の薄膜が推奨される。放射線が単一波長光であれ
ば、所謂ARコートも採用できる。
は、放射線反射薄膜７１としてはクロム（Cr）
のほかに金（Au）や銀（Ag）の膜が採用され、
放射線が紫外線の場合にはアルミニウム（Al）
の薄膜が推奨される。放射線が単一波長光であれ
ば、所謂ARコートも採用できる。
一方の放射線透過板の方は、赤外光に対しては
使用する波長領域によつて石英ガラス板、シリコ
ン板、ゲルマニウム板が選択使用され、紫外光に
対してはNaClやKBrの使用されることは周知の
通りである。本発明は特にこれらの放射線透過板
が脆弱、高価なときに適用して効果が著るしい。
使用する波長領域によつて石英ガラス板、シリコ
ン板、ゲルマニウム板が選択使用され、紫外光に
対してはNaClやKBrの使用されることは周知の
通りである。本発明は特にこれらの放射線透過板
が脆弱、高価なときに適用して効果が著るしい。
（発明の効果）
本発明は、放射線透過板の径を最小にし、簡素
かつ経済的な放射線導入窓を提供する効果があ
る。
かつ経済的な放射線導入窓を提供する効果があ
る。
第１図は本発明の実施例の放射線導入窓の断面
図。第２図は従来の同様の図 １…被照射体、２…真空室壁、３…Ｏリング、
４…放射線透過板、５…放射線源（ランプヒータ
ー）、７…遮蔽板、７１…放射線反射薄膜。
図。第２図は従来の同様の図 １…被照射体、２…真空室壁、３…Ｏリング、
４…放射線透過板、５…放射線源（ランプヒータ
ー）、７…遮蔽板、７１…放射線反射薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放射線の被照射体を内部に有する真空室と、
該真空室の外部に配置された放射線源とを具えた
真空装置の放射線導入窓において、該導入窓に設
けられ、放射線透過板と真空室壁との間に使用さ
れた真空シール用のＯリングを該放射線の照射か
ら遮蔽する目的の放射線反射薄膜を、該Ｏリング
と該放射線透過板との間に該Ｏリングを覆うよう
に介在付着させたことを特徴とする放射線導入
窓。 ２ 前記放射線反射薄膜が、金属の真空蒸着膜で
ある特許請求の範囲第１項記載の放射線導入窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27111385A JPS62130275A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 放射線導入窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27111385A JPS62130275A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 放射線導入窓 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130275A JPS62130275A (ja) | 1987-06-12 |
| JPH0521981B2 true JPH0521981B2 (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17495515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27111385A Granted JPS62130275A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 放射線導入窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62130275A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10322585B4 (de) * | 2003-05-20 | 2018-12-06 | Hydac Fluidtechnik Gmbh | Ventilbaukastensysteme |
| JP6625891B2 (ja) | 2016-02-10 | 2019-12-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
| JP6825069B2 (ja) * | 2019-11-28 | 2021-02-03 | 株式会社日立ハイテク | 真空処理装置 |
-
1985
- 1985-12-02 JP JP27111385A patent/JPS62130275A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62130275A (ja) | 1987-06-12 |
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Legal Events
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