JPH05223043A - 電流検出装置 - Google Patents
電流検出装置Info
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- JPH05223043A JPH05223043A JP5750792A JP5750792A JPH05223043A JP H05223043 A JPH05223043 A JP H05223043A JP 5750792 A JP5750792 A JP 5750792A JP 5750792 A JP5750792 A JP 5750792A JP H05223043 A JPH05223043 A JP H05223043A
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- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的に絶縁したままで負荷に流れる電流を
検出することが容易な電流検出装置を提供すること。 【構成】 絶縁基板２１上には低抵抗体２３が形成され
ている。又、抵抗値変化に対する温度係数の大きな内層
導体２６が絶縁基板２１上の低抵抗体２３の形成面と反
対側の面で低抵抗体２３に対向し形成されている。導体
パターン２２ａ，２２ｂを流れる電流に応じて低抵抗体
２３が発熱すると、その熱が絶縁基板２１を介して内層
導体２６に伝達される。本発明の電流検出装置では電流
の流れる導体パターン２２ａ，２２ｂと内層導体２６と
が電気的に絶縁されている。そして、内層導体２６は伝
達される熱によりその抵抗値変化が生じ導体パターン２
２ａ，２２ｂを流れる電流が容易に検出できる。
検出することが容易な電流検出装置を提供すること。 【構成】 絶縁基板２１上には低抵抗体２３が形成され
ている。又、抵抗値変化に対する温度係数の大きな内層
導体２６が絶縁基板２１上の低抵抗体２３の形成面と反
対側の面で低抵抗体２３に対向し形成されている。導体
パターン２２ａ，２２ｂを流れる電流に応じて低抵抗体
２３が発熱すると、その熱が絶縁基板２１を介して内層
導体２６に伝達される。本発明の電流検出装置では電流
の流れる導体パターン２２ａ，２２ｂと内層導体２６と
が電気的に絶縁されている。そして、内層導体２６は伝
達される熱によりその抵抗値変化が生じ導体パターン２
２ａ，２２ｂを流れる電流が容易に検出できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上に形成され
た導体パターンを流れる電流を検出するための装置に関
する。この電流検出装置は、内燃機関用点火装置におけ
る過電流検出に用いることができる。
た導体パターンを流れる電流を検出するための装置に関
する。この電流検出装置は、内燃機関用点火装置におけ
る過電流検出に用いることができる。
【０００２】
【従来技術】負荷に流れる電流は、その負荷と電源との
間に直列に抵抗体を接続して検出することができる。そ
して、検出される電流の大きさが所定値を越えることに
より負荷の近傍で短絡が起こった場合などの異常を知る
ことができる。
間に直列に抵抗体を接続して検出することができる。そ
して、検出される電流の大きさが所定値を越えることに
より負荷の近傍で短絡が起こった場合などの異常を知る
ことができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記抵抗体
の電位差を取り出すための電流検出回路は、オペアンプ
が幾つか必要で複雑になる。又、上記回路は、電源端子
に直接つながるためダイオードなどの保護素子も必要と
なる。これらにより、製品が大きくなったりコストが高
くなるという問題があった。
の電位差を取り出すための電流検出回路は、オペアンプ
が幾つか必要で複雑になる。又、上記回路は、電源端子
に直接つながるためダイオードなどの保護素子も必要と
なる。これらにより、製品が大きくなったりコストが高
くなるという問題があった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、電気的に
絶縁したままで負荷に流れる電流を検出することが容易
な電流検出装置を提供することである。
されたものであり、その目的とするところは、電気的に
絶縁したままで負荷に流れる電流を検出することが容易
な電流検出装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、絶縁基板上に形成された導体パターン
間を電気的に接続して前記絶縁基板上に形成され、前記
導体パターンを流れる電流に応じて発熱する第１の抵抗
体と、前記絶縁基板上の前記第１の抵抗体の形成面と反
対側の面で該第１の抵抗体に対向して形成され、抵抗値
変化に対する温度係数の大きな第２の抵抗体と、該第２
の抵抗体の抵抗値変化に基づいて前記導体パターンを流
れる電流を検出する電流検出手段とを備えたことを特徴
とする。
の発明の構成は、絶縁基板上に形成された導体パターン
間を電気的に接続して前記絶縁基板上に形成され、前記
導体パターンを流れる電流に応じて発熱する第１の抵抗
体と、前記絶縁基板上の前記第１の抵抗体の形成面と反
対側の面で該第１の抵抗体に対向して形成され、抵抗値
変化に対する温度係数の大きな第２の抵抗体と、該第２
の抵抗体の抵抗値変化に基づいて前記導体パターンを流
れる電流を検出する電流検出手段とを備えたことを特徴
とする。
【０００６】
【作用】第１の抵抗体は絶縁基板上に形成された導体パ
ターン間を電気的に接続しその導体パターンを流れる電
流に応じて発熱される。又、第２の抵抗体は抵抗値変化
に対する温度係数が大きく上記第１の抵抗体の形成面と
反対側の面でその第１の抵抗体に対向して形成される。
第１の抵抗体が発熱すると、その熱が絶縁基板を介して
第２の抵抗体に伝達される。すると、第２の抵抗体の抵
抗値が大きく変化する。そして、電流検出手段により上
記第２の抵抗体の抵抗値変化に基づき上記導体パターン
を流れる電流が検出される。
ターン間を電気的に接続しその導体パターンを流れる電
流に応じて発熱される。又、第２の抵抗体は抵抗値変化
に対する温度係数が大きく上記第１の抵抗体の形成面と
反対側の面でその第１の抵抗体に対向して形成される。
第１の抵抗体が発熱すると、その熱が絶縁基板を介して
第２の抵抗体に伝達される。すると、第２の抵抗体の抵
抗値が大きく変化する。そして、電流検出手段により上
記第２の抵抗体の抵抗値変化に基づき上記導体パターン
を流れる電流が検出される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る電流検出装置を示した構成
図である。電流検出装置１０は、絶縁基板１１上に絶縁
基板２１が接合された積層基板にて構成されている。絶
縁基板２１上に負荷と電源との間の導体パターン２２
ａ，２２ｂが形成されており、その間に直列に第１の抵
抗体であり抵抗値ＲL を有する低抵抗体２３が電気的に
接続されている。上記低抵抗体２３が形成された絶縁基
板２１の形成面と反対側の面、即ち、絶縁基板１１，２
１の間で低抵抗体２３に対向して、抵抗値変化に対する
温度係数が正特性を有して大きな第２の抵抗体である内
層導体２６が印刷により形成されている。上記内層導体
２６のリード部２６ａ，２６ｂは導体パターン２２ａ，
２２ｂから離れた位置で絶縁基板２１に形成されたスル
ーホール２７ａ，２７ｂを介して絶縁基板２１上の導体
パターン２８ａ，２８ｂに電気的に接続されている。絶
縁基板２１の厚さは0.1〜0.5mmと薄い基板を用いる。
又、内層導体２６はタングステンにより形成されてお
り、そのタングステンの抵抗値変化に対する温度係数は
3500ppm である。内層導体２６はこの他、銅（温度係
数:3800ppm）やサーミスタなどにより形成される。
明する。図１は本発明に係る電流検出装置を示した構成
図である。電流検出装置１０は、絶縁基板１１上に絶縁
基板２１が接合された積層基板にて構成されている。絶
縁基板２１上に負荷と電源との間の導体パターン２２
ａ，２２ｂが形成されており、その間に直列に第１の抵
抗体であり抵抗値ＲL を有する低抵抗体２３が電気的に
接続されている。上記低抵抗体２３が形成された絶縁基
板２１の形成面と反対側の面、即ち、絶縁基板１１，２
１の間で低抵抗体２３に対向して、抵抗値変化に対する
温度係数が正特性を有して大きな第２の抵抗体である内
層導体２６が印刷により形成されている。上記内層導体
２６のリード部２６ａ，２６ｂは導体パターン２２ａ，
２２ｂから離れた位置で絶縁基板２１に形成されたスル
ーホール２７ａ，２７ｂを介して絶縁基板２１上の導体
パターン２８ａ，２８ｂに電気的に接続されている。絶
縁基板２１の厚さは0.1〜0.5mmと薄い基板を用いる。
又、内層導体２６はタングステンにより形成されてお
り、そのタングステンの抵抗値変化に対する温度係数は
3500ppm である。内層導体２６はこの他、銅（温度係
数:3800ppm）やサーミスタなどにより形成される。
【０００８】次に、その作用について説明する。電流Ｉ
L が絶縁基板１１上で導体パターン２２ａから低抵抗体
２３を通り、導体パターン２２ｂに流れる。この時、低
抵抗体２３ではＩL 2×ＲL(Ｗ）の発熱を生じる。この熱
は、薄い絶縁基板２１を介して内層導体２６に伝達され
る。内層導体２６は温度係数が3500ppm であるので、低
抵抗体２３の熱により50℃上昇すると、その抵抗値変化
は（3500×10-6）×50＝0.175 となり、17.5％となる。
このように、低抵抗体２３を流れた電流に対応して内層
導体２６の抵抗値が変化する。
L が絶縁基板１１上で導体パターン２２ａから低抵抗体
２３を通り、導体パターン２２ｂに流れる。この時、低
抵抗体２３ではＩL 2×ＲL(Ｗ）の発熱を生じる。この熱
は、薄い絶縁基板２１を介して内層導体２６に伝達され
る。内層導体２６は温度係数が3500ppm であるので、低
抵抗体２３の熱により50℃上昇すると、その抵抗値変化
は（3500×10-6）×50＝0.175 となり、17.5％となる。
このように、低抵抗体２３を流れた電流に対応して内層
導体２６の抵抗値が変化する。
【０００９】次に、図２に示したように、上述の電流検
出装置１０を用いて過電流検出回路５０を構成する。過
電流検出回路５０は、前述の構成から成る電流検出装置
１０と比較器３０と固定抵抗体３１，３２，３３で構成
されている。尚、固定抵抗体３１，３２，３３の抵抗値
をそれぞれＲa,Ｒb,Ｒc とする。電源側に接続される端
子Ｖinと負荷側に接続される端子Ｖout との間に上記低
抵抗体２３を接続してその抵抗値ＲL に負荷電流ＩL が
流れるように接続する。又、上述と同様に形成された内
層導体２６の抵抗値をＲS とする。又、固定抵抗体３１
と固定抵抗体３２及び固定抵抗体３３と内層導体２６と
をそれぞれ直列に接続する。そして、固定抵抗体３１，
３３を基準電源ＶCCにそれぞれ接続する。そして、比較
器３０の一方(＋)の側を固定抵抗体３３と内層導体２６
との接続点Ｐ、他方(−)の側を固定抵抗体３１と固定抵
抗体３２との接続点Ｑにそれぞれ接続する。ここで、接
続点Ｐの電圧ＶP は、 ＶP＝｛ＲS／(Ｒc＋ＲS)｝×ＶCC であり、又、接続点Ｑの電圧ＶQ は、 ＶQ＝｛Ｒb／(Ｒa＋Ｒb)｝×ＶCC である。即ち、比較器３０は接続点Ｐの電圧ＶP と接続
点Ｑの電圧ＶQ とを比較している。予め、接続点Ｑの電
圧ＶQ が接続点Ｐの電圧ＶP よりも高い電位になるよう
に抵抗値Ｒa,Ｒb,Ｒc,ＲS を設定しておく。ここで、低
抵抗体２３を負荷電流ＩL が流れ、例えば、内層導体２
６の抵抗値ＲS が大きくなるに連れて接続点Ｐの電圧は
上昇することになる。そして、接続点Ｑの電圧ＶQ を接
続点Ｐの電圧ＶP が越えると比較器３０の出力は反転す
る。このように負荷電流ＩL が所定値に達すると過電流
検出回路５０の出力端子ＯＵＴが「Ｌo」から「Ｈi」に
反転することになる。
出装置１０を用いて過電流検出回路５０を構成する。過
電流検出回路５０は、前述の構成から成る電流検出装置
１０と比較器３０と固定抵抗体３１，３２，３３で構成
されている。尚、固定抵抗体３１，３２，３３の抵抗値
をそれぞれＲa,Ｒb,Ｒc とする。電源側に接続される端
子Ｖinと負荷側に接続される端子Ｖout との間に上記低
抵抗体２３を接続してその抵抗値ＲL に負荷電流ＩL が
流れるように接続する。又、上述と同様に形成された内
層導体２６の抵抗値をＲS とする。又、固定抵抗体３１
と固定抵抗体３２及び固定抵抗体３３と内層導体２６と
をそれぞれ直列に接続する。そして、固定抵抗体３１，
３３を基準電源ＶCCにそれぞれ接続する。そして、比較
器３０の一方(＋)の側を固定抵抗体３３と内層導体２６
との接続点Ｐ、他方(−)の側を固定抵抗体３１と固定抵
抗体３２との接続点Ｑにそれぞれ接続する。ここで、接
続点Ｐの電圧ＶP は、 ＶP＝｛ＲS／(Ｒc＋ＲS)｝×ＶCC であり、又、接続点Ｑの電圧ＶQ は、 ＶQ＝｛Ｒb／(Ｒa＋Ｒb)｝×ＶCC である。即ち、比較器３０は接続点Ｐの電圧ＶP と接続
点Ｑの電圧ＶQ とを比較している。予め、接続点Ｑの電
圧ＶQ が接続点Ｐの電圧ＶP よりも高い電位になるよう
に抵抗値Ｒa,Ｒb,Ｒc,ＲS を設定しておく。ここで、低
抵抗体２３を負荷電流ＩL が流れ、例えば、内層導体２
６の抵抗値ＲS が大きくなるに連れて接続点Ｐの電圧は
上昇することになる。そして、接続点Ｑの電圧ＶQ を接
続点Ｐの電圧ＶP が越えると比較器３０の出力は反転す
る。このように負荷電流ＩL が所定値に達すると過電流
検出回路５０の出力端子ＯＵＴが「Ｌo」から「Ｈi」に
反転することになる。
【００１０】上述の過電流検出回路５０において、電流
検出回路１０全体が温度変化する雰囲気中に置かれた場
合には、その温度変化の影響を内層導体２６の抵抗値Ｒ
S は受けてその分だけ抵抗値が変化することになる。こ
のため、低抵抗体２３を負荷電流ＩL が流れたときの検
出電流値は誤差を含んだものとなる。この問題を解決す
るには上述の固定抵抗体３２を内層導体２６と同様な抵
抗値変化に対する温度係数が大きな抵抗体に替えて接続
する。尚、この場合には、内層導体２６と上記抵抗体と
の抵抗値変化に対する温度係数は同特性であれば良く負
特性同士であっても良い。そして、この接続された抵抗
体を内層導体２６から離し、低抵抗体２３の発熱の影響
を受けない位置に配設する。この場合、上記抵抗体は内
層導体２６が形成された絶縁基板２１と別の絶縁基板に
形成しても良い。すると、絶縁基板自身及び周囲環境で
ある雰囲気中の温度変化による抵抗値変化分は固定抵抗
体３２に変えて新たに接続された抵抗体と内層導体２６
とで同じとなり、その温度変化分をキャンセルすること
ができる。これにより、内層導体２６の抵抗値ＲS は低
抵抗体２３の発熱による抵抗値変化分のみを取り出すこ
とができる。
検出回路１０全体が温度変化する雰囲気中に置かれた場
合には、その温度変化の影響を内層導体２６の抵抗値Ｒ
S は受けてその分だけ抵抗値が変化することになる。こ
のため、低抵抗体２３を負荷電流ＩL が流れたときの検
出電流値は誤差を含んだものとなる。この問題を解決す
るには上述の固定抵抗体３２を内層導体２６と同様な抵
抗値変化に対する温度係数が大きな抵抗体に替えて接続
する。尚、この場合には、内層導体２６と上記抵抗体と
の抵抗値変化に対する温度係数は同特性であれば良く負
特性同士であっても良い。そして、この接続された抵抗
体を内層導体２６から離し、低抵抗体２３の発熱の影響
を受けない位置に配設する。この場合、上記抵抗体は内
層導体２６が形成された絶縁基板２１と別の絶縁基板に
形成しても良い。すると、絶縁基板自身及び周囲環境で
ある雰囲気中の温度変化による抵抗値変化分は固定抵抗
体３２に変えて新たに接続された抵抗体と内層導体２６
とで同じとなり、その温度変化分をキャンセルすること
ができる。これにより、内層導体２６の抵抗値ＲS は低
抵抗体２３の発熱による抵抗値変化分のみを取り出すこ
とができる。
【００１１】図１で低抵抗体２３に対向し絶縁基板２１
裏面側に印刷された内層導体２６の形状パターンを図３
のように細長い形状パターンとした内層導体２６′とす
る。すると、内層導体２６′は、その抵抗値変化量を大
きくでき、検出感度を上げることができる。尚、図３に
おける他の構成は図１と同様であり同じ符号を付してそ
の説明を省略する。又、上述のたように、電流検出装置
１０は絶縁基板１１，２１を接合した積層基板を用いて
構成されているが、絶縁基板２１のみで構成することも
可能である。
裏面側に印刷された内層導体２６の形状パターンを図３
のように細長い形状パターンとした内層導体２６′とす
る。すると、内層導体２６′は、その抵抗値変化量を大
きくでき、検出感度を上げることができる。尚、図３に
おける他の構成は図１と同様であり同じ符号を付してそ
の説明を省略する。又、上述のたように、電流検出装置
１０は絶縁基板１１，２１を接合した積層基板を用いて
構成されているが、絶縁基板２１のみで構成することも
可能である。
【００１２】図４は、上述の過電流検出回路５０を用い
て構成された内燃機関用点火装置を示した回路図であ
る。電源コントロール回路６０はトランジスタＴr1，Ｔ
r2、ツェナダイオードＤZなどから構成されている。負
荷としての点火コイルＣは電流検出回路５０のＶout 側
とパワートランジスタＴr3のコレクタ側に接続されてい
る。このパワートランジスタＴr3は入力信号に基づき駆
動されるパワートランジスタ駆動回路７０を介して制御
されている。正常時には、入力信号により点火コイルＣ
に流れる電流は制御され点火が行われる。ところで、例
えば、点火コイルＣとパワートランジスタＴr3のコレク
タ側との接続点Ｓにおいて、短絡などの異常が生じると
入力信号に拘わらず点火コイルＣに電流が流れ続けるこ
とになる。この電流により、図２の過電流検出回路５０
内の低抵抗体２３は発熱し、内層導体２６の抵抗値が大
きくなる。すると、過電流検出回路５０内における接続
点Ｐの電位が上昇し、比較器３０の出力が「Ｌo」から
「Ｈi」に反転、つまり、過電流検出回路５０の出力端
子ＯＵＴが「Ｌo」から「Ｈi」に反転する。すると、電
流コントロール回路６０内のトランジスタＴr2がオフ状
態からオン状態と反転することによりトランジスタＴr1
がそれまでのオン状態からオフ状態に反転される。これ
により、点火コイルＣに流れる電流は遮断されることに
なる。このように、負荷の近傍にて短絡が生じても電源
とその負荷との間に本発明の電流検出装置を用いた過電
流検出回路５０を接続することにより負荷に流れる過電
流を検出して阻止することができる。
て構成された内燃機関用点火装置を示した回路図であ
る。電源コントロール回路６０はトランジスタＴr1，Ｔ
r2、ツェナダイオードＤZなどから構成されている。負
荷としての点火コイルＣは電流検出回路５０のＶout 側
とパワートランジスタＴr3のコレクタ側に接続されてい
る。このパワートランジスタＴr3は入力信号に基づき駆
動されるパワートランジスタ駆動回路７０を介して制御
されている。正常時には、入力信号により点火コイルＣ
に流れる電流は制御され点火が行われる。ところで、例
えば、点火コイルＣとパワートランジスタＴr3のコレク
タ側との接続点Ｓにおいて、短絡などの異常が生じると
入力信号に拘わらず点火コイルＣに電流が流れ続けるこ
とになる。この電流により、図２の過電流検出回路５０
内の低抵抗体２３は発熱し、内層導体２６の抵抗値が大
きくなる。すると、過電流検出回路５０内における接続
点Ｐの電位が上昇し、比較器３０の出力が「Ｌo」から
「Ｈi」に反転、つまり、過電流検出回路５０の出力端
子ＯＵＴが「Ｌo」から「Ｈi」に反転する。すると、電
流コントロール回路６０内のトランジスタＴr2がオフ状
態からオン状態と反転することによりトランジスタＴr1
がそれまでのオン状態からオフ状態に反転される。これ
により、点火コイルＣに流れる電流は遮断されることに
なる。このように、負荷の近傍にて短絡が生じても電源
とその負荷との間に本発明の電流検出装置を用いた過電
流検出回路５０を接続することにより負荷に流れる過電
流を検出して阻止することができる。
【００１３】図５は、図４の電流コントロール回路６０
における電源と過電流検出回路５０との間のトランジス
タＴr1をリレーＬに置き換えた構成としている。通常、
図５に示したように、リレーＬはトランジスタＴr4によ
りオン状態であり、点火コイルＣに電流を流すことがで
きる。ここで、図４と同様の短絡などの異常が接続点Ｓ
で生じると過電流検出回路５０の出力端子ＯＵＴが「Ｌ
o」 から「Ｈi」に反転する。すると、トランジスタＴr
5がオフ状態からオン状態となりトランジスタＴr4をそ
れまでのオン状態からオフ状態とする。これにより、リ
レーＬはオン状態からオフ状態となり、点火コイルＣに
流れる電流は遮断されることになる。
における電源と過電流検出回路５０との間のトランジス
タＴr1をリレーＬに置き換えた構成としている。通常、
図５に示したように、リレーＬはトランジスタＴr4によ
りオン状態であり、点火コイルＣに電流を流すことがで
きる。ここで、図４と同様の短絡などの異常が接続点Ｓ
で生じると過電流検出回路５０の出力端子ＯＵＴが「Ｌ
o」 から「Ｈi」に反転する。すると、トランジスタＴr
5がオフ状態からオン状態となりトランジスタＴr4をそ
れまでのオン状態からオフ状態とする。これにより、リ
レーＬはオン状態からオフ状態となり、点火コイルＣに
流れる電流は遮断されることになる。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、絶縁基板上に形成された導体
パターンを流れる電流に応じて発熱する第１の抵抗体
と、絶縁基板上の第１の抵抗体の形成面と反対側の面で
第１の抵抗体に対向し抵抗値変化に対する温度係数の大
きな第２の抵抗体とその抵抗値変化に基づいて導体パタ
ーンを流れる電流を検出する電流検出手段とを備えてお
り、第１の抵抗体が発熱すると、その熱が絶縁基板を介
して第２の抵抗体に伝達される。これにより、第２の抵
抗体の抵抗値が大きく変化しその抵抗値変化に基づいて
導体パターンを流れる電流が容易に検出される。
パターンを流れる電流に応じて発熱する第１の抵抗体
と、絶縁基板上の第１の抵抗体の形成面と反対側の面で
第１の抵抗体に対向し抵抗値変化に対する温度係数の大
きな第２の抵抗体とその抵抗値変化に基づいて導体パタ
ーンを流れる電流を検出する電流検出手段とを備えてお
り、第１の抵抗体が発熱すると、その熱が絶縁基板を介
して第２の抵抗体に伝達される。これにより、第２の抵
抗体の抵抗値が大きく変化しその抵抗値変化に基づいて
導体パターンを流れる電流が容易に検出される。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る電流検出装置
を示した構成図である。
を示した構成図である。
【図２】同実施例に係る電流検出装置を用いて構成され
た過電流検出回路を示した回路図である。
た過電流検出回路を示した回路図である。
【図３】本発明に係る電流検出装置の他の実施例を示し
た構成図である。
た構成図である。
【図４】図２の過電流検出回路を用いて構成された内燃
機関用点火装置を示した回路図である。
機関用点火装置を示した回路図である。
【図５】図２の過電流検出回路を用いて構成された内燃
機関用点火装置の他の実施例を示した回路図である。
機関用点火装置の他の実施例を示した回路図である。
１０−電流検出装置 １１，２１−絶縁基板 ２２ａ，２２ｂ−導体パターン ２３−低抵抗体（第
１の抵抗体） ２６−内層導体（第２の抵抗体） ２７ａ，２７ｂ−
スルーホール ２８ａ，２８ｂ−導体パターン
１の抵抗体） ２６−内層導体（第２の抵抗体） ２７ａ，２７ｂ−
スルーホール ２８ａ，２８ｂ−導体パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板上に形成された導体パターン間
を電気的に接続して前記絶縁基板上に形成され、前記導
体パターンを流れる電流に応じて発熱する第１の抵抗体
と、 前記絶縁基板上の前記第１の抵抗体の形成面と反対側の
面で該第１の抵抗体に対向して形成され、抵抗値変化に
対する温度係数の大きな第２の抵抗体と、 前記第２の抵抗体の抵抗値変化に基づいて前記導体パタ
ーンを流れる電流を検出する電流検出手段とを備えたこ
とを特徴とする電流検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5750792A JPH05223043A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 電流検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5750792A JPH05223043A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 電流検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05223043A true JPH05223043A (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=13057652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5750792A Pending JPH05223043A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 電流検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05223043A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011223830A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 過電流検出用複合素子及び過電流検出用複合素子を備えた過電流遮断装置 |
| JP2012090364A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 過電流検出用素子 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP5750792A patent/JPH05223043A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011223830A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 過電流検出用複合素子及び過電流検出用複合素子を備えた過電流遮断装置 |
| JP2012090364A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 過電流検出用素子 |
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