JPH05226295A - Ｔｆｔ―ｌｃｄのドライエッチング装置 - Google Patents
Ｔｆｔ―ｌｃｄのドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH05226295A JPH05226295A JP4622092A JP4622092A JPH05226295A JP H05226295 A JPH05226295 A JP H05226295A JP 4622092 A JP4622092 A JP 4622092A JP 4622092 A JP4622092 A JP 4622092A JP H05226295 A JPH05226295 A JP H05226295A
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- lower electrode
- electrode plate
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明絶縁基板上にフォトレジストにてパター
ニングした各種薄膜をドライエッチングするに際し、処
理生成物が原因で前記透明絶縁基板が白濁化することを
防止して品質の向上を図る。 【構成】 ドライエッチング装置８内の下位電極板１で
透明絶縁基板３を支承し、下位電極板１上へ載置するよ
うに上下動する基板昇降用ピン４,４,…と、下位電極板
１上に静置した透明絶縁基板３の周縁部を抑止して密着
保持するようにした基板抑え６とからなる。
ニングした各種薄膜をドライエッチングするに際し、処
理生成物が原因で前記透明絶縁基板が白濁化することを
防止して品質の向上を図る。 【構成】 ドライエッチング装置８内の下位電極板１で
透明絶縁基板３を支承し、下位電極板１上へ載置するよ
うに上下動する基板昇降用ピン４,４,…と、下位電極板
１上に静置した透明絶縁基板３の周縁部を抑止して密着
保持するようにした基板抑え６とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明絶縁基板上に形成し
た各種薄膜上にフォトレジストを塗布してパターニング
した後、該パターニングに沿って前記薄膜をエッチング
するためのＴＦＴ−ＬＣＤのドライエッチング装置に関
するものである。
た各種薄膜上にフォトレジストを塗布してパターニング
した後、該パターニングに沿って前記薄膜をエッチング
するためのＴＦＴ−ＬＣＤのドライエッチング装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルには大別してアクティブマト
リック方式(各表示画素に薄膜トランジスタを組み込ん
で各画素に能動性をもたせたもの即ち薄膜トランジス
タ:ＴＦＴまたはＭＩＭダイオード)と、電極ラインのみ
で構成する単純マトリックス方式とに分かれるが、クロ
ストークや画質を考慮すると前者ＴＦＴによる液晶パネ
ル(以下ＴＦＴ−ＬＣＤと謂う)が最も有望であり、開発
の目もこの方向に注がれている。しかし、ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの高画質化の為には、トランジスタを小さくすること
が必要であり、しかも半導体薄膜や、絶縁体薄膜の膜質
向上或は、金属薄膜の抵抗値を少くしたり配線の幅を狭
くすることが要求されている。そこで上記ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄ即ち液晶パネルにおいては、透明絶縁基板(ガラス板
その他)上に画素を形成する場合、該透明絶縁基板上に
半導体薄膜や、絶縁体薄膜或は金属薄膜等の各種薄膜を
形成した後フォトレジストを塗布し、更に該フォトレジ
ストを露光及び現像してパターニングしてから該パター
ニングに沿って前記各種薄膜をエッチング工程でエッチ
ングすることにより透明絶縁基板上に薄膜トランジスタ
(ＴＦＴ)を構成している。そこで上記エッチング工程に
はドライエッチング(乾式)による手法と、ウエットエッ
チング(湿式)による手法とがあるが、ここではこのうち
本発明との関係からドライエッチングによる工程につい
ての装置例を挙げると、図５に示すようにドライエッチ
ング装置８の下位電極１にシリンダー(図示せず)その他
に接続した基板昇降用ピン４,４,…を上下動自由に設
け、該下位電極１と上位電極２との間に供給された前記
透明絶縁基板４を下面から支承して上、下位両電極へ交
流電源７から高周波電界を印加してフォトレジストに掩
われていない部分をエッチングするものがある。
リック方式(各表示画素に薄膜トランジスタを組み込ん
で各画素に能動性をもたせたもの即ち薄膜トランジス
タ:ＴＦＴまたはＭＩＭダイオード)と、電極ラインのみ
で構成する単純マトリックス方式とに分かれるが、クロ
ストークや画質を考慮すると前者ＴＦＴによる液晶パネ
ル(以下ＴＦＴ−ＬＣＤと謂う)が最も有望であり、開発
の目もこの方向に注がれている。しかし、ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの高画質化の為には、トランジスタを小さくすること
が必要であり、しかも半導体薄膜や、絶縁体薄膜の膜質
向上或は、金属薄膜の抵抗値を少くしたり配線の幅を狭
くすることが要求されている。そこで上記ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄ即ち液晶パネルにおいては、透明絶縁基板(ガラス板
その他)上に画素を形成する場合、該透明絶縁基板上に
半導体薄膜や、絶縁体薄膜或は金属薄膜等の各種薄膜を
形成した後フォトレジストを塗布し、更に該フォトレジ
ストを露光及び現像してパターニングしてから該パター
ニングに沿って前記各種薄膜をエッチング工程でエッチ
ングすることにより透明絶縁基板上に薄膜トランジスタ
(ＴＦＴ)を構成している。そこで上記エッチング工程に
はドライエッチング(乾式)による手法と、ウエットエッ
チング(湿式)による手法とがあるが、ここではこのうち
本発明との関係からドライエッチングによる工程につい
ての装置例を挙げると、図５に示すようにドライエッチ
ング装置８の下位電極１にシリンダー(図示せず)その他
に接続した基板昇降用ピン４,４,…を上下動自由に設
け、該下位電極１と上位電極２との間に供給された前記
透明絶縁基板４を下面から支承して上、下位両電極へ交
流電源７から高周波電界を印加してフォトレジストに掩
われていない部分をエッチングするものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ウエットエッ
チングによる手法が主流となっている中でドライエッチ
ングによる手法を取り入れるには種々な問題が多く、特
に問題となるのは、エッチング処理によって生じる処理
生成物が透明絶縁基板の裏面即ちエッチング面の反対面
に付着し、後続工程の熱履厂によって更に強固な膜に変
化して後のウエットエッチング工程を通った時に前記透
明絶縁基板の裏面にエッチングレイトの局所性が現れ、
それが凹凸となってガラス面が白濁すると云う課題があ
る。そこでこの問題を解決する為にダミーガラスを透明
絶縁基板の裏面に付けて２枚のガラスで装置内を搬送し
たり、或は該透明絶縁基板の裏面にもフォトレジストを
塗布して該基板が直接ドライエッチング装置内に露出し
ないようにして処理生成物が付着するのを防ぐようにし
ていたが、これも尚、白濁を完全に防止できない許りか
基板裏面にカバーガラスを沿わせたり、該基板表面を傷
つけないようにするためカバーガラスの裏面にフォトレ
ジストを塗布したりするなどの煩雑な作業が多く、工程
が増加する問題があった。
チングによる手法が主流となっている中でドライエッチ
ングによる手法を取り入れるには種々な問題が多く、特
に問題となるのは、エッチング処理によって生じる処理
生成物が透明絶縁基板の裏面即ちエッチング面の反対面
に付着し、後続工程の熱履厂によって更に強固な膜に変
化して後のウエットエッチング工程を通った時に前記透
明絶縁基板の裏面にエッチングレイトの局所性が現れ、
それが凹凸となってガラス面が白濁すると云う課題があ
る。そこでこの問題を解決する為にダミーガラスを透明
絶縁基板の裏面に付けて２枚のガラスで装置内を搬送し
たり、或は該透明絶縁基板の裏面にもフォトレジストを
塗布して該基板が直接ドライエッチング装置内に露出し
ないようにして処理生成物が付着するのを防ぐようにし
ていたが、これも尚、白濁を完全に防止できない許りか
基板裏面にカバーガラスを沿わせたり、該基板表面を傷
つけないようにするためカバーガラスの裏面にフォトレ
ジストを塗布したりするなどの煩雑な作業が多く、工程
が増加する問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】半導体薄膜や絶縁体薄膜
或は金属薄膜等各種薄膜を担持する透明絶縁基板をドラ
イエッチング装置内の下位電極板上部で載支し、且つ該
下位電極板上面へ下降静置するように上下動自由に設け
た基板昇降用ピンと、該下位電極板上に静置した前記透
明絶縁基板を該下位電極板に密着保持させる基板抑えと
からなる。
或は金属薄膜等各種薄膜を担持する透明絶縁基板をドラ
イエッチング装置内の下位電極板上部で載支し、且つ該
下位電極板上面へ下降静置するように上下動自由に設け
た基板昇降用ピンと、該下位電極板上に静置した前記透
明絶縁基板を該下位電極板に密着保持させる基板抑えと
からなる。
【０００５】
【作用】ドライエッチング装置内に移送された透明絶縁
基板を基板昇降用ピンの上端にて載置して、下位電極板
上面に静置すると共に、前記基板を基板抑えにより下位
電極板上に密着して抑止保持し、上、下位電極板に高周
波電界を印加することによりエッチング処理の際生じた
生成物の基板下面への回わり込みを防止すると共に電極
板との密着により熱効果を高め乍らドライエッチングす
るものである。
基板を基板昇降用ピンの上端にて載置して、下位電極板
上面に静置すると共に、前記基板を基板抑えにより下位
電極板上に密着して抑止保持し、上、下位電極板に高周
波電界を印加することによりエッチング処理の際生じた
生成物の基板下面への回わり込みを防止すると共に電極
板との密着により熱効果を高め乍らドライエッチングす
るものである。
【０００６】
【実施例】以下本発明について図面に示す実施例により
詳細に説明すると、先ず図１、図２は第１実施例を示
し、ドライエッチング装置８内の下位電極板１に透明絶
縁基板(ガラス板その他)３を受載する複数本の基板昇降
用ピン４,４,…を上下動自由に貫通挿設すると共に該下
位電極板１に上端に基板抑え６を定設した昇降杆５,５,
…を回動且つ上下動自由に挿設し、該昇降杆５,５,…及
び前記基板昇降用ピン４,４,…の下端に図示しないがシ
リンダー装置を連設しており、複数個の昇降杆５,５,…
を同時に上下するように構成している。
詳細に説明すると、先ず図１、図２は第１実施例を示
し、ドライエッチング装置８内の下位電極板１に透明絶
縁基板(ガラス板その他)３を受載する複数本の基板昇降
用ピン４,４,…を上下動自由に貫通挿設すると共に該下
位電極板１に上端に基板抑え６を定設した昇降杆５,５,
…を回動且つ上下動自由に挿設し、該昇降杆５,５,…及
び前記基板昇降用ピン４,４,…の下端に図示しないがシ
リンダー装置を連設しており、複数個の昇降杆５,５,…
を同時に上下するように構成している。
【０００７】次に上記装置の動作について述べると先ず
最初基板昇降用ピン４,４,…及び昇降杆５,５,…は押し
あげられて上方に突出しており、しかも該昇降杆５,５,
…は上端の基板抑え６が各昇降杆５,５,…より外側にあ
るように１８０°回動した状態にあり、ここで既に前の
工程においてフォトレジストにてパターニングした透明
基板３(半導体薄膜や絶縁体薄膜或は金属薄膜等を形成
したもの)をドライエッチング装置８内へ供給して基板
昇降用ピン４,４,…の上端にて受載し、次に該昇降用ピ
ン４,４,…を下降させて基板３を下位電極板１上に静置
し、その後直ちに昇降杆５,５,…を１８０°回動して、
上端の基板抑え６,…が互い内向きに相対するような姿
勢にしてから各昇降杆５,５,…を一斉に下降し、その動
作の終端において該基板抑え６,６,…により基板３の外
縁部を下位電極板１上に抑圧して密着保持してから両電
極板１,２間に交流電源７から高周波電界を印加するこ
とにより電極板間に静置した基板のパターニング面はエ
ッチングされＴＦＴアレイ基板として形成され、基板３
と下位電極板３とは密着した状態で保持されているから
エッチング処理によって発生した処理生成物は基板３の
下面への回わり込みが防止され、しかも、熱が基板３へ
有効に作用する。
最初基板昇降用ピン４,４,…及び昇降杆５,５,…は押し
あげられて上方に突出しており、しかも該昇降杆５,５,
…は上端の基板抑え６が各昇降杆５,５,…より外側にあ
るように１８０°回動した状態にあり、ここで既に前の
工程においてフォトレジストにてパターニングした透明
基板３(半導体薄膜や絶縁体薄膜或は金属薄膜等を形成
したもの)をドライエッチング装置８内へ供給して基板
昇降用ピン４,４,…の上端にて受載し、次に該昇降用ピ
ン４,４,…を下降させて基板３を下位電極板１上に静置
し、その後直ちに昇降杆５,５,…を１８０°回動して、
上端の基板抑え６,…が互い内向きに相対するような姿
勢にしてから各昇降杆５,５,…を一斉に下降し、その動
作の終端において該基板抑え６,６,…により基板３の外
縁部を下位電極板１上に抑圧して密着保持してから両電
極板１,２間に交流電源７から高周波電界を印加するこ
とにより電極板間に静置した基板のパターニング面はエ
ッチングされＴＦＴアレイ基板として形成され、基板３
と下位電極板３とは密着した状態で保持されているから
エッチング処理によって発生した処理生成物は基板３の
下面への回わり込みが防止され、しかも、熱が基板３へ
有効に作用する。
【０００８】図３、図４は第２実施例を示し、前記第１
実施例と大差はないが、特に異なる処は基板抑え６ａが
基板３の周縁を一挙に抑止できるような額縁状をなすも
のであり、従ってこの場合の昇降杆５ａ,５ａ,…は第１
実施例における時のように夫々が回動するのみである。
その結果、基板を挿入する場合、該基板抑え６ａの上部
から挿入することはできず専ら、該基板抑え６ａの下方
を横方向から挿入するだけである。他、第１実施例と異
なる処は特に存在しない。
実施例と大差はないが、特に異なる処は基板抑え６ａが
基板３の周縁を一挙に抑止できるような額縁状をなすも
のであり、従ってこの場合の昇降杆５ａ,５ａ,…は第１
実施例における時のように夫々が回動するのみである。
その結果、基板を挿入する場合、該基板抑え６ａの上部
から挿入することはできず専ら、該基板抑え６ａの下方
を横方向から挿入するだけである。他、第１実施例と異
なる処は特に存在しない。
【０００９】
【発明の効果】本考案は上述のように構成したので各種
薄膜を担持した透明絶縁基板が下位電極板上に密着保持
されてドライエッチングの際に生じる処理生成物が該基
板の下側へ回り込むのが防止でき、これが原因で工程中
に生じる基板の白濁が除去できる。又、基板下位電極板
に密着することで該基板に及ぼす熱効果が大である。
薄膜を担持した透明絶縁基板が下位電極板上に密着保持
されてドライエッチングの際に生じる処理生成物が該基
板の下側へ回り込むのが防止でき、これが原因で工程中
に生じる基板の白濁が除去できる。又、基板下位電極板
に密着することで該基板に及ぼす熱効果が大である。
【図１】本発明第１実施例の縦断側面略図である。
【図２】同上平面略図である。
【図３】第２実施例の縦断側面略図である。
【図４】同上平面略図である。
【図５】従来例の縦断側面略図である。
１ 下位電極板 ３ 透明絶縁基板 ４ 基板昇降用ピン ５,５ａ 昇降杆 ６,６ａ 基板抑え
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 29/784 (72)発明者 桜井 猛久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャ ープ株式会社内 (72)発明者 伴 厚志 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャ ープ株式会社内 (72)発明者 中沢 清 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャ ープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 透明絶縁基板上に形成した半導体薄膜や
絶縁体薄膜、或は金属薄膜等の各種薄膜上にフォトレジ
ストを塗布し、これをパターニングした後該各種薄膜を
エッチングする装置において、該各種薄膜を担持する透
明絶縁基板を、エッチング装置内の下位電極板上部で載
支し且つ該下位電極板上面へ下降静置するように上下動
自由に設けた基板昇降用ピンと、該下位電極板上に静置
した前記透明絶縁基板を該下位電極板に密着保持させる
基板抑えとからなり、該基板抑えの動作で透明絶縁基板
と下位電極板とを密着させることにより、エッチング処
理中の生成物が該透明絶縁基板の下面へ回り込むことを
防止するようにしたことを特徴とするＴＦＴ−ＬＣＤの
ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4622092A JPH05226295A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Ｔｆｔ―ｌｃｄのドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4622092A JPH05226295A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Ｔｆｔ―ｌｃｄのドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226295A true JPH05226295A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12741030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4622092A Pending JPH05226295A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Ｔｆｔ―ｌｃｄのドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226295A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4820237A (en) * | 1986-02-28 | 1989-04-11 | Laurel Bank Machines Co., Ltd. | Coin conveying and stacking apparatus |
| US4832655A (en) * | 1986-02-28 | 1989-05-23 | Laurel Bank Machines Co., Ltd. | Coin stacking apparatus |
| KR101512135B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2015-04-14 | 주식회사 원익아이피에스 | 복수기판 처리장치 |
| CN106935463A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-07-07 | 成都京东方光电科技有限公司 | 用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀设备 |
| CN107037615A (zh) * | 2016-02-03 | 2017-08-11 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 支撑杆与应用此支撑杆的蚀刻设备 |
| KR20180136146A (ko) * | 2017-06-14 | 2018-12-24 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215623A (ja) * | 1988-04-25 | 1990-01-19 | Applied Materials Inc | 磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器 |
| JPH0421779A (ja) * | 1989-12-18 | 1992-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4622092A patent/JPH05226295A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215623A (ja) * | 1988-04-25 | 1990-01-19 | Applied Materials Inc | 磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器 |
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| KR20180136146A (ko) * | 2017-06-14 | 2018-12-24 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템 |
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