JPH05226308A - 半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置 - Google Patents
半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置Info
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- JPH05226308A JPH05226308A JP3056792A JP3056792A JPH05226308A JP H05226308 A JPH05226308 A JP H05226308A JP 3056792 A JP3056792 A JP 3056792A JP 3056792 A JP3056792 A JP 3056792A JP H05226308 A JPH05226308 A JP H05226308A
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- back surface
- spinner
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】半導体ウエハを所定の厚さにするための裏面研
削を高精度で、しかも少ない処理工程で行うことを目的
とする。 【構成】裏面を保護テープ３で保護した半導体ウエハ１
を裏面処理装置１０Ａの粗砥石１２及び仕上砥石１４で
裏面研削した後、スピンナー１５に移して、半導体ウエ
ハ１Ｃに発生したダメージ層４をエッチング用ノズル２
０からのエッチング液でスピンエッチングすることを特
徴とし、その後スピンナー洗浄、スピンナー乾燥して、
所定の厚さの半導体ウエハを毎葉処理で得るようにして
いる。 【効果】従来技術のようにバッチ処理でないので、半導
体ウエハ毎のばらつきがなく、高精度で仕上げることが
でき、また工数の削減、コストの低減もでき、更に裏面
処理装置も従来のものを流用できる。
削を高精度で、しかも少ない処理工程で行うことを目的
とする。 【構成】裏面を保護テープ３で保護した半導体ウエハ１
を裏面処理装置１０Ａの粗砥石１２及び仕上砥石１４で
裏面研削した後、スピンナー１５に移して、半導体ウエ
ハ１Ｃに発生したダメージ層４をエッチング用ノズル２
０からのエッチング液でスピンエッチングすることを特
徴とし、その後スピンナー洗浄、スピンナー乾燥して、
所定の厚さの半導体ウエハを毎葉処理で得るようにして
いる。 【効果】従来技術のようにバッチ処理でないので、半導
体ウエハ毎のばらつきがなく、高精度で仕上げることが
でき、また工数の削減、コストの低減もでき、更に裏面
処理装置も従来のものを流用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハを所定
の厚みにするための半導体ウエハの裏面処理方法及びそ
の装置に関するものである。
の厚みにするための半導体ウエハの裏面処理方法及びそ
の装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術を図３乃至図５を用いて説明す
る。図３は従来技術及びこの発明の半導体ウエハの裏面
処理方法を説明するための半導体ウエハの断面図であ
り、図４は従来技術の半導体ウエハの裏面処理方法の工
程図であり、図５は図４に示した半導体ウエハの裏面処
理方法に用いられる半導体ウエハの裏面処理装置の概念
図である。
る。図３は従来技術及びこの発明の半導体ウエハの裏面
処理方法を説明するための半導体ウエハの断面図であ
り、図４は従来技術の半導体ウエハの裏面処理方法の工
程図であり、図５は図４に示した半導体ウエハの裏面処
理方法に用いられる半導体ウエハの裏面処理装置の概念
図である。
【０００３】表面に半導体集積回路が形成された半導体
ウエハを所定の厚さにするために、従来技術では、図４
に示した各工程によって、これを行っている。即ち、図
３Ａに示した、例えば、厚さが６２５μｍの半導体ウエ
ハ１を同図Ｃに示した、例えば、４００μｍの厚さの半
導体ウエハ１Ａに薄くするために、先ず、図４に示した
工程（１）で半導体ウエハ１の表面にレエジスト膜２を
施し、次の工程（２）でその上に保護テープ３を貼る。
ウエハを所定の厚さにするために、従来技術では、図４
に示した各工程によって、これを行っている。即ち、図
３Ａに示した、例えば、厚さが６２５μｍの半導体ウエ
ハ１を同図Ｃに示した、例えば、４００μｍの厚さの半
導体ウエハ１Ａに薄くするために、先ず、図４に示した
工程（１）で半導体ウエハ１の表面にレエジスト膜２を
施し、次の工程（２）でその上に保護テープ３を貼る。
【０００４】その次の工程（３）では、このように処理
した複数枚の半導体ウエハ１をウエハキャリヤ２１に収
納して、図５に示した半導体ウエハの裏面処理装置（以
下、単に「裏面処理装置」と記す）１０のキャリヤ・ロ
ーダー１８に移される。
した複数枚の半導体ウエハ１をウエハキャリヤ２１に収
納して、図５に示した半導体ウエハの裏面処理装置（以
下、単に「裏面処理装置」と記す）１０のキャリヤ・ロ
ーダー１８に移される。
【０００５】この裏面処理装置１０は前記キャリヤ・ロ
ーダー１８の他に、第１の回動ステージ１１とこれと対
向して配置された回転する粗砥石１２と、第２の回動ス
テージ１３とこれと対向して配置された回転する仕上砥
石１４と、共通のスピンナー１５とこれに対向して配置
された注水用ノズル１６及び空気用ノズル１７と、そし
てキャリヤ・アンローダー１９とから構成されている。
ーダー１８の他に、第１の回動ステージ１１とこれと対
向して配置された回転する粗砥石１２と、第２の回動ス
テージ１３とこれと対向して配置された回転する仕上砥
石１４と、共通のスピンナー１５とこれに対向して配置
された注水用ノズル１６及び空気用ノズル１７と、そし
てキャリヤ・アンローダー１９とから構成されている。
【０００６】キャリヤ・ローダー１８に搬入された複数
枚の半導体ウエハ１はウエハキャリヤ２１から一枚毎に
取り出されて回動ステージ１１の固定場所Ａに、その保
護テープ３の方を下側に向けて、真空吸着により固定
し、その後１８０°回動して、半導体ウエハ１の裏面を
粗砥石１２の下に持ち来し、粗研削する。
枚の半導体ウエハ１はウエハキャリヤ２１から一枚毎に
取り出されて回動ステージ１１の固定場所Ａに、その保
護テープ３の方を下側に向けて、真空吸着により固定
し、その後１８０°回動して、半導体ウエハ１の裏面を
粗砥石１２の下に持ち来し、粗研削する。
【０００７】この粗研削が終了すると、この回動ステー
ジ１１を元の位置に回動し、その粗研削された半導体ウ
エハ１Ｂを次の工程（４）における回動ステージ１３の
固定場所Ｂに移替え、前工程（３）と同様に真空吸着に
より固定し、そしてこの回動ステージ１３を１８０°回
動して半導体ウエハ１Ｂの裏面を仕上砥石１４の下に持
ち来し、仕上研削する。
ジ１１を元の位置に回動し、その粗研削された半導体ウ
エハ１Ｂを次の工程（４）における回動ステージ１３の
固定場所Ｂに移替え、前工程（３）と同様に真空吸着に
より固定し、そしてこの回動ステージ１３を１８０°回
動して半導体ウエハ１Ｂの裏面を仕上砥石１４の下に持
ち来し、仕上研削する。
【０００８】ほぼ所定の厚さに半導体ウエハ１Ｂを仕上
研削すると、回動ステージ１３が元の位置に回動し、そ
の仕上研削された半導体ウエハ１Ｃをスピンナー１５に
移送、載置し、回転させながら注水用ノズル１６から噴
射させた純水で洗浄し〔工程（５）〕、次に、同じくス
ピンナー１５で回転させながら空気ノズル１７から空気
を噴射させて半導体ウエハ１Ｃを乾燥する〔工程
（６）〕。
研削すると、回動ステージ１３が元の位置に回動し、そ
の仕上研削された半導体ウエハ１Ｃをスピンナー１５に
移送、載置し、回転させながら注水用ノズル１６から噴
射させた純水で洗浄し〔工程（５）〕、次に、同じくス
ピンナー１５で回転させながら空気ノズル１７から空気
を噴射させて半導体ウエハ１Ｃを乾燥する〔工程
（６）〕。
【０００９】このように仕上研削された半導体ウエハ１
Ｃの研削面である裏面には、前記機械的研削により、図
３Ｂに示したように約１μｍの深さにわたってクラック
が入り、ダメージ層４が発生している。
Ｃの研削面である裏面には、前記機械的研削により、図
３Ｂに示したように約１μｍの深さにわたってクラック
が入り、ダメージ層４が発生している。
【００１０】このダメージ層４を除去するために、この
ような半導体ウエハ１Ｃを複数枚、ウエハキャリヤ２１
に納めて、次の工程（７）の、エッチング槽３０のエッ
チング液（例えば、ＨＦ＋ＨＮＯ3 ）に浸漬して、図３
Ｃに示したように、厚さ約５．５μｍのエッチングを行
う。
ような半導体ウエハ１Ｃを複数枚、ウエハキャリヤ２１
に納めて、次の工程（７）の、エッチング槽３０のエッ
チング液（例えば、ＨＦ＋ＨＮＯ3 ）に浸漬して、図３
Ｃに示したように、厚さ約５．５μｍのエッチングを行
う。
【００１１】この化学的エッチングが完了すると、その
ウエハキャリヤ２１を次工程（８）の複数の水槽２２、
２３に順次移し、純水で半導体ウエハを洗浄する。そし
て更に仕上げのために、次の工程（９）の槽２４に移し
てライト・エッチングを行い、そして再度、純水で洗浄
する。この工程（１０）の洗浄もまた複数の水槽２５、
２６で行う。
ウエハキャリヤ２１を次工程（８）の複数の水槽２２、
２３に順次移し、純水で半導体ウエハを洗浄する。そし
て更に仕上げのために、次の工程（９）の槽２４に移し
てライト・エッチングを行い、そして再度、純水で洗浄
する。この工程（１０）の洗浄もまた複数の水槽２５、
２６で行う。
【００１２】このような半導体ウエハ１Ａを収納したウ
エハキャリヤ２１を複数個、次の工程（１１）のスピン
ドライヤー２７に掛け、遠心力により水分を乾燥するよ
うにしている。このようにして図３Ｃに示した４００μ
ｍの所定の厚さの、未だ保護テープ３付きの半導体ウエ
ハ１Ａが得られる。前記工程（７）から工程（１１）ま
ではバッチ処理で行われている。
エハキャリヤ２１を複数個、次の工程（１１）のスピン
ドライヤー２７に掛け、遠心力により水分を乾燥するよ
うにしている。このようにして図３Ｃに示した４００μ
ｍの所定の厚さの、未だ保護テープ３付きの半導体ウエ
ハ１Ａが得られる。前記工程（７）から工程（１１）ま
ではバッチ処理で行われている。
【００１３】そして次の工程（１２）で保護テープ剥離
機で半導体ウエハ１Ａから保護テープ３を剥離し、レエ
ジスト膜２を溶剤で溶かす。このような工程を経て最終
目的である所定の厚さの半導体ウエハ１Ａのみが得られ
る。
機で半導体ウエハ１Ａから保護テープ３を剥離し、レエ
ジスト膜２を溶剤で溶かす。このような工程を経て最終
目的である所定の厚さの半導体ウエハ１Ａのみが得られ
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術の裏面処
理方法で、裏面研削による半導体ウエハ１Ｃに発生する
ダメージ層４を無くすために、砥粒の小さな砥石を使用
し、半導体ウエハ１Ｃの裏面の化学的エッチングを無く
す方法も試みられているが、半導体ウエハが大口径化及
び半導体チップの薄型化に伴い、この裏面の化学的エッ
チングはどうしても必要である。
理方法で、裏面研削による半導体ウエハ１Ｃに発生する
ダメージ層４を無くすために、砥粒の小さな砥石を使用
し、半導体ウエハ１Ｃの裏面の化学的エッチングを無く
す方法も試みられているが、半導体ウエハが大口径化及
び半導体チップの薄型化に伴い、この裏面の化学的エッ
チングはどうしても必要である。
【００１５】しかし、このバッチ処理による化学的エッ
チングは、半導体ウエハ内、バッチ内、バッチ間におい
けるエッチング精度が悪く、しかも作業工数が多い。そ
して保護テープの耐酸性が要求され、このような保護テ
ープは一般のものに比べ高価である。この発明はこのよ
うな欠点を無くすことを課題とした。
チングは、半導体ウエハ内、バッチ内、バッチ間におい
けるエッチング精度が悪く、しかも作業工数が多い。そ
して保護テープの耐酸性が要求され、このような保護テ
ープは一般のものに比べ高価である。この発明はこのよ
うな欠点を無くすことを課題とした。
【００１６】
【課題を解決するための手段】そのため、この発明で
は、半導体ウエハの表面に保護テープを貼り、この保護
テープを貼った半導体ウエハを、その保護テープ側から
ステージに取り付けて、その半導体ウエハの裏面を研削
砥石で研削し、その後、この研削した半導体ウエハを回
転させながら、その裏面を化学的にエッチングし、その
後、この化学にエッチングした半導体ウエハを回転させ
ながら純水で洗浄し、そして更に洗浄した半導体ウエハ
を回転させながら空気を吹きつけて乾燥させ、所望の厚
さの半導体ウエハを得る方法を採った。この半導体ウエ
ハの裏面処理方法を具現する装置として、第１の回動ス
テージとこれと対向して配置された粗研削用回転砥石
と、第２の回動ステージとこれと対向して配置された仕
上研削用砥石と、共通のスピンナーとこれに対向して配
置されたエッチング用ノズル、純水用ノズル及び空気用
ノズルとから構成した。
は、半導体ウエハの表面に保護テープを貼り、この保護
テープを貼った半導体ウエハを、その保護テープ側から
ステージに取り付けて、その半導体ウエハの裏面を研削
砥石で研削し、その後、この研削した半導体ウエハを回
転させながら、その裏面を化学的にエッチングし、その
後、この化学にエッチングした半導体ウエハを回転させ
ながら純水で洗浄し、そして更に洗浄した半導体ウエハ
を回転させながら空気を吹きつけて乾燥させ、所望の厚
さの半導体ウエハを得る方法を採った。この半導体ウエ
ハの裏面処理方法を具現する装置として、第１の回動ス
テージとこれと対向して配置された粗研削用回転砥石
と、第２の回動ステージとこれと対向して配置された仕
上研削用砥石と、共通のスピンナーとこれに対向して配
置されたエッチング用ノズル、純水用ノズル及び空気用
ノズルとから構成した。
【００１７】
【作用】従って、この発明の半導体ウエハの裏面処理方
法及びその装置によれば、バッチ処理による半導体ウエ
ハ毎の化学的エッチングのばらつきがなくなり、毎葉処
理のため、半導体ウエハの一枚毎にエッチング面を確認
することができる。
法及びその装置によれば、バッチ処理による半導体ウエ
ハ毎の化学的エッチングのばらつきがなくなり、毎葉処
理のため、半導体ウエハの一枚毎にエッチング面を確認
することができる。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図１乃至図３を用
いて説明する。図１はこの発明の半導体ウエハの裏面処
理方法を説明するための工程図であり、図２はこの発明
の半導体ウエハの裏面処理方法に用いる裏面処理装置の
概念図である。なお、図４及び図５に示した従来技術の
工程及び装置と同一の工程及び装置には同一の符号を付
し、それらの構成、機能などの説明を省略する。
いて説明する。図１はこの発明の半導体ウエハの裏面処
理方法を説明するための工程図であり、図２はこの発明
の半導体ウエハの裏面処理方法に用いる裏面処理装置の
概念図である。なお、図４及び図５に示した従来技術の
工程及び装置と同一の工程及び装置には同一の符号を付
し、それらの構成、機能などの説明を省略する。
【００１９】図２にこの発明の半導体ウエハの裏面処理
装置（以下、単に「裏面処理装置」と記す）１０Ａを示
した。図５に示した従来技術の裏面処理装置１０と異な
る部分はスピンナー１５に対向して、注水用ノズル１６
及び空気ノズル１７の他に、エッチング用ノズル２０か
らなるエッチング装置を設けたことである。この他、前
記エッチング用ノズル２０から噴射されたエッチング液
の飛散を防止する装置や回収装置が設置されているが、
それらはこの発明の要点では無いので省略するも、その
他の構成は図５に示した従来技術の裏面処理装置１０と
同一である。
装置（以下、単に「裏面処理装置」と記す）１０Ａを示
した。図５に示した従来技術の裏面処理装置１０と異な
る部分はスピンナー１５に対向して、注水用ノズル１６
及び空気ノズル１７の他に、エッチング用ノズル２０か
らなるエッチング装置を設けたことである。この他、前
記エッチング用ノズル２０から噴射されたエッチング液
の飛散を防止する装置や回収装置が設置されているが、
それらはこの発明の要点では無いので省略するも、その
他の構成は図５に示した従来技術の裏面処理装置１０と
同一である。
【００２０】このエッチング用ノズル２０からなるエッ
チング装置を裏面処理装置１０に設置したことにより、
この発明の半導体ウエハの裏面処理方法は、図１に示し
たように、その処理工程が格段に簡略化できるようにな
った。
チング装置を裏面処理装置１０に設置したことにより、
この発明の半導体ウエハの裏面処理方法は、図１に示し
たように、その処理工程が格段に簡略化できるようにな
った。
【００２１】図１の裏面処理工程図において、工程
（１）〜工程（４）及び工程（１２）は図４の裏面処理
工程における工程と同一である。工程（４）で仕上研削
された半導体ウエハ１Ｃは回動ステージ１３の固定場所
Ｂから、次の工程（１３）におけるスピンナー１５に移
送、載置される。そして、この半導体ウエハ１Ｃを回転
させながら、先ず、その裏面に、エッチング用ノズル２
０からエッチング液を噴射させて、図３Ｂに示したよう
に、半導体ウエハ１Ｃの裏面のダメージ層４をエッチン
グする。
（１）〜工程（４）及び工程（１２）は図４の裏面処理
工程における工程と同一である。工程（４）で仕上研削
された半導体ウエハ１Ｃは回動ステージ１３の固定場所
Ｂから、次の工程（１３）におけるスピンナー１５に移
送、載置される。そして、この半導体ウエハ１Ｃを回転
させながら、先ず、その裏面に、エッチング用ノズル２
０からエッチング液を噴射させて、図３Ｂに示したよう
に、半導体ウエハ１Ｃの裏面のダメージ層４をエッチン
グする。
【００２２】半導体ウエハ１Ｃからダメージ層４が除去
され、所定の厚さになると、エッチング液の噴射を停止
し、次に、次の工程（１４）である純水洗浄を行うた
め、同一のスピンナー１５で半導体ウエハ１Ａを回転さ
せながら注水用ノズル１６から純水を噴射する。この工
程（１４）は、図４の従来技術における工程（１０）に
当たる工程であって、工程（５）の純水洗浄の工程では
ない。
され、所定の厚さになると、エッチング液の噴射を停止
し、次に、次の工程（１４）である純水洗浄を行うた
め、同一のスピンナー１５で半導体ウエハ１Ａを回転さ
せながら注水用ノズル１６から純水を噴射する。この工
程（１４）は、図４の従来技術における工程（１０）に
当たる工程であって、工程（５）の純水洗浄の工程では
ない。
【００２３】次に、同じくスピンナー１５で回転させな
がら空気ノズル１７から空気を噴射させて半導体ウエハ
１Ａに付着している水分を遠心力と空気で乾燥する〔工
程（１５）〕。この工程（１５）は図４の従来技術にお
ける工程（１１）に当たる工程であって、工程（６）の
スピンナー乾燥の工程とは異なる。
がら空気ノズル１７から空気を噴射させて半導体ウエハ
１Ａに付着している水分を遠心力と空気で乾燥する〔工
程（１５）〕。この工程（１５）は図４の従来技術にお
ける工程（１１）に当たる工程であって、工程（６）の
スピンナー乾燥の工程とは異なる。
【００２４】そして、次に、図４における従来技術の工
程（１２）と同一の保護テープ剥離工程（１２）で保護
テープ剥離機で半導体ウエハ１Ａから保護テープ３を剥
離し、レエジスト膜２を溶剤で溶かして、最終目的であ
る所定の厚さの半導体ウエハ１Ａのみを得る。
程（１２）と同一の保護テープ剥離工程（１２）で保護
テープ剥離機で半導体ウエハ１Ａから保護テープ３を剥
離し、レエジスト膜２を溶剤で溶かして、最終目的であ
る所定の厚さの半導体ウエハ１Ａのみを得る。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体ウエハ
の裏面処理方法は、従来技術に見られたような、バッチ
処理による半導体ウエハの化学的エッチングのばらつき
がなくなり、高精度の半導体ウエハを得ることができ
る。そして、毎葉処理のため半導体ウエハの一枚毎にエ
ッチング面を確認することもできる。しかも、従来技術
の処理工程と比較して、格段にその処理工程を簡略化す
ることができたので、工数の削減ができ、従って半導体
チップを安価に製造できる等という優れた効果がある。
また、この発明の半導体ウエハの裏面処理装置も、エッ
チング処理装置を追加するだけで、従来の裏面処理装置
を流用することができ、過大な設備投資をする必要がな
いので、ますます半導体チップを安価に製造できるとい
う優れた効果がある。
の裏面処理方法は、従来技術に見られたような、バッチ
処理による半導体ウエハの化学的エッチングのばらつき
がなくなり、高精度の半導体ウエハを得ることができ
る。そして、毎葉処理のため半導体ウエハの一枚毎にエ
ッチング面を確認することもできる。しかも、従来技術
の処理工程と比較して、格段にその処理工程を簡略化す
ることができたので、工数の削減ができ、従って半導体
チップを安価に製造できる等という優れた効果がある。
また、この発明の半導体ウエハの裏面処理装置も、エッ
チング処理装置を追加するだけで、従来の裏面処理装置
を流用することができ、過大な設備投資をする必要がな
いので、ますます半導体チップを安価に製造できるとい
う優れた効果がある。
【図１】この発明の半導体ウエハの裏面処理方法の工程
図である。
図である。
【図２】この発明の半導体ウエハの裏面処理装置の概念
図である。
図である。
【図３】この発明の半導体ウエハの裏面処理方法及びそ
の装置を説明するために用いる一部半導体ウエハの断面
図である。
の装置を説明するために用いる一部半導体ウエハの断面
図である。
【図４】従来技術の半導体ウエハの裏面処理方法の工程
図である。
図である。
【図５】従来技術の半導体ウエハの裏面処理装置の概念
図である。
図である。
１ 半導体ウエハ ２ レエジスト膜 ３ 保護テープ １０Ａ 半導体ウエハの裏面処理装置 １１ ステージ １２ 粗砥石 １３ ステージ １４ 仕上砥石 １５ スピンナー １６ 注水用ノズル １７ 空気ノズル ２０ エッチング用ノズル
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウエハの表面に保護テープを貼り、
該保護テープを貼った半導体ウエハを、その保護テープ
側からステージに取り付けて、その半導体ウエハの裏面
を研削砥石で研削し、その後、該研削した半導体ウエハ
を回転させながら、その裏面を化学エッチングし、その
後、該化学エッチングした半導体ウエハを回転させなが
ら純水で洗浄し、そして更に洗浄した半導体ウエハを回
転させながら空気を吹きつけて乾燥させ、所望の厚さの
半導体ウエハを得ることを特徴とする半導体ウエハの裏
面処理方法。 - 【請求項２】第１の回動ステージとこれと対向して配置
された粗研削用回転砥石と、第２の回動ステージとこれ
と対向して配置された仕上研削用砥石と、共通のスピン
ナーとこれに対向して配置されたエッチング用ノズル、
純水用ノズル及び空気用ノズルとから構成されたことを
特徴とする半導体ウエハの裏面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056792A JPH05226308A (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056792A JPH05226308A (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226308A true JPH05226308A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12307411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3056792A Pending JPH05226308A (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226308A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4411409A1 (de) * | 1994-03-31 | 1995-10-05 | Siemens Ag | Verfahren zum Rückseiten-Dünnen von strukturierten Wafern |
| EP1091394A3 (en) * | 1999-10-04 | 2002-01-09 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Method for manufacturing thin semiconductor chips |
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