JPH05226699A - Light emitting element - Google Patents
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- JPH05226699A JPH05226699A JP2912692A JP2912692A JPH05226699A JP H05226699 A JPH05226699 A JP H05226699A JP 2912692 A JP2912692 A JP 2912692A JP 2912692 A JP2912692 A JP 2912692A JP H05226699 A JPH05226699 A JP H05226699A
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、高輝度で単色性に優れた多層構
造の発光素子を提供することにある。
【構成】 この発明は、発光領域となるPN接合層とP
N接合層を挟んでPN接合層で発光した光を反射する反
射層との積層構造を含み、PN接合層で得られた光をP
N接合層の端面から取り出す発光ダイオード2と、PN
接合層の接合面に対して略平行に発光ダイオード2を載
置する載置部材3a,3bと、少なくとも発光ダイオー
ド2を封止する光透過性の外囲器5とから構成される。
(57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to provide a light emitting device having a multi-layer structure with high brightness and excellent monochromaticity. According to the present invention, a PN junction layer and a P serving as a light emitting region are formed.
It includes a laminated structure with a reflection layer that reflects the light emitted from the PN junction layer with the N junction layer interposed therebetween, and the light obtained from the PN junction layer is converted into P
A light emitting diode 2 taken out from the end face of the N junction layer, and a PN
The mounting members 3a and 3b for mounting the light emitting diode 2 substantially parallel to the bonding surface of the bonding layer and the light-transmissive envelope 5 for sealing at least the light emitting diode 2 are configured.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、発光ダイオードにお
ける発光層の端面から光を取り出して放出する発光素子
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device which extracts light from an end face of a light emitting layer in a light emitting diode and emits the light.
【0002】[0002]
【従来の技術】表示用光源等に使用される従来の発光ダ
イオード(LED)ランプとしては、例えば図8に示す
ようなものがある。2. Description of the Related Art As a conventional light emitting diode (LED) lamp used for a display light source or the like, there is, for example, one shown in FIG.
【0003】図8において、LEDランプ101は、半
導体発光ダイオード102と、この発光ダイオード10
2を載置するとともに通電路も兼ねるリードフレーム1
03と、発光ダイオード102とリードフレーム103
とを電気的に接続するワイヤ104と、発光ダイオード
102及びリードフレーム103の一部を封止する光透
過性の外囲器105とを備えている。発光ダイオード1
02は、性能向上の観点から、PN接合を含む多層構造
のものが多用されている。In FIG. 8, an LED lamp 101 includes a semiconductor light emitting diode 102 and a light emitting diode 10 thereof.
A lead frame 1 on which the 2 is placed and which also serves as the energizing path
03, light emitting diode 102 and lead frame 103
A wire 104 that electrically connects the light emitting diode 102 and the lead frame 103 is provided, and a light-transmissive envelope 105 that seals part of the lead frame 103 is provided. Light emitting diode 1
In order to improve the performance, 02 has a multi-layer structure including a PN junction and is often used.
【0004】このようなLEDランプ101において、
発光ダイオード102のPN接合で得られた光は、一旦
略均一に発散する。発散した光は、多層構造における光
学的界面にて屈折、反射を繰り返すことになる。その
後、様々な径路を経て発光ダイオード102の界面に達
し、外部四方へと放散されていく。In such an LED lamp 101,
The light obtained at the PN junction of the light emitting diode 102 once diverges substantially uniformly. The diverged light is repeatedly refracted and reflected at the optical interface in the multilayer structure. After that, the light reaches the interface of the light emitting diode 102 through various paths and is diffused to the outside in four directions.
【0005】このようにして、発光ダイオード102か
ら外部に取り出される光は、発光ダイオード102の各
層の光吸収における波長選択性のため、通過した径路に
より波長分布が様々に変化する。特に、光吸収率の大き
い活性層内を長距離進んで端面の活性層近傍から外部へ
放射される光は、他の径路を進む光に比べて波長分布が
長波長側へ変動する傾向にある。In this way, the light extracted from the light emitting diode 102 has various wavelength distributions depending on the path through which it passes due to the wavelength selectivity in light absorption of each layer of the light emitting diode 102. In particular, the light that travels a long distance in the active layer having a large light absorption rate and is emitted to the outside from the vicinity of the active layer on the end face tends to have a wavelength distribution that fluctuates toward the longer wavelength side than light that travels along other paths. ..
【0006】このため、上述した発光ダイオード102
にあっては、積層構造の端面から横方向へ放射される光
と、上下方向から放射される光とでは波長が異なること
になり、発光色にバラツキが生じていた。Therefore, the light emitting diode 102 described above is used.
In this case, the light emitted in the lateral direction from the end face of the laminated structure and the light emitted in the vertical direction have different wavelengths, which causes variations in the emission color.
【0007】また、上述した発光ダイオード102から
取り出される光は四方へ放射されるため、全ての放射光
を有効に使用することが極めて困難であった。Further, since the light extracted from the light emitting diode 102 described above is emitted in all directions, it is extremely difficult to effectively use all the emitted light.
【0008】さらに、PN接合近傍で得られた光のう
ち、積層方向(上下方向)へ進行する光は、最外層に形
成された電極によって吸収されるため、光の取り出し効
率が低くなっていた。このことは、電極を最外層の一方
側にのみ設けた場合であっても、電極による光の吸収は
生じていた。Further, of the light obtained in the vicinity of the PN junction, the light traveling in the stacking direction (vertical direction) is absorbed by the electrode formed in the outermost layer, so that the light extraction efficiency is low. .. This means that light absorption by the electrode occurred even when the electrode was provided only on one side of the outermost layer.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
図8に示すような多層構造の発光ダイオードを備えたL
EDランプにあっては、発光ダイオードで得られた光の
ダイオード内における進行径路が不特定となるため、発
光波長の波長分布に広がりが生じ、単色性が損なわれる
という不具合を招いていた。As described above,
L having a multi-layered light emitting diode as shown in FIG.
In the ED lamp, the traveling path of the light obtained by the light emitting diode in the diode is unspecified, so that the wavelength distribution of the emission wavelength is broadened and the monochromaticity is impaired.
【0010】また、発光ダイオードで得られた光が四方
に放散されるとともに、電極による光の吸収により光の
取り出し効率が低くなるため、高輝度の実現が極めて困
難であった。Further, since the light obtained by the light emitting diode is diffused in all directions and the light extraction efficiency is lowered due to the absorption of the light by the electrodes, it is extremely difficult to realize high brightness.
【0011】そこで、この発明は、上記に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、高輝度で単色
性に優れた多層構造の発光素子を提供することにある。Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting device having a multi-layer structure, which has high brightness and excellent monochromaticity.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、発光領域となるPN接合層とPN接合
層を挟んでPN接合層で発光した光を反射する反射層と
の積層構造を含み、PN接合層で得られた光をPN接合
層の端面から取り出す発光ダイオードと、PN接合層の
接合面に対して略平行に発光ダイオードを載置する載置
部材と、少なくとも発光ダイオードを封止する光透過性
の外囲器とから構成される。In order to achieve the above object, the present invention is a laminate of a PN junction layer which becomes a light emitting region and a reflection layer which reflects light emitted from the PN junction layer with the PN junction layer sandwiched therebetween. A light emitting diode including a structure, which extracts light obtained from the PN junction layer from an end surface of the PN junction layer, a mounting member for mounting the light emitting diode substantially parallel to the junction surface of the PN junction layer, and at least the light emitting diode And a light-transmissive envelope that seals.
【0013】[0013]
【作用】上記構成において、この発明は、発光ダイオー
ドのPN接合層の端面から光を取り出すことにより、発
光ダイオード内での光の進行径路を限定するとともに、
光吸収体を避けて光を取り出すようにしている。In the above structure, the present invention limits the traveling path of light in the light emitting diode by extracting the light from the end face of the PN junction layer of the light emitting diode.
I try to avoid the light absorber and take out the light.
【0014】[0014]
【実施例】以下、図面を用いてこの発明の実施例を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0015】図1はこの発明の一実施例に係るLEDラ
ンプの構造を示す断面図であり、図2は図1に示す発光
ダイオードの構造を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of an LED lamp according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing the structure of the light emitting diode shown in FIG.
【0016】図1において、LEDランプ1は、図2に
示す多層構造の発光ダイオード2が、平坦なリードフレ
ーム3a上に積層面と載置面が略平行となるように載置
されて、ワイヤ4によりリードフレーム3bと接続結線
され、発光ダイオード2及びリードフレーム3a,3b
の一部が樹脂からなる外囲器5により封止されて構成さ
れている。Referring to FIG. 1, in the LED lamp 1, the multi-layered light emitting diode 2 shown in FIG. 2 is mounted on a flat lead frame 3a such that the stacking surface and the mounting surface are substantially parallel to each other, and a wire is formed. 4 is connected and connected to the lead frame 3b by the light emitting diode 2 and the lead frames 3a and 3b.
Is partially sealed by an envelope 5 made of resin.
【0017】発光ダイオード2は、図2に示すように、
n−GaAs基板11上に、n−GaAsからなるバッ
ファ層12、n−GaAlP層とn−InAlP層とが
交互にそれぞれ20層程度積層されてなる光反射層1
3、n−InGaAlPからなるクラッド層14、In
GaAlPからなり発光層となる活性層15、P−In
GaAlPからなるクラッド層16、P−InAlP層
とP−InGaAlP層とが交互にそれぞれ20層程度
積層されてなる光反射層17、P−GaAsからなるコ
ンタクト層18が順に積層され、n−GaAs基板11
とP−GaAsからなるコンタント層18にそれぞれ電
極19が形成されて構成されている。The light emitting diode 2 is, as shown in FIG.
A buffer layer 12 made of n-GaAs, and a light reflection layer 1 in which about 20 layers each of an n-GaAlP layer and an n-InAlP layer are alternately laminated on an n-GaAs substrate 11.
3, clad layer 14 made of n-InGaAlP, In
Active layer 15 made of GaAlP and serving as a light emitting layer, P-In
A cladding layer 16 made of GaAlP, a light-reflecting layer 17 made by alternately laminating about 20 layers of P-InAlP layers and P-InGaAlP layers, and a contact layer 18 made of P-GaAs are laminated in order, and an n-GaAs substrate is formed. 11
And an electrode 19 is formed on each of the contact layers 18 made of P-GaAs.
【0018】このような多層構造の発光ダイオード2
は、一方の電極19が銀エポキシ等の導電性の接着剤に
よりリードフレーム3aに接着されて載置される。リー
ドフレーム3aに載置接着された発光ダイオード2は、
他方の電極19とリードフレーム3bとが例えば金のワ
イヤ4の熱圧着ボンディングにより接続結線される。リ
ードフレーム3aに載置されリードフレーム3bと結線
された発光ダイオード2は、光透過性のエポキシ樹脂が
充填された鋳型用治具に挿入されて熱硬化される。熱硬
化後、鋳型用治具を取り外して、発光ダイオード2をリ
ードフレーム3a,3bの一部とともに、樹脂からなり
照射方向にレンズが一体形成された外囲器5により封止
し、リードフレーム3a,3bを所望の形状に切断成形
して完成する。The light emitting diode 2 having such a multilayer structure
The one electrode 19 is mounted by being attached to the lead frame 3a with a conductive adhesive such as silver epoxy. The light emitting diode 2 mounted and adhered on the lead frame 3a is
The other electrode 19 and the lead frame 3b are connected and connected by, for example, thermocompression bonding of a gold wire 4. The light-emitting diode 2 placed on the lead frame 3a and connected to the lead frame 3b is inserted into a mold jig filled with a light-transmissive epoxy resin and heat-cured. After heat curing, the jig for the mold is removed, and the light emitting diode 2 is sealed together with a part of the lead frames 3a and 3b by an envelope 5 made of resin and having a lens integrally formed in the irradiation direction. , 3b are cut and formed into desired shapes to complete.
【0019】このようにして製造されるLEDランプ1
は、発光ダイオード2の活性層15で得られた光が、活
性層15を挟むように配置形成された反射層13,17
によって反射され、活性層15内に閉じ込められながら
活性層15中を進行し、活性層15の端面から発光ダイ
オード2の外部に取り出される。このようにして、発光
ダイオード2の四方の端面から放射された光は、封止樹
脂中を進行し、その一部が封止樹脂と外気との界面にお
いて屈折し、先頭部に形成されたレンズにより主照射方
向に集光されて、外部に照射される。The LED lamp 1 manufactured in this way
Is the reflection layers 13 and 17 in which the light obtained in the active layer 15 of the light emitting diode 2 is arranged so as to sandwich the active layer 15.
The light is reflected by the active layer 15, travels in the active layer 15 while being confined in the active layer 15, and is extracted from the end surface of the active layer 15 to the outside of the light emitting diode 2. In this way, the light emitted from the four end faces of the light emitting diode 2 travels in the sealing resin, and a part of the light is refracted at the interface between the sealing resin and the outside air, and the lens formed at the front part The light is focused in the main irradiation direction and is irradiated to the outside.
【0020】このように、発光ダイオード2で得られた
光は、すべて活性層15の端面から取り出されるため、
光の進行径路が限定されて発光波長が揃えられる。した
がって、放射光における波長分布の方位依存性が少なく
なり、単色性が向上される。As described above, since all the light obtained by the light emitting diode 2 is extracted from the end face of the active layer 15,
The traveling path of light is limited and the emission wavelengths are aligned. Therefore, the azimuth dependence of the wavelength distribution in the emitted light is reduced, and the monochromaticity is improved.
【0021】また、電極による光の吸収がないため、光
の取り出し効率が高められ、高輝度を実現することがで
きる。Further, since the electrodes do not absorb the light, the light extraction efficiency is enhanced and high brightness can be realized.
【0022】図3乃至図7はこの発明の他の実施例に係
るLEDランプの構造を示す断面図である。なお、図3
乃至図7に示す実施例のLEDランプでは、図1に示し
たと同一の発光ダイオード2を使用しており、図1と同
符号のものは同一物である。3 to 7 are sectional views showing the structure of an LED lamp according to another embodiment of the present invention. Note that FIG.
In the LED lamp of the embodiment shown in FIG. 7 to FIG. 7, the same light emitting diode 2 as that shown in FIG. 1 is used, and the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same.
【0023】図3に示す実施例の特徴とするところは、
発光ダイオード2を載置するリードフレーム21に、発
光ダイオード2の一部周囲を放物状に囲み、壁面が放物
面となる反射面22を設け、発光ダイオード2から取り
出された光のうち、主照射方向と逆方向へ取り出された
光を主照射方向側へ反射させるようにしたことにある。
このような実施例にあっては、集光性が改善されて主照
射方向への光量を増大させることができるようになる。The feature of the embodiment shown in FIG. 3 is that
In the lead frame 21 on which the light emitting diode 2 is mounted, a part of the light emitting diode 2 is parabolically surrounded and a reflection surface 22 whose wall surface is a parabolic surface is provided. The light emitted in the direction opposite to the main irradiation direction is reflected toward the main irradiation direction.
In such an embodiment, the light converging property is improved and the amount of light in the main irradiation direction can be increased.
【0024】図4に示す実施例の特徴とするところは、
図3に示した実施例に対して、反射面23の壁面を載置
面に対して垂直となるようにしたことにある。このよう
な実施例にあっては、載置面に対して略平行方向のみの
集光性が改善される。発光ダイオード2から取り出され
た光は載置面に対して略平行方向に進行するので、載置
面に対して略平行方向のみの集光性が改善された場合で
あっても、図3に示した実施例と同等の効果を得ること
ができる。The feature of the embodiment shown in FIG. 4 is that
It differs from the embodiment shown in FIG. 3 in that the wall surface of the reflecting surface 23 is perpendicular to the mounting surface. In such an embodiment, the light converging property in the direction substantially parallel to the mounting surface is improved. Since the light extracted from the light-emitting diode 2 travels in a direction substantially parallel to the mounting surface, even if the light-collecting property in the direction substantially parallel to the mounting surface is improved, as shown in FIG. It is possible to obtain the same effect as that of the embodiment shown.
【0025】図5に示す実施例の特徴とするところは、
発光ダイオード2が載置されるリードフレーム24を折
り曲げることにより反射面25を設けたことにある。こ
のような実施例にあっても、上記実施例と同様な効果が
得られるとともに、反射面が容易に形成でき、安価で生
産性の高い反射面を備えたLEDランプを提供すること
ができる。The feature of the embodiment shown in FIG. 5 is that
The reflecting surface 25 is provided by bending the lead frame 24 on which the light emitting diode 2 is mounted. Even in such an embodiment, it is possible to provide an LED lamp provided with a reflection surface which is inexpensive and highly productive, while providing the same effects as those of the above-mentioned embodiment and having a reflection surface easily formed.
【0026】図6に示す実施例の特徴とするところは、
外囲器26に凸状のレンズを設け、そのレンズは球体又
は楕円体の一部で、かつその中心が発光ダイオード2に
おける活性層15の略延長面上に位置するように形成し
たことにある。The feature of the embodiment shown in FIG. 6 is that
A convex lens is provided on the envelope 26, and the lens is formed so as to be a part of a sphere or an ellipsoid, and the center of the lens is located on a substantially extended surface of the active layer 15 in the light emitting diode 2. ..
【0027】図7に示す実施例の特徴とするところは、
外囲器27に凸状のレンズを設け、そのレンズは円柱又
は楕円柱の一部で、かつその中心軸が発光ダイオード2
における活性層15の面に対して略垂直となるように形
成したことにある。The feature of the embodiment shown in FIG. 7 is that
A convex lens is provided on the envelope 27, and the lens is a part of a cylinder or an elliptic cylinder, and the central axis thereof is the light emitting diode 2.
It is formed so as to be substantially perpendicular to the surface of the active layer 15 in.
【0028】図6又は図7に示した実施例にあっては、
主照射方向への集光性が改善され、輝度を高めることが
できるようになる。In the embodiment shown in FIG. 6 or 7,
The light converging property in the main irradiation direction is improved, and the brightness can be increased.
【0029】なお、図6又は図7に示す実施例は、前述
した実施例と組合せて実施するようにしてもよい。The embodiment shown in FIG. 6 or 7 may be carried out in combination with the above-mentioned embodiment.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、発光ダイオードにおけるPN接合層の端面から電極
を避けて外部に光を取り出すようにしたので、光の進行
径路が限定されて、発光波長が揃えられ、単色性が改善
される。さらに、電極による光の吸収がないため、高輝
度を実現することができる。As described above, according to the present invention, the light is extracted to the outside from the end face of the PN junction layer in the light emitting diode while avoiding the electrode, so that the traveling path of the light is limited and the light is emitted. The wavelengths are aligned and monochromaticity is improved. Further, since the electrodes do not absorb light, high brightness can be realized.
【0031】また、反射面又は外囲器にレンズを設ける
ことにより、集光性が改善されて、輝度の向上に寄与す
ることが可能となる。Further, by providing a lens on the reflecting surface or the envelope, the light converging property is improved and it is possible to contribute to the improvement of the brightness.
【図1】この発明の一実施例に係わる発光素子の構造を
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a structure of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す発光素子における発光ダイオードの
構造を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a structure of a light emitting diode in the light emitting element shown in FIG.
【図3】この発明の他の実施例に係わる発光素子の構造
を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a structure of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図4】この発明の他の実施例に係わる発光素子の構造
を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a structure of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図5】この発明の他の実施例に係わる発光素子の構造
を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a structure of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図6】この発明の他の実施例に係わる発光素子の構造
を示す図である。FIG. 6 is a view showing a structure of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図7】この発明の他の実施例に係わる発光素子の構造
を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a structure of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図8】従来の発光素子の構造を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a structure of a conventional light emitting device.
1 発光素子 2 発光ダイオード 3a,3b,21,24 リードフレーム 4 ワイヤ 5,26,27 外囲器 11 GaAs基板 12 バッファ層 13,17 光反射層 14,16 クラッド層 15 活性層 18 コンタクト層 19 電極 22,23,25 反射面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting element 2 Light emitting diode 3a, 3b, 21, 24 Lead frame 4 Wire 5, 26, 27 Envelope 11 GaAs substrate 12 Buffer layer 13, 17 Light reflection layer 14, 16 Clad layer 15 Active layer 18 Contact layer 19 Electrode 22,23,25 Reflective surface
Claims (6)
を挟んでPN接合層で発光した光を反射する反射層との
積層構造を含み、PN接合層で得られた光をPN接合層
の端面から取り出す発光ダイオードと、 PN接合層の接合面に対して略平行に発光ダイオードを
載置する載置部材と、 少なくとも発光ダイオードを封止する光透過性の外囲器
とを有することを特徴とする発光素子。1. A laminated structure of a PN junction layer which becomes a light emitting region and a reflective layer which reflects the light emitted from the PN junction layer with the PN junction layer sandwiched between the PN junction layer and the light obtained from the PN junction layer. A light emitting diode that is taken out from the end face of the device, a mounting member that mounts the light emitting diode substantially parallel to the bonding surface of the PN junction layer, and a light-transmissive envelope that seals at least the light emitting diode. Characteristic light emitting element.
した光の一部を反射する反射部材が設けられてなること
を特徴とする請求項1記載の発光素子。2. The light emitting device according to claim 1, wherein the mounting member is provided with a reflecting member that reflects a part of the light emitted from the light emitting device.
囲を放物状に囲み、反射面が放物面又は載置面と垂直な
面からなることを特徴とする請求項2記載の発光素子。3. The reflection member surrounds a part of the light emitting element in a parabolic shape, and the reflection surface is a parabolic surface or a surface perpendicular to the mounting surface. Light emitting element.
折り曲げてなる段差状の反射面が設けられてなることを
特徴とする請求項1記載の発光素子。4. The light emitting device according to claim 1, wherein the mounting member is provided with a stepped reflecting surface formed by bending a part of the mounting member.
てなることを特徴とする請求項1,2,3又は4記載の
発光素子。5. The light emitting device according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the envelope is provided with a convex lens.
円体の一部あるいは円柱の一部周面又は楕円柱の一部周
面の形状をなすことを特徴とする請求項5記載の発光素
子。6. The convex lens has a shape of a part of a sphere, a part of an ellipsoid, a part of a cylinder, or a part of an elliptic cylinder. Light emitting element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2912692A JPH05226699A (en) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | Light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2912692A JPH05226699A (en) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | Light emitting element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226699A true JPH05226699A (en) | 1993-09-03 |
Family
ID=12267611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2912692A Pending JPH05226699A (en) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | Light emitting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226699A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162673A (en) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Rohm Co Ltd | Light emitting diode lamp |
| JP2017034221A (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 宏齊科技股▲ふん▼有限公司 | Portable light-emitting device that does not require use of a standby power source and light-emitting diode sealing structure thereof |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP2912692A patent/JPH05226699A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162673A (en) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Rohm Co Ltd | Light emitting diode lamp |
| JP2017034221A (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 宏齊科技股▲ふん▼有限公司 | Portable light-emitting device that does not require use of a standby power source and light-emitting diode sealing structure thereof |
| US10084123B2 (en) | 2015-07-31 | 2018-09-25 | Harvatek Corporation | Portable light-emitting device without pre-stored power sources and LED package structure thereof |
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