JPH05226704A - 熱電装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱電変換効率が高く、小型・軽量で安価な熱
電装置およびその製造方法の提供を目的とする。 【構成】 一方の絶縁板１１の一面に少なくとも１対の
突起９を設け、１対の突起９間にパターニングされた電
極膜１２を設け、１対の突起９の一方の頂部の電極膜１
２上にＰ型熱電半導体膜１３、他方の頂部の電極膜１２
上にＮ型熱電半導体膜１４を設け、Ｐ型熱電半導体膜１
３およびＮ型熱電半導体１４上に１対となる対向電極膜
１５を設け、対向電極膜１５に接して１対の取り出し電
極膜１６を設け、１対の取り出し電極１６が他方の絶縁
板１９の一面に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ペルチェ効果により電
気的に吸熱または放熱を行う冷却・加熱装置、またはゼ
ーベック効果により温度差を利用して発電を行う発電装
置などに用いる熱電装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の熱電装置は、図１２に示すよう
に、金属板１および２によってＮ型熱電半導体３および
Ｐ型熱電半導体４を挟み込み、それらを交互に電電気的
に直列に、かつ熱的に並列に配列し、端子５と端子６間
に電位を与えると、一方の金属板が冷却され、他方が加
熱される。７は絶縁板である。（例えば、上村、西田著
「熱電半導体とその応用」日刊工業新聞社（１９８８）
ｐ．３９）このような熱電装置の製造方法は、以下のよ
うに行われている。

【０００３】熱電半導体としてはＢｉ−Ｔｅ系化合物が
主に用いられており、溶製，焼結などの製法を用いてＰ
型およびＮ型のブロックが作製され、その熱電半導体の
ブロックをダイヤモンド・カッターなどを用いて所定の
バルク形状に成形する。熱電半導体の形状は角柱状と円
柱状が一般的である。その大きさは、角柱状で最も小さ
な場合でも、１．４mm×１．４mm×１．７mm程度の大き
さを有する。金属板には銅板が用いられる。そして、多
数の金属板によって、Ｐ型熱電半導体４とＮ型熱電半導
体３を交互に挟み込み、電気的に直列に接続し、かつ熱
的に並列に接続した構成となるように、熱電半導体と金
属板をＢｉ−Ｓｎ系共晶合金などで直接半田付けして接
合されていた。

【０００４】冷却能力の拡大は、熱電半導体の設置個数
を増加させることにより、また冷却部と発熱部の温度差
の拡大は図１２に示した装置を多段に積層することによ
って行われていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の熱電装置およびその製造方法では、下記の
問題があった。 （１）溶製，焼結などの製法により作製したバルクの熱
電半導体は、その性能を向上させることが困難であり、
効率が低かった。 （２）熱電半導体は脆い材料であるため、所定のバルク
形状（例えば、１．４mm×１．４mm×１．７mm程度に成
形する際に、角部が欠け易く、歩留まりが非常に低かっ
た。 （３）上記のような非常に小さな大きさで、多数（約２
００個程度）の熱電半導体を大きさのばらつきなく、し
かもＰ型とＮ型を交互に正確に配列することが困難であ
るため、歩留まりが非常に低かった。 （４）上記の製造上の課題のため、熱電半導体の大きさ
を小さくできず、そのため、熱電半導体の厚さが１mm以
下であるような薄い熱電装置を作製することは困難であ
った。 （５）製造工程が連続的でなく、個々の部品をそれぞれ
作製して組み立てるため、大量に製造する場合、時間と
手間がかかり製造コストを下げることが困難であった （６）希少金属を大量に使用するため、材料コストが高
くなり、熱電装置の重量および容積が大きくなる。 （７）カスケード方式により積層し、低温と高温の温度
差を大きくしようとすると、厚みが増加し、重量が増加
していた。

【０００６】本発明は、上記の問題を解決し、熱電変換
効率が高く、小型・軽量で安価な熱電装置およびその製
造方法の提供を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の熱電装置は、一方の絶縁板の一面に少なく
とも１対の突起を設け、その１対の突起間にパターニン
グされた電極膜を設け、上記１対の突起の一方の頂部の
電極膜上にＰ型熱電導体膜，他方の頂部の電極膜上にＮ
型熱電半導体膜を設け、そのＰ型熱電半導体膜およびＮ
型熱電半導体膜上に１対となる対向電極膜を設け、その
対向電極膜に接してパターニングされた１対の取り出し
電極膜を設け、その１対の取り出し電極膜が他方の絶縁
板の一面に設けられている構成とする。

【０００８】

【作用】上記の構成によれば、熱的非平衡状態のもとで
作製した性能の高い熱電半導体膜と熱絶縁の良好な熱電
装置が構成できることによる。

【０００９】

【実施例】（実施例１）以下に本発明の第１の実施例を
添付図面に基づいて説明する。

【００１０】図１は本実施例の要部拡大縦断面図であ
る。同図において、８はその表面に突起９を機械加工な
どの方法により作製した一方のアルミニウム基板であ
る。１対の突起９は高さ１mm、頂部口０．１mm、底部口
１mmの四角錘であり、２．２mmピッチで形成されてい
る。一方のアルミニウム基板８の一面には、電気絶縁膜
として厚さ３０μｍのポリイミド樹脂フィルム１０が設
けられて一方の絶縁板１１を形成している。さらに、そ
の上面には、パターニングされた電極膜１２（厚さ７０
μｍ）が設けられている。電極膜１２は、隣合う１対の
突起９の頂部同志を電気的に直列に接続し、他の突起の
頂部に設けられた電極膜とは絶縁されるようにパターニ
ングされている。１対の突起９の頂部の電極膜１２上に
は、真空蒸着、溶射などの手法用いてマスキングしなが
らＰ型熱電半導体膜１３とＮ型熱電半導体膜１４を設
け、そのＰ型熱電半導体膜１３およびＮ型熱電半導体膜
１４上に１対となる対向電極膜１５を設け、その対向電
極膜１５に接して１対の取り出し電極膜１６を設け、そ
の１対の取り出し電極膜１６が厚さ３０μｍのポリイミ
ド樹脂フィルムの絶縁膜１７を介して他方のアルミニウ
ム板１８からなる他方の絶縁板１９の一面に設けられて
いる。

【００１１】熱電半導体膜１３および１４の製膜の際に
は、その膜１３と１４を交互に電気的に直列になるよう
なマスクパターンを採用し、取り出し電極膜１６は熱的
に並列によるようにパターニングされている。

【００１２】図２は本実施例の平面図でり、図１の熱電
半導体膜を多数設け、取り出し電極膜１６は最終的に引
出し電極２０および２０′に接続されている。図３は図
２のＸ−Ｘ′線に沿った縦断面図、図４は同じく要部拡
大横断面図である。

【００１３】以上のように構成された熱電装置におい
て、引出し電極２０，２０′の間に直流電圧を印加すれ
ば、Ｐ型熱電半導体膜１３Ｎ型熱電半導体膜１４，電極
膜１２および取り出し電極膜１６の界面でペルチェ効果
により吸熱もしくは発熱が生じる。その結果、熱電装置
の上下絶縁板の一方で冷却、他方で加熱を行なうことが
できる。すなわち、電気と熱の直接変換が可能となる。

【００１４】なお、この時絶縁板の一方は低温、他方は
高温となり、両板間に温度差が生じるが、絶縁板１１上
に高さ１mmの突起９を設け、絶縁板１１と絶縁板１９の
間の距離を約１mmとしたことにより、高温側絶縁板から
低温側絶縁板へその間に存在する空気を介した熱伝導に
よる熱損失はほとんど無視できる。

【００１５】以上のように本実施例によれば、熱電半導
体を熱的非平衡状態のもとで作製した性能の高い薄膜と
することにより熱電装置の効率を従来に比べ著しく高く
することができる。

【００１６】また、真空蒸着などの製膜プロセスを用い
て、マスキングしながら電極膜上に熱電半導体を一括製
膜できるため、微細な膜形状の熱電半導体膜を位置精度
良く、しかも形状のばらつきが少なく形成することが可
能となる。さらに、熱電半導体を高密度に実装するた
め、単位面積あたりの吸熱量を増加させることが可能と
なり、発熱密度の大きな装置の冷却にも熱電装置が使用
できるようになる。

【００１７】さらに、熱電材料を薄膜としたため、使用
するＢｉ，Ｔｅなどの希少金属の量が僅かとなり、材料
コスト費ひいては熱電装置のコストを低減することがで
きる。

【００１８】以上、本実施例の熱電装置を冷却装置とし
て用いた場合について説明してきたが、この構成を有す
る熱電装置はゼーベック効果を利用して熱を電気に変換
する発電装置として利用できることは言うまでもない。

【００１９】図５および図６により本実施例の熱電装置
の製造方法を説明する。まず、図５（ａ）に示すよう
に、２mm厚さの一方のアルミニウム板１８を機械加工し
て、１mm厚さのアルミニウム板８上に高さ１mm、頂部口
０．１mm、底部口１mmの大きさの多数の四角錘の突起９
を２．２mmピッチで形成する。

【００２０】次に、（ｂ）に示すように、厚さ７０μｍ
の銅箔２１上にポリアミド樹脂溶液を塗布し、硬化させ
て、厚さ３０μｍのポリイミド樹脂フィルムの絶縁膜１
０を形成する。

【００２１】次に、（ｃ）に示すように、銅箔２１をリ
ソグラフィ工法を用いて所定の形状にパターニングし、
絶縁膜１０上に電極膜１２を形成する。

【００２２】次に、（ｄ）に示すように、（ａ）で作製
した突起９を設けたアルミニウム板８を雄のプレス型と
し、突起９に対応した雌のプレス型２２を用いて、電極
膜１２を設けたポリイミド樹脂フィルムの絶縁膜１０を
プレス加工する。その際、突起９を設けたアルミニウム
板８の表面にエポキシ系の接着剤を塗布している。その
結果、（ｅ）に示すような、アルミニウム板８上に電極
膜１２を設けたポリイミド樹脂フィルムの絶縁膜１０を
熱的に接合したものを形成することができる。なお、電
極膜１２は、隣合う２つの突起の頂部同志を電気的に直
列に接続し、他の突起の頂部に形成された電極膜とは絶
縁されるようにパターニングされている。

【００２３】次に、図６（ａ）に示すように、突起９の
頂部の電極膜１２上に真空蒸着、溶射などの手法を用い
てマスキングしながらＰ型熱電半導体膜１３とはＮ型熱
電半導体膜１４を製膜する。熱電半導体膜の形状は約縦
１００μｍ×横１００μｍ×厚さ１０μｍである。熱電
半導体膜は、Ｐ型熱電半導体膜１３とＮ型熱電半導体膜
１４が交互になるように製膜している。

【００２４】次に、（ｂ）に示すように、熱電半導体膜
上に銅薄膜の方向電極膜１５（約１μｍ厚さ）を同様の
方法を用いて製膜する。

【００２５】次に、図５（ｂ）〜（ｄ）で示したのと同
様な方法により、他方のアルミニウム板１８の一方の表
面にも、パターニングされた取り出し電極膜１６を形成
したポリイミド樹脂フィルムの絶縁膜１７を熱的に接着
し、図６（ｃ）に示す上部の基板を作製する。

【００２６】最後に、アルミニウム板１８の一方の面に
形成した取り出し電極膜１６上に所定のパターンのクリ
ーム半田層を印刷した後、取り出し電極膜１６と、Ｐ型
熱電半導体膜１３およびＮ型熱電半導体膜１４上に形成
した対向電極膜１５が接触するように組み合わせ、昇温
して半田層を硬化して、電気的接合を確保している。こ
のようにして、図６（ｄ）に示すように、製膜された全
てのＰ型熱電半導体膜１３とＮ型熱電半導体膜１４が電
気的に直列で、かつ熱的に並列であるような熱電装置を
作製することができる。

【００２７】なお、本実施例では、銅箔２１上にポリア
ミド樹脂溶液を塗布し、硬化させて、ポリイミド樹脂フ
ィルムの絶縁膜１０を形成することにより、銅箔２１と
ポリイミド樹脂フィルムの絶縁膜１０の積層物を作製し
たが、同様な構成を有する市販の銅張り積層板を用いて
も良い。

【００２８】以上のように、本実施例によれば、真空製
膜プロセスを用いて、マスキングしながら電極膜上にＰ
型熱電半導体膜およびＮ型熱電半導体膜を一括製膜でき
るため、所定の膜形状の熱電半導体を位置精度良く、し
かも形状のばらつき少なく形成することが可能となる。
その結果、熱電装置を歩留まり良く、低コストで大量に
製造することが可能である。さらに、製造プロセスの大
面積化が容易であり、連続プロセスで行うことができる
ため、量産性に優れ、製造コストを下げることが可能と
なる。また、真空製膜プロセスを用いるため、熱電半導
体膜の結晶成長面を制御することが容易となり、熱電材
料の性能を一層高めることができる。

【００２９】（実施例２）図７は本発明の第２の実施例
の要部拡大縦断面図である。

【００３０】同図において、１対のアルミニウム板１８
ａ，１８ｂは厚さ１mmであり、その１対のアルミニウム
板１８ａ，１８ｂの一面には、厚さ３０μｍのポリイミ
ド樹脂フィルムの絶縁膜１０ａ，１０ｂが形成され、絶
縁板１９ａ，１９ｂを構成している。そして一方の絶縁
板１９ａの一方の面上にはパターニングされた電極膜２
３が、他方の絶縁板１９ｂの一方の面上には同様にして
取り出し電極膜２４（いずれも厚さ７０μｍ、幅１．４
mm、長さ３．６mm）が形成されている。一方の絶縁板１
９ａ上に形成した電極膜２３の上に間隔２．２mmで少な
くとも１対の突起状の銅製の電極部２５を設け、１対の
電極部２５を電気的に接合している。この電極部２５は
高さ１mm、頂部０．１mm角、底部１mm角の四角錘であ
る。この電極部２５上には、真空蒸着、溶射などの手法
を用いてマスキングしながらＰ型熱電半導体膜２６およ
びＮ型熱電半導体膜２７を製膜し、さらにその上面には
銅薄膜の対向電極膜２８を同様の方法を用いて製膜して
いる。熱電半導体膜の製膜の際には、隣合う電極部２５
において、Ｐ型熱電半導体膜２６とＮ型熱電半導体膜２
７が交互になるようなマスクパターンを採用した。そし
て、Ｐ型熱電半導体膜２６およびＮ型熱電半導体膜２７
上に設けられた銅薄膜の対向電極膜２８と、他方の絶縁
板１９ｂの一面に設けられた取り出し電極膜２４が電気
的に接合するように組み立てられている。なお、電極膜
２３および取り出し電極２４は、製膜されたすべてのＰ
型熱電半導体膜２６とＮ型熱電半導体膜２７が電気的に
直列に、かつ熱的に並列になるようにパターニングされ
ている。

【００３１】第１の実施例と異なる点は、熱電半導体膜
をその上に形成する電極部２５を薄膜ではなく、銅製の
四角錘ブロックとした点である。

【００３２】以上のように構成された熱電装置に電流を
流せば、Ｐ型熱電半導体膜２６，Ｎ型熱電半導体膜２
７，２５および銅薄膜の対向電極膜２８の界面でペルチ
ェ効果により吸熱もしくは発熱が生じる。その結果、熱
電装置の上下絶縁板の一方で冷却、他方で加熱を行なう
ことができる。すなわち、電気と熱の直接変換が可能と
なる。

【００３３】以上のように本実施例によれば、熱電半導
体として、熱的非平衡状態のもとで作製した性能の高い
熱電半導体を用いることにより、熱電装置の効率を従来
に比べ著しく高くすることが可能となる。

【００３４】また、電極部２５を四角錘の銅製とし、電
流の流路断面積を増加させたため、電極部が薄膜である
場合に比べ、電極部におけるジュール発熱による熱損失
量を低減することができる。したがって、熱電装置の吸
熱量を増加させることが可能となり、一層、熱電装置の
効率を高くすることができる。

【００３５】また、第１の実施例と同様に、熱電半導体
を高密度に実装することによる単位面積あたりの冷却能
力の増加および使用する熱電材料の量が僅かとなること
によるコストの低減を図ることができる。

【００３６】図７および図８により本実施例の熱電装置
の製造方法を説明する。まず、図８（ａ）に示すよう
に、厚さ７０μｍの銅箔２１上にポリアミド樹脂溶液を
塗布し、硬化させて、厚さ３０μｍのポリイミド樹脂フ
ィルムの絶縁膜１０ａを形成する。

【００３７】次に、（ｂ）に示すように、銅箔２１をリ
ソグラフィ工法を用いて所定の形状にパターニングし、
ポリイミド樹脂フィルムの絶縁膜１０ａ上に電極膜２３
（厚さ７０μｍ、幅１．４mm、長さ３．６mm）を形成す
る。

【００３８】次に（ｃ）に示すように、アルミニウム板
１８ａの面にエポキシ系の接着剤を塗布した後、電極膜
２３を設けたポリイミド樹フィルムの絶縁膜１０ａを設
置し、硬化させて、両者を熱的に接合して一方の絶縁板
１９ａを製造する。

【００３９】次に、（ｄ）に示すように、電極膜２３の
上に、間隔２．２mmで少なくも１対の突起状の銅製の電
極部２５を設置し、両者を電気的に接合する。電極部２
５は高さ１mm、頂部０．１mm角、底部１mm角の四角錘の
銅ブロックであり、機械的に加工して作製している。そ
して、作製した四角錘の銅ブロックを所定の位置に四角
錘の凹部を形成した雌型（図示せず）上で配置させた
後、一括して電極膜２３の上に配置させる。なお、電極
膜２３上には予めクリーム半田を塗布している。その
後、昇温して、電極膜２３と四角錘の銅製の電極部２５
を電気的に接合する。

【００４０】次に、（ｅ）に示すように、四角錘の電極
部２５の頂部には、真空蒸着，溶射などのに手法を用い
てマスキングしながらＰ型熱電半導体膜２６およびＮ型
熱電半導体膜２７を製膜する。熱電半導体膜２６および
２７の形状は約縦１００μｍ×横１００μｍ×厚さ１０
μｍである。熱電半導体膜は、Ｐ型熱電半導体膜２６と
Ｎ型熱電半導体膜２７が交互になるように製膜してい
る。

【００４１】さらに、図９（ａ）に示すように、熱電半
導体膜上に銅薄膜の対向電極膜２８（約１μｍ厚さ）を
上記と同様の方法を用いて製膜する。

【００４２】次に、図８（ａ）〜図８（ｃ）で示したの
と同様な方法により、他方のアルミニウム板１８ｂの面
にも、パターニングされた取り出し電極膜２４を形成し
たポリイミド樹脂フィルムの絶縁膜１０ｂを熱的に接着
し、図９（ｂ）に示す上部基板を作製する。

【００４３】最後に、上部基板上に形成した取り出し電
極膜２４上に所定のパターンのクリーム半田層を印刷し
た後、取り出し電極膜２４と銅薄膜の対向電極膜２８が
接触するように組み合わせ、昇温して半田層を硬化し
て、電気的接合を確保する。このようにして、図９
（ｃ）に示すように、製膜されたすべてのＰ型熱電半導
体膜２６とＮ型熱電半導体膜２７が電気的に直列で、か
つ熱的に並列であるような熱電装置を作製することがで
きる。

【００４４】以上のように、本実施例によれば、基板を
機械加工することなく銅製の突起を絶縁板上に配置し
て、加熱するだけで容易に絶縁板上に突起を形成するこ
とができるため、一層、量産性に優れ、製造コストを下
げることが可能となる。

【００４５】（実施例３）図１０は本発明の第３の実施
例の縦断面図である。

【００４６】本実施例では、第１および第２の実施例で
示した２枚の上下絶縁板に挟まれた構成を有する熱電装
置を、熱的接触を確保しながら３段に積層したものであ
る。第１段目の熱電装置の上部の絶縁板２９は第２段目
の熱電装置の下部の絶縁板として用い、また第２段目の
熱電装置の上部の絶縁板３０は、第３の段目の熱電装置
の下部の絶縁板として用いている。そして、上段になる
ほど、１枚の絶縁板上に形成される熱電半導体膜の数、
すなわち熱電素子の数を少なくしている。なお、各段の
熱電装置に用いる熱電半導体膜の材料を、各段の温度に
おいて材料の性能指数が高くなるように変化させてい
る。すなわち、１段目および２段目にはＢｉ−Ｔｅ系材
料を、３段目にはＢｉ−Ｓｂ系材料を用いた。

【００４７】以上のように構成された熱電装置に電流を
流せば、熱電装置の最上部の絶縁板３１と最下部の絶縁
板３２の間に生じる温度差は、第１段から第３段のそれ
ぞれの熱電装置で発生する温度差の総和となる。

【００４８】したがって、本実施例では、第１および第
２の実施例で述べた効果に加えて、薄い熱電装置を複数
枚積層することによって、熱電装置全体として発生する
温度差を増大できるという効果が得られる。また、各段
で用いる熱電半導体をその温度域で性能が高くなる材料
としたため、効率よく大きな温度差が得られる。

【００４９】さらに、熱電半導体を薄膜としたため、熱
電装置全体の厚さを薄くすることが可能となり、コンパ
クト熱電装置を実現できる。

【００５０】（実施例４）図１１は本発明の第４の実施
例の縦断面図である。

【００５１】本実施例では、図１０に示した熱電装置の
下部に熱交換手段（放熱手段）として水冷のための冷却
路３３を設けた放熱器３４を設置している。すなわち、
図１０の熱電装置の最下部の絶縁板３２の他面に放熱器
３４を熱伝導性接着剤で接着して熱的に接触させてい
る。

【００５２】このような構成とすることにより、発熱部
における放熱をより効率よく行うことが可能となり、冷
却効果をより高めることができる。

【００５３】なお、第１の実施例における突起９および
第２の実施例における電極部２５の形状は四角錘とした
が、先細りの柱状構造であれば、いかなる形状の断面で
あっても同様の効果が得られる。

【００５４】また、絶縁板をアルミニウム板の表面上に
絶縁膜を形成したもので説明したが、アルミなどの絶縁
板を用いてもよい。

【００５５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、熱的非平
衡状態のもとで作製した性能の高い熱電半導体膜を用い
るため、従来より熱電変換効率が高く、小型・軽量で安
価な熱電装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における熱電装置の要部
拡大縦断面図

【図２】同実施例における平面図

【図３】同実施例における縦断面図

【図４】同実施例における要部拡大横断面図

【図５】（ａ）〜（ｅ）同実施例の前半の製造工程図

【図６】（ａ）〜（ｄ）同実施例の後半の製造工程図

【図７】本発明の第２の実施例における要部拡大縦断面
図

【図８】（ａ）〜（ｅ）同実施例の前半の製造工程図

【図９】（ａ）〜（ｃ）同実施例の後半の製造工程図

【図１０】第３の実施例の縦断面図

【図１１】第４の実施例の縦断面図

【図１２】従来の熱電装置の斜視図

【符号の説明】

９ 突起 １１，１９，１９ａ，１９ｂ，２９，３０，３１，３２
絶縁板 １２，２３ 電極膜 １３，２６ Ｐ型熱電半導体膜 １４，２７ Ｎ型熱電半導体膜 １５，２８ 対向電極膜 １６，２４ 取り出し電極膜 ２５ 電極部 ３４ 放熱器（熱交換手段）

フロントページの続き (72)発明者 行天 久朗 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の絶縁板の一面に少なくとも１対の
   突起を設け、その１対の突起間にパターニングされた電
   極膜を設け、上記１対の突起の一方の頂部の電極膜上に
   Ｐ型熱電半導体膜、他方の頂部の電極膜上にＮ型熱電半
   導体膜を設け、そのＰ型熱電半導体膜およびＮ型熱電半
   導体膜上に１対となる対向電極膜を設け、その対向電極
   膜に接してパターニングされた１対の取り出し電極膜を
   設け、その１対の取り出し電極膜が他方の絶縁板の一面
   に設けられている熱電装置。
2. 【請求項２】 一方の絶縁板上にパターニングされた電
   極膜を設け、その電極膜上に少なくとも１対の電極部を
   設け、前記１対の電極部の一方の頂部にＰ型熱電半導体
   膜、他方の頂部にＮ型熱電半導体膜を設け、そのＰ型熱
   電半導体膜およびＮ型熱電半導体膜上に１対となる対向
   電極膜を設け、その対向電極膜に接してパターニングさ
   れた１対の取り出し電極膜を設け、その１対の取り出し
   電極膜が他方の絶縁板の一面に設けられている熱電装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の熱電装置を２層
   以上積層した熱電装置。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載の熱電装置の
   一方の絶縁板の他面に熱的に接触した熱交換手段を設け
   た熱電装置。
5. 【請求項５】 一方の絶縁板の一面に少なくとも１対の
   突起を形成する工程と、上記一面上にパターニングされ
   た電極膜を形成する工程と、上記１対の突起の一方の頂
   部の電極膜上にＰ型熱電半導体膜、他方の頂部の電極膜
   上にＮ型熱電半導体膜を形成する工程と、上記Ｐ型熱電
   半導体膜およびＮ型熱電半導体膜上に対向電極膜を形成
   する工程と、他方の絶縁板の一面上にパターニングされ
   た取り出し電極膜を形成する工程と、上記一方の絶縁板
   の一面と上記他方の絶縁板の一面を電気的に接合させる
   工程とからなる熱電装置の製造方法。
6. 【請求項６】 一方の絶縁板の一面にパターニングされ
   た電極膜を形成する工程と、上記電極膜上に少なくとも
   １対の電極部を形成する工程と、前記１対の電極部の一
   方の頂部にＰ型熱電半導体膜、他方の頂部にＮ型熱電半
   導体膜を形成する工程と、上記Ｐ型熱電半導体膜および
   Ｎ型熱電半導体膜上に対向電極膜を形成する工程と、他
   方の絶縁板の一面上にパターニングされた取り出し電極
   膜を形成する工程と、上記一方の絶縁板の一面と上記他
   方の絶縁板の一面を電気的に接合させる工程とからなる
   熱電装置の製造方法。