JPH05234557A - 電子線量測定装置 - Google Patents
電子線量測定装置Info
- Publication number
- JPH05234557A JPH05234557A JP4069825A JP6982592A JPH05234557A JP H05234557 A JPH05234557 A JP H05234557A JP 4069825 A JP4069825 A JP 4069825A JP 6982592 A JP6982592 A JP 6982592A JP H05234557 A JPH05234557 A JP H05234557A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- sample
- electron beam
- dose
- crystallinity
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、透過電子線顕微鏡の電子線量測定装
置に係り、試料の結晶性を数値で具体的に測定し、ま
た、電子線回折像の撮影に対応可能な露出計に関する。 【構成】電子顕微鏡鏡体１に、試料５の影響を受けずに
透過した電子線６と、内部で回折した電子線７を別々に
測定する透過電子線量測定子１１，回折電子線量測定子
１２が設けられており、各測定子１１，１２は、電流計
１３，１４に接続され、さらに演算回路１５及び露出計
１７に接続されている。演算回路１５は、演算処理した
値を表示する表示部１６に接続されている。
置に係り、試料の結晶性を数値で具体的に測定し、ま
た、電子線回折像の撮影に対応可能な露出計に関する。 【構成】電子顕微鏡鏡体１に、試料５の影響を受けずに
透過した電子線６と、内部で回折した電子線７を別々に
測定する透過電子線量測定子１１，回折電子線量測定子
１２が設けられており、各測定子１１，１２は、電流計
１３，１４に接続され、さらに演算回路１５及び露出計
１７に接続されている。演算回路１５は、演算処理した
値を表示する表示部１６に接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透過形電子顕微鏡の電
子線量測定装置に係り、特に、試料の結晶性の測定や露
出計の性能向上などに関する。
子線量測定装置に係り、特に、試料の結晶性の測定や露
出計の性能向上などに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置では、試料の影響を受けずに
透過した電子線量と、試料によって回折または散乱した
電子線量を分離して測定することは配慮されていなかっ
た。従って、試料の結晶性を調べる場合は、試料から得
られる電子線回折像を観察し、その回折像の模様を観察
者が肉眼で観察して判断していた。そのため、観察者に
よって、または観察した時によってその結晶性の判断に
は差が生じ、結果は抽象的なものでしかなかった。さら
に、結晶性の差が非常に小さい場合は、その差を見極め
るのは難しくあいまいな結果しか得られなかった。ま
た、電子線回折像の撮影の際に、全透過電子線量を測定
していたため、例えば、回折電子線だけに最適なフィル
ム露光量の設定は不可能であった。
透過した電子線量と、試料によって回折または散乱した
電子線量を分離して測定することは配慮されていなかっ
た。従って、試料の結晶性を調べる場合は、試料から得
られる電子線回折像を観察し、その回折像の模様を観察
者が肉眼で観察して判断していた。そのため、観察者に
よって、または観察した時によってその結晶性の判断に
は差が生じ、結果は抽象的なものでしかなかった。さら
に、結晶性の差が非常に小さい場合は、その差を見極め
るのは難しくあいまいな結果しか得られなかった。ま
た、電子線回折像の撮影の際に、全透過電子線量を測定
していたため、例えば、回折電子線だけに最適なフィル
ム露光量の設定は不可能であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、試料
の結晶性を測定する点について配慮がされておらず、試
料の結晶性を判断するのに観察者による差及び観察する
時による差が生じ結晶性を確定できないという問題があ
った。
の結晶性を測定する点について配慮がされておらず、試
料の結晶性を判断するのに観察者による差及び観察する
時による差が生じ結晶性を確定できないという問題があ
った。
【０００４】また、電子線回折像撮影の際の回折電子線
の最適露光量の設定についても配慮がされておらず、撮
影者が見当をつけて露光量を設定したり、条件を変えて
何枚も撮影しなければならず無駄が多かった。
の最適露光量の設定についても配慮がされておらず、撮
影者が見当をつけて露光量を設定したり、条件を変えて
何枚も撮影しなければならず無駄が多かった。
【０００５】本発明の目的は、試料の結晶性を数値でと
らえ、具体的に把握することにより、結晶性の測定をよ
り確実にすることにある。また、電子線回折像の撮影の
際、最適露光量を回折電子線に対し適切に設定すること
にある。
らえ、具体的に把握することにより、結晶性の測定をよ
り確実にすることにある。また、電子線回折像の撮影の
際、最適露光量を回折電子線に対し適切に設定すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、試料の影響
を受けずに透過した電子線量を測定する透過電子線量測
定子と電流計、また、試料により回折、散乱した電子線
量を測定する回折電子線量測定子とその電流計を設ける
ことにより、それぞれの電子線量を同時に、別々に測定
し、目的に応じてそれらを演算処理し、または、そのま
ま露出計の入力として用いることによって達成される。
を受けずに透過した電子線量を測定する透過電子線量測
定子と電流計、また、試料により回折、散乱した電子線
量を測定する回折電子線量測定子とその電流計を設ける
ことにより、それぞれの電子線量を同時に、別々に測定
し、目的に応じてそれらを演算処理し、または、そのま
ま露出計の入力として用いることによって達成される。
【０００７】
【作用】試料を透過した電子線量を測定するために、試
料側から見て、電子線回折像の結像位置の後方に透過電
子線量測定子と回折電子線量測定子を設置する。各測定
子の位置に目的とする電子線が入るようにするために
は、結像レンズで電子線回折像の拡大率を調整するとい
う操作で行なわれ、この操作は、通常の像の観察の際行
なわれており実施上の問題はない。各測定子に入射した
電子線量は、それぞれ別個の電流計により測定される。
各測定値は、目的により演算回路または、露出計に入力
される。例えば、試料の結晶性を測定する場合は、各測
定値は演算回路に入り、その比を算出し、表示部で表示
する。一般に結晶性が高い物質の電子線回折像は、回折
点の輝度が高いが、結晶性が低い物質の電子線回折像
は、輝度が低い。ここで、試料を透過した電子線量を
Ａ、試料により回折，散乱した電子線量をＢとすると、
Ｂ／Ａの値が、大きい程結晶性が高く、その値が小さい
程結晶性が低いので、比率を数値で表示することによっ
て明確に試料の結晶性を把握できる。
料側から見て、電子線回折像の結像位置の後方に透過電
子線量測定子と回折電子線量測定子を設置する。各測定
子の位置に目的とする電子線が入るようにするために
は、結像レンズで電子線回折像の拡大率を調整するとい
う操作で行なわれ、この操作は、通常の像の観察の際行
なわれており実施上の問題はない。各測定子に入射した
電子線量は、それぞれ別個の電流計により測定される。
各測定値は、目的により演算回路または、露出計に入力
される。例えば、試料の結晶性を測定する場合は、各測
定値は演算回路に入り、その比を算出し、表示部で表示
する。一般に結晶性が高い物質の電子線回折像は、回折
点の輝度が高いが、結晶性が低い物質の電子線回折像
は、輝度が低い。ここで、試料を透過した電子線量を
Ａ、試料により回折，散乱した電子線量をＢとすると、
Ｂ／Ａの値が、大きい程結晶性が高く、その値が小さい
程結晶性が低いので、比率を数値で表示することによっ
て明確に試料の結晶性を把握できる。
【０００８】また、電子線回折像の撮影に際しては、各
測定値は露出計に入力される。測定者は、透過電子線を
基準として撮影するか、または回折電子線を基準とする
かその目的により、測定値Ａ，Ｂの一方を選択して露出
計に入力することができる。これにより、電子線回折像
の撮影の際の最適露光量を容易に設定することができ
る。
測定値は露出計に入力される。測定者は、透過電子線を
基準として撮影するか、または回折電子線を基準とする
かその目的により、測定値Ａ，Ｂの一方を選択して露出
計に入力することができる。これにより、電子線回折像
の撮影の際の最適露光量を容易に設定することができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。１は、電子顕微鏡の鏡体である。鏡体１内において
電子銃２から発せられた電子線３は、収束レンズ４の下
方に置かれた試料５に入射する。電子線３のうち試料５
の影響を受けずに透過した電子線６と試料５により回
折，散乱した電子線７は、対物レンズ８の後焦点面に電
子線回折像９を形成する。その電子線回折像９は、結像
レンズ１０に拡大され前記透過電子線６は、透過電子線
量測定子１１に入射し、前記回折電子線７は、回折電子
線量測定子１２に入射する。前記透過電子線量測定子１
１に電流計１３が、前記回折電子線量測定子１２に電流
計１４が接続され各々に流れる電流を読み取る。電流計
１３，１４の出力は演算回路１５、または、露出計１７
に伝達される。電流計１３で読み取った値をＡ、電流計
１４で読み取った値をＢとしたとき、演算回路１５で
は、Ｂ／Ａという演算が行なわれ、その値は、表示部１
６に表示される。図２は、非晶質の試料の電子線回折像
の一例、図３は、結晶質試料の電子線回折像の一例であ
る。図２の場合、透過電子線量Ａに対する回折電子線量
Ｂの割合は非常に小さい。一方図３の場合、Ａに対する
Ｂの割合は大きくなる。このように、Ｂ／Ａの値によっ
て、結晶性を測定することができる。
る。１は、電子顕微鏡の鏡体である。鏡体１内において
電子銃２から発せられた電子線３は、収束レンズ４の下
方に置かれた試料５に入射する。電子線３のうち試料５
の影響を受けずに透過した電子線６と試料５により回
折，散乱した電子線７は、対物レンズ８の後焦点面に電
子線回折像９を形成する。その電子線回折像９は、結像
レンズ１０に拡大され前記透過電子線６は、透過電子線
量測定子１１に入射し、前記回折電子線７は、回折電子
線量測定子１２に入射する。前記透過電子線量測定子１
１に電流計１３が、前記回折電子線量測定子１２に電流
計１４が接続され各々に流れる電流を読み取る。電流計
１３，１４の出力は演算回路１５、または、露出計１７
に伝達される。電流計１３で読み取った値をＡ、電流計
１４で読み取った値をＢとしたとき、演算回路１５で
は、Ｂ／Ａという演算が行なわれ、その値は、表示部１
６に表示される。図２は、非晶質の試料の電子線回折像
の一例、図３は、結晶質試料の電子線回折像の一例であ
る。図２の場合、透過電子線量Ａに対する回折電子線量
Ｂの割合は非常に小さい。一方図３の場合、Ａに対する
Ｂの割合は大きくなる。このように、Ｂ／Ａの値によっ
て、結晶性を測定することができる。
【００１０】あるいは、電子線回折像を撮影する際、透
過電子線６を基準に撮影するか回折電子線７を基準に撮
影するかにより、電流値Ａ，Ｂのうちどちらか一方を露
出計１７の入力とする。Ａ，Ｂどちらかに対応した適正
露光量を露出計１７が決定する。これにより、測定者
は、必要とする電子線回折像を確実に撮影できる。
過電子線６を基準に撮影するか回折電子線７を基準に撮
影するかにより、電流値Ａ，Ｂのうちどちらか一方を露
出計１７の入力とする。Ａ，Ｂどちらかに対応した適正
露光量を露出計１７が決定する。これにより、測定者
は、必要とする電子線回折像を確実に撮影できる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、透過電子線量に対する
回折電子線量の比から、試料の結晶性を数値で把握する
ことができる。また、透過電子線量と回折電子線量を別
々に測定することにより、電子線回折像撮影の際、適正
露光量を知ることができる。
回折電子線量の比から、試料の結晶性を数値で把握する
ことができる。また、透過電子線量と回折電子線量を別
々に測定することにより、電子線回折像撮影の際、適正
露光量を知ることができる。
【図１】一実施例の電子顕微鏡及び電子線量測定装置を
示す図である。
示す図である。
【図２】非晶質試料の電子線回折像の一例を示す図であ
る。
る。
【図３】結晶質試料の電子線回折像の一例を示す図であ
る。
る。
１…電子顕微鏡鏡体、２…電子銃、３…電子線、４…収
束レンズ、５…試料、６…透過電子線、７…回折電子
線、８…対物レンズ、９…電子線回折像、１０…結像レ
ンズ、１１…透過電子線量測定子、１２…回折電子線量
測定子、１３…電流計、１４…電流計、１５…演算回
路、１６…表示部、１７…露出計。
束レンズ、５…試料、６…透過電子線、７…回折電子
線、８…対物レンズ、９…電子線回折像、１０…結像レ
ンズ、１１…透過電子線量測定子、１２…回折電子線量
測定子、１３…電流計、１４…電流計、１５…演算回
路、１６…表示部、１７…露出計。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施例の電子顕微鏡及び電子線量測定装置を
示す図である。
示す図である。
【図２】非晶質試料の電子線回折像の写真である。
【図３】結晶質試料の電子線回折像の写真である。
【符号の説明】 １…電子顕微鏡鏡体、２…電子銃、３…電子線、４…収
束レンズ、５…試料、６…透過電子線、７…回折電子
線、８…対物レンズ、９…電子線回折像、１０…結像レ
ンズ、１１…透過電子線量測定子、１２…回折電子線量
測定子、１３…電流計、１４…電流計、１５…演算回
路、１６…表示部、１７…露出計。
束レンズ、５…試料、６…透過電子線、７…回折電子
線、８…対物レンズ、９…電子線回折像、１０…結像レ
ンズ、１１…透過電子線量測定子、１２…回折電子線量
測定子、１３…電流計、１４…電流計、１５…演算回
路、１６…表示部、１７…露出計。
Claims (1)
- 【請求項１】電子線を試料に照射するための収束レンズ
系と試料から出てくる電子線を拡大するための結像レン
ズを備えた透過形電子顕微鏡において、試料の影響を受
けずに透過した電子線量と試料によって回折または散乱
した電子線量の両者を、同時に、別々に測定する機能を
備えたことを特徴とする電子線量測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4069825A JPH05234557A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 電子線量測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4069825A JPH05234557A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 電子線量測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234557A true JPH05234557A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13413925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4069825A Pending JPH05234557A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 電子線量測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234557A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7285780B2 (en) | 2003-07-09 | 2007-10-23 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Detector system for a scanning electron microscope and a scanning electron microscope incorporating said detector system |
| WO2011046093A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、及び膜厚測定方法 |
| WO2014061690A1 (ja) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP4069825A patent/JPH05234557A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7285780B2 (en) | 2003-07-09 | 2007-10-23 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Detector system for a scanning electron microscope and a scanning electron microscope incorporating said detector system |
| WO2011046093A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、及び膜厚測定方法 |
| JP2011086470A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、及び膜厚測定方法 |
| US8680465B2 (en) | 2009-10-15 | 2014-03-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus and film thickness measurement method |
| WO2014061690A1 (ja) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
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