JPH05235254A - モノリシック集積回路 - Google Patents
モノリシック集積回路Info
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- JPH05235254A JPH05235254A JP3740692A JP3740692A JPH05235254A JP H05235254 A JPH05235254 A JP H05235254A JP 3740692 A JP3740692 A JP 3740692A JP 3740692 A JP3740692 A JP 3740692A JP H05235254 A JPH05235254 A JP H05235254A
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- JP
- Japan
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- temperature
- circuit
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- monolithic integrated
- amplifier
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】動作温度変化に対し安定に動作するモノリシッ
ク集積回路を得る。 【構成】モノリシック集積回路ペレット１の上に、温度
測定用素子４と発熱素子３とを設け、これらを含む温度
補償回路を構成する。 【効果】急激な温度変化に対し、時間遅れが少なく、低
消費電力による温度安定化が可能となる。
ク集積回路を得る。 【構成】モノリシック集積回路ペレット１の上に、温度
測定用素子４と発熱素子３とを設け、これらを含む温度
補償回路を構成する。 【効果】急激な温度変化に対し、時間遅れが少なく、低
消費電力による温度安定化が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はモノリシック集積回路に
関し、特にモノリシック集積回路の温度補償回路に関す
る。
関し、特にモノリシック集積回路の温度補償回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のモノリシック集積回路の温度補償
は、図４に示す様に破線で囲んだ安定化すべきモノリシ
ック集積回路１が封入されたパッケージ全体をプリント
基板上に設けた恒温槽１１内に、温度センサ１２と共に
収納していた。この恒温槽１１内に収納した発熱体１３
を温度センサからの温度情報により発熱量を制御しモノ
リシック集積回路１全体を一定温度としている。それ
は、増幅器の場合には利得が、発振器の場合には発振周
波数・出力レベル等が周囲温度の影響を受けにくくする
か、また、増幅器の利得の安定化等の場合には、モノリ
シック集積回路の近傍に温度センサを配置し、これより
モノリシック集積回路外部に設けた可変減衰器の減衰量
を制御する等の制御を行っていた。
は、図４に示す様に破線で囲んだ安定化すべきモノリシ
ック集積回路１が封入されたパッケージ全体をプリント
基板上に設けた恒温槽１１内に、温度センサ１２と共に
収納していた。この恒温槽１１内に収納した発熱体１３
を温度センサからの温度情報により発熱量を制御しモノ
リシック集積回路１全体を一定温度としている。それ
は、増幅器の場合には利得が、発振器の場合には発振周
波数・出力レベル等が周囲温度の影響を受けにくくする
か、また、増幅器の利得の安定化等の場合には、モノリ
シック集積回路の近傍に温度センサを配置し、これより
モノリシック集積回路外部に設けた可変減衰器の減衰量
を制御する等の制御を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のモノリシッ
ク集積回路の温度補償回路では、 （１）恒温槽のスペースが必要で小型化が困難である。 （２）モノリシック集積回路と温度センサの物理的大き
さの為に接近配置に限界があり、温度変化から制御完了
迄の時間遅れが大きく短時間の温度変動に対して追従性
能が悪い。 （３）恒温槽を加熱する容積が比較的大きく、大電力が
必要であるといった問題点があった。
ク集積回路の温度補償回路では、 （１）恒温槽のスペースが必要で小型化が困難である。 （２）モノリシック集積回路と温度センサの物理的大き
さの為に接近配置に限界があり、温度変化から制御完了
迄の時間遅れが大きく短時間の温度変動に対して追従性
能が悪い。 （３）恒温槽を加熱する容積が比較的大きく、大電力が
必要であるといった問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
制御応答性が良く、収容スペースの小形化を可能とした
モノリシック集積回路を提供するこのいある。
制御応答性が良く、収容スペースの小形化を可能とした
モノリシック集積回路を提供するこのいある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、半導体
基板上に回路素子配設して構成されたモノリシック集積
回路において、前記回路素子の近傍に設けられこの回路
素子の温度を測定する温度測定用素子と、この温度測定
用素子から得られる温度情報によりその発熱量が制御さ
れ前記半導体基板上に設けられた発熱体とを有すること
特徴とする。
基板上に回路素子配設して構成されたモノリシック集積
回路において、前記回路素子の近傍に設けられこの回路
素子の温度を測定する温度測定用素子と、この温度測定
用素子から得られる温度情報によりその発熱量が制御さ
れ前記半導体基板上に設けられた発熱体とを有すること
特徴とする。
【０００６】
【実施例】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例
を示す斜視図およびその外部フィードバック回路を含む
等価回路図である。
を示す斜視図およびその外部フィードバック回路を含む
等価回路図である。
【０００７】このモノリシック集積回路は、回路の基本
性能を決定する基本素子、例えば発振回路としての発振
素子、増幅回路の増幅素子などに相当するＦＥＴ素子２
とその他の回路素子とが、モノリシック集積回路ペレッ
ト１上に設けられている。またＦＥＴ素子２の近くに
は、温度測定用素子４が設けられており、引出し電極６
ａ，７ａで、図１（ｂ）に示す増幅器８に接続されてい
る。
性能を決定する基本素子、例えば発振回路としての発振
素子、増幅回路の増幅素子などに相当するＦＥＴ素子２
とその他の回路素子とが、モノリシック集積回路ペレッ
ト１上に設けられている。またＦＥＴ素子２の近くに
は、温度測定用素子４が設けられており、引出し電極６
ａ，７ａで、図１（ｂ）に示す増幅器８に接続されてい
る。
【０００８】図の破線内が図１（ａ）の等価回路であ
り、又温度測定素子４から得られた温度情報を増幅し
て、ペレット上の発熱素子３に電力を供給する増幅器８
が、３の引出し電極６ｂ，７ｂに接続されており、ＦＥ
Ｔ素子２の動作温度を一定とする様負帰還回路が構成さ
れている。なお、温度測定用素子４としては一例として
ダイオードがある。
り、又温度測定素子４から得られた温度情報を増幅し
て、ペレット上の発熱素子３に電力を供給する増幅器８
が、３の引出し電極６ｂ，７ｂに接続されており、ＦＥ
Ｔ素子２の動作温度を一定とする様負帰還回路が構成さ
れている。なお、温度測定用素子４としては一例として
ダイオードがある。
【０００９】図２は、参考の為に、図１のダイオード４
の立上り電圧の温度特性図を示し、その温度係数は大略
−２ｍＶ／℃である。ダイオードを用いた時の動作を説
明する。ＦＥＴ素子２の動作温度が、外部状態その他の
影響により例えば低下したとするとＦＥＴ素子２の立上
り電圧が上昇する。これを増幅素子８で増幅してその出
力電圧が上昇し、引出し電極６ｂ−７ｂ間に加わる電圧
が上昇し、発熱体素子３の発熱量が増加し、この影響を
受けＦＥＴ素子２の動作温度は結果的に上昇し、動作温
度を一定に保つ様になるから、その電気特性も安定化さ
れることになる。
の立上り電圧の温度特性図を示し、その温度係数は大略
−２ｍＶ／℃である。ダイオードを用いた時の動作を説
明する。ＦＥＴ素子２の動作温度が、外部状態その他の
影響により例えば低下したとするとＦＥＴ素子２の立上
り電圧が上昇する。これを増幅素子８で増幅してその出
力電圧が上昇し、引出し電極６ｂ−７ｂ間に加わる電圧
が上昇し、発熱体素子３の発熱量が増加し、この影響を
受けＦＥＴ素子２の動作温度は結果的に上昇し、動作温
度を一定に保つ様になるから、その電気特性も安定化さ
れることになる。
【００１０】図３は本発明の第２の実施例の示す回路図
である。破線内は、図１と同じモノリシック集積回路で
あるが、ここでは増幅器として説明する。９は信号出力
端子であり、外部に付加された電気信号により減衰量の
可変出来る可変減衰器である。
である。破線内は、図１と同じモノリシック集積回路で
あるが、ここでは増幅器として説明する。９は信号出力
端子であり、外部に付加された電気信号により減衰量の
可変出来る可変減衰器である。
【００１１】この回路の動作としては、ＦＥＴ素子２の
動作温度が低下しモノリシックＩＣ１の利得が上昇する
と、ダイオード４の立上り電圧が上昇し、これを増幅素
子８が増幅し、可変減衰器１０の減衰量を増大する様に
動作し、全体として利得変動を抑える様に働く。
動作温度が低下しモノリシックＩＣ１の利得が上昇する
と、ダイオード４の立上り電圧が上昇し、これを増幅素
子８が増幅し、可変減衰器１０の減衰量を増大する様に
動作し、全体として利得変動を抑える様に働く。
【００１２】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、モノリシッ
ク集積回路上の回路素子の同一ペレット上の近傍に温度
測定用素子と、動作温度補償用発熱体を配置したので、
早い温度変化に対する追従性が良くなり、また半導体ペ
レットのみの温度を安定化すれば良いので、低消費電力
化に出来、さらには恒温層を使わずに済むので装置を小
形化出来るという効果がある。
ク集積回路上の回路素子の同一ペレット上の近傍に温度
測定用素子と、動作温度補償用発熱体を配置したので、
早い温度変化に対する追従性が良くなり、また半導体ペ
レットのみの温度を安定化すれば良いので、低消費電力
化に出来、さらには恒温層を使わずに済むので装置を小
形化出来るという効果がある。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す
斜視図およびその外部回路を含めた等価的回路図。
斜視図およびその外部回路を含めた等価的回路図。
【図２】図１の温度測定用ダイオード素子４の温度特性
図。
図。
【図３】本発明の第２の実施例を示す外部回路を含めた
等価回路図。
等価回路図。
【図４】従来技術のモノリシック集積回路の一例を示す
回路図。
回路図。
１ モノリシック集積回路ペレット ２ ＦＥＴ素子 ３ 温度補償用発熱体素子 ４ 温度測定用ダイオード素子 ５，６ａ，７ａ，６ｂ，７ｂ 引出し電極 ８ 増幅素子 ９ モノリシック集積回路の信号出力端子 １０ 可変減衰器 １１ 恒温槽 １２ 恒温槽の温度測定素子 １３ 恒温槽の発熱素子
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に回路素子配設して構成さ
れたモノリシック集積回路において、前記回路素子の近
傍に設けられこの回路素子の温度を測定する温度測定用
素子と、この温度測定用素子から得られる温度情報によ
りその発熱量が制御され前記半導体基板上に設けられた
発熱体とを有すること特徴とするモノリシック集積回
路。 - 【請求項２】 発熱体が集積回路外に設けられた温度特
性補償回路により制御され、温度測定用素子が半導体基
板上に設けられたものである請求項１記載のモノリシッ
ク集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3740692A JPH05235254A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | モノリシック集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3740692A JPH05235254A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | モノリシック集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235254A true JPH05235254A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12496648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3740692A Pending JPH05235254A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | モノリシック集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235254A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7406397B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-07-29 | International Business Machines Corporation | Self heating monitor for SiGe and SOI CMOS devices |
| US8086358B2 (en) | 2007-07-11 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Method for pre-heating high power devices to enable low temperature start-up and operation |
| US8378271B2 (en) | 2007-07-11 | 2013-02-19 | International Business Machines Corporation | Utilization of overvoltage and overcurrent compensation to extend the usable operating range of electronic devices |
| US8785823B2 (en) | 2007-07-11 | 2014-07-22 | International Business Machines Corporation | Extending the operating temperature range of high power devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57121268A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP3740692A patent/JPH05235254A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57121268A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7406397B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-07-29 | International Business Machines Corporation | Self heating monitor for SiGe and SOI CMOS devices |
| US7862233B2 (en) | 2004-09-02 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Self heating monitor for SiGe and SOI CMOS devices |
| US8412487B2 (en) | 2004-09-02 | 2013-04-02 | International Business Machines Corporation | Self heating monitor for SiGe and SOI CMOS devices |
| US8086358B2 (en) | 2007-07-11 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Method for pre-heating high power devices to enable low temperature start-up and operation |
| US8378271B2 (en) | 2007-07-11 | 2013-02-19 | International Business Machines Corporation | Utilization of overvoltage and overcurrent compensation to extend the usable operating range of electronic devices |
| US8785823B2 (en) | 2007-07-11 | 2014-07-22 | International Business Machines Corporation | Extending the operating temperature range of high power devices |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980303 |