JPH0523698U - エレクトレツトコンデンサマイクロホンユニツト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 自動組立てを容易にする。 【構成】 アルミの筒状カプセル１１の前面板内面にエ
レクトレットフイルム２６が形成され、これと近接対向
して導電性振動膜２９が配され、その振動膜２９は導電
性保持体３２に保持され、保持体３２と両面配線基板２
４′のリング状導体パターン５１との間に必要に応じ導
電性筒状体３４′が介在される。インピーダンス変換用
ＩＣ素子２１が両面配線基板２４′上に実装される。Ｉ
Ｃ素子の入力端子２２はパターン５１より延長されたパ
ターン５２に半田付けされる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は、エレクトレットを用いたコンデンサマイクロホンユニットに関す る。

【０００２】

【従来の技術】

図４Ａに従来のホイルエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットを示す 。アルミニュウムの円筒状カプセル１１の前面に前面板１１ａが一体に形成され 、前面板１１ａに音孔１２が形成され、前面板１１ａの前面にクロス１３が張り 付けられている。前面板１１ａの内面の周縁部に金属製の振動膜リング１４が対 接されると共に電気的に接続され、その振動膜リング１４の前面板１１ａと反対 の面にエレクトレット振動膜１５が張り付けられている。エレクトレット振動膜 １５と高分子フイルム、例えば厚さ１2.５μm の比較的厚いＦＥＰ（Fluoro Eth ylene Propylene)フイルムの一面に金属が蒸着され、その高分子フイルムは分極 されており、その蒸着膜が振動膜リング１４に接して取り付けられている。

【０００３】 その振動膜１５にリング状スペーサ１６を介して背極１７が近接対向され、背 極１７は筒状の背極保持体１８の前面に保持されている。背極保持体１８の内部 で構成される背室１９内にインピーダンス変換用ＩＣ素子２１が配され、そのＩ Ｃ素子２１の入力端子２２は背極１７と接続され、出力端子２３および共通端子 （図示せず）はカプセル１１の背面より突出され、カプセル１１の背面を塞ぐ配 線基板２４の配線に接続される。配線基板２４の背面にカプセル１１の後方端部 が折り曲げられて、内部の各部が前面板１１ａに押し付けられて全体が固定され る。

【０００４】 図４Ｂに従来のバックエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットを示す 。図４Ａのホイルエレクトレット型では振動膜自体がエレクトレット化されてい るのに対して、バックエレクトレット型では背極１７の上面にエレクトレット高 分子フイルム２６が密着されている。即ち、背極１７の上面にエレクトレット材 として高分子フイルム、例えばＦＥＰフイルムを溶着または接着し、分極させて エレクトレット化している。

【０００５】 図５乃至図１０に示すのは、この考案を得る前の段階に提案されたフロントエ レクトレット型（導電性振動膜２９の前面に近接対向してエレクトレット高分子 フイルム２６が配され、背極がないものを言う）のものであり、以下順次説明す る。これらの図では図４と対応する部分に同じ符号を付してある。 図５のマイクロホン カプセル１１の前面板１１ａの内面にエレクトレット高分子フイルム２６が被 着される。例えば、図７Ａに示すように厚さ0.３〜0.３５mmのアルミニュウム板 ２７の片面に、高分子フイルム、例えばＦＥＰフイルム２８を１2.５〜２５μm 程度の厚さで連続熱溶着する。アルミニュウム板２７としては、ＪＩＳ：Ａ１１ ００Ｐで３４０℃〜４１０℃空冷または炉冷の焼なまし品が軟らかく後のプレス 加工での成形性がよい。またアルミニュウム板に化成処理をして表面に酸化膜を 形成し、高分子フイルム２６の接着強度が強くなるようにするとよい。同様にア ルミニュウム板２７の高分子フイルムが溶着されるべき面をコロナ放電処理して 高分子フイルム２６の接着力を大とすることができる。このアルミニュウム板２ ７に高分子フイルム２６を熱圧着ロールで連続的に溶着させることができる。

【０００６】 この高分子フイルム２６が被着されたアルミニュウム板２７を絞り金型でプレ ス加工して、図７Ｂに示すようにＦＥＰフイルム２８を内側としてカプセル１１ に成形すると同時に、カプセルの後端縁の高分子フイルム２６を0.８mm程度剥離 させてアルミの地肌を露出させ、かつカプセル１１の前面板とＦＥＰフイルム２ ８とに共通の音孔１２を形成する。次にＦＥＰフイルム２８のカプセル１１の前 面板１１ａの内面に被着されている部分に対し電子ビーム分極を行い、図７Ｃに 示すようにエレクトレット高分子フイルム２６を得る。

【０００７】 図５の説明に戻り、エレクトレット高分子フイルム２６の周縁部を除き、狭い 間隔、例えば２５〜４０μm をおいて対向して導電性振動膜２９が配される。導 電性振動膜２９としては、例えば厚さが２〜４μm の極めて薄いＰＥＴ（Polyes ter)フイルムまたはポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フイルムの一面にＮ ｉ，Ａｌなどを蒸着させて導電層を形成したものを用いることができる。前面板 １１ａがその周縁部を残して前方へわずか押し出されて浅い凹部３１とされ、エ レクトレット高分子フイルム２６の周縁部に導電性振動膜２９の周縁部が対接さ れて、凹部３１の深さと対応してエレクトレット高分子フイルム２６と導電性振 動膜２９との間に空隙が構成される。この凹部３１は図７Ｂ，Ｃで示していない が、カプセルをプレス加工により作る際に予め作っておく。

【０００８】 導電性保持体３２がカプセル１１内に収容され、導電性保持体３２の前面で導 電性振動膜２９を保持すると共に、互いに電気的に接続され、つまり導電性振動 膜２９の前記導電層が導電性保持体３２に対接され、かつ導電性振動膜２９の背 面に導電性保持体３２で背室１９が構成される。導電性保持体３２は例えば金属 の鍛造品よりなり、カプセル１１に嵌合する円筒状体部３２ａと、その内部を前 後に二分する隔壁部３２ｂとよりなる。この導電性保持体３２の前面にエポキシ 系導電性接着剤を塗り、これに張力を与えられた導電性振動膜２９をその導電層 側で接着させる。隔壁部３２ｂと導電性振動膜２９との間が背室１９となる。カ プセル１１内の内周面に高分子フイルム２８が被着されているため、導電性保持 体３２はカプセル１１と電気的に絶縁される。

【０００９】 配線基板２４でカプセル１１の背面が塞がれる。この例では導電性保持体３２ の背面に配線基板２４が対接され、配線基板２４の背面にカプセル１１の後方端 部が折り曲げられて、保持体３２，配線基板２４が前面板１１ａに押し付けられ て固定される。配線基板２４と隔壁部３２ｂとの間にインピーダンス変換用ＩＣ 素子２１が配され、ＩＣ素子２１の入力端子２２は隔壁部３２ｂに接続され、出 力端子２３および共通端子（図示せず）は配線基板２４の外側に導出されて、そ の出力用配線および共通配線にそれぞれ接続される。またカプセル１１の折り曲 げられた内端縁が配線基板２４の裏面周縁の共通配線に接続される。

【００１０】 この構成によれば、前面より到来した音響信号に応じて振動膜２９が振動して 導電性振動膜２９と前面板１１ａとの間の静電容量が変化し、コンデンサマイク ロホンとして作用する。 導電性振動膜２９として高分子フイルムの両面に導電層を形成したものを用い てもよい。この場合、その両導電層を電気的に接続する。導電性保持体３２とし てはその全体を金属材で構成する場合に限らず、絶縁材で必要な形状とし、その 絶縁材の表面に金属メッキを施して導電性保持体としてもよい。エレクトレット 高分子フイルム２６と振動膜２９との間隔の形成のために前面板１１ａから保持 体３２側に適当な間隔で凸部を設け、凹部３１を省略してもよい。前面板１１ａ の前面はクロスを張り付けてもよい。

【００１１】 図６のマイクロホン 図６Ａに、図５と対応する部分に同一符号を付けて示すように、導電性保持体 ３２として軸が短いもの、例えは図４に示した従来品の振動膜リング１４と同一 のものを用い、導電性保持体３２と配線基板２４との間に絶縁材、例えばＡＢＳ 樹脂からなる筒状体３４を介在させてもよい。この場合、筒状体３４の前面にく ぼみ３５を形成し、ＩＣ素子２１の入力端子２２の端部を折り曲げて、そのくぼ み３５内に配し、その入力端子２２の端部が筒状体３４の前面よりわずか前方に 位置している状態で、筒状体３４を導電性保持体３２に押し付けることにより、 入力端子２２が導電性保持体３２に弾性的に接触して電気的に接続されている。

【００１２】 また、この図６Ａに示すものでは凹部３１の形成の際に、カプセル１１の前面 板１１ａの外面は段を形成することなく平面とし、外観がよく、かつこの外面に 、アルミニュウムの地肌が光るのを目立たなくするために印刷したり、クロスを 張ったりする作業がし易い状態とされている。また、図５と同様に、カプセル１ １にプレス加工した際に同時に、カプセル１１の後方端部の高分子フイルム２８ を除去し、アルミニュウムの地肌を出しておき、このカプセル１１の後方端部を 配線基板２４の背面にかしめつけることにより、カプセル１１が配線基板２４の 裏面周縁の共通配線に自動的に接続されるようにされている。筒状体３４はその 背面側が一体に閉塞されているものを示しているが、背面が開放面とされていて もよい。カプセル１１内に振動膜２９を保持した保持体３２を入れ、その後、Ｉ Ｃ素子２１と配線基板２４と筒状体３４とを予め一体に組立てたものをカプセル １１内に入れるようにすることにより容易に組立てることができる。

【００１３】 カプセル１１の前面板１１ａの音孔１２の径と数とを選定して、マイクロホン の周波数特性における高域で、振動膜２９の共振周波数ｆ₀ によりピークが生じ るのをおさえることができる。例えば、カプセル１１の外径が9.３mm，振動膜２ ９の有効直径が7.０mmの場合、カプセル１１の軸心を中心とする直径が3.５mmの 円上に、直径が1.０mmの音孔１２を等角間隔で５個形成した場合、または0.８mm の音孔１２を等角間隔で６個形成した場合は、図６Ｂの曲線３６のように感度周 波数特性において高域でピークが生じる。しかし、0.８mmの音孔１２を５個とし た場合は、曲線３７のように高域のピークがなくなり平坦になる。なお、音孔１ ２の直径を更に小さくし、0.６mmのものを５個とするか、0.８mmのものを４個に すると曲線３８のように高域が下がり過ぎる。従って、直径0.８mmのものを５個 設ける場合が最もよい。

【００１４】 図８のマイクロホン 図８に示すように、保持体３２として振動膜２９を保持する部分を除き、振動 膜２９とわずかな間隔（例えば２０〜３０μm ）を保って保持体３２の内側を一 体に閉塞し、その閉塞部３２ａに音孔３９を形成し、この音孔３９の径と個数と により、高域の図６Ｂにおけるピークをおさえるようにしてもよい。この場合、 音１２としては大きめのもの、例えば1.０mmのものを５個形成して周波数特性に 影響しないようにする。

【００１５】 図６Ａおよび図８において、エレクトレット高分子フイルム２６を前面板１１ ａに対してのみ接着剤で接着し、カプセル１１の内周面の高分子フイルム２８を 省略することもできる。 図９および図１０のマクイロホン 図９Ａに示すように、円形アルミニュウム板４１の一面にＦＥＰフイルム４２ を溶着または接着により被着し、音孔１２をあけた後、ＦＥＰフイルム４２を分 極してエレクトレット高分子フイルム２６とし、図９Ｂに示すようにこのアルミ ニュウム板４１をアルミニュウムの筒状体４３の前面開口に圧入して一体化して カプセル１１としてもよい。

【００１６】 同様にアルミニュウム板４１の一面にエレクトレット高分子フイルム２６を形 成したものを図１０に示すように、筒状体４３の前面つば４３ａに対し、内面か ら圧入して押し付けて固定し、カプセル１１としてもよい。 上述において、振動膜２９の周縁部とエレクトレット高分子フイルム２６との 間にスペーサを介在させて、製品によるエレクトレット高分子フイルム２６の分 極強度のばらつきを補正してもよい。この場合、凹部３１を省略してもよい。

【００１７】 図４のホイルエレクトレット型では、エレクトレット振動膜１５を用いるため 、その厚さを１2.５μm 以下にすることが困難であり、それだけ感度を高くする ことができず、１ＫHzで−４５dBであったが、上述のフロントエレクトレット型 では振動膜２９はエレクトレット化する必要がないため厚さを例えば２μm と薄 くすることができ、図６Ａの構造で、１ＫHzで−３８dBと７dBも改善することが でき、その結果、Ｓ／Ｎも４５dB以上となり、従来品より５dB改善できる。他の フロントエレクトレット型の場合も同様の性能が期待できる。

【００１８】 またカプセルの内面にエレクトレット高分子フイルム２６を構成するため、そ の厚さを厚く、例えば２５μm とすることができ、それだけ製品による分極強度 のばらつきが小さく、かつ安定性がよいものとすることができる。

【００１９】

【考案が解決しようとする課題】

以上述べた従来のホイルエレクトレット型およびバックエレクトレット型のも のや、この考案を得る前の段階で提案されたフロントエレクトレット型のもので は、ＩＣ素子２１を自動的に組込み配線するのが困難な構造であり、マイクロホ ンユニットの製造を自動化する上で隘路となっていた。自動組立てができないた めに生産性が向上できず、コストダウンが図れなかった。この考案はこのような 現状に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＩＣ素子の組込み 配線も含めて、マイクロホンユニットの自動組立て可能な構造を提供しようとす るものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】

(1) 請求項１のエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットは、前面板に 音孔が形成された金属製の円筒状カプセルと、そのカプセルの上記前面板の内面 に被着され、上記音孔と連通した孔を有するエレクトレット高分子フイルムと、 その高分子フイルムと近接対向して配された導電性振動膜と、その導電性振動膜 の周縁部を保持する導電性保持体と、上記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、上 記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装されたインピーダンス変換用 ＩＣ素子とを具備する。

【００２１】 また上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、上記保持体の後端 面と対接する周縁の導体パターンと、その周縁の導体パターンより延長され、上 記ＩＣ素子の入力端子と接続される導体パターンとを有する。 (2) 上記保持体と上記配線基板との間に導電性の筒状体を介在させてもよい（ 請求項２と対応）。

【００２２】 (3) 請求項３のエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットは、前面板に 音孔が形成された金属製の円筒状カプセルと、そのカプセルの上記前面板の内面 に被着され、上記音孔と連通した孔を有するエレクトレット高分子フイルムと、 その高分子フイルムと近接対向して配された導電性振動膜と、その導電性振動膜 と上記高分子フイルムとの間隔を規定するリング状スペーサと、そのスペーサと 共に上記導電性振動膜の周縁部を挟む導電性筒状体と、上記カプセルの背面を塞 ぐ配線基板と、上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装されたイン ピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備する。

【００２３】 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、上記筒状体の後端面と 対接する周縁の導体パターンと、その周縁の導体パターンより延長され、上記Ｉ Ｃ素子の入力端子と接続される導体パターンとを有する。 (4) 請求項４のエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットは、前面板に 音孔が形成された金属製の円筒状カプセルと、そのカプセルの前面板と対向して 配されたエレクトレット振動膜と、そのエレクトレット振動膜の背面と近接対向 して配された背極と、その背極を前端部で保持する導電性筒状体と、上記カプセ ルの背面を塞ぐ配線基板と、上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実 装されたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備する。

【００２４】 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、上記保持体の後端面と 対接する周縁の導体パターンと、その周縁の導体パターンより延長され、上記Ｉ Ｃ素子の入力端子と接続される導体パターンとを有する。 (5) 請求項５のエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットは、前面板に 音孔が形成された金属製の円筒状カプセルと、そのカプセルの前面板と対向して 配された導電性振動膜と、その導電性振動膜の背面と近接対向して配された背極 と、その背極の前面に上記導電性振動膜と対向して形成されたエレクトレット高 分子フイルムと、上記背極を前端部で保持する導電性筒状体と、上記カプセルの 背面を塞ぐ配線基板と、上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装さ れたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備する。

【００２５】 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、上記保持体の後端面と 対接する周縁の導体パターンと、その周縁の導体パターンより延長され、上記Ｉ Ｃ素子の入力端子と接続される導体パターンとを有する。

【００２６】

【実施例】

この考案の実施例を図１乃至図３に、図４乃至図１０と対応する部分に同じ符 号を付し、重複説明を省略する。 図１Ａの実施例（請求項１と対応） 従来の技術の項で述べた例では、インピーダンス変換用ＩＣ素子２１は、入力 端子２２，出力端子２３および共通端子がリード線で構成されていた。また、配 線基板２４は片面プリント基板で、その裏面にのみ導体パターンが形成されてい た。これに対して、この考案では配線基板として両面配線基板２４′を用いる。 またＩＣ素子２１は薄型のチップタイプが望ましい。導電性振動膜２９とＩＣ素 子２１の入力端子２２とを電気的に接続するために、両面配線基板２４′の上面 の周縁にリング状導体パターン５１を形成し、その上に導電性保持体３２の後端 面が同軸心に重ねられる。リング状導体パターン５１より入力端子２２が半田付 けされるべき導体パターン５２が延長形成される。ＩＣ素子２１の出力端子２３ および共通端子２３′がそれぞれ半田付けされるべき導体パターン５３および５ ４はスルホールを通じて裏面の導体パターン５５および５６にそれぞれ接続され る。配線基板２４の裏面の周縁には、これまでの実施例と同様にリング状導体パ ターン５７が形成され、リング状導体パターン５７より共通配線パターン５８が 延長形成される。図示していないがＩＣ素子の共通端子２３′と接続される導体 パターン５６は共通配線パターン５８に接続されている。

【００２７】 量産ラインにおいては、ＩＣ素子２１はマウンター装置で両面配線基板２４′ の所定の位置に自動配置され、半田リフローにより自動的に半田付けされる。そ の際にスルホールは半田で埋められ、スルホールを通じる背室１９のエア抜けが 防止される。 この例では、前面板１１ａには、これまでの複数の円形の音孔１２の代わりに 、スリット孔１２′（例えば幅0.４mm，長さ2.０mm）が中央部に形成されている 。図１Ａのマイクロホンユニットを組立てるには、まずカプセル１１を分極し、 次に導電性振動膜２９を保持した導電性保持体３２を挿入し、次にＩＣ素子２１ を実装した両面配線基板２４′を挿入し、最後にカプセル１１の後端部をかしめ つける。これらの組立作業は自動化が容易に行える。

【００２８】 図１Ｂの実施例（請求項２と対応） 図１Ｂに示すように、導電性保持体３２と両面配線基板２４′との間に、導電 性筒状体３４′を介在させることもできる。 図２の実施例（請求項３と対応） 図２Ａの実施例では、カプセル１１の前方の内面に凹部３１を設けないで、リ ング状スペーサ１６がカプセル１１の前面板の背面のエレクトレット高分子フイ ルム２６と導電性振動膜２９との間に介在される。また導電性振動膜２９と両面 配線基板２４′との間に導電性筒状体３４′が配される。導電性振動膜２９はス ペーサ１６の後端面か、または導電性筒状体３４′の前端面のいずれかで保持さ れる。スペーサ１６によってエレクトレット高分子フイルム２６と導電性振動膜 ２９との間隙は所定の寸法に規定される。

【００２９】 図２Ａの変形例として図２Ｂ，Ｃに示すように、カプセル１１の前面を方形状 に内側に半抜きし、つまり僅かな段差をもって内側に押し込み、かつ、いずれか 一方の対向する二端縁に狭いスリット６１より成る音孔を形成して、前面板１１ ａとしている。この例の導電性振動膜２９は導電性筒状体３４′と対接する面に 導電層が形成されている。なお、導電性振動膜２９とエレクトレット高分子フイ ルム２６との間に空隙が形成されていることは勿論である。

【００３０】 図２Ａ，Ｂでは音孔として狭いスリットを用いているので、ゴミやリード線が 音孔に入り難くなり、振動膜２９に傷を付けるおそれがないので、前面板１１ａ に貼るクロスを省略できる。 図３Ａの実施例（請求項４と対応） 図１，図２の実施例がフロントエレクトレット型であるのに対して、図３Ａに 示すのは図４Ａのホイルエレクトレット型にこの考案を適用した場合である。導 電性筒状体３４′によって背極１７を保持している。背極１７と導電性筒状体３ ４′の外周面に絶縁リング６０を嵌合させて、これらがカプセル１１に接触しな いようにしている。

【００３１】 図３Ｂの実施例（請求項５と対応） 図３Ｂに示すのは、図４Ｂのバックエレクトレット型にこの考案を適用した場 合である。導電性振動膜２９とエレクトレット高分子フイルム２６を用いている 。他は図３Ａと同様である。

【００３２】

【考案の効果】

以上述べたように、この考案によれば、両面配線基板２４′を採用し、その上 面に、導電性保持体３２または導電性筒状体３４′と対接する周縁の導体パター ン５１とその導体パターン５１より延長された、ＩＣ素子２１の入力端子２２と 接続する導体パターン５２を形成し、ＩＣ素子２１を予め両面配線基板２４′の 上面に自動組込み配線しておき、その配線基板をカプセル１１内に他の部品と共 に順次挿入し、最後にカプセルの後端縁をかしめることによって、マイクロホン ユニットの自動組立てを容易に行える。その結果、生産性を大幅に向上でき、コ ストダウンが図られる。

【００３３】 この考案では、両面配線基板を用いているので、必要に応じ端子を導出させる ことができ使用用途が広げられる。また、チップ抵抗などを基板の上面または下 面に実装することが容易であり、マイクロホンの周波数特性における低域カット などができ、応用範囲が広げられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＡおよびＢは請求項１および２とそれぞれ対応
するフロントエレクトレット型マイクロホンの実施例の
断面図。

【図２】ＡおよびＢは請求項３と対応するフロントエレ
クトレット型マイクロホンの実施例の断面図、ＣはＢの
斜視図。

【図３】Ａは請求項４と対応するホイルエレクトレット
型マイクロホンの実施例の断面図、Ｂは請求項５と対応
するバックエレクトレット型マイクロホンの実施例の断
面図。

【図４】Ａは従来のホイルエレクトレット型マイクロホ
ンの断面図、Ｂは従来のバックエレクトレット型マイク
ロホンの断面図。

【図５】この考案を得る前の段階で提案されたフロント
エレクトレット型マイクロホンの断面図。

【図６】Ａはこの考案を得る前の段階で提案された他の
フロントエレクトレット型マイクロホンの断面図、Ｂは
その感度周波数特性を示す図。

【図７】図５、図６および図８のカプセル１１の製造を
説明するための工程断面図。

【図８】この考案を得る前の段階で提案された更に他の
フロントエレクトレット型マイクロホンの断面図。

【図９】Ａはカプセル製造の他の例を示す斜視図、Ｂは
そのカプセルを用いたフロントエレクトレット型マイク
ロホン（この考案を得る前の段階で提案されたもの）の
断面図。

【図１０】この考案を得る前の段階で提案された更に他
のフロントエレクトレット型マイクロホンの断面図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 井土 俊朗 福岡県鞍手郡鞍手町大字中山3024−38 ホ シデン九州株式会社内 (72)考案者 小野 和夫 福岡県鞍手郡鞍手町大字中山3024−38 ホ シデン九州株式会社内 (72)考案者 太田 清之 福岡県鞍手郡鞍手町大字中山3024−38 ホ シデン九州株式会社内

Claims (5)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 前面板に音孔が形成された金属製の円筒
   状カプセルと、 そのカプセルの上記前面板の内面に被着され、上記音孔
   と連通した孔を有するエレクトレット高分子フイルム
   と、 その高分子フイルムと近接対向して配された導電性振動
   膜と、 その導電性振動膜の周縁部を保持する導電性保持体と、 上記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、 上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装さ
   れたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備し、 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、
   上記保持体の後端面と対接する周縁の導体パターンと、
   その周縁の導体パターンより延長され、上記ＩＣ素子の
   入力端子と接続される導体パターンとを有することを特
   徴とする、 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット。
2. 【請求項２】 上記保持体と上記配線基板との間に導電
   性の筒状体が介在されることを特徴とする請求項１記載
   のエレクトレットコンデンサマイクロホンユニット。
3. 【請求項３】 前面板に音孔が形成された金属製の円筒
   状カプセルと、 そのカプセルの上記前面板の内面に被着され、上記音孔
   と連通した孔を有するエレクトレット高分子フイルム
   と、 その高分子フイルムと近接対向して配された導電性振動
   膜と、 その導電性振動膜と上記高分子フイルムとの間隔を規定
   するリング状スペーサと、 そのスペーサと共に上記導電性振動膜の周縁部を挟む導
   電性筒状体と、 上記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、 上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装さ
   れたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備し、 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、
   上記筒状体の後端面と対接する周縁の導体パターンと、
   その周縁の導体パターンより延長され、上記ＩＣ素子の
   入力端子と接続される導体パターンとを有することを特
   徴とする、 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット。
4. 【請求項４】 前面板に音孔が形成された金属製の円筒
   状カプセルと、 そのカプセルの前面板と対向して配されたエレクトレッ
   ト振動膜と、 そのエレクトレット振動膜の背面と近接対向して配され
   た背極と、 その背極を前端部で保持する導電性筒状体と、 上記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、 上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装さ
   れたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備し、 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、
   上記保持体の後端面と対接する周縁の導体パターンと、
   その周縁の導体パターンより延長され、上記ＩＣ素子の
   入力端子と接続される導体パターンとを有することを特
   徴とする、 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット。
5. 【請求項５】 前面板に音孔が形成された金属製の円筒
   状カプセルと、 そのカプセルの前面板と対向して配された導電性振動膜
   と、 その導電性振動膜の背面と近接対向して配された背極
   と、 その背極の前面に上記導電性振動膜と対向して形成され
   たエレクトレット高分子フイルムと、 上記背極を前端部で保持する導電性筒状体と、 上記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、 上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装さ
   れたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備し、 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、
   上記保持体の後端面と対接する周縁の導体パターンと、
   その周縁の導体パターンより延長され、上記ＩＣ素子の
   入力端子と接続される導体パターンとを有することを特
   徴とする、 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット。