JPH0524204A - Manufacture of ink jet recording head - Google Patents
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Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、インクジェット記録ヘ
ッドの製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an ink jet recording head.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコンの異方性エッチング技術は結晶
面の違いにより、エッチング速度が異なることを利用す
るもので、特に、｛１１１｝結晶面のエッチング速度が
他の結晶面に比較して非常に遅いことを利用したものが
一般的である。（１００）結晶面を表面に持つシリコン
基板を用いた場合、開口部が正方形もしくは長方形のパ
ターンは、非常に精度よく形成されることが知られてい
る。2. Description of the Related Art The anisotropic etching technique for silicon utilizes the fact that the etching rate varies depending on the crystal planes. In particular, the etching rate of the {111} crystal plane is much higher than that of other crystal planes. It is common to take advantage of the slowness. It is known that when a silicon substrate having a (100) crystal face on its surface is used, a pattern having square or rectangular openings is formed with high accuracy.
【０００３】従来、インクジェット記録ヘッドのインク
流路部の形成に、このシリコンの異方性エッチングを応
用した例がある。Conventionally, there is an example in which this anisotropic etching of silicon is applied to the formation of an ink flow path portion of an ink jet recording head.
【０００４】例えば、特開昭６１−２３０９５４号公報
にインクジェット記録ヘッドの製造方法が記載されてい
る。図３は、シリコンの異方性エッチングを応用したイ
ンクジェット記録ヘッドの製造方法の説明図である。図
中、１はチャンネル基板、２はチャンネル部、３はイン
クリザーバ部、６はヒーター基板、８は連結用溝形成領
域、９はエッチングマスク、１０は接着剤である。図３
（Ａ）は、チャンネル部２、インクリザーバ部３を形成
するためのエッチングマスク９が形成されたチャンネル
基板１の斜視図である。このエッチングマスク９によ
り、シリコンの異方性エッチングを行なうことによっ
て、図３（Ｂ）の平面図に示すように、チャンネル基板
１に、チャンネル部２、インクリザーバ部３が作製され
る。For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-230954 discloses a method of manufacturing an ink jet recording head. FIG. 3 is an explanatory diagram of a method of manufacturing an ink jet recording head to which anisotropic etching of silicon is applied. In the figure, 1 is a channel substrate, 2 is a channel portion, 3 is an ink reservoir portion, 6 is a heater substrate, 8 is a connecting groove forming region, 9 is an etching mask, and 10 is an adhesive. Figure 3
FIG. 1A is a perspective view of the channel substrate 1 on which an etching mask 9 for forming the channel portion 2 and the ink reservoir portion 3 is formed. By anisotropically etching silicon with the etching mask 9, the channel portion 2 and the ink reservoir portion 3 are formed on the channel substrate 1 as shown in the plan view of FIG. 3B.
【０００５】上述したように、異方性エッチングでは、
エッチングパターン形状が矩形の場合のみ、正しい形状
にエッチングが進行するから、チャンネル部２とインク
リザーバ部３と分離して形成するのである。したがっ
て、両者を連結する通路を形成する必要がある。そのた
め、図３（Ｂ）において、ハッチングで図示した連結用
溝形成領域８にダイシングにより連結用溝が形成され
る。図３（Ｃ）は、その断面図であり、同様にハッチン
グで図示した部分、すなわち、連結用溝形成領域８を、
ダイシングソーによって切削して溝を形成し、チャンネ
ル部２とインクリザーバ部３との間の部分を連結する。
この連結用溝を形成する際は、ダイシングブレードの幅
からの制約、および、流路抵抗の設計上の制約から、チ
ャンネル部２とインクリザーバ部３との間隔は、およそ
０．４ｍｍ以下にしなければならないという制約があ
る。As described above, in anisotropic etching,
Only when the etching pattern has a rectangular shape, the etching proceeds to the correct shape, so that the channel portion 2 and the ink reservoir portion 3 are formed separately. Therefore, it is necessary to form a passage connecting the both. Therefore, in FIG. 3B, the connecting groove is formed by dicing in the connecting groove forming region 8 shown by hatching. FIG. 3C is a cross-sectional view thereof, similarly showing the hatched portion, that is, the connecting groove forming region 8,
A groove is formed by cutting with a dicing saw, and the portion between the channel portion 2 and the ink reservoir portion 3 is connected.
When forming the connecting groove, the distance between the channel portion 2 and the ink reservoir portion 3 should be about 0.4 mm or less due to the constraint of the width of the dicing blade and the constraint of the design of the flow path resistance. There is a constraint that it must be.
【０００６】このチャンネル基板１を、図３（Ｄ）に示
すように、ヒーターおよびそれに通電する電極を有する
ヒーター基板６とを接着剤１０により貼り合わせ、ダイ
シングソーで個々のヘッドに分割するという方法により
インクジェット記録ヘッドが作製される。As shown in FIG. 3D, this channel substrate 1 is bonded to a heater and a heater substrate 6 having electrodes for energizing the channel substrate 1 with an adhesive 10 and divided into individual heads with a dicing saw. Thus, an inkjet recording head is manufactured.
【０００７】また、特開平２−１１１６９６号公報に
は、一方の面に複数のエッチング開口部用のパターンを
設けて、複数回のエッチング工程により、インクリザー
バ部とチャンネル部を精度よく形成する方法が記載され
ている。Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 2-111696, a method is provided in which a pattern for a plurality of etching openings is provided on one surface, and an ink reservoir portion and a channel portion are accurately formed by a plurality of etching steps. Is listed.
【０００８】一方、ノズル数を増加する場合、インクリ
ザーバ部を拡大する必要がある。ところが、貫通穴で構
成されるインクリザーバ部の面積を大きくすると、基板
の変形や破壊が生じやすくなり、強度の面からは、分割
したインクリザーバ部を形成した後、それらを共通化す
るため短い時間のエッチングで各インクリザーバ部間を
連結する方法が望ましい。On the other hand, when the number of nozzles is increased, it is necessary to enlarge the ink reservoir section. However, if the area of the ink reservoir portion formed by the through hole is increased, the substrate is likely to be deformed or destroyed, and from the viewpoint of strength, it is short because the divided ink reservoir portions are formed and then shared. A method of connecting the ink reservoir portions by time etching is desirable.
【０００９】図４は、分割したインクリザーバ部を有す
るチャンネル基板を複数回のエッチング工程により製造
する方法の説明図である。１２は第１回のエッチングを
行なうためのマスクであり、１３は第２回のエッチング
のためのマスクパターンにおける開口部である。この図
では、エッチングマスク１２を用いた第１回のエッチン
グ工程により、４つの分割したインクリザーバ部１１
ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄが形成される。ついで、開
口部１３が形成されたエッチングマスクを用いて、第２
回のエッチングが行なわれ、チャンネル部の形成と、イ
ンクリザーバ部間の段差部１４が浅くエッチングされ
る。ところが、第１回のエッチング中に、エッチングマ
スクの下をアンダーカットする部分が、マスク間の段差
部１４に達すると、そこからエッチングが広がり不良が
発生しやすくなる。したがって、このような場合、分割
したインクリザーバ部を形成する第１回のエッチング中
に、すでに分割されたインクリザーバ部の間が連結して
しまい、不均一な形状となることがある。FIG. 4 is an explanatory view of a method of manufacturing a channel substrate having a divided ink reservoir portion by a plurality of etching steps. Reference numeral 12 is a mask for performing the first etching, and 13 is an opening in the mask pattern for the second etching. In this figure, four divided ink reservoir portions 11 are formed by the first etching process using the etching mask 12.
a, 11b, 11c and 11d are formed. Then, using the etching mask in which the opening 13 is formed, the second mask is formed.
The etching is performed once, so that the channel portion is formed and the step portion 14 between the ink reservoir portions is shallowly etched. However, during the first etching, when the portion undercutting under the etching mask reaches the step portion 14 between the masks, the etching spreads from there and the defect is likely to occur. Therefore, in such a case, during the first etching for forming the divided ink reservoir portions, the already divided ink reservoir portions may be connected to each other, resulting in a non-uniform shape.
【００１０】また、この異方性エッチング法を用いて
｛１１１｝面でエッチングを終了させた場合、結晶方位
により形状が規定されるため、エッチングマスクの開口
位置や寸法に設計上の制約が多く、特に、インクリザー
バ寸法は、インク吐出性能とインク流入のための貫通口
位置の両面から制限がある。Further, when the etching is completed on the {111} plane by using this anisotropic etching method, the shape is defined by the crystal orientation, so that there are many design restrictions on the opening position and size of the etching mask. In particular, the size of the ink reservoir is limited in terms of both the ink ejection performance and the position of the through hole for ink inflow.
【００１１】図５は、上述したようなチャンネル基板の
外部に、さらに大きいインクリザーバを取り付けたイン
クジェット記録ヘッドの概略を示す断面図である。チャ
ンネル基板１とヒーター基板２とが接合されて構成され
たヘッドチップのインクリザーバ部３の貫通孔に対し
て、外部インクリザーバ１５の開口部は、位置が合致し
たものでなければならない。接合面に接着剤１６を塗布
してヘッドチップと外部インクリザーバとを接着し、イ
ンクリザーバ部３に、外部インクリザーバ１５からイン
クを流入させる構造になっている。したがって、チャン
ネル基板１におけるインクリザーバ部３の開口部の周囲
には、液密に封止するための接着代が必要である。とこ
ろが、従来のチャンネル基板においては、上述したよう
に、インクリザーバ部３からチャンネル部２までの距離
が短いため、接着剤を塗布する工程に高精度が要求さ
れ、不良も発生しやすいという問題もある。FIG. 5 is a sectional view showing the outline of an ink jet recording head in which a larger ink reservoir is attached to the outside of the above channel substrate. The opening of the external ink reservoir 15 must be aligned with the through hole of the ink reservoir 3 of the head chip formed by joining the channel substrate 1 and the heater substrate 2. An adhesive 16 is applied to the joint surface to bond the head chip and the external ink reservoir, and the ink is allowed to flow into the ink reservoir portion 3 from the external ink reservoir 15. Therefore, a bonding margin for liquid-tight sealing is required around the opening of the ink reservoir 3 in the channel substrate 1. However, in the conventional channel substrate, as described above, since the distance from the ink reservoir portion 3 to the channel portion 2 is short, high accuracy is required in the step of applying the adhesive, and there is also a problem that defects are likely to occur. is there.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点を解決するためになされたもので、複数回のエッチ
ング工程によって、正確な形状のインクリザーバ部を形
成することができるインクジェット記録ヘッドの製造方
法を提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an ink jet recording head capable of forming an ink reservoir portion having a precise shape by a plurality of etching steps. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method of.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明は、（１００）結
晶面を表面に持つシリコン基板に、異方性エッチングに
よってチャンネル部とインクリザーバ部を形成したチャ
ンネル基板と、ヒーターと通電電極を有するヒーター基
板とを接合してなるインクジェット記録ヘッドの製造方
法において、前記インクリザーバ部は、異なる開口寸法
の複数のエッチングマスクを用いて、複数回のエッチン
グによって形成されることを特徴とするものである。According to the present invention, a silicon substrate having a (100) crystal plane on its surface is provided with a channel substrate having a channel portion and an ink reservoir portion formed by anisotropic etching, a heater and a conducting electrode. In the method for manufacturing an ink jet recording head formed by joining a heater substrate, the ink reservoir portion is formed by etching a plurality of times using a plurality of etching masks having different opening sizes. ..
【００１４】[0014]
【作用】上述したように、本発明によれば、隣接するエ
ッチング領域のマスク間の段差部分までエッチングが進
行しないように、異なる開口寸法の複数のエッチングマ
スクを用いることを特徴としている。すなわち、第１回
のエッチングに用いるマスクを、第２回のエッチングに
用いるマスクよりも十分小さくする。その結果、深いエ
ッチングを行なう場合や、貫通部を形成する場合には、
マスク間の段差部分の幅を大きくとることができ、エッ
チング不良を防止することができる。As described above, according to the present invention, a plurality of etching masks having different opening sizes are used so that the etching does not proceed to the step portion between the masks in the adjacent etching regions. That is, the mask used for the first etching is made sufficiently smaller than the mask used for the second etching. As a result, when performing deep etching or forming a through portion,
The width of the stepped portion between the masks can be increased, and etching defects can be prevented.
【００１５】また、複数回のエッチングを行なう場合、
各エッチングマスクの中心位置をずらせることにより、
シリコン基板を貫通させる位置をある程度変えることが
でき、その結果外部からのインク流入口の封止が容易に
なる。When etching is performed a plurality of times,
By shifting the center position of each etching mask,
The position of penetrating the silicon substrate can be changed to some extent, and as a result, the ink inlet from the outside can be easily sealed.
【００１６】[0016]
【実施例】図１は、本発明の一実施例の説明図であり、
図中、１はチャンネル基板、２はチャンネル部、３はイ
ンクリザーバ部、４はＳｉＯ2 膜、４ａはその開口パタ
ーン、５はＳｉ3 Ｎ4 膜、５ａはその開口パターン、６
はヒーター基板である。この実施例では、インクリザー
バ部２を２回のエッチング工程により形成した。図１
（Ａ）は、エッチングに用いられるマスクパターンの一
例の平面図である。実線でハッチングした部分が、第１
回のエッチングの際のＳｉ3 Ｎ4 膜により形成された第
１のマスクパターンであり、ハッチングされていない部
分５ａがＳｉ3 Ｎ4 膜の開口部のパターンである。第２
回のエッチングは、ＳｉＯ2膜により形成された第２の
エッチングマスクにより行なわれる。点線でハッチング
した部分４ａが、ＳｉＯ2 膜の開口部のパターンであ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory view of an embodiment of the present invention.
In the figure, 1 is a channel substrate, 2 is a channel part, 3 is an ink reservoir part, 4 is a SiO 2 film, 4 a is its opening pattern, 5 is a Si 3 N 4 film, 5 a is its opening pattern, 6
Is a heater substrate. In this example, the ink reservoir portion 2 was formed by two etching steps. Figure 1
FIG. 7A is a plan view of an example of a mask pattern used for etching. The part hatched with a solid line is the first
It is the first mask pattern formed by the Si 3 N 4 film at the time of etching once, and the unhatched portion 5a is the pattern of the opening of the Si 3 N 4 film. Second
The single etching is performed with the second etching mask formed of the SiO 2 film. A portion 4a hatched with a dotted line is a pattern of the opening of the SiO 2 film.
【００１７】エッチングマスクの形成工程を説明する。
（１００）結晶面を表面に持つシリコン基板上に熱酸化
により、ＳｉＯ2 膜４を形成した後、フォトリソプロセ
スでチャンネル部およびインクリザーバ部を除くパター
ニング、すなわち、開口部４ａを除くパターニングを行
ない、ドライエッチング法により第２のエッチングマス
クを形成する。次に、ＣＶＤ法によりＳｉ3 Ｎ4 膜５を
着膜し、フォトリソプロセスで、インクリザーバ部、す
なわち、開口部５ａを除くようパターニングし、ドライ
エッチング法により第１のエッチングマスクを形成す
る。The process of forming the etching mask will be described.
After forming the SiO 2 film 4 by thermal oxidation on a silicon substrate having a (100) crystal face on its surface, patterning except for the channel portion and the ink reservoir portion, that is, patterning except for the opening portion 4a is performed by a photolithography process. A second etching mask is formed by a dry etching method. Next, the Si 3 N 4 film 5 is deposited by the CVD method, patterned by a photolithography process so as to remove the ink reservoir portion, that is, the opening 5a, and the first etching mask is formed by the dry etching method.
【００１８】Ｓｉ3 Ｎ4 膜５で形成された第１のエッチ
ングマスクの開口部５ａにおけるインクリザーバ部に相
当する開口部の寸法は、ＳｉＯ2 膜４で形成された第２
のエッチングマスクにおけるインクリザーバ部に相当す
るマスク開口部４ａの寸法より小さくなっている。しか
も、第１回のエッチングにより貫通させる開口部の位置
とノズル表面との距離を大きくするため、チャンネル部
から離れた位置にＳｉ3 Ｎ4 膜の開口部５ａを形成する
ことができる。The size of the opening corresponding to the ink reservoir portion in the opening 5a of the first etching mask formed of the Si 3 N 4 film 5 is the same as that of the second portion formed of the SiO 2 film 4.
The size is smaller than the size of the mask opening 4a corresponding to the ink reservoir portion of the etching mask. Moreover, since the distance between the position of the opening to be penetrated by the first etching and the nozzle surface is increased, the opening 5a of the Si 3 N 4 film can be formed at the position away from the channel part.
【００１９】このように、ＳｉＯ2 膜４、Ｓｉ3 Ｎ4膜
５の２層で形成されたエッチングマスクのうち、まず、
Ｓｉ3 Ｎ4 膜５を用いて、加熱したＫＯＨ水溶液で、第
１回の異方性エッチングを行なう。このエッチング工程
でインクリザーバ部を形成したときの断面図が、図１
（Ｂ）である。上述したように、第１回の異方性エッチ
ングに用いるＳｉ3 Ｎ4 膜５のエッチングマスクの開口
部５ａは、ＳｉＯ2 膜４のエッチングマスクの開口部４
ａよりも小さく設計されており、第１回の異方性エッチ
ング中にアンダーカットされても、ＳｉＯ2 膜４まで進
行しないよう十分に間隔がとられている。第１回の異方
性エッチングは、シリコン基板を貫通した時点で終了す
るが、実質的には、Ｓｉ3 Ｎ4 膜５のマスクのみにした
がってエッチングしたことになる。ここで形成されたイ
ンクリザーバ部３の内壁面は、エッチング速度が結晶面
に比較して非常に遅い｛１１１｝面よりなり、しかも、
インクリザーバ部３の開口部の矩系形状は非常に精度良
く形成できる。Of the etching masks thus formed by the two layers of the SiO 2 film 4 and the Si 3 N 4 film 5, first,
The Si 3 N 4 film 5 is used to perform the first anisotropic etching with a heated KOH aqueous solution. A cross-sectional view of the ink reservoir portion formed in this etching process is shown in FIG.
(B). As described above, the opening 5a of the etching mask of the Si 3 N 4 film 5 used for the first anisotropic etching is the opening 4a of the etching mask of the SiO 2 film 4.
It is designed to be smaller than a and is sufficiently spaced so that it does not proceed to the SiO 2 film 4 even if it is undercut during the first anisotropic etching. The first anisotropic etching ends when it penetrates the silicon substrate, but substantially means that the etching is performed only according to the mask of the Si 3 N 4 film 5. The inner wall surface of the ink reservoir portion 3 formed here is composed of a {111} plane having an etching rate which is much slower than a crystal plane, and
The rectangular shape of the opening of the ink reservoir portion 3 can be formed very accurately.
【００２０】次に、加熱したリン酸を用いて、Ｓｉ3 Ｎ
4 膜５を全面にわたって除去した後、ＳｉＯ2 膜４をエ
ッチングマスクとして用い、第２回の異方性エッチング
を行なう。このエッチング工程では、第１回のエッチン
グと同様に、加熱したＫＯＨ水溶液で行ない、チャンネ
ル部２およびインクリザーバ部３を形成する。この第２
回のエッチングにおいて、図１（Ｃ）に示されるよう
に、チャンネル部は｛１１１｝面でエッチングがほぼ止
まるため非常に精度良く形成できる。一方、インクリザ
ーバ部３は、第１回のエッチングで形成されたものをさ
らに広げる工程となるが、３Ａで示したように、インク
リザーバ部の内部に段差を持つ構造となり、この段差３
Ａは、エッチング時間とともにその形状が変化する。し
たがって、エッチング時間を管理することによって、所
望も大きさ、形状のインクリザーバ部を得ることができ
る。Next, using heated phosphoric acid, Si 3 N
After removing the 4 film 5 over the entire surface, a second anisotropic etching is performed using the SiO 2 film 4 as an etching mask. In this etching step, the channel portion 2 and the ink reservoir portion 3 are formed by using a heated KOH aqueous solution as in the first etching. This second
In the single etching, as shown in FIG. 1C, the channel portion can be formed very accurately because the etching almost stops at the {111} plane. On the other hand, the ink reservoir portion 3 is a step of further expanding the one formed by the first etching, but as shown in 3A, it has a structure having a step inside the ink reservoir portion.
The shape of A changes with the etching time. Therefore, by controlling the etching time, it is possible to obtain an ink reservoir portion having a desired size and shape.
【００２１】最後に、残ったＳｉＯ2 膜４をフッ酸で全
面除去する。以上のエッチング工程を経て作製されたチ
ャンネル基板と、発熱体がそれぞれのチャンネルに対応
する位置に形成されたヒーター基板とを接着し、ダイシ
ングソーで個々のヘッドに分割する。Finally, the remaining SiO 2 film 4 is entirely removed with hydrofluoric acid. The channel substrate manufactured through the above etching process and the heater substrate having the heating element formed at the position corresponding to each channel are bonded and divided into individual heads with a dicing saw.
【００２２】ここで、チャンネル部２をインクリザーバ
部３と連結させる手段としては、図３（Ｂ），（Ｃ）で
説明したように、ダイシングソーで予めチャンネル部２
とインクリザーバ部３を連結する溝を形成することがで
きる。Here, as a means for connecting the channel portion 2 to the ink reservoir portion 3, as described with reference to FIGS. 3B and 3C, the channel portion 2 is previously formed by a dicing saw.
It is possible to form a groove connecting the ink reservoir portion 3 with
【００２３】図２は、チャンネル部をインクリザーバ部
と連結させる他の実施例の説明図である。図中、１はチ
ャンネル基板、２はチャンネル部、３はインクリザーバ
部、６はヒーター基板、７は厚膜樹脂層、７ａ，７ｂは
その開口部である。この実施例では、図１の工程で作製
されたチャンネル基板１において、チャンネル部２とイ
ンクリザーバ部３との境界部分のエッチングされていな
い凸部はそのままとしておく。そして、ヒーター基板に
形成した厚膜樹脂層７に開口部７ａおよび開口部７ｂを
パターニングして形成する。開口部７ａは、ピットと呼
ばれる凹部である。開口部７ｂは、チャンネル基板１の
上述した凸部に対向する位置に形成する。矢印で示すよ
うに、厚膜樹脂層７の開口部７ｂを介してインク流路が
形成できる。開口部７ｂのパターニングは精度よくでき
るから、インク流路の流路抵抗を正確にできる利点があ
る。FIG. 2 is an explanatory view of another embodiment in which the channel portion is connected to the ink reservoir portion. In the figure, 1 is a channel substrate, 2 is a channel portion, 3 is an ink reservoir portion, 6 is a heater substrate, 7 is a thick resin layer, and 7a and 7b are openings thereof. In this embodiment, in the channel substrate 1 manufactured in the process of FIG. 1, the unetched convex portion at the boundary between the channel portion 2 and the ink reservoir portion 3 is left as it is. Then, the openings 7a and 7b are patterned and formed in the thick film resin layer 7 formed on the heater substrate. The opening 7a is a recess called a pit. The opening 7b is formed at a position facing the above-described convex portion of the channel substrate 1. As shown by an arrow, an ink flow path can be formed through the opening 7b of the thick film resin layer 7. Since the patterning of the opening 7b can be performed accurately, there is an advantage that the flow path resistance of the ink flow path can be made accurate.
【００２４】以上の製造方法によって製造されたインク
ジェット記録ヘッドに、図５で説明したものと同様に、
外部からインクを流入するためのさらに大きなインクリ
ザーバを取り付けて記録ヘッドとすることもできる。The ink jet recording head manufactured by the above manufacturing method is similar to that described in FIG.
A larger ink reservoir for inflowing ink from the outside can be attached to form a recording head.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、インクリザーバ部を形成するためのエッチン
グ時に生じる欠陥を防止できるとともに、インク吐出性
能を落とすことなくインク流入部の封止を容易にするこ
とができる。さらに、ノズル面からインク流入口までの
距離を大きくすることが可能であるため、外部に大きな
インクリザーバを取り付ける際、封止が容易になり、歩
留まりの高いインクジェット記録ヘッドの製造方法を提
供できるという効果がある。As is apparent from the above description, according to the present invention, it is possible to prevent defects caused during etching for forming the ink reservoir portion and to seal the ink inflow portion without deteriorating the ink ejection performance. Can be facilitated. Furthermore, since it is possible to increase the distance from the nozzle surface to the ink inlet, it is possible to provide a method of manufacturing an inkjet recording head that facilitates sealing when a large ink reservoir is attached to the outside and that has a high yield. effective.
【図１】 本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方
法の一実施例の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of a method for manufacturing an inkjet recording head of the present invention.
【図２】 チャンネル部をインクリザーバ部と連結させ
る他の実施例の説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of another embodiment in which the channel portion is connected to the ink reservoir portion.
【図３】 異方性エッチングを応用したインクジェット
記録ヘッドの従来の製造方法の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional method of manufacturing an inkjet recording head to which anisotropic etching is applied.
【図４】 複数回のエッチング工程による従来の製造方
法の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a conventional manufacturing method by a plurality of etching steps.
【図５】 外部インクリザーバを取り付けたインクジェ
ット記録ヘッドの説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of an inkjet recording head to which an external ink reservoir is attached.
１ チャンネル基板、２ チャンネル部、３ インクリ
ザーバ部、４ ＳｉＯ2 膜、４ａ その開口パターン、
５ Ｓｉ3 Ｎ4 膜、５ａ その開口パターン、６ ヒー
ター基板。1 channel substrate, 2 channel part, 3 ink reservoir part, 4 SiO 2 film, 4a its opening pattern,
5 Si 3 N 4 film, 5a opening pattern, 6 heater substrate.
Claims (1)
基板に、異方性エッチングによってチャンネル部とイン
クリザーバ部を形成したチャンネル基板と、ヒーターと
通電電極を有するヒーター基板とを接合してなるインク
ジェット記録ヘッドの製造方法において、前記インクリ
ザーバ部は、異なる開口寸法の複数のエッチングマスク
を用いて、複数回のエッチングによって形成されること
を特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。Claims: 1. A (100) channel substrate in which a channel portion and an ink reservoir portion are formed by anisotropic etching on a silicon substrate having a crystal plane on the surface, and a heater substrate having a heater and a conducting electrode. In the method of manufacturing an ink jet recording head, the ink reservoir portion is formed by etching a plurality of times using a plurality of etching masks having different opening sizes. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20235391A JPH0524204A (en) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | Manufacture of ink jet recording head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20235391A JPH0524204A (en) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | Manufacture of ink jet recording head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524204A true JPH0524204A (en) | 1993-02-02 |
Family
ID=16456115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20235391A Pending JPH0524204A (en) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | Manufacture of ink jet recording head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0524204A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5385635A (en) * | 1993-11-01 | 1995-01-31 | Xerox Corporation | Process for fabricating silicon channel structures with variable cross-sectional areas |
| US6339881B1 (en) * | 1997-11-17 | 2002-01-22 | Xerox Corporation | Ink jet printhead and method for its manufacture |
| US7086142B2 (en) * | 2001-10-30 | 2006-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing an ink-jet printhead |
| US7437820B2 (en) * | 2006-05-11 | 2008-10-21 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing a charge plate and orifice plate for continuous ink jet printers |
| US7841085B2 (en) | 2005-10-05 | 2010-11-30 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing liquid jet head |
| JP2011025547A (en) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Canon Inc | Recording element substrate, and inkjet head and manufacturing method therefor |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP20235391A patent/JPH0524204A/en active Pending
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