JPH05243200A - ガラス基板洗浄方法 - Google Patents
ガラス基板洗浄方法Info
- Publication number
- JPH05243200A JPH05243200A JP4419792A JP4419792A JPH05243200A JP H05243200 A JPH05243200 A JP H05243200A JP 4419792 A JP4419792 A JP 4419792A JP 4419792 A JP4419792 A JP 4419792A JP H05243200 A JPH05243200 A JP H05243200A
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- JP
- Japan
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- glass substrate
- cleaning
- substrate
- pure water
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，ガラス基板の洗浄方法に関し，純
水内を上下動してリンスする際にガラス基板上に発生す
る静電気を抑制し，パターンの放電破壊やゴミの付着を
防止することを目的とする。 【構成】 基板ホルダ１内に保持したガラス基板２を洗
浄槽３内の純水４中で上下動させてリンス洗浄する方法
であって,該ガラス基板２の上下動に対して直角方向に
磁界をかけ, 該ガラス基板２上に発生する正負の電荷５
を，それぞれガラス基板２面の片側に移動させ, 電荷５
を接地線６に移動させるように構成する。
水内を上下動してリンスする際にガラス基板上に発生す
る静電気を抑制し，パターンの放電破壊やゴミの付着を
防止することを目的とする。 【構成】 基板ホルダ１内に保持したガラス基板２を洗
浄槽３内の純水４中で上下動させてリンス洗浄する方法
であって,該ガラス基板２の上下動に対して直角方向に
磁界をかけ, 該ガラス基板２上に発生する正負の電荷５
を，それぞれガラス基板２面の片側に移動させ, 電荷５
を接地線６に移動させるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，ガラス基板の洗浄方法
に関する。近年，電子部品の高速，高密度化にともな
い，集積回路の素子パターンもますます微細化され，ウ
エハプロセスに使用するマスク，或いはレチクルのガラ
ス基板上の極微量のゴミでもデバイスの品質特性，歩留
りに大きな影響を与える。このため，ガラス基板の洗浄
には細心の注意を必要とし，静電気により付着する微細
なゴミの除去方法が必要とされている。
に関する。近年，電子部品の高速，高密度化にともな
い，集積回路の素子パターンもますます微細化され，ウ
エハプロセスに使用するマスク，或いはレチクルのガラ
ス基板上の極微量のゴミでもデバイスの品質特性，歩留
りに大きな影響を与える。このため，ガラス基板の洗浄
には細心の注意を必要とし，静電気により付着する微細
なゴミの除去方法が必要とされている。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来例の説明図である。図におい
て，12はガラス基板, 13は金属パターンである。
て，12はガラス基板, 13は金属パターンである。
【０００３】集積回路（ＬＳＩ）用ガラスマスクは，素
子の微細化が進む中で，ますます高い品質が要求されて
いる。現在，このガラスマスクの洗浄方法としては，超
音波を使ったり，純水や酸・アルカリ・有機溶剤等の薬
品を使用したりして，ゴミ，或いは異物の除去し，ま
た，薬品残渣，脂汚れ等を落としている。
子の微細化が進む中で，ますます高い品質が要求されて
いる。現在，このガラスマスクの洗浄方法としては，超
音波を使ったり，純水や酸・アルカリ・有機溶剤等の薬
品を使用したりして，ゴミ，或いは異物の除去し，ま
た，薬品残渣，脂汚れ等を落としている。
【０００４】何れの方法も洗浄の最終プロセスには，純
水のリンス（すすぎ）を行うのが一般的であるが，純水
（De-Ionized Water) は絶縁物であるため, ガラス基板
12と水との摩擦により，静電気が発生し，それがある程
度ガラス基板12上に蓄積すると放電し，それによって,
図３に平面図，断面図で示すように，ガラス基板12上の
金属パターン13が破壊されることがある。
水のリンス（すすぎ）を行うのが一般的であるが，純水
（De-Ionized Water) は絶縁物であるため, ガラス基板
12と水との摩擦により，静電気が発生し，それがある程
度ガラス基板12上に蓄積すると放電し，それによって,
図３に平面図，断面図で示すように，ガラス基板12上の
金属パターン13が破壊されることがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って，微細パターン
が多数ある集積回路用のガラスマスクにおいては，この
放電によるパターン破壊は致命的なダメージをマスクに
与えることとなる。
が多数ある集積回路用のガラスマスクにおいては，この
放電によるパターン破壊は致命的なダメージをマスクに
与えることとなる。
【０００６】また，パターンの形成されていないガラス
基板でも，この静電気により，一度ゴミが除去された後
でも，純水から引上げ後，空中に浮遊する極微細なゴミ
等が静電気により吸い寄せられて, 汚染のもととなる。
基板でも，この静電気により，一度ゴミが除去された後
でも，純水から引上げ後，空中に浮遊する極微細なゴミ
等が静電気により吸い寄せられて, 汚染のもととなる。
【０００７】本発明は上記問題点を解消するために，ガ
ラス基板上に発生する静電気を抑制し，パターンの放電
破壊やゴミの付着を防止することを目的として提供され
る。
ラス基板上に発生する静電気を抑制し，パターンの放電
破壊やゴミの付着を防止することを目的として提供され
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１は基板ホルダ，２はガラス基
板，３は洗浄槽，４は純水，５は電荷，６は接地線，７
は樹脂枠，８は金属細線，９はイオナイザーガン，10は
ガス, 11は電磁石である。
図である。図において，１は基板ホルダ，２はガラス基
板，３は洗浄槽，４は純水，５は電荷，６は接地線，７
は樹脂枠，８は金属細線，９はイオナイザーガン，10は
ガス, 11は電磁石である。
【０００９】本発明では，前記問題点を解決するため
に，基板ホルダ１内に保持したガラス基板２を洗浄槽３
内の純水４中で上下動させてリンス洗浄する方法におい
て,図１（ａ）に透視斜視図，図１（ｂ）に基板の側面
からの断面図，図１（ｃ）に基板の正面からの立面図で
示すように，基板ホルダ１内に保持したガラス基板２を
洗浄槽３内の純水４中で上下動させてリンス洗浄する方
法であって,該ガラス基板２の上下動に対して直角方向
に磁界をかけ, 該ガラス基板２上に発生する正負の電荷
５をそれぞれ該ガラス基板２面の片側に移動させ, 該電
荷５を接地線６に移動させることにより，図１（ｂ）に
示すうよに，前記ガラス基板２を保持する前記基板ホル
ダ１は,絶縁性樹脂枠７に密植して植え込まれ, 且つ，
接地線６に接続される金属細線８によって該ガラス基板
２の端部を保持する構造を有することにより，前記ガラ
ス基板２を上下動して，該純水４面より引き上げる時
に, 該ガラス基板２の表面にイオナイザーガン９により
ガス10を吹きつけることにより，更に，前記ガラス基板
２の上下動に同期して，磁界のＳＮ方向を変化させるこ
とにより達成される。
に，基板ホルダ１内に保持したガラス基板２を洗浄槽３
内の純水４中で上下動させてリンス洗浄する方法におい
て,図１（ａ）に透視斜視図，図１（ｂ）に基板の側面
からの断面図，図１（ｃ）に基板の正面からの立面図で
示すように，基板ホルダ１内に保持したガラス基板２を
洗浄槽３内の純水４中で上下動させてリンス洗浄する方
法であって,該ガラス基板２の上下動に対して直角方向
に磁界をかけ, 該ガラス基板２上に発生する正負の電荷
５をそれぞれ該ガラス基板２面の片側に移動させ, 該電
荷５を接地線６に移動させることにより，図１（ｂ）に
示すうよに，前記ガラス基板２を保持する前記基板ホル
ダ１は,絶縁性樹脂枠７に密植して植え込まれ, 且つ，
接地線６に接続される金属細線８によって該ガラス基板
２の端部を保持する構造を有することにより，前記ガラ
ス基板２を上下動して，該純水４面より引き上げる時
に, 該ガラス基板２の表面にイオナイザーガン９により
ガス10を吹きつけることにより，更に，前記ガラス基板
２の上下動に同期して，磁界のＳＮ方向を変化させるこ
とにより達成される。
【００１０】
【作用】本発明では，最終の純水リンスのプロセスにお
いて，リンスする純水中で，ガラス基板を上下に動かす
時，ガラス基板に直角に磁界をかけると，ガラス基板上
の磁界により，発生した電荷を片側に集めて接地線（ア
ース）を通して逃がすこととなり，静電気の影響を最小
限に抑えることができる。
いて，リンスする純水中で，ガラス基板を上下に動かす
時，ガラス基板に直角に磁界をかけると，ガラス基板上
の磁界により，発生した電荷を片側に集めて接地線（ア
ース）を通して逃がすこととなり，静電気の影響を最小
限に抑えることができる。
【００１１】
【実施例】図２は本発明の一実施例の説明図である。図
において，１は基板ホルダ，２はガラス基板，３は洗浄
槽，４は純水，５は電荷，６は接地線，７は樹脂枠，８
は金属細線，９はイオナイザーガン，10はガス, 11は電
磁石である。
において，１は基板ホルダ，２はガラス基板，３は洗浄
槽，４は純水，５は電荷，６は接地線，７は樹脂枠，８
は金属細線，９はイオナイザーガン，10はガス, 11は電
磁石である。
【００１２】図２（ａ）に示すように，一点鎖線で示し
た洗浄槽３中に入れるガラス基板２を収納する樹脂性の
基板ホルダ１のガラス基板保持部分の樹脂枠７は細い白
金の金属細線８を密植したもので，その点線内の拡大図
を図２（ｂ）に上面図で，図２（ｃ）に斜視図で示すよ
うに，ガラス基板２の端面を金属細線８が両側から挟む
構造となっている。そして密植した白金線は根本で一つ
纏められて接地線６となっている。また，点線で外形を
示した電磁石11が洗浄槽３内のガラス基板２の表裏面に
相対する形で，洗浄槽３の外側の両側に設けられてい
る。
た洗浄槽３中に入れるガラス基板２を収納する樹脂性の
基板ホルダ１のガラス基板保持部分の樹脂枠７は細い白
金の金属細線８を密植したもので，その点線内の拡大図
を図２（ｂ）に上面図で，図２（ｃ）に斜視図で示すよ
うに，ガラス基板２の端面を金属細線８が両側から挟む
構造となっている。そして密植した白金線は根本で一つ
纏められて接地線６となっている。また，点線で外形を
示した電磁石11が洗浄槽３内のガラス基板２の表裏面に
相対する形で，洗浄槽３の外側の両側に設けられてい
る。
【００１３】ガラス基板２は純水４中に浸漬したあと，
基板ホルダ１の把手を上下動させてガラス基板２上の薬
品類を洗いながしてリンスを行う。その上下動のとき
に，絶縁物である超純水４とガラス基板２が摩擦して静
電気が起き，図１（ｃ）に示すように，ガラス基板２上
に正負の電荷５が発生する。
基板ホルダ１の把手を上下動させてガラス基板２上の薬
品類を洗いながしてリンスを行う。その上下動のとき
に，絶縁物である超純水４とガラス基板２が摩擦して静
電気が起き，図１（ｃ）に示すように，ガラス基板２上
に正負の電荷５が発生する。
【００１４】本発明では電磁石11に電流を流して, ６０
０ガウスの磁界をガラス基板２の上下動に同期してか
け，ガラス基板２の周囲端面が接地線６に接続した金属
細線８で保持されているので，電荷５は徐々にガラス基
板２の端面に移動して，接地線６より逃がして，ガラス
基板２上の電荷５が消滅することとなる。
０ガウスの磁界をガラス基板２の上下動に同期してか
け，ガラス基板２の周囲端面が接地線６に接続した金属
細線８で保持されているので，電荷５は徐々にガラス基
板２の端面に移動して，接地線６より逃がして，ガラス
基板２上の電荷５が消滅することとなる。
【００１５】また，ガラス基板２を引き上げる際に，同
時にイオナイザーガン９より，エア，または窒素ガス等
をガラス基板２の面上に１ｋｇ以下の低圧で吹きつけ
て，静電気の発生を防止する。
時にイオナイザーガン９より，エア，または窒素ガス等
をガラス基板２の面上に１ｋｇ以下の低圧で吹きつけ
て，静電気の発生を防止する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
ガラス基板への静電気の蓄積が少なくなり，ガラス基板
上の微細パターンの静電破壊を防止することができる。
ガラス基板への静電気の蓄積が少なくなり，ガラス基板
上の微細パターンの静電破壊を防止することができる。
【００１７】また，最終洗浄後のガラス基板に静電気に
よるゴミや異物の吸着がなくなり，ガラス基板の清浄度
が保てるので，本発明は集積回路の品質向上に寄与する
ところが大きい。
よるゴミや異物の吸着がなくなり，ガラス基板の清浄度
が保てるので，本発明は集積回路の品質向上に寄与する
ところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
【図３】 従来例の説明図
１ 基板ホルダ ２ ガラス基板 ３ 洗浄槽 ４ 純水 ５ 電荷 ６ 接地線 ７ 樹脂枠 ８ 金属細線 ９ イオナイザーガン 10 ガス 11 電磁石
Claims (4)
- 【請求項１】 基板ホルダ(1) 内に保持したガラス基板
(2) を洗浄槽(3) 内の純水(4) 中で上下動させてリンス
洗浄する方法であって,該ガラス基板(2) の上下動に対
して直角方向に磁界をかけ, 該ガラス基板(2)上に発生
する正負の電荷(5) をそれぞれ該ガラス基板(2) 面の片
側に移動させ,該電荷(5) を接地線(6) に移動させるこ
とを特徴とするガラス基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 前記ガラス基板(2) を保持する前記基板
ホルダ(1) は, 絶縁性樹脂枠(7) に密植して植え込ま
れ, 且つ，前記接地線(6) に接続される金属細線(8) に
よって該ガラス基板(2) の端部を保持する構造を有する
ことを特徴とする請求項１記載のガラス基板洗浄方法。 - 【請求項３】 前記ガラス基板(2) を上下動して，該純
水(4) 面より引き上げる時に, 該ガラス基板(2) の表面
にイオナイザーガン(9) によりガス(10)を吹きつけるこ
とを特徴とする請求項１，或いは，２記載のガラス基板
洗浄方法。 - 【請求項４】 前記ガラス基板(2) の上下動に同期し
て，磁界のＳＮ方向を変化させることを特徴とする請求
項１〜３記載のガラス基板洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4419792A JPH05243200A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | ガラス基板洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4419792A JPH05243200A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | ガラス基板洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243200A true JPH05243200A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12684850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4419792A Withdrawn JPH05243200A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | ガラス基板洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243200A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990047949A (ko) * | 1997-12-06 | 1999-07-05 | 윤종용 | 반도체 세정 공정에서 메탈 파티클 제거 방법 및 그 방법이 적용된 습식 세정 장치 |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| CN102810458A (zh) * | 2011-05-31 | 2012-12-05 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Wsi线性颗粒的解决方法 |
| KR101594703B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2016-02-16 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 세정장치 |
| CN111389773A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 尚妙根 | 一种环境监测用的自洁式摄像头 |
| CN118598546A (zh) * | 2024-06-04 | 2024-09-06 | 湖南邵虹特种玻璃股份有限公司 | 一种玻璃基板加工的静电消除装置 |
-
1992
- 1992-03-02 JP JP4419792A patent/JPH05243200A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990047949A (ko) * | 1997-12-06 | 1999-07-05 | 윤종용 | 반도체 세정 공정에서 메탈 파티클 제거 방법 및 그 방법이 적용된 습식 세정 장치 |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| CN102810458A (zh) * | 2011-05-31 | 2012-12-05 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Wsi线性颗粒的解决方法 |
| KR101594703B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2016-02-16 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 세정장치 |
| CN111389773A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 尚妙根 | 一种环境监测用的自洁式摄像头 |
| CN111389773B (zh) * | 2020-03-25 | 2021-04-23 | 山东海慧环境科技有限公司 | 一种环境监测用的自洁式摄像头 |
| CN118598546A (zh) * | 2024-06-04 | 2024-09-06 | 湖南邵虹特种玻璃股份有限公司 | 一种玻璃基板加工的静电消除装置 |
| CN118598546B (zh) * | 2024-06-04 | 2026-01-27 | 湖南邵虹特种玻璃股份有限公司 | 一种玻璃基板加工的静电消除装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |