JPH05243471A - 圧電発振器 - Google Patents
圧電発振器Info
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- JPH05243471A JPH05243471A JP4209210A JP20921092A JPH05243471A JP H05243471 A JPH05243471 A JP H05243471A JP 4209210 A JP4209210 A JP 4209210A JP 20921092 A JP20921092 A JP 20921092A JP H05243471 A JPH05243471 A JP H05243471A
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- Japan
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- chip
- lead
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- oscillator
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
フラットパッケージ形状の電圧発振器を提供する。 【構成】 アイランド部1にICチップ2がマウントさ
れ、水晶振動子5は、ICチップ2のマウント面の対面
に固定される。樹脂パッケージの注入口9は、四角のパ
ッケージの対角線上に設けられ、水晶振動子5のシリン
ダー形ケース7は、注入口方向に対して、±45゜の範
囲内に位置だしされる。水晶振動子5のリード端子3へ
の固定部、及びICチップ2のパッドの位置は、対角線
方向に有する。以上が樹脂によりパッケージングされた
圧電発振器である。
Description
る樹脂封止された圧電発振器に関する。
動子を内蔵した圧電発振器は存在しない。フラットパッ
ケージの1例としてPLCC(QFJ)形状の半導体素
子は、図5(a)は平面図、(b)は側面図に示すよう
に、中央のアイランド部51にICチップ52をマウン
トし、ICチップ52のパッドと、アイランド部51の
周囲4方を取り囲む、リード端子53とが、ボンディン
グ線54により接続されている。リード端子53の外方
を残して、トランスファーモールド方法等により樹脂封
止する。その後リード端子53を切断、曲げ加工して得
られる。
ラットパッケージ形状の半導体素子は、アイランド部5
1の周囲をリード端子53が取り囲んでおり、また、樹
脂パッケージ自体の厚みが薄いことから、その内部に圧
電振動子を更に実装することは困難であった。
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で薄い高信頼性樹脂パッケージタイプの圧
電発振器を提供することである。
少なくとも1つ以上のICチップと、1つ以上の圧電振
動子をリードフレームに対向して固定し、樹脂で形成し
たことを特徴とする。また、アイランド部の表面にIC
チップがマウントされ、シリンダー形ケースを有する圧
電振動子がアイランド部の対向面に配置されて固定され
ていることを特徴とする。
をはさんでアイランドの対向面に少なくとも1つ以上の
穴を設けたことを特徴とする。
対角線上に設けられ、圧電振動子のシリンダー形ケース
の長手方向が、樹脂の注入口の方向に対し±45゜の範
囲に設定されていることを特徴とする。
パッドがICチップの対角線上にあって圧電振動子の固
定部側にICパッドが近くなる方向にマウントしたこと
を特徴とする。
ダイパッドダウン(ディプレス)させたことを特徴とす
る。
端子に曲がり部を有することを特徴とする。
端子の固定部及び周辺リード端子の表面積を等しくし、
固定時の熱的条件を一致させたことを特徴とする。
リード端子の配列位置とずらして設けて、切断型を共有
化できるように構成したことを特徴とする。
用ICチップで、リアルタイムクロックを構成すること
を特徴とする。
で、PLL発振器を構成することを特徴とする。
子を用いたPLCC形状(QFJ形状)の水晶発振器を
例として図1(a)の平面図、及び図1(b)の断面図
により説明する。
されており、ICチップ2のパッドと、アイランド部1
の周囲4方を取り囲む、リード端子3とが、ボンディン
グ線4により接続されている。矩形状AT水晶発振片等
を内包する水晶振動子5は、アイランド部1のICチッ
プ2のマウント面の対面に、そのリード6を、ICチッ
プ2の水晶振動子を発振させるための電極(CMOSI
C等の際はゲート及びドレイン端子)に接続されたリー
ド端子3の途中に溶接、半田付け、導電性接着剤等の方
法で固定されている。水晶振動子5のシリンダー形ケー
ス7の長手方向は、完成時の樹脂パッケージ8の対角線
方向に位置出しされている。以上の水晶振動子5とIC
チップ2の取付けられたリードフレーム(先のアイラン
ド部1とリード端子3を1体に固定したもの)を、モー
ルド型にセットし、リード端子3の外方を残して、樹脂
をトランスファーモールド方法により樹脂封止する。そ
の後リード端子3を切断、曲げ加工して、PLCC形状
の水晶発振器が得られる。ここで、本実施例のポイント
を説明する。
CCの厚みを増やさないために、2〜1.5[mm]外
径のシリンダーを有する水晶振動子、特に32KHz 等
の音叉型水晶振動子を、アイランド部1のICチップ2
の取り付け面と反対面に設ける。また、シリンダー形ケ
ース7の長手方向は、樹脂パッケージ8の対角線の方向
とするのが望ましい。その理由はトランスファーモール
ド等の樹脂の注入口9が、4方向に同ピッチでリード端
子3を配置する関係上、対角線の隅部に設けられ、樹脂
注入の際、注入口9の方向と、シリンダー形ケース7の
長手方向とが、一致しているほうが樹脂の注入時にシリ
ンダー形ケース7に余分な圧力が加わらず、水晶振動子
5のリード6のリード端子3の固定部11に力が加わら
ないのでリード端子3の変形(ひどい場合はとなりのリ
ード端子とショートする等の機能不良を発生する)や、
水晶振動子5自体の位置が、移動するという問題点を発
生させない。
し、シリンダー形ケース7の角度は±45゜望ましくは
±30゜の範囲くらいまでは、設計の自由度を有する。
7が、アイランド部1の対面にくるようにしてあるが、
これは、PLCCがアイランド部1の周囲4方をリード
端子3が取り囲んでいる構成上、アイランド部1以外の
リードフレームに水晶振動子5を配置することは、先の
トランスファーモールド時の位置ズレ防止も考慮する
と、困難である。
リンダー形ケース7が樹脂パッケージの表面に飛び出さ
ないように、モールド型にシリンダー形ケース7を固定
するためのピンを設けて、樹脂モールドするとよい。モ
ールド型に設けられたピンにより、完成された圧電発振
器には、樹脂パッケージのアイランド1及びシリンダー
形ケース7の対向面に穴11が設けられる。
6の固定部10には、バネ性を有するように曲がり部を
設けておくと良い。この目的は、水晶振動子5のリード
6を固定部10に接続する際、溶接等で固定するが、そ
の際の影響を、リード端子3の先端のワイヤーボンディ
ング部に伝えないためになされている。
ろえるために、各々の固定部10及び周辺リード端子の
表面積を同じくするように設計しておくと、溶接等の固
定作業が安定して行なえる。そのためにリード端子を本
実施例のとおり曲線に設計しても良い。
ト及びドレインパッド21、22は、ICチップ2の対
角線の方向、すなわち4隅の1つ付近に設けておき、こ
のゲート及びドレインパッド21、22を、水晶振動子
5の固定されるリード端子3の方向に向けて、ICチッ
プ2を、アイランド部1にマウントするとゲート及びド
レインの配線が、最短距離となり、ワイヤーボンディン
グが容易となる。また、ゲート及びドレインの長さが短
くなる結果、高周波に対して有力となり、外部へのノイ
ズ放射も少なくなる他、外部からのノイズを受け取らな
くなり高信頼性のデバイスができる。
固定されるリード端子23の取り出し位置は、他のPL
CC形状の半導体素子が、等ピッチでリード端子を有す
る位置とずらして設けておく。
て、量産上、有効な方法となる。
い部分にも、リードの凹部24を設けても、機能上何の
障害も発生しない。
ージ用の型を共用できるので、同様に量産設備の新規手
配を必要としない。
の位置より水晶振動子5の側に沈ませておく(ダイパッ
トダウンあるいはディプレスという。)と、リード端子
3とICチップ2のパッドとの距離が近くなって、ワイ
ヤーボンディングの全線の長さが短くなる他、リード端
子3が、シリンダー形ケース7との接触の危険性を回避
することができる。これは、シリンダー形ケース7の大
きさが、アイランド部1の大きさより小さい時には問題
が少ないが、水晶振動子5の位置ズレが発生した際、及
び、シリンダー形ケース7の大きさが、アイランド部1
の大きさより大きいときには、有効である。
CC{QFJ(Quad FlatJ−Lead Pa
ckages)}形状の水晶発振器の実施例を説明した
が、本発明はそれに限るものではなく、QFP(Qua
d Flat Packages)、QFI(Quad
Flat I−Lead Packages)、QF
N(Quad Flat Non−Lead Pack
ages)、SOP(Small Outline P
ackages)、SOJ(Small Outlin
e J−Lead Packages)、DIP(Du
al In−Line Packages)等のリード
や端子のでてくるパッケージに対して適用できる。
施例である。パッケージの構成は図1のPLCCタイプ
の水晶発振器と同様である。但しアウターリード72の
形状が異なっている。
施例である。パッケージの構成は図1のPLCCタイプ
の水晶発振器と同様である。但しアウターリード92は
パッケージの2方向のみからでている。
穴102を設けた実施例である。
ので、分周段をたくさん有する多周波出力の発振器、及
びリアルタイムクロック等のコンピュータ周辺デバイ
ス、更にはフェーズロックループ(PLL)水晶発振器
等への利用が望ましい。
に時計情報を送る回路であるが、水晶振動子に32[K
Hz] の音叉型振動子を用い、その発振周波数を分周
し、時、分、秒、データーを作製し、コンピューターの
CPUに転送するものであり、データー転送の入出力端
子を多数必要とするので適する。
水晶振動子を基準信号とし、本例では、2.0[mm]
φの矩形状AT水晶振動子を用い、パッケージの厚みを
厚くしないように、考慮しているが、必要により3.0
[mm]φの矩形状AT水晶振動子を用いる。
上の水晶振動子を基準信号に用い、PLL回路を複数組
合わせ、複数の出力を取り出す構成を、1つのパッケー
ジ中に設けると良い。
定することで、コンピューター内で必要とする、クロッ
ク信号(基準信号をそのまま出力させても良い。)や、
グラフィック用信号等、数種の信号を同時に出力する。
1つのPLL水晶発振器で、全信号をカバーする水晶発
振器が得られる。
ば、フラットパッケージ形状の樹脂パッケージ中に、I
Cチップを搭載したアイランド部のICチップの対向面
に、シリンダー形ケースを有する圧晶振動子を、位置決
め固定しているので、半導体素子のフラットパッケージ
品とほぼ同寸の圧電発振器が得られる。
保存環境により、水分が吸湿される。
ー形ケース周囲の水分が気化膨張して、水蒸気圧が上昇
して、モールド厚の一番薄い部分に応力が集中する。
の裏面あるいは表面に設けられた穴により、樹脂パッケ
ージの吸湿による水分が、外部に放出され、半田実装時
の熱ストレスによるパッケージクラックの発生を防止す
る事ができ、信頼性の高い圧電発振器が得られる。
入口を設け、圧電振動子のシリンダー形ケースを対角線
の方向に対して±45゜(望ましくは±30゜)の範囲
内に取り付けると、樹脂注入時に圧電振動子に力が加わ
り、位置ズレや、リード端子のショートといった問題点
を発生することがない。
るパッドを、対角線付近に設けておくと圧電振動子との
接続距離が最短となり、ノイズの進入や流失に対して強
くなる。
パットダウン(ディプレスともいう)をしておくと、圧
電振動子シリンダー形ケースと、リード端子とが接触し
てショート不良となる危険性を回避でき、高信頼性の圧
電発振器が得られる。
を、アイランド部付近に位置出しし、しかもリード端子
付近に設けないのは、以上のリード端子とのショートを
防ぐためにも有効である。
端子に、曲がり部を設けた事で、圧電振動子固定時に、
加工時のショックをボンディングワイヤーに伝えないた
め、信頼性が高くなる。
固定部、及び周辺リード端子の表面積を等しく設計して
あるので、固定作業が安定して行なえる構造である。
は、他のリード端子の配列位置をずらして設けておくの
で切断型を共用化することができ、新規な製造装置を手
配しなくて良い。
とができる。
て、PLL ICと水晶が最短距離で結ばれて、ノイズ
が少ない基準クロックが得られるので、VCOから出力
される信号の信号純度が良い。
ると、他のクロックあるいは信号の干渉を受け基準信号
にノイズが重複されてしまう。このノイズまじりの基準
クロックで、PLLを動作させると、VCOの出力の信
号純度も悪くなってしまう。更に、基準クロックの引き
回しが不用になるので、低パワー化することができる。
がなくなり、信号純度の向上やPLL回路の安定動作が
得られ、高信頼性のPLL発振器が得られる。
ので、放射ノイズが低減され、高品質で、高信頼性のP
LL発振器が得られる。
CC(QFJ)形状の水晶発振器を示す図。(a)は平
面図。(b)は側面図。
す拡大図。
の型を利用した水晶発振器の実施例を示す図。
CC(QFJ)形状の半導体素子を示す図。(a)は平
面図。(b)は側面図。
を示す図。
を示す図。
晶発振器を示す図。
Claims (11)
- 【請求項1】少なくとも1つ以上のICチップと、1つ
以上の圧電振動子をリードフレームに対向して固定し、
樹脂でモールド形成したことを特徴とする圧電発振器。 - 【請求項2】アイランド部の表面にICチップがマウン
トされ、シリンダー形ケースを有する圧電振動子が、ア
イランド部の対向面に、配置されて固定されていること
を特徴とする請求項1記載の圧電発振器。 - 【請求項3】樹脂パッケージ外面に圧電振動子をはさん
でアイランドの対向面に少なくとも1つ以上の穴を設け
たことを特徴とする請求項2記載の圧電発振器。 - 【請求項4】樹脂注入口が、四角のパッケージの対角線
上に設けられ、圧電振動子のシリンダー形ケースの長手
方向が、樹脂の注入口の方向に対して±45゜の範囲に
設定されいてることを特徴とする請求項3記載の圧電発
振器。 - 【請求項5】ICチップの圧電振動子を発振させるパッ
トがICチップの対角線上にあって圧電振動子の固定部
側にICパッドが近くなる方向にマウントしたことを特
徴とする請求項4記載の圧電発振器。 - 【請求項6】アイランド部を、圧電振動子の方向にダイ
パッドダウン(ディプレス)させたことを特徴とする請
求項2記載の圧電発振器。 - 【請求項7】圧電振動子のリードを固定するリード端子
に曲がり部を有することを特徴とする請求項2記載の圧
電発振器。 - 【請求項8】圧電振動子のリードを固定するリード端子
の固定部及び周辺リード端子の表面積を等しくし、固定
時の熱的条件を一致させたことを特徴とする請求項2記
載の圧電発振器。 - 【請求項9】圧電振動子が接続されるリード端子を、他
のリード端子の配列位置とずらして設けて、切断型を共
用化できるように構成したことを特徴とする請求項4記
載の圧電発振器。 - 【請求項10】ICチップがリアルタイムクロック用I
Cチップで、リアルタイムクロックを構成することを特
徴とする請求項1記載の圧電発振器。 - 【請求項11】ICチップが、PLLICチップで、P
LL発振器を構成することを特徴とする請求項1記載の
圧電発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/960,832 US5327104A (en) | 1991-10-21 | 1992-10-14 | Piezoelectric oscillator formed in resin package containing, IC chip and piezoelectric oscillator element |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27276991 | 1991-10-21 | ||
| JP3-272769 | 1991-10-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243471A true JPH05243471A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3079786B2 JP3079786B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=17518487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04209210A Expired - Lifetime JP3079786B2 (ja) | 1991-10-21 | 1992-08-05 | 圧電発振器、及びこれを用いたリアルタイムクロック、pll発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3079786B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0727872A1 (en) * | 1995-02-15 | 1996-08-21 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, voltage-controlled oscillator, and production method thereof |
| JP2018129553A (ja) * | 2018-05-23 | 2018-08-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
| CN108631743A (zh) * | 2017-03-15 | 2018-10-09 | 精工爱普生株式会社 | 振动器件、振荡器、电子设备和移动体 |
| US10243515B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-03-26 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP04209210A patent/JP3079786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0727872A1 (en) * | 1995-02-15 | 1996-08-21 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, voltage-controlled oscillator, and production method thereof |
| US5631609A (en) * | 1995-02-15 | 1997-05-20 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, voltage-controlled oscillator and production method thereof |
| US5745012A (en) * | 1995-02-15 | 1998-04-28 | Seiko Epson Corporation | Voltage-controlled oscillator having a semiconductor integrated circuit, a piezoelectrics resonator and a diode and variable-capacitance diode |
| US10243515B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-03-26 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
| US10622944B2 (en) | 2012-04-27 | 2020-04-14 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
| CN108631743A (zh) * | 2017-03-15 | 2018-10-09 | 精工爱普生株式会社 | 振动器件、振荡器、电子设备和移动体 |
| JP2018129553A (ja) * | 2018-05-23 | 2018-08-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3079786B2 (ja) | 2000-08-21 |
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