JPH05247635A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH05247635A JPH05247635A JP4847592A JP4847592A JPH05247635A JP H05247635 A JPH05247635 A JP H05247635A JP 4847592 A JP4847592 A JP 4847592A JP 4847592 A JP4847592 A JP 4847592A JP H05247635 A JPH05247635 A JP H05247635A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer stage
- shield cylinder
- sputtering
- target
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はスパッタリング装置に関し、簡単且
つ小型な構成でスパッタ金属の回り込みを防止可能とし
たスパッタリング装置を実現することを目的とする。 【構成】 真空チャンバー１の中に、スパッタ電源７に
接続したターゲット８と、該ターゲット８の周囲に設け
られたシールド筒９と、ウエハ１８を載置するウエハス
テージ６とを具備して成るスパッタリング装置におい
て、上記ウエハステージ６に載置されたウエハ１８を囲
むことができ、且つ上下に可動な可動シールド筒２１を
設けて成るように構成する。
つ小型な構成でスパッタ金属の回り込みを防止可能とし
たスパッタリング装置を実現することを目的とする。 【構成】 真空チャンバー１の中に、スパッタ電源７に
接続したターゲット８と、該ターゲット８の周囲に設け
られたシールド筒９と、ウエハ１８を載置するウエハス
テージ６とを具備して成るスパッタリング装置におい
て、上記ウエハステージ６に載置されたウエハ１８を囲
むことができ、且つ上下に可動な可動シールド筒２１を
設けて成るように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング装置に関
する。詳しくはスパッタの回り込みを防止するシールド
の改良に関する。
する。詳しくはスパッタの回り込みを防止するシールド
の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のスパッタリング装置を示す
図である。これは、真空チャンバー１と、該真空チャン
バー１に仕切弁２を介して接続されたウエハ搬送チャン
バー３と、ゲートバルブ４を介して接続された真空ポン
プ５とよりなり、真空チャンバー１には、ウエハステー
ジ６、スパッタ電源７に接続されたターゲット８、シー
ルド筒９、イオンガス放射口１０等が設けられている。
またウエハステージ６には、冷却水導入ライン１１、ヒ
ーターライン１２、ガス導入ライン１３、ＲＦ導入ライ
ン１４、ＲＦマッチングボックス１５等が設けられ、該
ＲＦマッチングボックス１５にはＲＦ（高周波）電源１
６が接続されている。
図である。これは、真空チャンバー１と、該真空チャン
バー１に仕切弁２を介して接続されたウエハ搬送チャン
バー３と、ゲートバルブ４を介して接続された真空ポン
プ５とよりなり、真空チャンバー１には、ウエハステー
ジ６、スパッタ電源７に接続されたターゲット８、シー
ルド筒９、イオンガス放射口１０等が設けられている。
またウエハステージ６には、冷却水導入ライン１１、ヒ
ーターライン１２、ガス導入ライン１３、ＲＦ導入ライ
ン１４、ＲＦマッチングボックス１５等が設けられ、該
ＲＦマッチングボックス１５にはＲＦ（高周波）電源１
６が接続されている。
【０００３】そして、ウエハ搬送チャンバー３からロボ
ットトレー１７によりウエハステージ６上に搬送された
ウエハ１８をスパッタ処理することができるようになっ
ている。ところがこの装置では、シールド筒９とウエハ
ステージ６との間にウエハ１８を搬送するための隙間が
あるため、この隙間からスパッタ金属が真空チャンバー
１の内面およびゲートバルブ４などに回り込むという欠
点がある。このため図３の如く回り込み防止を行ったス
パッタリング装置が開発されている。
ットトレー１７によりウエハステージ６上に搬送された
ウエハ１８をスパッタ処理することができるようになっ
ている。ところがこの装置では、シールド筒９とウエハ
ステージ６との間にウエハ１８を搬送するための隙間が
あるため、この隙間からスパッタ金属が真空チャンバー
１の内面およびゲートバルブ４などに回り込むという欠
点がある。このため図３の如く回り込み防止を行ったス
パッタリング装置が開発されている。
【０００４】この装置は図２で説明した装置とほぼ同様
であり、異なるところは、ウエハステージ６がウエハ搬
送位置Ａからスパッタ位置Ｂに上昇して、ターゲット８
の周囲に設けられたシールド筒９に接触できるように構
成されていることである。そして該ウエハステージ６は
ウエハ搬送時には下降してＡ位置に、スパッタ処置時に
はＢ位置に上昇させるようになっている。
であり、異なるところは、ウエハステージ６がウエハ搬
送位置Ａからスパッタ位置Ｂに上昇して、ターゲット８
の周囲に設けられたシールド筒９に接触できるように構
成されていることである。そして該ウエハステージ６は
ウエハ搬送時には下降してＡ位置に、スパッタ処置時に
はＢ位置に上昇させるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３に示した従来のス
パッタリング装置では、ウエハステージ６がステージ上
下駆動部１９によって上下に駆動されるようになってい
るが、それに伴ってベローズ２０等による真空シールが
必要になり、また冷却水導入ライン１１、ヒータライン
１２、ガス導入ライン１３、ＲＦ導入ライン１４等の移
動に対する処理対策が必要になり、装置が複雑、且つ大
型になるという問題があった。
パッタリング装置では、ウエハステージ６がステージ上
下駆動部１９によって上下に駆動されるようになってい
るが、それに伴ってベローズ２０等による真空シールが
必要になり、また冷却水導入ライン１１、ヒータライン
１２、ガス導入ライン１３、ＲＦ導入ライン１４等の移
動に対する処理対策が必要になり、装置が複雑、且つ大
型になるという問題があった。
【０００６】本発明は、簡単且つ小型な構成でスパッタ
金属の回り込みを防止可能としたスパッタリング装置を
実現しようとする。
金属の回り込みを防止可能としたスパッタリング装置を
実現しようとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置に依れば、真空チャンバー１の中に、スパッタ電源
７に接続されたターゲット８と、該ターゲット８の周囲
に設けられたシールド筒９と、ウエハ１８を載置するウ
エハステージ６とを具備してなるスパッタ装置におい
て、上記ウエハステージ６に載置されたウエハ１８を囲
むことができ、且つ上下に可動な可動シールド筒２１を
設けて成ることを特徴とする。
装置に依れば、真空チャンバー１の中に、スパッタ電源
７に接続されたターゲット８と、該ターゲット８の周囲
に設けられたシールド筒９と、ウエハ１８を載置するウ
エハステージ６とを具備してなるスパッタ装置におい
て、上記ウエハステージ６に載置されたウエハ１８を囲
むことができ、且つ上下に可動な可動シールド筒２１を
設けて成ることを特徴とする。
【０００８】また、それに加えて、上記可動シールド筒
２１を上下に駆動する駆動手段２２を設けたことを特徴
とする。この構成を採ることにより簡単且つ小型な構造
でスパッタ金属の回り込みを防止可能としたスパッタリ
ング装置が得られる。
２１を上下に駆動する駆動手段２２を設けたことを特徴
とする。この構成を採ることにより簡単且つ小型な構造
でスパッタ金属の回り込みを防止可能としたスパッタリ
ング装置が得られる。
【０００９】
【作用】本発明では、図１に示すように、可動シールド
筒２１を設けたことにより、従来のウエハステージを移
動させる機構に比べ構造が簡単小型となる。また真空シ
ール部分が小さくなるため、超高真空対策に適応してい
る。
筒２１を設けたことにより、従来のウエハステージを移
動させる機構に比べ構造が簡単小型となる。また真空シ
ール部分が小さくなるため、超高真空対策に適応してい
る。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す断面図である。
本実施例は同図に示すように、真空チャンバー１と、該
真空チャンバー１に仕切弁２を介して接続されたウエハ
搬送チャンバー３と、ゲートバルブ４を介して接続され
た真空ポンプ５とよりなり、真空チャンバー１には、ウ
エハステージ６、スパッタ電源７に接続されたターゲッ
ト８、シールド筒９、イオンガス放射口１０等が設けら
れ、ウエハステージ６には、冷却水導入ライン１１、ヒ
ーターライン１２、ガス導入ライン１３、ＲＦ導入ライ
ン１４、ＲＦマッチングボックス１５等が設けられ、該
ＲＦマッチングボックス１５にはＲＦ電源１６が接続さ
れている。この構成は図２で説明した従来例と同様であ
り、本実施例の要点は次の通りである。
本実施例は同図に示すように、真空チャンバー１と、該
真空チャンバー１に仕切弁２を介して接続されたウエハ
搬送チャンバー３と、ゲートバルブ４を介して接続され
た真空ポンプ５とよりなり、真空チャンバー１には、ウ
エハステージ６、スパッタ電源７に接続されたターゲッ
ト８、シールド筒９、イオンガス放射口１０等が設けら
れ、ウエハステージ６には、冷却水導入ライン１１、ヒ
ーターライン１２、ガス導入ライン１３、ＲＦ導入ライ
ン１４、ＲＦマッチングボックス１５等が設けられ、該
ＲＦマッチングボックス１５にはＲＦ電源１６が接続さ
れている。この構成は図２で説明した従来例と同様であ
り、本実施例の要点は次の通りである。
【００１１】本実施例の要点は、ウエハステージ６上に
載置されたウエハ１８と、ターゲット８の周辺に設けら
れたシールド筒９との間の空間を遮蔽できるようにした
可動シールド筒２１と、該可動シールド筒２１を真空チ
ャンバー１の外部から上下に駆動できる駆動手段（例え
ばシリンダー）２２と、該駆動手段２２と真空チャンバ
ー１間の真空シール用のベローズ２３を設けたことであ
る。なおシールド筒９と可動シールド筒２１との間には
若干のすきまを有し、可動シールド筒２１の上下移動を
妨げないようにしている。
載置されたウエハ１８と、ターゲット８の周辺に設けら
れたシールド筒９との間の空間を遮蔽できるようにした
可動シールド筒２１と、該可動シールド筒２１を真空チ
ャンバー１の外部から上下に駆動できる駆動手段（例え
ばシリンダー）２２と、該駆動手段２２と真空チャンバ
ー１間の真空シール用のベローズ２３を設けたことであ
る。なおシールド筒９と可動シールド筒２１との間には
若干のすきまを有し、可動シールド筒２１の上下移動を
妨げないようにしている。
【００１２】また、可動シールド筒２１の駆動手段２２
とベローズ２３はウエハ搬送チャンバー３からウエハス
テージ６へのウエハ１８の搬送を妨げない位置に設ける
必要がある。（図１において、仕切弁２に近い駆動手段
２２及びベローズ２３は便宜上この位置に図示したもの
である。）
とベローズ２３はウエハ搬送チャンバー３からウエハス
テージ６へのウエハ１８の搬送を妨げない位置に設ける
必要がある。（図１において、仕切弁２に近い駆動手段
２２及びベローズ２３は便宜上この位置に図示したもの
である。）
【００１３】このように構成された本実施例は、ウエハ
搬送チャンバー３からウエハステージ６にウエハ１８を
搬送するとき、又はその逆方向の搬送時には、可動シー
ルド筒２１を駆動手段２２により上方に退避させ、スパ
ッタ処理時には、可動シールド筒２１を下降させ、シー
ルド筒９とウエハステージ６間の空間をシールドするこ
とができる。これによりスパッタ金属の真空チャンバー
内やゲートバルブ等への回り込みを防止することができ
る。またウエハステージ６は固定のままで良いため小型
に構成することができる。また可動シールド筒９を駆動
する駆動手段も小さくてすむので該駆動手段と真空チャ
ンバー間の真空シールも容易となり、高真空に対応する
ことができる。
搬送チャンバー３からウエハステージ６にウエハ１８を
搬送するとき、又はその逆方向の搬送時には、可動シー
ルド筒２１を駆動手段２２により上方に退避させ、スパ
ッタ処理時には、可動シールド筒２１を下降させ、シー
ルド筒９とウエハステージ６間の空間をシールドするこ
とができる。これによりスパッタ金属の真空チャンバー
内やゲートバルブ等への回り込みを防止することができ
る。またウエハステージ６は固定のままで良いため小型
に構成することができる。また可動シールド筒９を駆動
する駆動手段も小さくてすむので該駆動手段と真空チャ
ンバー間の真空シールも容易となり、高真空に対応する
ことができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明に依れば、可動シールド筒を設け
たことによりスパッタの回り込みを防止するために従来
の如くウエハステージを昇降させる必要がなく、固定し
たままで良いので構造は簡単小型となる。さらに可動シ
ールド筒の駆動手段と真空チャンバー間の真空シールも
容易となり、高真空に適応することができる。
たことによりスパッタの回り込みを防止するために従来
の如くウエハステージを昇降させる必要がなく、固定し
たままで良いので構造は簡単小型となる。さらに可動シ
ールド筒の駆動手段と真空チャンバー間の真空シールも
容易となり、高真空に適応することができる。
【図１】本発明の実施例を示す断面図である。
【図２】従来のスパッタリング装置を示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来の回り込み防止機能を有するスパッタリン
グ装置を示す断面図である。
グ装置を示す断面図である。
１…真空チャンバー ２…仕切弁 ３…ウエハ搬送チャンバー ４…ゲートバルブ ５…真空ポンプ ６…ウエハステージ ７…スパッタ電源 ８…ターゲット ９…シールド筒 １０…イオンガス放射口 １１…冷却水導入ライン １２…ヒーターライン １３…ガス導入ライン １４…ＲＦ導入ライン １５…ＲＦマッチングボックス １６…ＲＦ電源 １７…ロボットトレー １８…ウエハ １９…上下駆動部 ２０，２３…ベローズ ２１…可動シールド筒 ２２…駆動手段
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバー（１）の中に、スパッタ
電源（７）に接続したターゲット（８）と、該ターゲッ
ト（８）の周囲に設けられたシールド筒（９）と、ウエ
ハ（１８）を載置するウエハステージ（６）とを具備し
て成るスパッタリング装置において、 上記ウエハステージ（６）に載置されたウエハ（１８）
を囲むことができ、且つ上下に可動な可動シールド筒
（２１）を設けて成ることを特徴とするスパッタリング
装置。 - 【請求項２】 上記可動シールド筒（２１）を上下に駆
動する駆動手段（２２）を設けたことを特徴とする請求
項１のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4847592A JPH05247635A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4847592A JPH05247635A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05247635A true JPH05247635A (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=12804413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4847592A Pending JPH05247635A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05247635A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5565058A (en) * | 1992-08-27 | 1996-10-15 | Applied Materials, Inc. | Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor |
| JP2000355762A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-12-26 | Trikon Holdings Ltd | 析出装置 |
| JP2002194540A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Anelva Corp | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
| KR100587663B1 (ko) * | 1999-07-08 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 스퍼터링 장치 |
| US7318869B2 (en) * | 2000-12-15 | 2008-01-15 | Novellus Systems, Inc. | Variable gas conductance control for a process chamber |
| JP2009130340A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成装置、半導体装置の製造装置、及び薄膜形成方法 |
| US20100166957A1 (en) * | 2003-08-07 | 2010-07-01 | Sundew Technologies, Llc | Perimeter partition-valve with protected seals and associated small size process chambers and multiple chamber systems |
| US8262798B2 (en) * | 2003-08-06 | 2012-09-11 | Ulvac, Inc. | Shower head, device and method for manufacturing thin films |
| KR20190027711A (ko) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4847592A patent/JPH05247635A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5565058A (en) * | 1992-08-27 | 1996-10-15 | Applied Materials, Inc. | Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor |
| JP2000355762A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-12-26 | Trikon Holdings Ltd | 析出装置 |
| KR100587663B1 (ko) * | 1999-07-08 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 스퍼터링 장치 |
| US7318869B2 (en) * | 2000-12-15 | 2008-01-15 | Novellus Systems, Inc. | Variable gas conductance control for a process chamber |
| JP2002194540A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Anelva Corp | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
| US8262798B2 (en) * | 2003-08-06 | 2012-09-11 | Ulvac, Inc. | Shower head, device and method for manufacturing thin films |
| US20100166957A1 (en) * | 2003-08-07 | 2010-07-01 | Sundew Technologies, Llc | Perimeter partition-valve with protected seals and associated small size process chambers and multiple chamber systems |
| US8252116B2 (en) * | 2003-08-07 | 2012-08-28 | Sundew Technologies, Llc | Perimeter partition-valve with protected seals and associated small size process chambers and multiple chamber systems |
| JP2009130340A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成装置、半導体装置の製造装置、及び薄膜形成方法 |
| KR20190027711A (ko) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 |
| KR20200062125A (ko) * | 2017-09-07 | 2020-06-03 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020108 |