JPH0524928A - セラミツク基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミツク基板及びその製造方法Info
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- JPH0524928A JPH0524928A JP3063607A JP6360791A JPH0524928A JP H0524928 A JPH0524928 A JP H0524928A JP 3063607 A JP3063607 A JP 3063607A JP 6360791 A JP6360791 A JP 6360791A JP H0524928 A JPH0524928 A JP H0524928A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＡｌＮ系材料に、特殊な方法で窒化ホウ素を
加えることにより、厚み方向に組成傾斜を持たせ、基板
材料としての機械的強度を保有しながら、切削加工性を
もたせ、合わせて誘電率を低減する。また、ＡｌＮ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 系で構成し、ＡｌＮで高熱伝導性をもたせ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせる。更に、多孔質ガラス
−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、多孔質ガラスで誘電率を下
げ、Ａｌ 2 Ｏ3 で機械的強度をもたせる。 【構成】 セラミック基板において、窒化アルミニウム
粉末（ＡｌＮ）と窒化ホウ素粉末（ＢＮ）の混合体を焼
結した、Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系（０．３≧Ｘ≧０）であり、
厚さ方向に組成を傾斜させている。そして、ＢＮにより
マシナビリティーを持たせ、厚み方向に切削性を持たせ
ることができる。
加えることにより、厚み方向に組成傾斜を持たせ、基板
材料としての機械的強度を保有しながら、切削加工性を
もたせ、合わせて誘電率を低減する。また、ＡｌＮ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 系で構成し、ＡｌＮで高熱伝導性をもたせ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせる。更に、多孔質ガラス
−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、多孔質ガラスで誘電率を下
げ、Ａｌ 2 Ｏ3 で機械的強度をもたせる。 【構成】 セラミック基板において、窒化アルミニウム
粉末（ＡｌＮ）と窒化ホウ素粉末（ＢＮ）の混合体を焼
結した、Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系（０．３≧Ｘ≧０）であり、
厚さ方向に組成を傾斜させている。そして、ＢＮにより
マシナビリティーを持たせ、厚み方向に切削性を持たせ
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロニクス回路
用の高熱伝導性基板に係り、特に組成を傾斜させること
により、基板にマシナビリティーを付与させたセラミッ
ク基板及びその製造方法に関する。
用の高熱伝導性基板に係り、特に組成を傾斜させること
により、基板にマシナビリティーを付与させたセラミッ
ク基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば（１）「機能性セラミックス」金属 １９８９年
１月号 ７２〜７６頁、（２）「傾斜機能材料の発想と
開発動向」工業材料 第３８巻 第１２号（１９９０年
１０月号）１８〜２５頁などに記載されるものがあっ
た。
例えば（１）「機能性セラミックス」金属 １９８９年
１月号 ７２〜７６頁、（２）「傾斜機能材料の発想と
開発動向」工業材料 第３８巻 第１２号（１９９０年
１０月号）１８〜２５頁などに記載されるものがあっ
た。
【０００３】電子機器に対する小形化、高機能化、高信
頼性化、低コスト化への要求は極めて大きく、これに応
じて半導体チップは、高集積密度化、高速化の方向にめ
ざましく発達してきている。これに伴って、セラミック
基板に対しても、従来から用いられているアルミナ基板
以上の特性が求められるようになってきている。アルミ
ナ基板の欠点の一つは、その熱伝導率が２０Ｗ／（ｍ・
Ｋ）程度であり、それ程放熱性がよくないことである。
頼性化、低コスト化への要求は極めて大きく、これに応
じて半導体チップは、高集積密度化、高速化の方向にめ
ざましく発達してきている。これに伴って、セラミック
基板に対しても、従来から用いられているアルミナ基板
以上の特性が求められるようになってきている。アルミ
ナ基板の欠点の一つは、その熱伝導率が２０Ｗ／（ｍ・
Ｋ）程度であり、それ程放熱性がよくないことである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電子機器の軽薄短小化
とともに、ハイブリッドモジュールの集積度が大幅に大
きくなり、単位面積当たりの発熱量が問題になっている
折から、アルミナに代わる新しい高熱伝導性基板が求め
られている。高熱伝導性基板としては、すでにいくつか
の材料が検討されており、炭化シリコン（ＳｉＣ）に少
量の酸化ベリリウム（ＢｅＯ）を加えたＳｉＣ−ＢｅＯ
系で熱伝導率として２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）が得られてい
る。この値は、アルミナの熱伝導率の値の１０倍以上も
あり、大変有望な材料であるが、比誘電率εr が１ＭＨ
ｚで４０もあり、アルミナの比誘電率の４倍以上であ
る。
とともに、ハイブリッドモジュールの集積度が大幅に大
きくなり、単位面積当たりの発熱量が問題になっている
折から、アルミナに代わる新しい高熱伝導性基板が求め
られている。高熱伝導性基板としては、すでにいくつか
の材料が検討されており、炭化シリコン（ＳｉＣ）に少
量の酸化ベリリウム（ＢｅＯ）を加えたＳｉＣ−ＢｅＯ
系で熱伝導率として２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）が得られてい
る。この値は、アルミナの熱伝導率の値の１０倍以上も
あり、大変有望な材料であるが、比誘電率εr が１ＭＨ
ｚで４０もあり、アルミナの比誘電率の４倍以上であ
る。
【０００５】一般に、基板の比誘電率は回路の伝搬速度
に大きく影響し、信号の遅延時間は√εr に比例する。
従って、上記のＳｉＣ系のようにεr の大きなものは、
基板用セラミックとしては不向きである。一方、高熱伝
導性セラミックスとして、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
も有望視されている。熱伝導率も改善され、現在２７０
Ｗ／（ｍ・Ｋ）という値が得られるようになった。更
に、比誘電率もアルミナに比べ、やや小さく８．７程度
であり、実用化に向けてその開発が急がれている。しか
し、ＡｌＮは一般に硬くて脆いという欠点がある。
に大きく影響し、信号の遅延時間は√εr に比例する。
従って、上記のＳｉＣ系のようにεr の大きなものは、
基板用セラミックとしては不向きである。一方、高熱伝
導性セラミックスとして、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
も有望視されている。熱伝導率も改善され、現在２７０
Ｗ／（ｍ・Ｋ）という値が得られるようになった。更
に、比誘電率もアルミナに比べ、やや小さく８．７程度
であり、実用化に向けてその開発が急がれている。しか
し、ＡｌＮは一般に硬くて脆いという欠点がある。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するために、
厚み方向に組成傾斜を持たせた選択された材料により、
各種の優れた特性を有するセラミック基板及びその製造
方法を提供することを目的とする。より具体的には、Ａ
ｌＮ系材料に、特殊な方法で窒化ホウ素を加えることに
より、厚み方向に組成傾斜を持たせ、基板材料としての
機械的強度を保有しながら、切削加工性をもたせ、合わ
せて誘電率を低減し得るセラミック基板及びその製造方
法を提供する。
厚み方向に組成傾斜を持たせた選択された材料により、
各種の優れた特性を有するセラミック基板及びその製造
方法を提供することを目的とする。より具体的には、Ａ
ｌＮ系材料に、特殊な方法で窒化ホウ素を加えることに
より、厚み方向に組成傾斜を持たせ、基板材料としての
機械的強度を保有しながら、切削加工性をもたせ、合わ
せて誘電率を低減し得るセラミック基板及びその製造方
法を提供する。
【０００７】また、厚み方向に組成傾斜を持たせたＡｌ
Ｎ−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、ＡｌＮで高熱伝導性をもた
せ、Ａｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせるセラミック基板
及びその製造方法を提供する。更に、厚み方向に組成傾
斜を持たせた多孔質ガラス−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、多
孔質ガラスで誘電率を下げ、Ａｌ2 Ｏ3で機械的強度を
もたせるセラミック基板及びその製造方法を提供する。
Ｎ−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、ＡｌＮで高熱伝導性をもた
せ、Ａｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせるセラミック基板
及びその製造方法を提供する。更に、厚み方向に組成傾
斜を持たせた多孔質ガラス−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、多
孔質ガラスで誘電率を下げ、Ａｌ2 Ｏ3で機械的強度を
もたせるセラミック基板及びその製造方法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的を達成するために、セラミック基板において、厚み方
向に組成傾斜を持たせたＡｌ1-x Ｂx Ｎ系（０．３≧Ｘ
≧０）で、高熱伝導性を有し、かつマシナブルである。
また、Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系に高熱伝導性を付与させるため
に加えられた全重量が、１０モル％以下のＣａＯ，Ｃａ
Ｆ2 ，ＡｌＦ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＹＦ3 から選ばれた少なく
とも一種を含む組成を有する。
的を達成するために、セラミック基板において、厚み方
向に組成傾斜を持たせたＡｌ1-x Ｂx Ｎ系（０．３≧Ｘ
≧０）で、高熱伝導性を有し、かつマシナブルである。
また、Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系に高熱伝導性を付与させるため
に加えられた全重量が、１０モル％以下のＣａＯ，Ｃａ
Ｆ2 ，ＡｌＦ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＹＦ3 から選ばれた少なく
とも一種を含む組成を有する。
【０００９】更に、基板面の片側（Ｘ＝０又は微小なＸ
の値）は高熱伝導性を有し、機械的強度も強く、もう一
方の片側（Ｘ≠０）は切削加工を可能にしたものであ
る。また、厚み方向に組成傾斜を持たせたＡｌＮ−Ａｌ
2 Ｏ3 系で構成し、ＡｌＮで高熱伝導性をもたせ、Ａｌ
2 Ｏ3で機械的強度をもたせるようにしたものである。
の値）は高熱伝導性を有し、機械的強度も強く、もう一
方の片側（Ｘ≠０）は切削加工を可能にしたものであ
る。また、厚み方向に組成傾斜を持たせたＡｌＮ−Ａｌ
2 Ｏ3 系で構成し、ＡｌＮで高熱伝導性をもたせ、Ａｌ
2 Ｏ3で機械的強度をもたせるようにしたものである。
【００１０】更に、厚み方向に組成傾斜を持たせた多孔
質ガラス−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、多孔質ガラスで誘電
率を下げ、Ａｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせるようにし
たものである。
質ガラス−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、多孔質ガラスで誘電
率を下げ、Ａｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせるようにし
たものである。
【００１１】
【作用】上記したように、本発明によれば、セラミック
基板は、 （１）窒化アルミニウム粉末（ＡｌＮ）と窒化ホウ素粉
末（ＢＮ）の混合体を焼結した、Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系
（０．３≧Ｘ≧０）であり、厚さ方向に組成を傾斜させ
ている。そして、ＢＮによりマシナビリティーを持た
せ、厚み方向に切削性を持たせることができる。 （２）窒化アルミニウム粉末（ＡｌＮ）とアルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3）の混合体を焼結して成るものであり、厚さ方
向に組成を傾斜させる。そして、熱伝導率は、ＡｌＮで
かせいで、機械的強度はアルミナでカバーすることがで
き、高強度高熱伝導性基板を得ることができる。 （３）ポーラスガラス（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）とアルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の混合体を焼結して成るものであり、
厚さ方向に組成を傾斜させる。そして、上部は誘電率の
低いポーラスガラス（多孔質ガラス：誘電率εr は４以
下）を用いて誘電率εr を下げ、下部はアルミナにより
基板の強度をかせぐことにより、誘電率の小さく、しか
も機械的強度のある基板を得ることができる。
基板は、 （１）窒化アルミニウム粉末（ＡｌＮ）と窒化ホウ素粉
末（ＢＮ）の混合体を焼結した、Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系
（０．３≧Ｘ≧０）であり、厚さ方向に組成を傾斜させ
ている。そして、ＢＮによりマシナビリティーを持た
せ、厚み方向に切削性を持たせることができる。 （２）窒化アルミニウム粉末（ＡｌＮ）とアルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3）の混合体を焼結して成るものであり、厚さ方
向に組成を傾斜させる。そして、熱伝導率は、ＡｌＮで
かせいで、機械的強度はアルミナでカバーすることがで
き、高強度高熱伝導性基板を得ることができる。 （３）ポーラスガラス（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）とアルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の混合体を焼結して成るものであり、
厚さ方向に組成を傾斜させる。そして、上部は誘電率の
低いポーラスガラス（多孔質ガラス：誘電率εr は４以
下）を用いて誘電率εr を下げ、下部はアルミナにより
基板の強度をかせぐことにより、誘電率の小さく、しか
も機械的強度のある基板を得ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示すセラミック基板の構成図である。この実施例のセラ
ミック基板は、窒化アルミニウム粉末（ＡｌＮ）と窒化
ホウ素粉末（ＢＮ）の混合体を焼結して成るものである
が、厚さ方向に組成を傾斜させているところに特徴があ
る。一般に、ＡｌＮとＢＮは固溶せず複合体となり、Ａ
ｌＮマトリックス中に析出するＢＮが破壊エネルギーを
吸収し、切削加工を可能としている。即ち、ＢＮにより
マシナビリティーを持たせ、厚み方向に切削性を持たせ
るようにしている。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示すセラミック基板の構成図である。この実施例のセラ
ミック基板は、窒化アルミニウム粉末（ＡｌＮ）と窒化
ホウ素粉末（ＢＮ）の混合体を焼結して成るものである
が、厚さ方向に組成を傾斜させているところに特徴があ
る。一般に、ＡｌＮとＢＮは固溶せず複合体となり、Ａ
ｌＮマトリックス中に析出するＢＮが破壊エネルギーを
吸収し、切削加工を可能としている。即ち、ＢＮにより
マシナビリティーを持たせ、厚み方向に切削性を持たせ
るようにしている。
【００１３】ここで、厚さ方向に組成傾斜をもたせる方
法は、一般的に次のように行なえば可能である。即ち、
Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系において、Ｘを０より０．３迄いくつ
かの値を選び、幾種類かの混合粉を用意する。例えば、
Ｘ＝０、０．０５、０．１、０．１５、０．２０、０．
２５、０．３０と７種を選ぶとする。これらの粉末を通
常のセラミックス製造法に従って、厚み０．５ｍｍ、直
径１０ｍｍφ程度の円板（ペレット）とする。これら７
板の円板（ペレット）を積み重ねて一体化し、所定の温
度、雰囲気で焼成することによって、厚さ方向にほぼ連
続的にＸの異なる組成傾斜のセラミック基板が得られ
る。
法は、一般的に次のように行なえば可能である。即ち、
Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系において、Ｘを０より０．３迄いくつ
かの値を選び、幾種類かの混合粉を用意する。例えば、
Ｘ＝０、０．０５、０．１、０．１５、０．２０、０．
２５、０．３０と７種を選ぶとする。これらの粉末を通
常のセラミックス製造法に従って、厚み０．５ｍｍ、直
径１０ｍｍφ程度の円板（ペレット）とする。これら７
板の円板（ペレット）を積み重ねて一体化し、所定の温
度、雰囲気で焼成することによって、厚さ方向にほぼ連
続的にＸの異なる組成傾斜のセラミック基板が得られ
る。
【００１４】このように、Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系において、
Ｘ＝０〜０．３の範囲で幾種類かのペレットを用意し、
それらを合体し、焼成して、傾斜組成を有するセラミッ
ク基板を得るようにしている。ここで、Ｘ＝０の側は、
熱伝導率も高く、機械的強度も大きい。一方、Ｘ≠０で
ＢＮを含む側は、熱伝導率はＢＮの増加とともに低下す
るが、マシナビリティーが改善されている。
Ｘ＝０〜０．３の範囲で幾種類かのペレットを用意し、
それらを合体し、焼成して、傾斜組成を有するセラミッ
ク基板を得るようにしている。ここで、Ｘ＝０の側は、
熱伝導率も高く、機械的強度も大きい。一方、Ｘ≠０で
ＢＮを含む側は、熱伝導率はＢＮの増加とともに低下す
るが、マシナビリティーが改善されている。
【００１５】ここで、Ｘ＝０．３としたのは、Ｘの増加
とともに熱伝導率が低下することになり、Ｘが０．３を
超えると基板材料として望ましい１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）
以上の値が得られなくなるからである。基本的には、Ａ
ｌ1-x Ｂx Ｎ系において高熱伝導性基板が得られるが、
一般にＡｌＮは難焼結体であり、種々の添加物が焼結性
を高め、更に、高熱伝導化に効果がある。添加物として
有用な効果が見られるものは、ＣａＯ，ＣａＦ2 ，Ａｌ
Ｆ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＹＦ3 等の酸化物、フッ化物であり、
全重量で１０モル％以下が有効である。１０モル％以上
になると、熱伝導率１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上のものが
得られないので、１０モル％以下とした。
とともに熱伝導率が低下することになり、Ｘが０．３を
超えると基板材料として望ましい１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）
以上の値が得られなくなるからである。基本的には、Ａ
ｌ1-x Ｂx Ｎ系において高熱伝導性基板が得られるが、
一般にＡｌＮは難焼結体であり、種々の添加物が焼結性
を高め、更に、高熱伝導化に効果がある。添加物として
有用な効果が見られるものは、ＣａＯ，ＣａＦ2 ，Ａｌ
Ｆ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＹＦ3 等の酸化物、フッ化物であり、
全重量で１０モル％以下が有効である。１０モル％以上
になると、熱伝導率１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上のものが
得られないので、１０モル％以下とした。
【００１６】以下、具体的な実施例について説明する。
『実施例 １』ＣａＯ ２モル％、ＣａＦ2 ２モル％
を含むＡｌＮ、Ａｌ0.96Ｂ0.04Ｎ、Ａｌ0.91Ｂ
0.09Ｎ、Ａｌ0.87Ｂ0.13Ｎ、Ａｌ0.82Ｂ0.18Ｎ、
Ａｌ0.76Ｂ0.24Ｎの６種類の粉末を用意する。これらの
粉末を有機バインダー等を加えて、ドクターブレード法
で０．２ｍｍ厚のシートを作成する。これら６枚のシー
トを順番に重ね、加圧圧縮により一体化する。この積層
シートを、例えば、窒素気流中で１９００℃、６時間焼
成する。得られた基板は、次のような特性を示す。
を含むＡｌＮ、Ａｌ0.96Ｂ0.04Ｎ、Ａｌ0.91Ｂ
0.09Ｎ、Ａｌ0.87Ｂ0.13Ｎ、Ａｌ0.82Ｂ0.18Ｎ、
Ａｌ0.76Ｂ0.24Ｎの６種類の粉末を用意する。これらの
粉末を有機バインダー等を加えて、ドクターブレード法
で０．２ｍｍ厚のシートを作成する。これら６枚のシー
トを順番に重ね、加圧圧縮により一体化する。この積層
シートを、例えば、窒素気流中で１９００℃、６時間焼
成する。得られた基板は、次のような特性を示す。
【００１７】
熱伝導率（ＡｌＮの面） １８０Ｗ／ｍ・Ｋ
比誘電率（１ＭＨｚ） ８．５
切削加工時間（ＡｌＮと対抗面との対比） １／１０
『実施例 ２』ＡｌＦ3 １モル％、Ｙ2 Ｏ3 ３モル
％を含むＡｌ0.99Ｂ0.01Ｎ、Ａｌ 0.96Ｂ0.04Ｎ、
Ａｌ0.90Ｂ0.10Ｎ、Ａｌ0.86Ｎ0.14Ｎ、Ａｌ0.75Ｂ
0.25Ｎの５種の粉末を用意し、有機バインダーを加え
て、１０ｍｍφ厚み０．３ｍｍの円板を各々作成する。
これら５枚の円板を順番に重ね、加圧圧縮により一体化
する。この積層円板を、窒素気流中で１８５０℃、１０
時間焼成する。得られた円板は、次のような特性を有す
る。
％を含むＡｌ0.99Ｂ0.01Ｎ、Ａｌ 0.96Ｂ0.04Ｎ、
Ａｌ0.90Ｂ0.10Ｎ、Ａｌ0.86Ｎ0.14Ｎ、Ａｌ0.75Ｂ
0.25Ｎの５種の粉末を用意し、有機バインダーを加え
て、１０ｍｍφ厚み０．３ｍｍの円板を各々作成する。
これら５枚の円板を順番に重ね、加圧圧縮により一体化
する。この積層円板を、窒素気流中で１８５０℃、１０
時間焼成する。得られた円板は、次のような特性を有す
る。
【００１８】
熱伝導率（Ａｌ0.99Ｂ0.01Ｎ面） １９５Ｗ／（ｍ・
Ｋ） 比誘電率（１ＭＨｚ） ８．６ 切削加工時間（Ａｌ0.99Ｂ0.01Ｎ面と対抗面との対比）
１／１８ 『実施例 ３』Ｙ2 Ｏ3 １．５モル％、ＹＦ3 ４モ
ル％、ＣａＯ １モル％を含むＡｌＮ、Ａｌ0.95Ｂ
0.05Ｎ、Ａｌ0.90Ｂ0.10Ｎ、Ａｌ0.88Ｂ0.12Ｎ、
Ａｌ0. 86Ｂ0.14Ｎ、Ａｌ0.78Ｂ0.22Ｎ、Ａｌ0.78Ｂ
0.29Ｎの７種類の粉末を用意する。これらの粉末を有機
バインダーを加えて、ドクターブレード法で０．１５ｍ
ｍ厚のシートを作成する。これらのシートを順番に重
ね、加圧圧縮により一体化する。この積層シートを、例
えば、１９４０℃、５時間、窒素気流中で焼成して基板
を得る。得られた基板の特性は下記の特性を示す。
Ｋ） 比誘電率（１ＭＨｚ） ８．６ 切削加工時間（Ａｌ0.99Ｂ0.01Ｎ面と対抗面との対比）
１／１８ 『実施例 ３』Ｙ2 Ｏ3 １．５モル％、ＹＦ3 ４モ
ル％、ＣａＯ １モル％を含むＡｌＮ、Ａｌ0.95Ｂ
0.05Ｎ、Ａｌ0.90Ｂ0.10Ｎ、Ａｌ0.88Ｂ0.12Ｎ、
Ａｌ0. 86Ｂ0.14Ｎ、Ａｌ0.78Ｂ0.22Ｎ、Ａｌ0.78Ｂ
0.29Ｎの７種類の粉末を用意する。これらの粉末を有機
バインダーを加えて、ドクターブレード法で０．１５ｍ
ｍ厚のシートを作成する。これらのシートを順番に重
ね、加圧圧縮により一体化する。この積層シートを、例
えば、１９４０℃、５時間、窒素気流中で焼成して基板
を得る。得られた基板の特性は下記の特性を示す。
【００１９】
熱伝導率（ＡｌＮ面） １４５Ｗ／（ｍ・Ｋ）
比誘電率（１ＭＨｚ） ８．５
切削加工時間（ＡｌＮと対抗面との対比） １／１５
『実施例 ４』ＣａＯ ０．５モル％、ＣａＦ2 １．
２モル％、Ｙ2 Ｏ3 １．４モル％を含むＡｌＮ、Ａ
ｌ0.96Ｂ0.04Ｎ、Ａｌ0.92Ｂ0.08Ｎ、Ａｌ0.88Ｂ
0.12Ｎ、Ａｌ0.83Ｂ0.17Ｎ、Ａｌ0.80Ｂ0.20Ｎ、
Ａｌ0.76Ｂ0.24Ｎの７種の粉末を用意する。有機バイン
ダーを加え、１５ｍｍφ厚み０．３５ｍｍの円板を各々
作成し、これらの７枚の円板を順番に重ね、加圧圧縮に
より一体化する。この積層円板を窒素気流中で、１９２
０℃、８時間焼成して円板を得る。得られた円板は以下
の特性を有する。
２モル％、Ｙ2 Ｏ3 １．４モル％を含むＡｌＮ、Ａ
ｌ0.96Ｂ0.04Ｎ、Ａｌ0.92Ｂ0.08Ｎ、Ａｌ0.88Ｂ
0.12Ｎ、Ａｌ0.83Ｂ0.17Ｎ、Ａｌ0.80Ｂ0.20Ｎ、
Ａｌ0.76Ｂ0.24Ｎの７種の粉末を用意する。有機バイン
ダーを加え、１５ｍｍφ厚み０．３５ｍｍの円板を各々
作成し、これらの７枚の円板を順番に重ね、加圧圧縮に
より一体化する。この積層円板を窒素気流中で、１９２
０℃、８時間焼成して円板を得る。得られた円板は以下
の特性を有する。
【００２０】
熱伝導率（ＡｌＮ面） ２１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）
比誘電率（１ＭＨｚ） ８．７
切削加工時間（ＡｌＮと対抗面との対比） １／１３
また、セラミック基板の低誘電率化の観点からすると、
Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系では、ＡｌＮに比べて、それ程の低誘
電率化には限界がある。しかし、各種の添加物を１０モ
ル％以下添加することによって、ＡｌＮ単体より低くす
ることが可能であることがわかり、添加物は低誘電率化
にも作用効果のあることがわかった。
Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系では、ＡｌＮに比べて、それ程の低誘
電率化には限界がある。しかし、各種の添加物を１０モ
ル％以下添加することによって、ＡｌＮ単体より低くす
ることが可能であることがわかり、添加物は低誘電率化
にも作用効果のあることがわかった。
【００２１】ここで、切削加工の評価については、一例
として、２００ｇの重さのおもりを７２ｍ／ｓｅｃの速
度で負荷し、１ｍｍの厚さを切削するのに要する時間を
比較してみると、Ｘ＝０では約５０分間かかるのに対し
て、Ｘ＝０．１では約１０分間、Ｘ＝０．２では約５分
間、更にＸ＝０．３では２．５分間となり、Ｘの増加と
ともに大幅に短縮されることがわかった。
として、２００ｇの重さのおもりを７２ｍ／ｓｅｃの速
度で負荷し、１ｍｍの厚さを切削するのに要する時間を
比較してみると、Ｘ＝０では約５０分間かかるのに対し
て、Ｘ＝０．１では約１０分間、Ｘ＝０．２では約５分
間、更にＸ＝０．３では２．５分間となり、Ｘの増加と
ともに大幅に短縮されることがわかった。
【００２２】以上のように、本発明の利点は、基板とし
て必要な面は、機械的強度も高く、熱伝導率も大きく、
更に比誘電率を低下させることができる。また、組成を
傾斜させることにより、もう一方の片側から切削加工が
可能であるという利点を有している。例えば、ＢＮ面か
らなら上下配線用の穴（スルーホール）を微小ドリル
（０．５ｍｍφ）で容易に形成することができる。
て必要な面は、機械的強度も高く、熱伝導率も大きく、
更に比誘電率を低下させることができる。また、組成を
傾斜させることにより、もう一方の片側から切削加工が
可能であるという利点を有している。例えば、ＢＮ面か
らなら上下配線用の穴（スルーホール）を微小ドリル
（０．５ｍｍφ）で容易に形成することができる。
【００２３】このようにして、傾斜機能材料を利用した
高熱伝導性マシナブル基板を得ることができる。このよ
うな基板は、多層高密度配線用基板として好適である。
次に、図２は本発明の第２の実施例を示すセラミック基
板の構成図である。この実施例のセラミック基板は、窒
化アルミニウム粉末（ＡｌＮ）とアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）の混合体を焼結して成るものであるが、厚さ方
向に組成を傾斜させる。
高熱伝導性マシナブル基板を得ることができる。このよ
うな基板は、多層高密度配線用基板として好適である。
次に、図２は本発明の第２の実施例を示すセラミック基
板の構成図である。この実施例のセラミック基板は、窒
化アルミニウム粉末（ＡｌＮ）とアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）の混合体を焼結して成るものであるが、厚さ方
向に組成を傾斜させる。
【００２４】このように構成することにより、ＡｌＮ系
は熱伝導率が高く（２００Ｗ／ｍ・Ｋ）、アルミナは機
械的強度が大であであるので、即ち、熱伝導率はＡｌＮ
でかせいで、機械的強度はアルミナでカバーすることが
でき、高強度高熱伝導性基板を得ることができる。因み
に、アルミナの熱伝導率は２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。
は熱伝導率が高く（２００Ｗ／ｍ・Ｋ）、アルミナは機
械的強度が大であであるので、即ち、熱伝導率はＡｌＮ
でかせいで、機械的強度はアルミナでカバーすることが
でき、高強度高熱伝導性基板を得ることができる。因み
に、アルミナの熱伝導率は２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。
【００２５】その製造方法は、原料粉末として、Ａｌ
Ｎ、ＡｌＯＮ、Ａｌ2Ｏ3 を用意する。厚み方向に組成
を傾斜させるには、次のような幾種類かの混合粉を用意
する。例えば、ＡｌＮ、0.７５ＡｌＮ−０．２５Ａ
ｌＯＮ、０．５ＡｌＮ−０．５ＡｌＯＮ、０．７５
ＡｌＯＮ−０．２５Ａｌ2 Ｏ3 、０．５０ＡｌＯＮ−
０．５Ａｌ2 Ｏ3 、０．２５ＡｌＯＮ−０．７５Ａｌ
2 Ｏ3、Ａｌ2 Ｏ3 の７種を選ぶとする。これらの粉
末を通常のセラミックス製造法に従って、厚み０．５ｍ
ｍ、直径１０ｍｍφ程度の円板とする。これら７枚の円
板を一体化し、所定の温度、雰囲気で焼成することによ
って、厚さ方向にほぼ連続的に窒素Ｎの異なる組成傾斜
のセラミックスが得られる。この系においては、機械的
強度を改善するために、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＣａＯ等の
添加物が有効である。
Ｎ、ＡｌＯＮ、Ａｌ2Ｏ3 を用意する。厚み方向に組成
を傾斜させるには、次のような幾種類かの混合粉を用意
する。例えば、ＡｌＮ、0.７５ＡｌＮ−０．２５Ａ
ｌＯＮ、０．５ＡｌＮ−０．５ＡｌＯＮ、０．７５
ＡｌＯＮ−０．２５Ａｌ2 Ｏ3 、０．５０ＡｌＯＮ−
０．５Ａｌ2 Ｏ3 、０．２５ＡｌＯＮ−０．７５Ａｌ
2 Ｏ3、Ａｌ2 Ｏ3 の７種を選ぶとする。これらの粉
末を通常のセラミックス製造法に従って、厚み０．５ｍ
ｍ、直径１０ｍｍφ程度の円板とする。これら７枚の円
板を一体化し、所定の温度、雰囲気で焼成することによ
って、厚さ方向にほぼ連続的に窒素Ｎの異なる組成傾斜
のセラミックスが得られる。この系においては、機械的
強度を改善するために、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＣａＯ等の
添加物が有効である。
【００２６】以下、具体的な実施例について説明する。
『実施例１』ＭｇＯ １モル％を含むＡｌＮ、０．
８ＡｌＮ−０．２ＡｌＯＮ、０．５ＡｌＮ−０．５Ａ
ｌＯＮ、０．２ＡｌＮ−０．８ＡｌＯＮ、０．８Ａ
ｌＯＮ−０．２Ａｌ2 Ｏ3 、０．５ＡｌＯＮ−０．５
Ａｌ2 Ｏ3 、０．２ＡｌＯＮ−０．８Ａｌ2 Ｏ3 、
Ａｌ2 Ｏ3 の８種の粉末を用意し、これらの粉末を有機
バインダー等を加え、ドクターブレード法で０．２ｍｍ
厚のシートを作成する。これらのシートを順番に重ね、
加圧圧縮により一体化する。この積層シートを、例え
ば、コントロールされた窒素気流中で、１８３０℃で５
時間焼成する。得られた基板は、次のような特性を有す
る。
８ＡｌＮ−０．２ＡｌＯＮ、０．５ＡｌＮ−０．５Ａ
ｌＯＮ、０．２ＡｌＮ−０．８ＡｌＯＮ、０．８Ａ
ｌＯＮ−０．２Ａｌ2 Ｏ3 、０．５ＡｌＯＮ−０．５
Ａｌ2 Ｏ3 、０．２ＡｌＯＮ−０．８Ａｌ2 Ｏ3 、
Ａｌ2 Ｏ3 の８種の粉末を用意し、これらの粉末を有機
バインダー等を加え、ドクターブレード法で０．２ｍｍ
厚のシートを作成する。これらのシートを順番に重ね、
加圧圧縮により一体化する。この積層シートを、例え
ば、コントロールされた窒素気流中で、１８３０℃で５
時間焼成する。得られた基板は、次のような特性を有す
る。
【００２７】
熱伝導率（ＡｌＮ面） １３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）
比誘電率（１ＭＨｚ） ８．９
硬さ（ビッカース）（Ａｌ2 Ｏ3 面） ２５００ｋｇ／
ｍｍ2 硬さ（ビッカース）（ＡｌＮ面） １３００ｋｇ／
ｍｍ2 次に、図３は本発明の第３の実施例を示すセラミック基
板の構成図である。
ｍｍ2 硬さ（ビッカース）（ＡｌＮ面） １３００ｋｇ／
ｍｍ2 次に、図３は本発明の第３の実施例を示すセラミック基
板の構成図である。
【００２８】この実施例のセラミック基板は、ポーラス
ガラス（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）とアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3）の混合体を焼結して成るものであるが、厚さ方
向に組成を傾斜させる。このように構成することによ
り、上部は誘電率の低いポーラスガラス（多孔質ガラ
ス：誘電率εr は４以下）を用いて誘電率εr を下げ、
下部はアルミナにより基板の強度をかせぐことにより、
誘電率の小さく、しかも機械的強度のある基板を得るこ
とができる。このようなセラミック基板は、低誘電率で
あるために、配線の容量成分が減少し、信号の遅延をな
くすことができる。
ガラス（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）とアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3）の混合体を焼結して成るものであるが、厚さ方
向に組成を傾斜させる。このように構成することによ
り、上部は誘電率の低いポーラスガラス（多孔質ガラ
ス：誘電率εr は４以下）を用いて誘電率εr を下げ、
下部はアルミナにより基板の強度をかせぐことにより、
誘電率の小さく、しかも機械的強度のある基板を得るこ
とができる。このようなセラミック基板は、低誘電率で
あるために、配線の容量成分が減少し、信号の遅延をな
くすことができる。
【００２９】従って、高速コンピュータ用基板などに好
適である。その製造方法は、原料粉末として、ホウケイ
酸ガラス（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）とアルミナを用意す
る。厚み方向に組成を傾斜させるには、次のような幾種
類かの混合粉を用意する。例えば、モル％で、（Ｂ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）３０−Ａｌ 2 Ｏ3 ７０、（Ｂ2 Ｏ3
−ＳｉＯ2 ）４０−Ａｌ2 Ｏ3 ６０、（Ｂ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 ）３０−Ａｌ2 Ｏ3 ７０の３種を選ぶものとす
る。これらの粉末を通常のセラミックス製造法に従っ
て、厚さ０．３ｍｍ、直径１０ｍｍφ程度の円板とす
る。これらの３枚の円板を一体化し、所定の温度、雰囲
気で焼成することによって、厚さ方向にほぼ連続的にＡ
ｌ2 Ｏ3 の異なる組成傾斜のセラミックスが得られる。
この系において、多孔質にするためには、５００〜７０
０℃程度で熱処理をし、ガラスを析出させ、その後ガラ
ス成分を酸流により除去することによって得られる。ま
た、ガラス成分のホウケイ酸ガラス以外のガラスでも同
様の効果が得られる。
適である。その製造方法は、原料粉末として、ホウケイ
酸ガラス（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）とアルミナを用意す
る。厚み方向に組成を傾斜させるには、次のような幾種
類かの混合粉を用意する。例えば、モル％で、（Ｂ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）３０−Ａｌ 2 Ｏ3 ７０、（Ｂ2 Ｏ3
−ＳｉＯ2 ）４０−Ａｌ2 Ｏ3 ６０、（Ｂ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 ）３０−Ａｌ2 Ｏ3 ７０の３種を選ぶものとす
る。これらの粉末を通常のセラミックス製造法に従っ
て、厚さ０．３ｍｍ、直径１０ｍｍφ程度の円板とす
る。これらの３枚の円板を一体化し、所定の温度、雰囲
気で焼成することによって、厚さ方向にほぼ連続的にＡ
ｌ2 Ｏ3 の異なる組成傾斜のセラミックスが得られる。
この系において、多孔質にするためには、５００〜７０
０℃程度で熱処理をし、ガラスを析出させ、その後ガラ
ス成分を酸流により除去することによって得られる。ま
た、ガラス成分のホウケイ酸ガラス以外のガラスでも同
様の効果が得られる。
【００３０】以下、具体的な実施例について説明する。
『実施例１』モル％で、（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）３５
−Ａｌ2 Ｏ3 ６５、（Ｂ2 Ｏ3−ＳｉＯ2 ）４０−Ａ
ｌ2 Ｏ3 ６０、（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）５０−Ａｌ2
Ｏ3 ５０、（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）６０−Ａｌ2 Ｏ3
４０の４種の粉末を用意し、これらの粉末を有機バイン
ダー等を加え、ドクターブレード法で０．２５ｍｍ厚の
シートを作成する。これらのシートを順番に重ね、加圧
圧縮により一体化する。この積層シートを１０５０℃で
３時間空気中で焼成する。この焼結体を６００℃で２時
間熱処理をし、ガラス成分を析出させ、ガラス成分を塩
酸（Ｈｃｌ）で除去して得た多孔質セラミック基板は、
次のような特性を有する。
−Ａｌ2 Ｏ3 ６５、（Ｂ2 Ｏ3−ＳｉＯ2 ）４０−Ａ
ｌ2 Ｏ3 ６０、（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）５０−Ａｌ2
Ｏ3 ５０、（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）６０−Ａｌ2 Ｏ3
４０の４種の粉末を用意し、これらの粉末を有機バイン
ダー等を加え、ドクターブレード法で０．２５ｍｍ厚の
シートを作成する。これらのシートを順番に重ね、加圧
圧縮により一体化する。この積層シートを１０５０℃で
３時間空気中で焼成する。この焼結体を６００℃で２時
間熱処理をし、ガラス成分を析出させ、ガラス成分を塩
酸（Ｈｃｌ）で除去して得た多孔質セラミック基板は、
次のような特性を有する。
【００３１】
比誘電率（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ６０−Ａｌ2 Ｏ3 ４０の
面）（１ＭＨｚ） ４．３ 硬さ（ビッカース）（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ３５−Ａｌ2
Ｏ3 ６５の面）１５００ｋｇ／ｍｍ2 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
面）（１ＭＨｚ） ４．３ 硬さ（ビッカース）（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ３５−Ａｌ2
Ｏ3 ６５の面）１５００ｋｇ／ｍｍ2 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、厚み方向に組成傾斜を持たせた選択された材料
により、各種の優れた特性を有するセラミック基板を得
ることができる。即ち、ＡｌＮ系材料に、特殊な方法で
窒化ホウ素を加えることにより、厚み方向に組成傾斜を
持たせ、基板材料としての機械的強度を保有しながら、
切削加工性をもたせ、合わせて誘電率を低減することが
できるセラミック基板を得ることができる。また、組成
を傾斜させることにより、もう一方の片側から切削加工
が可能であるという実用的効果を奏する。
よれば、厚み方向に組成傾斜を持たせた選択された材料
により、各種の優れた特性を有するセラミック基板を得
ることができる。即ち、ＡｌＮ系材料に、特殊な方法で
窒化ホウ素を加えることにより、厚み方向に組成傾斜を
持たせ、基板材料としての機械的強度を保有しながら、
切削加工性をもたせ、合わせて誘電率を低減することが
できるセラミック基板を得ることができる。また、組成
を傾斜させることにより、もう一方の片側から切削加工
が可能であるという実用的効果を奏する。
【００３３】更に、厚み方向に組成傾斜を持たせたＡｌ
Ｎ−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、ＡｌＮで高熱伝導性をもた
せ、Ａｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせるセラミック基板
を得ることができる。また、厚み方向に組成傾斜を持た
せた多孔質ガラス−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、多孔質ガラ
スで誘電率を下げ、Ａｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせる
セラミック基板を得ることができる。
Ｎ−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、ＡｌＮで高熱伝導性をもた
せ、Ａｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせるセラミック基板
を得ることができる。また、厚み方向に組成傾斜を持た
せた多孔質ガラス−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、多孔質ガラ
スで誘電率を下げ、Ａｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせる
セラミック基板を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すセラミック基板の
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示すセラミック基板の
構成図である。
構成図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示すセラミック基板の
構成図である。
構成図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０５Ｋ 1/03 Ｂ 7011−4Ｅ
Claims (10)
- 【請求項１】 厚み方向に組成傾斜を持たせたＡｌ1-x
Ｂx Ｎ系（０．３≧Ｘ≧０）で、高熱伝導性を有し、か
つマシナブルであることを特徴とするセラミック基板。 - 【請求項２】 請求項１記載のセラミック基板におい
て、Ａｌ1-x Ｂx Ｎ系に高熱伝導性を付与させるために
加えられた全重量が、１０モル％以下のＣａＯ、ＣａＦ
2 、ＡｌＦ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＹＦ3 から選ばれた少なくと
も一種を含む組成を有するセラミック基板。 - 【請求項３】 請求項１記載のセラミック基板におい
て、基板面の片側（Ｘ＝０又は微小なＸの値）は高熱伝
導性を有し、機械的強度も強く、もう一方の片側（Ｘ≠
０）は切削加工が可能であることを特徴とするセラミッ
ク基板。 - 【請求項４】 厚み方向に組成傾斜を持たせたＡｌ1-x
Ｂx Ｎ系（０．３≧Ｘ≧０）のセラミック基板の製造方
法において、（ａ）前記Ｘを０より０．３迄いくつかの
値を選定して得られる複数個のペレットを用意し、
（ｂ）該ペレットを順次積み重ねて一体化し、（ｃ）所
定の温度、雰囲気で焼成し、（ｄ）厚さ方向にほぼ連続
的に前記Ｘの異なる組成傾斜をさせることを特徴とする
セラミック基板の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のセラミック基板の製造方
法において、添加物として全重量が、１０モル％以下の
ＣａＯ、ＣａＦ2 、ＡｌＦ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＹＦ3 から選
ばれた少なくとも一種を添加することを特徴とするセラ
ミック基板の製造方法。 - 【請求項６】 厚み方向に組成傾斜を持たせたＡｌＮ−
Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、ＡｌＮで高熱伝導性をもたせ、
Ａｌ2 Ｏ3で機械的強度をもたせることを特徴とするセ
ラミック基板。 - 【請求項７】 請求項６記載のセラミック基板におい
て、機械的強度をもたせるためにＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯから選ばれた少なくとも一種の添加物を有するセラ
ミック基板。 - 【請求項８】 厚み方向に組成傾斜を持たせたＡｌＮ−
Ａｌ2 Ｏ3 系のセラミック基板の製造方法において、
（ａ）原料粉末がＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ａｌ2 Ｏ3 からな
る複数個のペレットを用意し、（ｂ）該ペレットを順次
積み重ねて一体化し、（ｃ）所定の温度、雰囲気で焼成
し、（ｄ）厚さ方向にほぼ連続的にＮの異なる組成傾斜
をさせることを特徴とするセラミック基板の製造方法。 - 【請求項９】 厚み方向に組成傾斜を持たせた多孔質ガ
ラス−Ａｌ2 Ｏ3 系で構成し、多孔質ガラスで誘電率を
下げ、Ａｌ2 Ｏ3 で機械的強度をもたせることを特徴と
するセラミック基板。 - 【請求項１０】 厚み方向に組成傾斜を持たせた多孔質
ガラス−Ａｌ2 Ｏ3 系のセラミック基板の製造方法にお
いて、（ａ）原料粉末が多孔質ガラスとＡｌ2 Ｏ3 から
なる複数個のペレットを用意し、（ｂ）該ペレットを順
次積み重ねて一体化し、（ｃ）所定の温度、雰囲気で焼
成し、（ｄ）厚さ方向にほぼ連続的にＡｌ2 Ｏ3 の異な
る組成傾斜をさせることを特徴とするセラミック基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03063607A JP3140475B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | セラミック基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03063607A JP3140475B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | セラミック基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524928A true JPH0524928A (ja) | 1993-02-02 |
| JP3140475B2 JP3140475B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=13234148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03063607A Expired - Fee Related JP3140475B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | セラミック基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3140475B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730044A3 (en) * | 1995-03-01 | 1998-09-09 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Boron-aluminum nitride coating and method of producing same |
| JP2009158549A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 立体回路基板用窒化アルミニウム系基材、その製造方法、及び立体回路基板 |
| JP2016500626A (ja) * | 2012-09-27 | 2016-01-14 | アロメット コーポレイション | 傾斜機能性材料の新規組成物を有する金属またはセラミック物品を形成する方法およびそれを含有する物品 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP03063607A patent/JP3140475B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730044A3 (en) * | 1995-03-01 | 1998-09-09 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Boron-aluminum nitride coating and method of producing same |
| JP2009158549A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 立体回路基板用窒化アルミニウム系基材、その製造方法、及び立体回路基板 |
| JP2016500626A (ja) * | 2012-09-27 | 2016-01-14 | アロメット コーポレイション | 傾斜機能性材料の新規組成物を有する金属またはセラミック物品を形成する方法およびそれを含有する物品 |
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|---|---|
| JP3140475B2 (ja) | 2001-03-05 |
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