JPH05249520A - 光第２高調波発生器 - Google Patents
光第２高調波発生器Info
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- JPH05249520A JPH05249520A JP4046466A JP4646692A JPH05249520A JP H05249520 A JPH05249520 A JP H05249520A JP 4046466 A JP4046466 A JP 4046466A JP 4646692 A JP4646692 A JP 4646692A JP H05249520 A JPH05249520 A JP H05249520A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3558—Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
-
- G—PHYSICS
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- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
- G02F1/3775—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure with a periodic structure, e.g. domain inversion, for quasi-phase-matching [QPM]
-
- G—PHYSICS
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- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
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- G02F1/3548—Quasi phase matching [QPM], e.g. using a periodic domain inverted structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】入射光波長のずれや温度変化に対して出力変動
の小さい光第２高調波発生器を提供する。 【構成】周期的な非線形定数又は位相定数の変化、すな
わち周期的なドメイン反転領域２を設置した基板上にス
トライプ状光導波路１３を形成し、その光導波路の伝搬
方向の角度θを徐々に変化させるか、又は、光導波路上
に薄膜を設置し、その薄膜の厚さを伝搬方向に徐々に変
化させるかの方法により光第２高調波発生の位相整合条
件を光透過方向に徐々に変化させて、広い波長範囲で光
第２高調波発生を行なう。
の小さい光第２高調波発生器を提供する。 【構成】周期的な非線形定数又は位相定数の変化、すな
わち周期的なドメイン反転領域２を設置した基板上にス
トライプ状光導波路１３を形成し、その光導波路の伝搬
方向の角度θを徐々に変化させるか、又は、光導波路上
に薄膜を設置し、その薄膜の厚さを伝搬方向に徐々に変
化させるかの方法により光第２高調波発生の位相整合条
件を光透過方向に徐々に変化させて、広い波長範囲で光
第２高調波発生を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報処理分野等に用い
る短波長のレーザ光源を得るための非線形光学効果を利
用した光第２高調波発生器に関する。
る短波長のレーザ光源を得るための非線形光学効果を利
用した光第２高調波発生器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクメモリ装置は磁気メモリ装置
に比べて大容量，小型化が可能であるという特長があ
り、コンピュータの端末やＣＤ等様々な分野で使用され
ている。光ディスクのさらなる高密度化は大容量メモリ
の実現のための重要なテーマであり、検討が続けられて
いる。高密度化の方法として最も現実的な方法は記録ピ
ットのサイズを小さくすることであり、そのためには書
込み及び読出し光ビームを出来るだけ細く絞ることであ
る。光ビームの収束ビーム径はレンズ開口と焦点距離及
び光波長で決まり、レンズ等の部品を同じにした場合は
光の波長を出来るだけ短波長化することが必要となる。
光の短波長化には短波長の半導体レーザの開発が先ず考
えられるが、現在実用されているＩＩＩ−Ｖ族化合物を
使った場合には０．６μｍの波長帯の発振が限界であ
り、さらに短波長の緑色，青色のレーザ光源の実現には
他の、例えばＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザの実現が
必要となり、現状では実用レベルまで達するのには多く
の課題がある。
に比べて大容量，小型化が可能であるという特長があ
り、コンピュータの端末やＣＤ等様々な分野で使用され
ている。光ディスクのさらなる高密度化は大容量メモリ
の実現のための重要なテーマであり、検討が続けられて
いる。高密度化の方法として最も現実的な方法は記録ピ
ットのサイズを小さくすることであり、そのためには書
込み及び読出し光ビームを出来るだけ細く絞ることであ
る。光ビームの収束ビーム径はレンズ開口と焦点距離及
び光波長で決まり、レンズ等の部品を同じにした場合は
光の波長を出来るだけ短波長化することが必要となる。
光の短波長化には短波長の半導体レーザの開発が先ず考
えられるが、現在実用されているＩＩＩ−Ｖ族化合物を
使った場合には０．６μｍの波長帯の発振が限界であ
り、さらに短波長の緑色，青色のレーザ光源の実現には
他の、例えばＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザの実現が
必要となり、現状では実用レベルまで達するのには多く
の課題がある。
【０００３】一方、非線形光学効果を使った光第２高調
波発生（以下ＳＨＧという）は、比較的容易に波長を１
／２にすることが出来るため、短波長を得るための現実
的な方法として検討されている。ＳＨＧを実現するため
には、非線形媒質中を光ビームを通過させ、入射する励
起光と、第２高調波の位相速度を整合させる必要があ
る。
波発生（以下ＳＨＧという）は、比較的容易に波長を１
／２にすることが出来るため、短波長を得るための現実
的な方法として検討されている。ＳＨＧを実現するため
には、非線形媒質中を光ビームを通過させ、入射する励
起光と、第２高調波の位相速度を整合させる必要があ
る。
【０００４】従来、この種の光第２高調波発生器の位相
整合方法は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結晶や
ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ3 ）結晶等のバルク中に光
ビームを通過させ温度を調整して上記位相整合を得る方
法と、結晶基板上に光導波路を設けその光導波路中に入
射光を伝搬させて、チェレンコフ放射する第２高調波を
得る方法、および同様に光導波路中に入射光を伝搬さ
せ、光導波路中に非線形光学定数又は伝搬定数の周期構
造を設けて位相整合を得る方法が報告されている。これ
らの方法の中で、入射光エネルギーを最も集中させて光
効率化でき、また、微小な集光スポットが得られ、小型
の光源を得るのに適しているのは光導波路の周期構造を
利用する方法である。
整合方法は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結晶や
ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ3 ）結晶等のバルク中に光
ビームを通過させ温度を調整して上記位相整合を得る方
法と、結晶基板上に光導波路を設けその光導波路中に入
射光を伝搬させて、チェレンコフ放射する第２高調波を
得る方法、および同様に光導波路中に入射光を伝搬さ
せ、光導波路中に非線形光学定数又は伝搬定数の周期構
造を設けて位相整合を得る方法が報告されている。これ
らの方法の中で、入射光エネルギーを最も集中させて光
効率化でき、また、微小な集光スポットが得られ、小型
の光源を得るのに適しているのは光導波路の周期構造を
利用する方法である。
【０００５】この位相整合方法による従来の光第２高調
波発生器の一例を図３の斜視図に示す。図３において、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結晶基板１の＋Ｚ面
上にｘ軸方向の幅がほぼΩ0 ／２でｙ軸方向にストライ
プ状のドメイン反転領域２がｘ軸方向に周期Ω0 で配置
されている。さらに基板表面にプロトン交換により形成
されたｘ軸方向に伝搬させるストライプ状の光導波路３
が形成されている。ドメイン反転領域２とストライプ状
の光導波路３の深さはほぼ同程度である。ここで波長λ
1 の入射光４は光導波路３に入射し、その中で波長が半
分の第２高調波５に変換される。ドメイン反転領域２の
周期Ω0 はＳＨＧが加算され効率的に行われるように下
式の位相整合条件を満たす値に設定される。
波発生器の一例を図３の斜視図に示す。図３において、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結晶基板１の＋Ｚ面
上にｘ軸方向の幅がほぼΩ0 ／２でｙ軸方向にストライ
プ状のドメイン反転領域２がｘ軸方向に周期Ω0 で配置
されている。さらに基板表面にプロトン交換により形成
されたｘ軸方向に伝搬させるストライプ状の光導波路３
が形成されている。ドメイン反転領域２とストライプ状
の光導波路３の深さはほぼ同程度である。ここで波長λ
1 の入射光４は光導波路３に入射し、その中で波長が半
分の第２高調波５に変換される。ドメイン反転領域２の
周期Ω0 はＳＨＧが加算され効率的に行われるように下
式の位相整合条件を満たす値に設定される。
【０００６】 ２π／Ω0 ＝｜ｋ2 −ｋ1 ｜ …（１） ここでｋ1 ，ｋ2 はそれぞれ入射光４及び第２高調波５
の光導波路３中での伝搬定数である。
の光導波路３中での伝搬定数である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図３の従来の第２高調
波発生器は（１）式の位相整合条件に対して非常に敏感
であり、波長のずれや温度変化による伝搬特性のずれに
よって（１）式が満たされなくなると効率は急激に低下
してしまう。特に入射光である半導体レーザの発振波長
が温度等で変動した場合、第２高調波出力も低下してし
まうという実用上の問題がある。
波発生器は（１）式の位相整合条件に対して非常に敏感
であり、波長のずれや温度変化による伝搬特性のずれに
よって（１）式が満たされなくなると効率は急激に低下
してしまう。特に入射光である半導体レーザの発振波長
が温度等で変動した場合、第２高調波出力も低下してし
まうという実用上の問題がある。
【０００８】本発明の目的は、入射光波長のずれや温度
変化に対して変動の小さい第２高調波発生器を提供する
ことにある。
変化に対して変動の小さい第２高調波発生器を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光第２高調波発
生器は、非線形光学効果を有する基板上のＹ軸方向に周
期的に形成された複数の帯状のドメイン反転領域と、前
記ドメイン反転領域と交叉するＸ軸方向に形成されたス
トライプ状光導波路とを備える光第２高調波発生器にお
いて、前記ストライプ状光導波路は光伝搬軸の方向がＸ
軸方向に対し徐々に変化する変化率で変化するようにし
て形成する。また、前記ストライプ状光導波路は入出射
端で前記変化率を急変させるようにして形成しても良
い。
生器は、非線形光学効果を有する基板上のＹ軸方向に周
期的に形成された複数の帯状のドメイン反転領域と、前
記ドメイン反転領域と交叉するＸ軸方向に形成されたス
トライプ状光導波路とを備える光第２高調波発生器にお
いて、前記ストライプ状光導波路は光伝搬軸の方向がＸ
軸方向に対し徐々に変化する変化率で変化するようにし
て形成する。また、前記ストライプ状光導波路は入出射
端で前記変化率を急変させるようにして形成しても良
い。
【００１０】および非線形光学効果を有する基板上のＹ
軸方向に周期的に形成された複数の溝状のドメイン反転
領域と、前記ドメイン反転領域と交叉するＸ軸方向に形
成されたストライプ状光導波路とを備える光第２高調波
発生器において、前記ストライプ状光導波路上に光進行
方向に対し厚さが徐々に厚くなる薄膜を形成する。ま
た、前記ストライプ状光導波路上に形成された前記薄膜
は前記ストライプ状光導波路の入出力端付近で厚さを急
激に変化させ形成しても良い。
軸方向に周期的に形成された複数の溝状のドメイン反転
領域と、前記ドメイン反転領域と交叉するＸ軸方向に形
成されたストライプ状光導波路とを備える光第２高調波
発生器において、前記ストライプ状光導波路上に光進行
方向に対し厚さが徐々に厚くなる薄膜を形成する。ま
た、前記ストライプ状光導波路上に形成された前記薄膜
は前記ストライプ状光導波路の入出力端付近で厚さを急
激に変化させ形成しても良い。
【００１１】
【作用】本発明の光第２高調波発生器は、光導波路中を
入射光が伝搬するに従って満足する位相整合条件が徐々
に変化するように構成される。すなわち、ストライプ状
光導波路の進行方向を徐々に変化させる第１の発明で
は、光導波路中の入射光が感ずるドメイン反転領域の周
期Ω0 を徐々に変化させて、例えば入射光の波長変化に
より位相整合条件（１）式がある領域で満たされなくな
っても光導波路中の他の領域で（１）式が満たされるよ
うに設定される。
入射光が伝搬するに従って満足する位相整合条件が徐々
に変化するように構成される。すなわち、ストライプ状
光導波路の進行方向を徐々に変化させる第１の発明で
は、光導波路中の入射光が感ずるドメイン反転領域の周
期Ω0 を徐々に変化させて、例えば入射光の波長変化に
より位相整合条件（１）式がある領域で満たされなくな
っても光導波路中の他の領域で（１）式が満たされるよ
うに設定される。
【００１２】光導波路上に光吸収の小さい薄膜を設置し
た第２の発明では、その薄膜の厚さに依存して光導波路
中を伝搬する光の伝搬定数が変化することを利用し、上
述のストライプ状光導波路上に薄膜を形成し、その厚さ
を光進行方向に対し厚くすることにより光進行方向に伝
搬定数が変化して（１）式の位相整合条件をいずれかの
領域で満たすようにする。
た第２の発明では、その薄膜の厚さに依存して光導波路
中を伝搬する光の伝搬定数が変化することを利用し、上
述のストライプ状光導波路上に薄膜を形成し、その厚さ
を光進行方向に対し厚くすることにより光進行方向に伝
搬定数が変化して（１）式の位相整合条件をいずれかの
領域で満たすようにする。
【００１３】
【実施例】図１は本発明による第１の発明である第２高
調波発生器の一実施例を示す斜視図である。図１におい
て、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１上に図３に示す従来の第２
高調波発生器と同様な形状のドメイン反転領域２が形成
されている。ここで周期Ω0 は入射光波長が０．７〜
１．０μｍのときは数〜十数μｍ程度の値である。ま
た、ドメイン反転領域２の形成方法は例えば、ドメイン
を反転させたい領域の上にＳｉＯ2 膜を設置して１０５
０〜１１００℃で１〜数時間熱アニール処理を行う方法
がある。
調波発生器の一実施例を示す斜視図である。図１におい
て、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１上に図３に示す従来の第２
高調波発生器と同様な形状のドメイン反転領域２が形成
されている。ここで周期Ω0 は入射光波長が０．７〜
１．０μｍのときは数〜十数μｍ程度の値である。ま
た、ドメイン反転領域２の形成方法は例えば、ドメイン
を反転させたい領域の上にＳｉＯ2 膜を設置して１０５
０〜１１００℃で１〜数時間熱アニール処理を行う方法
がある。
【００１４】ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１上にはさらにスト
ライプ状光導波路１３が形成されており、その伝搬方向
はｘ軸に対してθだけ傾いており、θの値は光導波路の
入口から出口までの間で０°からθm まで徐々に変化し
ている。ストライプ状光導波路１３中を伝搬する入射光
に対する実効的なドメイン反転周期Ωは Ω＝Ω0 ／ｃｏｓθ …（２） となるので、例えばθm ＝２．５°とすればΩ≒１．０
０１Ω0 となり０．１％周期を変化させることができ、
同程度オーダーの入射光波長の変動に対しても位相整合
条件を満たすことが可能となる。
ライプ状光導波路１３が形成されており、その伝搬方向
はｘ軸に対してθだけ傾いており、θの値は光導波路の
入口から出口までの間で０°からθm まで徐々に変化し
ている。ストライプ状光導波路１３中を伝搬する入射光
に対する実効的なドメイン反転周期Ωは Ω＝Ω0 ／ｃｏｓθ …（２） となるので、例えばθm ＝２．５°とすればΩ≒１．０
０１Ω0 となり０．１％周期を変化させることができ、
同程度オーダーの入射光波長の変動に対しても位相整合
条件を満たすことが可能となる。
【００１５】なお、上述のようなドメイン反転周期の変
化を直接的にドメイン反転領域の位置を徐々に変えるこ
とにより得ることも可能であるが、この場合、０．１％
の変化を得るためには例えばΩ0 ＝１０μｍとすると周
期の変化幅は０．０１μｍとなりこのような高精度微細
加工は困難である。上述の周期の変化幅に反比例してＳ
ＨＧが生ずる実効的な長さが決まるので、従来の加工法
により若し周期の変化幅を大きくしすぎると変換効率は
大幅に低下してしまう。これに対し本実施例は周期の変
化幅を容易に高精度に調整できる。
化を直接的にドメイン反転領域の位置を徐々に変えるこ
とにより得ることも可能であるが、この場合、０．１％
の変化を得るためには例えばΩ0 ＝１０μｍとすると周
期の変化幅は０．０１μｍとなりこのような高精度微細
加工は困難である。上述の周期の変化幅に反比例してＳ
ＨＧが生ずる実効的な長さが決まるので、従来の加工法
により若し周期の変化幅を大きくしすぎると変換効率は
大幅に低下してしまう。これに対し本実施例は周期の変
化幅を容易に高精度に調整できる。
【００１６】なお、本実施例のストライプ状光導波路１
３の製作方法は、基板上に光導波路形状の開口をもつ金
属板マスクを設置し、安息香酸等の溶液中に２００℃〜
３００℃で数分〜数十分浸してその後２００〜３００℃
でアニール処理するプロトン交換法等を用いる。
３の製作方法は、基板上に光導波路形状の開口をもつ金
属板マスクを設置し、安息香酸等の溶液中に２００℃〜
３００℃で数分〜数十分浸してその後２００〜３００℃
でアニール処理するプロトン交換法等を用いる。
【００１７】図２は本発明の第２の発明である第２高調
波発生器の一実施例を示す斜視図である。図２におい
て、図３に示す従来の第２高調波発生器と同様な形状の
ドメイン反転領域２、及びストライプ状光導波路３がＬ
ｉＮｂＯ3 結晶基板１上に形成されている。更にストラ
イプ状光導波路３の上には光透過方向にテーパ形状とな
っている二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）薄膜１０が形成され
ている。
波発生器の一実施例を示す斜視図である。図２におい
て、図３に示す従来の第２高調波発生器と同様な形状の
ドメイン反転領域２、及びストライプ状光導波路３がＬ
ｉＮｂＯ3 結晶基板１上に形成されている。更にストラ
イプ状光導波路３の上には光透過方向にテーパ形状とな
っている二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）薄膜１０が形成され
ている。
【００１８】光導波路の上が空気である場合と他の物質
がコーティングされている場合では光導波路の伝搬定数
は異なり、またその値はコーティングされた物質の厚さ
にも依存する。更に、その変化の割合は伝搬光の波長に
大きく依存する。ここでＳｉＯ2 薄膜１０の厚さを光透
過方向に０から数千オングストロームの範囲で変化させ
ることにより、前記（１）式のｋ1 ，ｋ2 の値を変化さ
せ、通常ｋ1 に対する変化の方が大きいので、｜ｋ1 −
ｋ2 ｜の値が光透過方向に従って変化し、位相整合条件
を満たす波長が光透過方向に変化し、入射光波長の変動
をカバーすることができる。また、図１の実施例と同様
に、伝搬定数に対する変化を小さく設定できるので、高
精度な調整が可能である。
がコーティングされている場合では光導波路の伝搬定数
は異なり、またその値はコーティングされた物質の厚さ
にも依存する。更に、その変化の割合は伝搬光の波長に
大きく依存する。ここでＳｉＯ2 薄膜１０の厚さを光透
過方向に０から数千オングストロームの範囲で変化させ
ることにより、前記（１）式のｋ1 ，ｋ2 の値を変化さ
せ、通常ｋ1 に対する変化の方が大きいので、｜ｋ1 −
ｋ2 ｜の値が光透過方向に従って変化し、位相整合条件
を満たす波長が光透過方向に変化し、入射光波長の変動
をカバーすることができる。また、図１の実施例と同様
に、伝搬定数に対する変化を小さく設定できるので、高
精度な調整が可能である。
【００１９】なお、本発明において、ストライプ状光導
空路３又は１３の入射端及び入射端に近い領域で、変換
効率が徐々に低下するような重み付けを行うことによっ
て波長や温度に対する変換効率の変動をさらに小さくす
ることができる。上記重み付けは例えば、入出射端で光
導波路への光の閉込めを弱くしてエネルギー密度を下げ
るとか、入出射端で図１のθの値や図２のＳｉＯ2 膜の
膜厚を急激に変化させる等の方法により得られる。
空路３又は１３の入射端及び入射端に近い領域で、変換
効率が徐々に低下するような重み付けを行うことによっ
て波長や温度に対する変換効率の変動をさらに小さくす
ることができる。上記重み付けは例えば、入出射端で光
導波路への光の閉込めを弱くしてエネルギー密度を下げ
るとか、入出射端で図１のθの値や図２のＳｉＯ2 膜の
膜厚を急激に変化させる等の方法により得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように本発明は、入射光波長
のずれや温度変化に対して出力変動の小さい第２高調波
発生器が得られる効果がある。
のずれや温度変化に対して出力変動の小さい第２高調波
発生器が得られる効果がある。
【図１】第１の発明による第１の実施例の斜視図であ
る。
る。
【図２】第２の発明による第１の実施例の斜視図であ
る。
る。
【図３】従来例の斜視図である。
１ ＬｉＮｂＯ3 結晶基板 ２ ドメイン反転領域 ３ ストライプ状光導波路 １０ ＳｉＯ2 薄膜
Claims (4)
- 【請求項１】 非線形光学効果を有する基板上のＹ軸方
向に周期的に形成された複数の帯状のドメイン反転領域
と、前記ドメイン反転領域と交叉するＸ軸方向に形成さ
れたストライプ状光導波路とを備える光第２高調波発生
器において、前記ストライプ状光導波路は光伝搬軸の方
向がＸ軸方向に対し徐々に変化する変化率で変化するよ
うにして形成することを特徴とする光第２高調波発生
器。 - 【請求項２】 前記ストライプ状光導波路は入出射端で
前記変化率を急激に変化させ形成することを特徴とする
請求項１記載の光第２高調波発生器。 - 【請求項３】 非線形光学効果を有する基板上のＹ軸方
向に周期的に形成された複数の溝状のドメイン反転領域
と、前記ドメイン反転領域と交叉するＸ軸方向に形成さ
れたストライプ状光導波路とを備える光第２高調波発生
器において、前記ストライプ状光導波路上に光進行方向
に対し厚さが徐々に厚くなる薄膜を形成することを特徴
とする光第２高調波発生器。 - 【請求項４】 前記ストライプ状光導波路上に形成され
た前記薄膜は前記ストライプ状光導波路の入出力端付近
で厚さを急激に変化させ形成することを特徴とする請求
項３記載の光第２高調波発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4046466A JPH05249520A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 光第２高調波発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4046466A JPH05249520A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 光第２高調波発生器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249520A true JPH05249520A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12747949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4046466A Withdrawn JPH05249520A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 光第２高調波発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05249520A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002350915A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Ngk Insulators Ltd | 波長変換素子、波長変換用光導波路デバイス、高調波発生装置および波長変換素子の製造方法 |
| JP2003043537A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路デバイス及びコヒーレント光源及び光学装置 |
| JP2011186180A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Shimadzu Corp | 波長変換用光導波路素子 |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4046466A patent/JPH05249520A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002350915A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Ngk Insulators Ltd | 波長変換素子、波長変換用光導波路デバイス、高調波発生装置および波長変換素子の製造方法 |
| JP2003043537A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路デバイス及びコヒーレント光源及び光学装置 |
| JP2011186180A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Shimadzu Corp | 波長変換用光導波路素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |