JPH05250913A - 導電性ペ−スト及びこれを使用した積層磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
導電性ペ−スト及びこれを使用した積層磁器コンデンサの製造方法Info
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- JPH05250913A JPH05250913A JP6128191A JP6128191A JPH05250913A JP H05250913 A JPH05250913 A JP H05250913A JP 6128191 A JP6128191 A JP 6128191A JP 6128191 A JP6128191 A JP 6128191A JP H05250913 A JPH05250913 A JP H05250913A
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 積層磁器コンデンサの静電容量を大きくす
る。 【構成】 内部電極層１、２を形成するための導電ペー
ストはＰｄ（パラジウム）とＡｇ（銀）と卑金属とを含
んでいる。焼成過程でＰｄはＰｄＯになった後に再びＰ
ｄに戻る。ＰｄＯの酸化作用によって電極層１、２に隣
接する薄い誘電体磁器層６、７が生じる。誘電体磁器層
６、７の間にはＰｄと卑金属の還元作用によって半導体
化された半導体磁器層８が生じる。
る。 【構成】 内部電極層１、２を形成するための導電ペー
ストはＰｄ（パラジウム）とＡｇ（銀）と卑金属とを含
んでいる。焼成過程でＰｄはＰｄＯになった後に再びＰ
ｄに戻る。ＰｄＯの酸化作用によって電極層１、２に隣
接する薄い誘電体磁器層６、７が生じる。誘電体磁器層
６、７の間にはＰｄと卑金属の還元作用によって半導体
化された半導体磁器層８が生じる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大容量化が可能な積層
磁器コンデンサ及びその製造方法に関する。
磁器コンデンサ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体磁器コンデンサの１種として表面
再酸化型半導体磁器コンデンサが知られている。この表
面再酸化型半導体磁器コンデンサを製造する時には、例
えば、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）から成る主成
分に、原子価制御材料としての希土類元素（Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等）の酸化物と、Ｍｎ化合物
と、ＣａＺｒＯ3 とを添加した磁器材料組成物の成形体
を形成し、この成形体を１３００〜１３２０℃、大気中
（酸化性雰囲気）で焼成して磁器焼結体を得る。次に、
焼結体を水素と窒素とから成る還元性雰囲気中で１０２
０〜１１００℃で熱処理を施して半導体磁器に変える。
次に、半導体磁器に大気中（酸化性雰囲気）で１０００
〜１０４０℃の熱処理（再酸化処理）を施して半導体磁
器の表面に酸化層から成る誘電体磁器層（膜）を形成す
る。しかる後、誘電体磁器層の上に銀ペーストを塗布し
て焼付けることによって一対の電極を形成する。
再酸化型半導体磁器コンデンサが知られている。この表
面再酸化型半導体磁器コンデンサを製造する時には、例
えば、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）から成る主成
分に、原子価制御材料としての希土類元素（Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等）の酸化物と、Ｍｎ化合物
と、ＣａＺｒＯ3 とを添加した磁器材料組成物の成形体
を形成し、この成形体を１３００〜１３２０℃、大気中
（酸化性雰囲気）で焼成して磁器焼結体を得る。次に、
焼結体を水素と窒素とから成る還元性雰囲気中で１０２
０〜１１００℃で熱処理を施して半導体磁器に変える。
次に、半導体磁器に大気中（酸化性雰囲気）で１０００
〜１０４０℃の熱処理（再酸化処理）を施して半導体磁
器の表面に酸化層から成る誘電体磁器層（膜）を形成す
る。しかる後、誘電体磁器層の上に銀ペーストを塗布し
て焼付けることによって一対の電極を形成する。
【０００３】この表面再酸化型半導体磁器コンデンサに
おいては、半導体磁器層がコンデンサの電極として働
き、半導体磁器層と電極との間の１０〜２０μｍ程度の
極めて薄い誘電体磁器層がコンデンサの誘電体層として
働く。従って、等価的な（見かけ上の）比誘電率が大き
くなり、大容量化が可能になる。
おいては、半導体磁器層がコンデンサの電極として働
き、半導体磁器層と電極との間の１０〜２０μｍ程度の
極めて薄い誘電体磁器層がコンデンサの誘電体層として
働く。従って、等価的な（見かけ上の）比誘電率が大き
くなり、大容量化が可能になる。
【０００４】上記の説明では一対の電極を銀にしたの
で、一対の電極の間に２つの誘電体磁器層が介在し、等
価的に２つのコンデンサが直列接続される。この結果、
大容量が阻害される。この問題を解決するために、誘電
体磁器の一部を除去して半導体磁器層を露出させ、ここ
に一方の電極をオーミックコンタクトさせることがあ
る。また、一方の電極材料をＺｎ等の卑金属とし、電極
を焼付ける時に卑金属で誘電体磁器層を還元し、半導体
磁器層にオーミックコンタクトして電極を形成すること
がある。
で、一対の電極の間に２つの誘電体磁器層が介在し、等
価的に２つのコンデンサが直列接続される。この結果、
大容量が阻害される。この問題を解決するために、誘電
体磁器の一部を除去して半導体磁器層を露出させ、ここ
に一方の電極をオーミックコンタクトさせることがあ
る。また、一方の電極材料をＺｎ等の卑金属とし、電極
を焼付ける時に卑金属で誘電体磁器層を還元し、半導体
磁器層にオーミックコンタクトして電極を形成すること
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように種々の大
容量化が試みられているにも拘らず、表面再酸化型半導
体磁器コンデンサは、積層化が不可能であるために、更
に小型化及び大容量化することが不可能であった。
容量化が試みられているにも拘らず、表面再酸化型半導
体磁器コンデンサは、積層化が不可能であるために、更
に小型化及び大容量化することが不可能であった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、積層磁器コンデ
ンサの小型化及び大容量化が可能な内部電極用導電性ペ
−スト及びこれを使用した積層磁器コンデンサの製造方
法を提供することにある。
ンサの小型化及び大容量化が可能な内部電極用導電性ペ
−スト及びこれを使用した積層磁器コンデンサの製造方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、パラジウム粒子と卑金属粒子と銀粒子とを
含むことを特徴とする積層磁器コンデンサの内部電極用
の導電性ペ−ストに係わるものである。
の本発明は、パラジウム粒子と卑金属粒子と銀粒子とを
含むことを特徴とする積層磁器コンデンサの内部電極用
の導電性ペ−ストに係わるものである。
【０００８】本発明に係わる表面再酸化型積層磁器コン
デンサの製造方法は、半導体磁器材料から成る未焼結シ
ートにパラジウム（Ｐｄ）と卑金属と銀とを含む導電性
ペーストを所定パターンに塗布して導電層を形成する工
程と、前記導電層が塗布された前記シートを複数枚積層
して積層体を得る工程と、パラジウムが酸化パラジウム
になり、しかる後酸化パラジウムが再びパラジウムに戻
るような昇温過程を有して前記積層体を酸化雰囲気中で
焼成する工程とを有する。
デンサの製造方法は、半導体磁器材料から成る未焼結シ
ートにパラジウム（Ｐｄ）と卑金属と銀とを含む導電性
ペーストを所定パターンに塗布して導電層を形成する工
程と、前記導電層が塗布された前記シートを複数枚積層
して積層体を得る工程と、パラジウムが酸化パラジウム
になり、しかる後酸化パラジウムが再びパラジウムに戻
るような昇温過程を有して前記積層体を酸化雰囲気中で
焼成する工程とを有する。
【０００９】
【作用】パラジウム（Ｐｄ）は５６０℃程度に加熱され
ることによって酸化パラジウム（ＰｄＯ）になり、更に
昇温して約８２０℃にすると、酸化パラジウム（Ｐｄ
Ｏ）は酸素を放出してパラジウム（Ｐｄ）に戻る。即
ち、パラジウム（Ｐｄ）は５６０℃近傍で還元剤として
機能し、８２０℃近傍で酸化剤として機能する。一方、
卑金属は２００〜７００℃程度の低温領域において、酸
化物に変化し、還元剤として機能する。その後、卑金属
の酸化物は磁器層の中に拡散して焼結助材として機能す
る。パラジウム及び卑金属が磁器材料から酸素を奪うこ
とによって磁器材料が還元されたことになり、磁器材料
が半導体化される。その後、酸化パラジウム（ＰｄＯ）
が酸素を半導体磁器層に与えることにより、半導体磁器
層のパラジウム電極に接触している領域が酸化され、こ
こが誘電体磁器層（膜）になる。銀は高価なパラジウム
の量を低減させる効果を有する。
ることによって酸化パラジウム（ＰｄＯ）になり、更に
昇温して約８２０℃にすると、酸化パラジウム（Ｐｄ
Ｏ）は酸素を放出してパラジウム（Ｐｄ）に戻る。即
ち、パラジウム（Ｐｄ）は５６０℃近傍で還元剤として
機能し、８２０℃近傍で酸化剤として機能する。一方、
卑金属は２００〜７００℃程度の低温領域において、酸
化物に変化し、還元剤として機能する。その後、卑金属
の酸化物は磁器層の中に拡散して焼結助材として機能す
る。パラジウム及び卑金属が磁器材料から酸素を奪うこ
とによって磁器材料が還元されたことになり、磁器材料
が半導体化される。その後、酸化パラジウム（ＰｄＯ）
が酸素を半導体磁器層に与えることにより、半導体磁器
層のパラジウム電極に接触している領域が酸化され、こ
こが誘電体磁器層（膜）になる。銀は高価なパラジウム
の量を低減させる効果を有する。
【００１０】
【実施例１】次に、図１及び図２を参照して本発明の実
施例に係わる積層磁器コンデンサ及びその製造方法を説
明する。
施例に係わる積層磁器コンデンサ及びその製造方法を説
明する。
【００１１】図１は新規な積層磁器コンデンサを原理的
に示す。この磁器コンデンサは内部電極としての第１及
び第２の電極層１、２を含む長方体の磁器基体３と、一
対の外部電極４、５とから成る。磁器基体３の一方の側
面に設けられた一方の外部電極４は第１の電極層１に接
続され、他方の側面に設けられた他方の外部電極５は第
２の電極層２に接続されている。
に示す。この磁器コンデンサは内部電極としての第１及
び第２の電極層１、２を含む長方体の磁器基体３と、一
対の外部電極４、５とから成る。磁器基体３の一方の側
面に設けられた一方の外部電極４は第１の電極層１に接
続され、他方の側面に設けられた他方の外部電極５は第
２の電極層２に接続されている。
【００１２】磁器基体３は、電極層１、２に接触してい
る第１及び第２の誘電体磁器層６、７と、誘電体磁器層
６、７の相互間に配置された第１の半導体磁器層と、第
１の電極層１と、第１の電極層１の上側に生じた第２の
半導体磁器層９と、第２の電極層２の下側に生じた第４
の半導体磁器層１０と、この磁器基体３の表面領域の誘
電体磁器層１１とから成る。
る第１及び第２の誘電体磁器層６、７と、誘電体磁器層
６、７の相互間に配置された第１の半導体磁器層と、第
１の電極層１と、第１の電極層１の上側に生じた第２の
半導体磁器層９と、第２の電極層２の下側に生じた第４
の半導体磁器層１０と、この磁器基体３の表面領域の誘
電体磁器層１１とから成る。
【００１３】図１の構造の積層磁器コンデンサは以下の
ように製造した。まず、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム）９４．５モル％、Ｌａ2 Ｏ3 （酸化ランタ）をＬａ
に換算して２．０モル％、ＣｅＯ2 （酸化セリウム）を
Ｃｅに換算して１．０モル％、Ｎｄ2 Ｏ3 （酸化ネオジ
ム）をＮｄに換算して１．０モル％、ＣａＺｒＯ3 （ジ
ルコン酸カルシウム）を１．０モル％、ＭｎＯ2 （酸化
マンガン）をＭｎに換算して０．５モル％とから成る磁
器原料粉末を用意した。
ように製造した。まず、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム）９４．５モル％、Ｌａ2 Ｏ3 （酸化ランタ）をＬａ
に換算して２．０モル％、ＣｅＯ2 （酸化セリウム）を
Ｃｅに換算して１．０モル％、Ｎｄ2 Ｏ3 （酸化ネオジ
ム）をＮｄに換算して１．０モル％、ＣａＺｒＯ3 （ジ
ルコン酸カルシウム）を１．０モル％、ＭｎＯ2 （酸化
マンガン）をＭｎに換算して０．５モル％とから成る磁
器原料粉末を用意した。
【００１４】次に、原料組成物に有機バインダ及び可塑
剤を添加してスラリー状になし、ドクターブレード法に
よって２５μｍのグリーンシート（未焼結シート）を得
た。
剤を添加してスラリー状になし、ドクターブレード法に
よって２５μｍのグリーンシート（未焼結シート）を得
た。
【００１５】次に、平均粒径約０．２μｍのＰｄ（パラ
ジウム）粒子（粉末）９５重量％と、Ａｇ（銀）粒子
（粉末）５重量％とから成る貴金属を１００重量部用意
し、この１００重量部の貴金属に卑金属としての平均粒
径約１．０μｍの球形Ｚｎ粒子（粉末）１０重量部及び
適当量の有機バインダを添加して導電性ペーストを形成
した。次に、グリーンシート上にこの導電性ペーストを
所定パターンに印刷し、乾燥して導電層を得た。なお、
導電ペーストの印刷厚さは約２．５μｍである。また、
導電ペーストに基づく導電層を有するグリーンシートを
複数枚用意し、更に導電層を有さない補強用グリーンシ
ートも複数枚用意した。
ジウム）粒子（粉末）９５重量％と、Ａｇ（銀）粒子
（粉末）５重量％とから成る貴金属を１００重量部用意
し、この１００重量部の貴金属に卑金属としての平均粒
径約１．０μｍの球形Ｚｎ粒子（粉末）１０重量部及び
適当量の有機バインダを添加して導電性ペーストを形成
した。次に、グリーンシート上にこの導電性ペーストを
所定パターンに印刷し、乾燥して導電層を得た。なお、
導電ペーストの印刷厚さは約２．５μｍである。また、
導電ペーストに基づく導電層を有するグリーンシートを
複数枚用意し、更に導電層を有さない補強用グリーンシ
ートも複数枚用意した。
【００１６】次に、図２に原理的に示すように第１の導
電層１ａを有する第１のグリーンシート８ａと、第２の
導電層２ａを有する第２のグリーンシート１０ａと、上
下の補強用シート１１ａ、１１ｂとを重ね合せて加圧
し、成形体１２を得た。
電層１ａを有する第１のグリーンシート８ａと、第２の
導電層２ａを有する第２のグリーンシート１０ａと、上
下の補強用シート１１ａ、１１ｂとを重ね合せて加圧
し、成形体１２を得た。
【００１７】次に、図２の成形体１２をＮ2 雰囲気（中
性雰囲気）中で３５０℃、２時間加熱し、グリーンシー
ト８ａ、１０ａ、１１ａ、１１ｂ及び導電層１ａ、２ａ
中の有機バインダを排出した。次に、大気雰囲気（酸化
性雰囲気）中で、成形体１２の加熱温度を１時間当り１
５０℃の割合で１３００℃まで上昇させ、１３００℃を
２時間保持して成形体２０を焼成し、焼結体を得た。
性雰囲気）中で３５０℃、２時間加熱し、グリーンシー
ト８ａ、１０ａ、１１ａ、１１ｂ及び導電層１ａ、２ａ
中の有機バインダを排出した。次に、大気雰囲気（酸化
性雰囲気）中で、成形体１２の加熱温度を１時間当り１
５０℃の割合で１３００℃まで上昇させ、１３００℃を
２時間保持して成形体２０を焼成し、焼結体を得た。
【００１８】この焼成において、成形体１２が５６０℃
位いに加熱されると、第１及び第２の導電層１ａ、２ａ
の中に含まれているＰｄが磁器材料中の酸化物から酸素
を奪い、磁器材料を還元し、ＰｄはＰｄＯになる。これ
と同時にＺｎも磁器材料中の酸化物から酸素を奪い、磁
器材料を還元し、ＺｎＯになる。更に焼成温度が８２０
℃位いまで上昇すると、ＰｄＯは酸化剤として機能し、
ＰｄＯの酸素が磁器材料に奪われ、Ｐｄに戻り、図１に
示す第１及び第２の電極層１、２となる。ＰｄＯから分
離した酸素は、電極層１、２に隣接する領域を酸化して
図１に示す厚さ約３μｍの誘電体磁器層７、８を形成す
る。Ｚｎは２００〜７００℃でＺｎＯになり、その後、
成形体中に拡散して焼結助材として機能する。
位いに加熱されると、第１及び第２の導電層１ａ、２ａ
の中に含まれているＰｄが磁器材料中の酸化物から酸素
を奪い、磁器材料を還元し、ＰｄはＰｄＯになる。これ
と同時にＺｎも磁器材料中の酸化物から酸素を奪い、磁
器材料を還元し、ＺｎＯになる。更に焼成温度が８２０
℃位いまで上昇すると、ＰｄＯは酸化剤として機能し、
ＰｄＯの酸素が磁器材料に奪われ、Ｐｄに戻り、図１に
示す第１及び第２の電極層１、２となる。ＰｄＯから分
離した酸素は、電極層１、２に隣接する領域を酸化して
図１に示す厚さ約３μｍの誘電体磁器層７、８を形成す
る。Ｚｎは２００〜７００℃でＺｎＯになり、その後、
成形体中に拡散して焼結助材として機能する。
【００１９】この積層磁器コンデンサの静電容量Ｃ（p
F）と誘電体損失tan δ（％）と絶縁破壊電圧Ｖbd（ボ
ルト）を測定したところ、Ｃは１００００pF、tan δは
２．５％、Ｖbdは２８０ボルトであった。なお、Ｃ及び
tan δは、測定電圧０．１Ｖ、測定周波数１kHz の条件
で測定した。またＶbdは直流昇圧破壊方法で測定した。
F）と誘電体損失tan δ（％）と絶縁破壊電圧Ｖbd（ボ
ルト）を測定したところ、Ｃは１００００pF、tan δは
２．５％、Ｖbdは２８０ボルトであった。なお、Ｃ及び
tan δは、測定電圧０．１Ｖ、測定周波数１kHz の条件
で測定した。またＶbdは直流昇圧破壊方法で測定した。
【００２０】
【比較例１】導電性ペーストに添加したＺｎのような卑
金属の効果を調べるために、導電ペーストに卑金属を含
まず且つＡｇ（銀）を含まない導電ペーストに基づいて
第１及び第２の電極層１、２を形成した他は実施例１と
同一の方法で積層磁器コンデンサを作り、実施例１と同
一の方法で、Ｃ、tan δ、Ｖbdを測定したところ、３３
００pF、１．５％、１１００Ｖであった。
金属の効果を調べるために、導電ペーストに卑金属を含
まず且つＡｇ（銀）を含まない導電ペーストに基づいて
第１及び第２の電極層１、２を形成した他は実施例１と
同一の方法で積層磁器コンデンサを作り、実施例１と同
一の方法で、Ｃ、tan δ、Ｖbdを測定したところ、３３
００pF、１．５％、１１００Ｖであった。
【００２１】
【比較例２】貴金属としてＰｄのみを使用した場合のコ
ンデンサの特性を調べるために、実施例１における貴金
属の全部をＰｄに変えた他は実施例１と同一の方法でコ
ンデンサを作り、この特性を調べたところ、Ｃは９５０
０pF、tan δは２．５％、Ｖbdは３００Ｖであった。
ンデンサの特性を調べるために、実施例１における貴金
属の全部をＰｄに変えた他は実施例１と同一の方法でコ
ンデンサを作り、この特性を調べたところ、Ｃは９５０
０pF、tan δは２．５％、Ｖbdは３００Ｖであった。
【００２２】実施例１の静電容量Ｃは９５００pFである
のに対して比較例のＣは３３００pFであり、実施例１の
静電容量Ｃが大幅に高くなっている。このようにＣが高
くなる理由は、第１の電極層１と第２の電極層２との間
が誘電体層のみではなく、第１の誘電体磁器層６と半導
体磁器層８と第２の誘電体磁器層７とから成るためであ
る。即ち、半導体磁器層８がコンデンサの電極として働
き、極めて薄い第１及び第２の誘電体磁器層６、７のみ
がコンデンサの誘電体層として働くためである。 ま
た、実施例１と比較例２との対比から明かなように、Ａ
ｇの添加によってＰｄが減少した分だけ酸化作用が弱く
なり、誘電体磁器層６、７が薄くなり、静電容量Ｃが大
きくなり、反対に破壊電圧Ｖbdは低くなる。
のに対して比較例のＣは３３００pFであり、実施例１の
静電容量Ｃが大幅に高くなっている。このようにＣが高
くなる理由は、第１の電極層１と第２の電極層２との間
が誘電体層のみではなく、第１の誘電体磁器層６と半導
体磁器層８と第２の誘電体磁器層７とから成るためであ
る。即ち、半導体磁器層８がコンデンサの電極として働
き、極めて薄い第１及び第２の誘電体磁器層６、７のみ
がコンデンサの誘電体層として働くためである。 ま
た、実施例１と比較例２との対比から明かなように、Ａ
ｇの添加によってＰｄが減少した分だけ酸化作用が弱く
なり、誘電体磁器層６、７が薄くなり、静電容量Ｃが大
きくなり、反対に破壊電圧Ｖbdは低くなる。
【００２３】
【実施例２】第１及び第２の電極層１、２を作るための
導電ペーストにおける貴金属としてのＡｇの割合の変化
によるコンデンサの特性の変化を調べるために、Ｐｄに
対してＡｇの割合を１０重量％と２０量部％との２段階
に変えた他は実施例１と同一の方法でコンデンサを作
り、その特性を測定したところ、次の結果が得られた。
導電ペーストにおける貴金属としてのＡｇの割合の変化
によるコンデンサの特性の変化を調べるために、Ｐｄに
対してＡｇの割合を１０重量％と２０量部％との２段階
に変えた他は実施例１と同一の方法でコンデンサを作
り、その特性を測定したところ、次の結果が得られた。
【００２４】Ａｇ １０重量％の場合 Ｃ １３０００pF tan δ ３．５％ Ｖbd ２１０Ｖ Ａｇ ２０重量％の場合 Ｃ １８０００pF tan δ ５．５％ Ｖbd １４０Ｖ
【００２５】
【実施例３】電極層１、２を形成するための導電ペース
トの卑金属としてＺｎの割合を５重量部及び５０重量部
に変えること、更にＺｎの代りに銅（Ｃｕ）、ニッケル
（Ｎｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）を使用することがで
きることを確かめるために、９５重量％のＰｄと５重量
％のＡｇとから成る貴金属１００重量部に対してＺｎを
５及び５０重量部添加した２種類の導電ペースト、及び
Ｚｎの代わりにＣｕ、Ｎｉ、Ａｌをそれぞれ１０重量部
添加した３種類の導電性のペ−ストを使用した他は実施
例１と同一の方法で５種類のコンデンサを作り、特性を
測定したところ、次の結果が得られた。 Ｚｎ ５重量部の場合 Ｃ ６２００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ６００Ｖ Ｚｎ ５０重量部の場合 Ｃ ４０００pF tan δ ８．５％ Ｖbd １００Ｖ Ｃｕ １０重量部の場合 Ｃ １００００pF tan δ ３．５％ Ｖbd ２７０Ｖ Ｎｉ １０重量部の場合 Ｃ ９５００pF tan δ ３．０％ Ｖbd ３００Ｖ Ｎｉ １０重量部の場合 Ｃ １００００pF tan δ ４．０％ Ｖbd ２７０Ｖ
トの卑金属としてＺｎの割合を５重量部及び５０重量部
に変えること、更にＺｎの代りに銅（Ｃｕ）、ニッケル
（Ｎｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）を使用することがで
きることを確かめるために、９５重量％のＰｄと５重量
％のＡｇとから成る貴金属１００重量部に対してＺｎを
５及び５０重量部添加した２種類の導電ペースト、及び
Ｚｎの代わりにＣｕ、Ｎｉ、Ａｌをそれぞれ１０重量部
添加した３種類の導電性のペ−ストを使用した他は実施
例１と同一の方法で５種類のコンデンサを作り、特性を
測定したところ、次の結果が得られた。 Ｚｎ ５重量部の場合 Ｃ ６２００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ６００Ｖ Ｚｎ ５０重量部の場合 Ｃ ４０００pF tan δ ８．５％ Ｖbd １００Ｖ Ｃｕ １０重量部の場合 Ｃ １００００pF tan δ ３．５％ Ｖbd ２７０Ｖ Ｎｉ １０重量部の場合 Ｃ ９５００pF tan δ ３．０％ Ｖbd ３００Ｖ Ｎｉ １０重量部の場合 Ｃ １００００pF tan δ ４．０％ Ｖbd ２７０Ｖ
【００２６】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。
く、例えば次の変形が可能なものである。
【００２７】本発明のコンデンサの製造のために、周知
の表面再酸化型磁器コンデンサで使用されているあらゆ
る磁器材料を使用することができる。例えば、希土類元
素としてＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等の１種又
は複数種を使用することができる。また、更にＴｉＯ2
（酸化チタン）を１〜１０モル％程度加えることができ
る。
の表面再酸化型磁器コンデンサで使用されているあらゆ
る磁器材料を使用することができる。例えば、希土類元
素としてＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等の１種又
は複数種を使用することができる。また、更にＴｉＯ2
（酸化チタン）を１〜１０モル％程度加えることができ
る。
【００２８】ＭｎＯ2 の代りにＭｎＣＯ3 を使用するこ
とができる。また、ＢａＴｉＯ3 の代りに、ＢａＣ
Ｏ3 、ＴｉＯ2 を出発材料とすることができる。
とができる。また、ＢａＴｉＯ3 の代りに、ＢａＣ
Ｏ3 、ＴｉＯ2 を出発材料とすることができる。
【００２９】Ｐｄに混合する卑金属は、約２００〜７０
０℃で酸化する金属であれば実施例で示した金属以外の
例えばＳｎ等であってもよい。また、卑金属の２種又は
これ以外の種々の組み合せをＰｄとＡｇを含む貴金属に
添加することができる。
０℃で酸化する金属であれば実施例で示した金属以外の
例えばＳｎ等であってもよい。また、卑金属の２種又は
これ以外の種々の組み合せをＰｄとＡｇを含む貴金属に
添加することができる。
【００３０】静電容量Ｃと破壊電圧Ｖbdとを考慮してＡ
ｇの量を好ましくは５０重量％以下の範囲で種々変える
ことができる。
ｇの量を好ましくは５０重量％以下の範囲で種々変える
ことができる。
【００３１】焼成時の最高温度は約１４００℃以下の種
々の温度に設定することができる。
々の温度に設定することができる。
【００３２】図１では２つの電極層１、２のみが設けら
れているが、勿論、一般の積層コンデンサのように更に
多くの内部電極を設けることができる。
れているが、勿論、一般の積層コンデンサのように更に
多くの内部電極を設けることができる。
【００３３】２つの誘電体磁器層６、７の間の全部が半
導体磁器層８とならずに、半導体磁器層８の中に誘電体
磁器層が残ったとしても、本発明の作用効果が得られ
る。また、２つの電極層１、２の一方のみをＰｄとし、
一方のみに誘電体磁器層を形成することができる。
導体磁器層８とならずに、半導体磁器層８の中に誘電体
磁器層が残ったとしても、本発明の作用効果が得られ
る。また、２つの電極層１、２の一方のみをＰｄとし、
一方のみに誘電体磁器層を形成することができる。
【００３４】
【発明の効果】上述から明らかなように本発明によれば
大きな静電容量を有する積層磁器コンデンサを提供する
ことができる。
大きな静電容量を有する積層磁器コンデンサを提供する
ことができる。
【図１】本発明の実施例に係わる積層磁器コンデンサを
原理的に示す断面図である。
原理的に示す断面図である。
【図２】図１の磁器コンデンサを作るための成形体を原
理的に示す断面図である。
理的に示す断面図である。
１ 電極層 ２ 〃 ６ 誘電体磁器層 ７ 〃 ８ 半導体磁器層
Claims (2)
- 【請求項１】 パラジウム粒子と卑金属粒子と銀粒子と
を含むことを特徴とする積層磁器コンデンサの内部電極
用の導電性ペ−スト。 - 【請求項２】 半導体磁器材料から成る未焼結シートに
パラジウム（Ｐｄ）粒子と卑金属粒子と銀粒子とを含む
導電性ペーストを所定パターンに塗布して導電層を形成
する工程と、 前記導電層が塗布された前記シートを複数枚積層して積
層体を得る工程と、 パラジウムが酸化パラジウムになり、しかる後酸化パラ
ジウムが再びパラジウムに戻るような昇温過程を有して
前記積層体を酸化雰囲気中で焼成する工程とを有するこ
とを特徴とする積層磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6128191A JPH05250913A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 導電性ペ−スト及びこれを使用した積層磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6128191A JPH05250913A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 導電性ペ−スト及びこれを使用した積層磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05250913A true JPH05250913A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=13166667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6128191A Pending JPH05250913A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 導電性ペ−スト及びこれを使用した積層磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05250913A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4916893A (ja) * | 1972-04-20 | 1974-02-14 | ||
| JPS56142617A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Laminated ceramic capacitor |
| JPS6057912A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | 昭栄化学工業株式会社 | 積層コンデンサ内部電極用導電性組成物 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP6128191A patent/JPH05250913A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4916893A (ja) * | 1972-04-20 | 1974-02-14 | ||
| JPS56142617A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Laminated ceramic capacitor |
| JPS6057912A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | 昭栄化学工業株式会社 | 積層コンデンサ内部電極用導電性組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960903 |