JPH0525245Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0525245Y2 JPH0525245Y2 JP12474986U JP12474986U JPH0525245Y2 JP H0525245 Y2 JPH0525245 Y2 JP H0525245Y2 JP 12474986 U JP12474986 U JP 12474986U JP 12474986 U JP12474986 U JP 12474986U JP H0525245 Y2 JPH0525245 Y2 JP H0525245Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- resistor
- gate
- thermistor
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は、サイリスタの温度補正回路に関す
る。
る。
＜従来の技術＞
周知のように、サイリスタはpnpn接合の４層
構造をシリコン制御整流素子であつて、アノード
がカソードに対してプラスの場合、ゲートに適当
な電流を流すと導通し、一度導通するとアノード
電圧を零にしないとOFF状態にならない。サイ
リスタは小さなゲート電流で大電力を制御できる
などの種々の利点を備えていることから、小電力
用から大電力用まで各種の制御整流素子として、
広く用いられている。
構造をシリコン制御整流素子であつて、アノード
がカソードに対してプラスの場合、ゲートに適当
な電流を流すと導通し、一度導通するとアノード
電圧を零にしないとOFF状態にならない。サイ
リスタは小さなゲート電流で大電力を制御できる
などの種々の利点を備えていることから、小電力
用から大電力用まで各種の制御整流素子として、
広く用いられている。
＜考案が解決しようとする問題点＞
しかしながら、サイリスタにもいくらかの欠点
が指摘される。その一つに、サイリスタの感度が
温度変化によつて変動するという欠点がある。即
ち、周囲温度が低い場合、ゲートに加えられるト
リガ電圧を高くしないとサイリスタがターンオン
しない。逆に、周囲温度が高い場合、低いトリガ
電圧でサイリスタがターンオンする。そのため、
温度変化幅の大きな環境において、サイリスタを
使用すると誤動作することがあつた。
が指摘される。その一つに、サイリスタの感度が
温度変化によつて変動するという欠点がある。即
ち、周囲温度が低い場合、ゲートに加えられるト
リガ電圧を高くしないとサイリスタがターンオン
しない。逆に、周囲温度が高い場合、低いトリガ
電圧でサイリスタがターンオンする。そのため、
温度変化幅の大きな環境において、サイリスタを
使用すると誤動作することがあつた。
本考案は、このような事情に鑑みてなされたも
のであつて、温度変化によるサイリスタの誤動作
を防止することを目的としている。
のであつて、温度変化によるサイリスタの誤動作
を防止することを目的としている。
＜問題点を解決するための手段＞
本考案は、上記目的を達成するために、次のよ
うな特徴を備えている。
うな特徴を備えている。
即ち、本考案に係るサイリスタの温度補正回路
は、第１抵抗と第２抵抗とサーミスタとを備え、 前記第１抵抗は、その一端がサイリスタのゲー
ムに接続され、その他端にはトリガ電圧が与えら
れ、 前記第２抵抗とサイリスタとは、前記ゲートと
グランドとの間に並列接続され、 前記第１および第２抵抗の抵抗値をサーミスタ
の抵抗値よりも充分小さく設定したことを特徴と
している。
は、第１抵抗と第２抵抗とサーミスタとを備え、 前記第１抵抗は、その一端がサイリスタのゲー
ムに接続され、その他端にはトリガ電圧が与えら
れ、 前記第２抵抗とサイリスタとは、前記ゲートと
グランドとの間に並列接続され、 前記第１および第２抵抗の抵抗値をサーミスタ
の抵抗値よりも充分小さく設定したことを特徴と
している。
＜作用＞
周囲温度が低い場合は、サーミスタの抵抗値が
大きくなつて、ゲート電圧が上昇する。一方、周
囲温度が高い場合は、サーミスタの抵抗値が小さ
くなつて、ゲート電圧は減少する。
大きくなつて、ゲート電圧が上昇する。一方、周
囲温度が高い場合は、サーミスタの抵抗値が小さ
くなつて、ゲート電圧は減少する。
＜実施例＞
以下、本考案の一実施例を図面に従つて説明す
る。
る。
例えば、逆阻止３端子サイリスタであるサイリ
スタSCRのアノードは、電流制限用の抵抗ROを
介して電源Ｅに接続されている。また、前記アノ
ードからは、他の電気機器を制御するための制御
端子が導出されている。サイリスタSCRのカソ
ードは接地されている。サイリスタSCRのゲー
トには、本実施例に係る補正回路１０が接続され
ている。補正回路１０は、第１抵抗R1と第２抵
抗R2とサーミスタTHとを備えている。第１抵抗
R1の一端はサイリスタSCRのゲートに接続され
ており、その他端にはトリガ電圧Vrが加えられ
る。サイリスタSCRのゲートとグランドとの間
には、第２抵抗R2とサーミスタTHとが並列接続
されている。また、第１抵抗R1と第２抵抗R2の
抵抗値は、トリガ電圧の制御範囲を適宜に定める
ために、サーミスタTHの抵抗値よりも充分小さ
く設定されている。
スタSCRのアノードは、電流制限用の抵抗ROを
介して電源Ｅに接続されている。また、前記アノ
ードからは、他の電気機器を制御するための制御
端子が導出されている。サイリスタSCRのカソ
ードは接地されている。サイリスタSCRのゲー
トには、本実施例に係る補正回路１０が接続され
ている。補正回路１０は、第１抵抗R1と第２抵
抗R2とサーミスタTHとを備えている。第１抵抗
R1の一端はサイリスタSCRのゲートに接続され
ており、その他端にはトリガ電圧Vrが加えられ
る。サイリスタSCRのゲートとグランドとの間
には、第２抵抗R2とサーミスタTHとが並列接続
されている。また、第１抵抗R1と第２抵抗R2の
抵抗値は、トリガ電圧の制御範囲を適宜に定める
ために、サーミスタTHの抵抗値よりも充分小さ
く設定されている。
次に、上述した構成を備えた実施例の動作を説
明を説明する。
明を説明する。
サイリスタSCRのゲートに加わるゲート電圧
VGは、次式のように表される。
VGは、次式のように表される。
VG＝R2・TH／（R2＋TH）／R1＋R2・TH／（R2＋TH）×
Vr ＝R2・TH／R1（R2＋TH）＋R2・TH×Vr ＝R2・TH／R1・R2＋（R1＋R2）TH×Vr 上式より明らかなように、周囲温度が低くなつ
て、サーミスタTHの抵抗値が高くなると、ゲー
ト電圧VGが高くなり、ゲート電流も増加する。
これにより、サイリスタSCRの感度低下が補償
される。
Vr ＝R2・TH／R1（R2＋TH）＋R2・TH×Vr ＝R2・TH／R1・R2＋（R1＋R2）TH×Vr 上式より明らかなように、周囲温度が低くなつ
て、サーミスタTHの抵抗値が高くなると、ゲー
ト電圧VGが高くなり、ゲート電流も増加する。
これにより、サイリスタSCRの感度低下が補償
される。
一方、周囲温度が高くなつて、サーミスタTH
の抵抗値が低くなると、ゲート電圧VGが低くな
つて、ゲート電流も減少する。これにより、サイ
リスタSCRの感度上昇が補償される。
の抵抗値が低くなると、ゲート電圧VGが低くな
つて、ゲート電流も減少する。これにより、サイ
リスタSCRの感度上昇が補償される。
なお、上述の実施例では、サイリスタは逆阻止
３端子サイリスタであるとして説明したが、本考
案はこれに限られるものではなく、例えば、トラ
イアツクなどのサイリスタにも適用できるもので
ある。
３端子サイリスタであるとして説明したが、本考
案はこれに限られるものではなく、例えば、トラ
イアツクなどのサイリスタにも適用できるもので
ある。
＜考案の効果＞
以上の説明より明らかなように、本考案に係る
サイリスタの温度補正回路は、第１抵抗と第２抵
抗とサーミスタとを備え、前記第１抵抗は、その
一端がサイリスタのゲートに接続され、その他端
にはトリガ電圧が与えられ、前記第２抵抗とサイ
リスタとは、前記ゲートとグランドとの間に並列
接続され、前記第１および第２抵抗の抵抗値をサ
ーミスタの抵抗値よりも充分小さく設定している
から、低温時はトリガ電圧・電流が増加してサイ
リスタの感度低下が補償され、また、高温時はト
リガ電圧・電流が減少してサイリスタの感度上昇
が補償される。
サイリスタの温度補正回路は、第１抵抗と第２抵
抗とサーミスタとを備え、前記第１抵抗は、その
一端がサイリスタのゲートに接続され、その他端
にはトリガ電圧が与えられ、前記第２抵抗とサイ
リスタとは、前記ゲートとグランドとの間に並列
接続され、前記第１および第２抵抗の抵抗値をサ
ーミスタの抵抗値よりも充分小さく設定している
から、低温時はトリガ電圧・電流が増加してサイ
リスタの感度低下が補償され、また、高温時はト
リガ電圧・電流が減少してサイリスタの感度上昇
が補償される。
したがつて、本考案によれば、温度変化の激し
い環境下で使用されるサイリスタの誤動作を防止
することができる。
い環境下で使用されるサイリスタの誤動作を防止
することができる。
図面は本考案の一実施例の構成を示した回路図
である。 SCR……サイリスタ、R1……第１抵抗、R2…
…第２抵抗、TH……サーミスタ。
である。 SCR……サイリスタ、R1……第１抵抗、R2…
…第２抵抗、TH……サーミスタ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 第１抵抗と第２抵抗とサーミスタとを備え、前
記第１抵抗は、その一端がサイリスタのゲートに
接続され、その他端にはトリガ電圧が与えられ、 前記第２抵抗とサイリスタとは、前記ゲートと
グランドとの間に並列接続され、 前記第１および第２抵抗の抵抗値をサーミスタ
の抵抗値よりも充分小さく設定したことを特徴と
するサイリスタの温度補正回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12474986U JPH0525245Y2 (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12474986U JPH0525245Y2 (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331549U JPS6331549U (ja) | 1988-03-01 |
| JPH0525245Y2 true JPH0525245Y2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=31017052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12474986U Expired - Lifetime JPH0525245Y2 (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525245Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11362083B2 (en) * | 2020-02-11 | 2022-06-14 | Semtech Corporation | TVS diode circuit with high energy dissipation and linear capacitance |
-
1986
- 1986-08-14 JP JP12474986U patent/JPH0525245Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331549U (ja) | 1988-03-01 |
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