JPH0525372B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0525372B2 JPH0525372B2 JP62219896A JP21989687A JPH0525372B2 JP H0525372 B2 JPH0525372 B2 JP H0525372B2 JP 62219896 A JP62219896 A JP 62219896A JP 21989687 A JP21989687 A JP 21989687A JP H0525372 B2 JPH0525372 B2 JP H0525372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- plating
- coupling agent
- multilayer ceramic
- multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、チツプ型および外装型積層セラミツ
クコンデンサの製造方法に関する。更に詳しくは
外部電極に対する金属メツキの工程においてメツ
キ液の侵入のない信頼性に優れた積層セラミツク
コンデンサの製造方法に関する。 従来の技術 近年、セラミツクコンデンサは電子機器並びに
回路の小型化、高速化、信頼性向上のため不可欠
な部品として広く使用されるようになつた。 第３図は、外部電極を取り付ける前の積層セラ
ミツクコンデンサの概略斜視図、第４図は外部電
極を取り付けた積層セラミツクコンデンサの概略
斜視図である。 かかる積層セラミツクコンデンサ１を製造する
には、チタン酸バリウム系等のセラミツク粉末に
有機溶剤、可塑剤、バインダー等を加えて混練
し、泥しよう化した後、ドクターブレード法等を
用いて長尺のセラミツクグリーンシート２を得
る。つぎにこのグリーンシートを所定の大きさに
切断し、その上の所定の位置にスクリーン印刷法
等により内部電極３を被着形成する。しかる後、
この素子を複数枚積層し、その上下に保護層とし
てグリーンシート膜を積層し、加圧一体化して積
層体を得る。次にこの積層体を所定の寸法に切断
分離し、積層セラミツクコンデンサ生チツプを得
る。ついで、該生チツプをセラミツク粉末の焼成
に適した温度で焼成する。さらに、第４図に示す
ごとく、得られたコンデンサチツプの両端の内部
電極導出部にAgあるいはAg−Pdからなる外部接
続用電極４を被着して積層セラミツクコンデンサ
が得られる。 このようにして製造された積層セラミツクコン
デンサは、プリント配線基板上の導体ランド上に
外部電極を対向して配置され、熔融した半田に浸
漬する半田浸漬法か、クリーム半田を用いたリフ
ロー半田法を用いて電子機器中に組み込まれる。 しかしながら、外部電極を直接半田付けにより
基板に取り付けると、外部電極が“半田くわれ”
によつて薄くなり、コンデンサの取付強度が弱く
なるという問題がある。このような積層セラミツ
クコンデンサ外部電極の半田くわれを防止するた
め、従来導電AgペーストまたはAg−Pdペースト
を用いて形成した外部電極上に、さらにNiまた
はCuメツキを施して半田くわれ防止バリアとし、
更にこの上に半田メツキ（またはSn，Pbメツキ）
を行いハンダの流れをよくした積層チツプコンデ
ンサがある。 発明が解決しようとする問題点 しかしながらNi，Cuなどのメツキを行うにあ
たつては、PH4.5程度の酸性電解メツキ液中に、
また半田メツキを行うにはPH１〜４またはそれ以
下の酸性電解メツキ液中に積層チツプコンデンサ
を浸漬する必要があり、メツキ液が積層コンデン
サ内に浸入し電気容量の低下、電流損失の増大な
どコンデンサ性能の劣化を招く。 本発明は、かかる従来の積層セラミツクコンデ
ンサのメツキ工程における品質低下を防止し、容
易に信頼性の高いコンデンサを得る方法を提供す
ることを目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は、積層セラミツクコンデンサの製造方
法であつて、セラミツクシートと内部電極とが積
層した板状コンデンサ集合体に外部電極を被着す
る工程と、該外部電極に金属メツキを行う工程と
の間にカツプリング剤にて処理する工程を設けた
ことを特徴とする積層セラミツクコンデンサの製
造方法を提供するものである。 本発明において、外部電極を被着し焼成された
積層セラミツクコンデンサは、従来の方法により
製造されたものであつてよい。例えば、セラミツ
クグリーンシートと内部電極（Ag−Pd，Pb，
Ni，Cuなど）とが積層した板状コンデンサ集合
体の内部電極導出部を外部電極用のAgまたはAg
合金のペーストに浸漬または塗布し、600〜850℃
にて焼き付けを行う。 つぎに、このようにして得られた積層セラミツ
クコンデンサをカツプリング剤にて処理する。カ
ツプリング剤としては、各種のシランカツプリン
グ剤をいずれも使用することができ、例えば ClC3H6Si（OCH3）3，CH2＝CHSiCl3， CH2＝CHSi（OC2H5）3，CH2＝CHSi（OCH3）3， CH2＝CHSi（OC2H4OCH3）3， CH2＝CCH3COOC3H6Si（OCH3）3， HSC3H6Si（OCH3）3，NH2C3H6Si（OC2H5）3， NH2C2H4NHC3H6Si（OCH3）3， NH2CONHC3H6Si（OC2H5）3 などの構造式で示されるシランカツプリング剤を
用いることができる。カツプリング処理は、焼成
し外部電極を被着した積層セラミツクコンデンサ
をカツプリング剤（またはその溶液）中に浸漬
し、デシケーター内にて減圧下に行う。ついで該
セラミツクコンデンサを取り出し乾燥する。かか
る浸漬および乾燥は２〜３回行うのが好ましい。 このようにしてカツプリング剤にて処理したコ
ンデンサは、つぎに従来のものと同様Niまたは
Cuなどによる電解金属メツキ（約PH4.5）、さらに
は電解半田（またはSn，Pb）メツキ（＜PH１〜
4.5）が行われれ、チツプ型コンデンサとするか、
あるいは更にリード線を付けて外装を施し外装型
コンデンサとする。 実施例 つぎに本発明を実施例により更に具体的に説明
する。 (i) チツプ型積層セラミツクコンデンサ セラミツクシート：チタン酸バリウム 内部電極 Ag−Pd 外部電極 Agペースト コンデンサ寸法 3.2×1.6mm (ii) シランカツプリング剤： （γ−グリシドキシプロピル トリメトキシシラン） 上記の積層コンデンサ22個をカツプリング剤中
に浸漬して、減圧下30分間デシケータ内に置き、
ポーラス部分へのカツプリング剤の浸透をはかつ
た。浸漬後、コンデンサを引き上げ約150℃にて
乾燥した。 このコンデンサのうち17個を再度カツプリング
剤中に浸漬し、乾燥処理した。うち13個について
はさらに３回目の浸漬、乾燥処理を行つた。 これらのチツプコンデンサーの外部電極に、つ
ぎの条件でNiメツキ、ついで半田メツキを施し
た。 （Niメツキ） 電解液：NiSO4 220ｇ／，NiCl2 45ｇ／、 H3BO3 40ｇ／，PH４〜4.5 電極：Ni板、電圧1V、電流3A （半田メツキ） メツキ液：ソルダロンSG（ジヤパンメタル(株)製）
PH４ 電極：Pb−Sn板、電圧：1.5V、電流：0.6A 得られたチツプコンデンサのメツキ後の電気損
失（tanδ）を焼成工程後の値と比較して第１表お
よび第１図に示す。 比較例 カツプリング処理を行わなかつた以外は、実施
例と同様にして５個のチツプに金属メツキ行いチ
ツプコンデンサを得た。その物性を前記と同様に
第１表および第１図に示す。
クコンデンサの製造方法に関する。更に詳しくは
外部電極に対する金属メツキの工程においてメツ
キ液の侵入のない信頼性に優れた積層セラミツク
コンデンサの製造方法に関する。 従来の技術 近年、セラミツクコンデンサは電子機器並びに
回路の小型化、高速化、信頼性向上のため不可欠
な部品として広く使用されるようになつた。 第３図は、外部電極を取り付ける前の積層セラ
ミツクコンデンサの概略斜視図、第４図は外部電
極を取り付けた積層セラミツクコンデンサの概略
斜視図である。 かかる積層セラミツクコンデンサ１を製造する
には、チタン酸バリウム系等のセラミツク粉末に
有機溶剤、可塑剤、バインダー等を加えて混練
し、泥しよう化した後、ドクターブレード法等を
用いて長尺のセラミツクグリーンシート２を得
る。つぎにこのグリーンシートを所定の大きさに
切断し、その上の所定の位置にスクリーン印刷法
等により内部電極３を被着形成する。しかる後、
この素子を複数枚積層し、その上下に保護層とし
てグリーンシート膜を積層し、加圧一体化して積
層体を得る。次にこの積層体を所定の寸法に切断
分離し、積層セラミツクコンデンサ生チツプを得
る。ついで、該生チツプをセラミツク粉末の焼成
に適した温度で焼成する。さらに、第４図に示す
ごとく、得られたコンデンサチツプの両端の内部
電極導出部にAgあるいはAg−Pdからなる外部接
続用電極４を被着して積層セラミツクコンデンサ
が得られる。 このようにして製造された積層セラミツクコン
デンサは、プリント配線基板上の導体ランド上に
外部電極を対向して配置され、熔融した半田に浸
漬する半田浸漬法か、クリーム半田を用いたリフ
ロー半田法を用いて電子機器中に組み込まれる。 しかしながら、外部電極を直接半田付けにより
基板に取り付けると、外部電極が“半田くわれ”
によつて薄くなり、コンデンサの取付強度が弱く
なるという問題がある。このような積層セラミツ
クコンデンサ外部電極の半田くわれを防止するた
め、従来導電AgペーストまたはAg−Pdペースト
を用いて形成した外部電極上に、さらにNiまた
はCuメツキを施して半田くわれ防止バリアとし、
更にこの上に半田メツキ（またはSn，Pbメツキ）
を行いハンダの流れをよくした積層チツプコンデ
ンサがある。 発明が解決しようとする問題点 しかしながらNi，Cuなどのメツキを行うにあ
たつては、PH4.5程度の酸性電解メツキ液中に、
また半田メツキを行うにはPH１〜４またはそれ以
下の酸性電解メツキ液中に積層チツプコンデンサ
を浸漬する必要があり、メツキ液が積層コンデン
サ内に浸入し電気容量の低下、電流損失の増大な
どコンデンサ性能の劣化を招く。 本発明は、かかる従来の積層セラミツクコンデ
ンサのメツキ工程における品質低下を防止し、容
易に信頼性の高いコンデンサを得る方法を提供す
ることを目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は、積層セラミツクコンデンサの製造方
法であつて、セラミツクシートと内部電極とが積
層した板状コンデンサ集合体に外部電極を被着す
る工程と、該外部電極に金属メツキを行う工程と
の間にカツプリング剤にて処理する工程を設けた
ことを特徴とする積層セラミツクコンデンサの製
造方法を提供するものである。 本発明において、外部電極を被着し焼成された
積層セラミツクコンデンサは、従来の方法により
製造されたものであつてよい。例えば、セラミツ
クグリーンシートと内部電極（Ag−Pd，Pb，
Ni，Cuなど）とが積層した板状コンデンサ集合
体の内部電極導出部を外部電極用のAgまたはAg
合金のペーストに浸漬または塗布し、600〜850℃
にて焼き付けを行う。 つぎに、このようにして得られた積層セラミツ
クコンデンサをカツプリング剤にて処理する。カ
ツプリング剤としては、各種のシランカツプリン
グ剤をいずれも使用することができ、例えば ClC3H6Si（OCH3）3，CH2＝CHSiCl3， CH2＝CHSi（OC2H5）3，CH2＝CHSi（OCH3）3， CH2＝CHSi（OC2H4OCH3）3， CH2＝CCH3COOC3H6Si（OCH3）3， HSC3H6Si（OCH3）3，NH2C3H6Si（OC2H5）3， NH2C2H4NHC3H6Si（OCH3）3， NH2CONHC3H6Si（OC2H5）3 などの構造式で示されるシランカツプリング剤を
用いることができる。カツプリング処理は、焼成
し外部電極を被着した積層セラミツクコンデンサ
をカツプリング剤（またはその溶液）中に浸漬
し、デシケーター内にて減圧下に行う。ついで該
セラミツクコンデンサを取り出し乾燥する。かか
る浸漬および乾燥は２〜３回行うのが好ましい。 このようにしてカツプリング剤にて処理したコ
ンデンサは、つぎに従来のものと同様Niまたは
Cuなどによる電解金属メツキ（約PH4.5）、さらに
は電解半田（またはSn，Pb）メツキ（＜PH１〜
4.5）が行われれ、チツプ型コンデンサとするか、
あるいは更にリード線を付けて外装を施し外装型
コンデンサとする。 実施例 つぎに本発明を実施例により更に具体的に説明
する。 (i) チツプ型積層セラミツクコンデンサ セラミツクシート：チタン酸バリウム 内部電極 Ag−Pd 外部電極 Agペースト コンデンサ寸法 3.2×1.6mm (ii) シランカツプリング剤： （γ−グリシドキシプロピル トリメトキシシラン） 上記の積層コンデンサ22個をカツプリング剤中
に浸漬して、減圧下30分間デシケータ内に置き、
ポーラス部分へのカツプリング剤の浸透をはかつ
た。浸漬後、コンデンサを引き上げ約150℃にて
乾燥した。 このコンデンサのうち17個を再度カツプリング
剤中に浸漬し、乾燥処理した。うち13個について
はさらに３回目の浸漬、乾燥処理を行つた。 これらのチツプコンデンサーの外部電極に、つ
ぎの条件でNiメツキ、ついで半田メツキを施し
た。 （Niメツキ） 電解液：NiSO4 220ｇ／，NiCl2 45ｇ／、 H3BO3 40ｇ／，PH４〜4.5 電極：Ni板、電圧1V、電流3A （半田メツキ） メツキ液：ソルダロンSG（ジヤパンメタル(株)製）
PH４ 電極：Pb−Sn板、電圧：1.5V、電流：0.6A 得られたチツプコンデンサのメツキ後の電気損
失（tanδ）を焼成工程後の値と比較して第１表お
よび第１図に示す。 比較例 カツプリング処理を行わなかつた以外は、実施
例と同様にして５個のチツプに金属メツキ行いチ
ツプコンデンサを得た。その物性を前記と同様に
第１表および第１図に示す。
【表】
第１表および第１図より明らかなごとく、カツ
プリング剤による処理を行つていないものではメ
ツキ処理後、著しくtanδ値の増大するものが存在
し電気損失が大きい。これに対してカツプリング
剤にて処理を行つたものは１回→３回と処理回数
の増加に伴いメツキ後もtanδ値の増大がなく３回
の処理では焼成後とメツキ後との間に殆ど差が認
められない。 さらに、第２図にカツプリング剤にて処理を行
つたコンデンサのたわみテストの結果を示した。
処理回数の増加にともない“たわみ量”が増大
し、ほぼすべての試験品が２〜３回の処理でたわ
みテスト（日本電子工業会規格RC−3402）の規
格２mmを満たした。 発明の効果 以上のごとく、本発明の製造方法によれば、カ
ツプリング剤による処理により、コンデンサ電流
損失の増大のない信頼性に優れた積層コンデンサ
が得られる。また本発明方法によれば、高いたわ
み特性を有する積層コンデンサが得られる。
プリング剤による処理を行つていないものではメ
ツキ処理後、著しくtanδ値の増大するものが存在
し電気損失が大きい。これに対してカツプリング
剤にて処理を行つたものは１回→３回と処理回数
の増加に伴いメツキ後もtanδ値の増大がなく３回
の処理では焼成後とメツキ後との間に殆ど差が認
められない。 さらに、第２図にカツプリング剤にて処理を行
つたコンデンサのたわみテストの結果を示した。
処理回数の増加にともない“たわみ量”が増大
し、ほぼすべての試験品が２〜３回の処理でたわ
みテスト（日本電子工業会規格RC−3402）の規
格２mmを満たした。 発明の効果 以上のごとく、本発明の製造方法によれば、カ
ツプリング剤による処理により、コンデンサ電流
損失の増大のない信頼性に優れた積層コンデンサ
が得られる。また本発明方法によれば、高いたわ
み特性を有する積層コンデンサが得られる。
第１図は各処理における金属メツキ前後のtanδ
値を示すグラフ、第２図はカツプリング処理回数
とたわみ量の関係を示すグラフ、第３図は外部電
極被着前のチツプコンデンサを示す概略斜視図、
第４図は外部電極を取り付けたチツプコンデンサ
を示す概略斜視図である。図中の符号はつぎのと
おりである。 １……セラミツクコンデンサ、２……セラミツ
クグリーンシート、３……内部電極、４……外部
電極。
値を示すグラフ、第２図はカツプリング処理回数
とたわみ量の関係を示すグラフ、第３図は外部電
極被着前のチツプコンデンサを示す概略斜視図、
第４図は外部電極を取り付けたチツプコンデンサ
を示す概略斜視図である。図中の符号はつぎのと
おりである。 １……セラミツクコンデンサ、２……セラミツ
クグリーンシート、３……内部電極、４……外部
電極。
Claims (1)
- １ 積層セラミツクコンデンサの製造方法であつ
て、セラミツクシートと内部電極とが積層した板
状コンデンサ集合体に外部電極を被着する工程
と、該外部電極に金属メツキを行う工程との間に
カツプリング剤にて処理する工程を設けたことを
特徴とする積層セラミツクコンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219896A JPS6461904A (en) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | Manufacture of laminated ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219896A JPS6461904A (en) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | Manufacture of laminated ceramic capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6461904A JPS6461904A (en) | 1989-03-08 |
| JPH0525372B2 true JPH0525372B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=16742735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62219896A Granted JPS6461904A (en) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | Manufacture of laminated ceramic capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6461904A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656824B2 (ja) * | 1991-01-25 | 1994-07-27 | 太陽誘電株式会社 | チップ状電子部品とその製造方法 |
| JP4167360B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2008-10-15 | 京セラ株式会社 | チップ型電子部品 |
| US6876537B2 (en) | 1999-10-07 | 2005-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic electronic component and method for manufacturing the same |
| JPWO2002082480A1 (ja) | 2001-04-05 | 2004-07-29 | 松下電器産業株式会社 | セラミック電子部品とその製造方法 |
| WO2007119281A1 (ja) * | 2006-03-15 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP6852326B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2021-03-31 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP6852327B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2021-03-31 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP7243487B2 (ja) * | 2019-06-27 | 2023-03-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
-
1987
- 1987-09-01 JP JP62219896A patent/JPS6461904A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6461904A (en) | 1989-03-08 |
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