JPH05257183A - Secondary higher harmonics generation device - Google Patents

Secondary higher harmonics generation device

Info

Publication number
JPH05257183A
JPH05257183A JP5767992A JP5767992A JPH05257183A JP H05257183 A JPH05257183 A JP H05257183A JP 5767992 A JP5767992 A JP 5767992A JP 5767992 A JP5767992 A JP 5767992A JP H05257183 A JPH05257183 A JP H05257183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
refractive index
harmonic
lens
optical waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5767992A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2843196B2 (en
Inventor
Keisuke Shinozaki
啓助 篠崎
Takeshi Kamijo
健 上條
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP5767992A priority Critical patent/JP2843196B2/en
Publication of JPH05257183A publication Critical patent/JPH05257183A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2843196B2 publication Critical patent/JP2843196B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To obtain a spot of secondary higher harmonics light or parallel luminous flux on an optical axis which has maximum intensity and is in focus by stabilizing the oscillation wavelength of a fundamental wave and thus stabilizing the angle of Cherenkov radiation light. CONSTITUTION:A semiconductor laser(LD) 100 which has an incidence and a projection low-reflection end surface and a Cherenkov radiation type 2nd higher harmonic generating element(SHG element) are combined. The light guide 122 of the SHG element is formed in periodic gradient index structure. The LD stably oscillates having the wavelength of the fundamental wave with feedback light from the light guide 122, and the Cherenkov radiation light is generated as the 2nd higher harmonic of the fundamental wave by the SHG element. This radiation light is converted by a rear-stage Axicon lens 130 into parallel luminous flux having an annular light intensity distribution and this luminous flux is converged by a condenser lens 140 to obtain the light spot.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、基本波光源の波長を
1/2の波長の光に変換する装置、特に半導体レーザ
(LD)の光を1/2の波長の光に変換する光第2高調
波発生(SHG)装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for converting the wavelength of a fundamental wave light source into light of a half wavelength, and more particularly to an optical device for converting light of a semiconductor laser (LD) into light of a half wavelength. A second harmonic generation (SHG) device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、第2高調波発生装置に関しては、
例えば、文献 (I)特開昭61−239231 (II)第51回応用物理学会学術講演会講演予稿集29p
-P-7 p.988(1990) (III)SPIE Vol.1148 ,ノンリニア オプチカル
プロパティーズ オブマテリアルズ「Nonlinear Optica
l Properties of Materials 」(1989) pp.207〜212. に開示された技術が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, regarding the second harmonic generator,
For example, Reference (I) Japanese Patent Laid-Open No. 61-239231 (II) Proceedings of the 51st Annual Meeting of the Applied Physics Society of Japan 29p
-P-7 p.988 (1990) (III) SPIE Vol.1148, Non-linear optical
Properties of Materials "Nonlinear Optica
l Properties of Materials "(1989) pp.207-212.

【0003】先ず、文献(I)に開示されている第2高
調波発生(SHG)素子について説明する。図4の
(A)は、周知のチェレンコフ放射形第2高調波発生素
子の概略的斜視図であり、また、図4の(B)は、図4
の(A)のSHG素子の、光導波路を含み、これに沿っ
てとって示した断面図である。このSHG素子10は、
LiNbO3 基板12にプロトン交換法により、光導波
路14を形成した構造となっている。この光導波路14
に基本波長λ(ω)(但し、ωは角周波数)を有する光
(以下、単に基本波光または基本波という。)16を入
射させて、この導波路中を伝播させると、チェレンコフ
条件を満たす角度θ(チェレンコフ角と称する。)の方
向に基本波長の1/2の波長λ(2ω)を有する光(以
下、単に、第2高調波(SH波またはSH光ともい
う。))18が取り出される(図4の(A)および
(B))。チェレンコフ条件は、光導波路14を伝播す
る基本波16の実効屈折率をN(ω)とし、基板12の
SH波18に対する屈折率をn(2ω)とすると、次式
(1)で与えられる。
First, the second harmonic generation (SHG) element disclosed in Document (I) will be described. 4A is a schematic perspective view of a known Cherenkov radiation type second harmonic generation element, and FIG. 4B is a schematic perspective view of FIG.
FIG. 4A is a cross-sectional view of the SHG element of (A) including an optical waveguide and taken along the optical waveguide. This SHG element 10 is
The structure is such that the optical waveguide 14 is formed on the LiNbO 3 substrate 12 by the proton exchange method. This optical waveguide 14
When light (hereinafter, simply referred to as a fundamental wave or a fundamental wave) 16 having a fundamental wavelength λ (ω) (where ω is an angular frequency) is made incident and propagates in this waveguide, an angle satisfying the Cherenkov condition is satisfied. A light (hereinafter, simply referred to as a second harmonic (SH wave or SH light)) 18 having a wavelength λ (2ω) that is ½ of the fundamental wavelength in the direction of θ (called Cherenkov angle) 18 is extracted. ((A) and (B) of FIG. 4). The Cherenkov condition is given by the following equation (1), where N (ω) is the effective refractive index of the fundamental wave 16 propagating in the optical waveguide 14 and n (2ω) is the refractive index of the substrate 12 for the SH wave 18.

【0004】 n(2ω)cosθ=N(ω) (1) この方式のSHG素子10は、位相整合が容易にとれる
点に特色があり、かつ、最近非常に変換効率の高い優れ
た素子が作られるようになった。しかし取り出されるS
H波がチェレンコフ放射状の光束(コーンの形状をした
放射パターンで出射する光束のことで、以後、単に、チ
ェレンコフ放射光という)であるために、通常のレンズ
では集光できないのが難点である。尚、光束は光線束と
もいう。
N (2ω) cos θ = N (ω) (1) The SHG element 10 of this system is characterized in that phase matching can be easily performed, and recently, an excellent element having a very high conversion efficiency was produced. Came to be. But S taken out
The H-wave is a Cherenkov radial luminous flux (a luminous flux emitted in a cone-shaped radiation pattern, which is hereinafter simply referred to as Cherenkov radiation), so that it is difficult to condense with an ordinary lens. The light flux is also called a light flux.

【0005】そこで、チェレンコフ放射光を集光するた
めに、従来、特別な光学系を、SHG素子と組み合わせ
た構造が提案された。このような構造の例が上述した文
献(II)および(III)に開示されている。
Therefore, in order to collect the Cherenkov radiation, a structure in which a special optical system is combined with an SHG element has been conventionally proposed. Examples of such a structure are disclosed in the above-mentioned documents (II) and (III).

【0006】図5の(A)および(B)は、文献(I)
に開示されているSHG素子10と同様の構造のSHG
素子を用いたSHG装置の要部を概略的に示す斜視図お
よび断面図である。このSHG素子10から出射したS
H波従ってチェレンコフ放射光が、グレーティングアキ
シコンレンズ20によって、平面波となると共に通常の
レンズの作用によりスクリーン22上にほぼ一点として
集光される。なお、グレーティングアキシコンレンズ2
0は、次に説明するアキシコンレンズと通常のレンズの
機能を合わせ持っているグレーティング形(ゾーンプレ
ート形)の複合レンズである。アキシコンレンズは、周
知の通り、特殊なレンズであり、その形状は後述する図
6に符号34を付して断面形状を示してあるように、頂
角αの円錐とその後に円柱が組み合わされた形状をして
いる。そして、このアキシコンレンズは、チェレンコフ
放射光をコリメート(平面波にする)する作用を有して
いる。従って、あるアキシコンレンズが、チェレンコフ
角θ1 の光束に対してコリメートする能力がある場合、
このレンズは、これとは異なるチェレンコフ角θ2 をな
す光束に対してはコリメートする能力はない。そこで、
グレーティング形のレンズとして形成すると、アキシコ
ンレンズとしての機能と通常のレンズとしての機能を一
つの部品で実現できることとなる。しかし、この場合で
あっても、チェレンコフ角θに対する集光能力の許容度
がそれほど広く(大きく)なるわけではない。ここでい
う許容度とは、θの変化に対する集光スポットのボケの
大きさの程度である。許容が大きいほど技術的には、S
H波従ってチェレンコフ放射光を集光させ易いことにな
る。このように、SHG素子を利用して短波長化する目
的のひとつは、ビーム径の大きい光をできるだけ微小な
スポットまたは出来るだけ細い光にすることであるの
で、ビームスポットのボケが大きくなることは実用上著
しく支障を来す。
FIG. 5A and FIG. 5B are shown in reference (I).
SHG having the same structure as the SHG element 10 disclosed in US Pat.
It is a perspective view and a sectional view showing roughly the important section of the SHG device using an element. S emitted from this SHG element 10
The H-wave, and therefore Cherenkov radiation, is converted into a plane wave by the grating axicon lens 20, and is condensed as a single point on the screen 22 by the action of a normal lens. In addition, the grating axicon lens 2
Reference numeral 0 denotes a grating type (zone plate type) compound lens having the functions of an axicon lens and an ordinary lens described below. As is well known, the axicon lens is a special lens, and its shape is a combination of a cone having an apex angle α and a cylinder after that, as shown in FIG. It has a curved shape. The axicon lens has a function of collimating Cherenkov radiation (making it a plane wave). Therefore, if an axicon lens has the ability to collimate a light beam with a Cherenkov angle θ 1 ,
This lens is not capable of collimating a light flux having a different Cherenkov angle θ 2 . Therefore,
If it is formed as a grating type lens, the function as an axicon lens and the function as a normal lens can be realized by one component. However, even in this case, the tolerance of the light collecting ability with respect to the Cherenkov angle θ does not become so wide (large). The allowance here is the degree of blur of the focused spot with respect to the change of θ. The larger the allowance, the more technically S
Therefore, it becomes easy to collect the H-wave and therefore the Cherenkov radiation. As described above, one of the purposes of shortening the wavelength by using the SHG element is to make light having a large beam diameter into a spot as small as possible or as thin as possible, so that the blur of the beam spot is not increased. Remarkably hinders practical use.

【0007】またもう一つの問題は、アキシコンレンズ
によって集光できるのは、完全な形のチェレンコフ放射
光であり、図4および図5で用いたプレーナ形のSHG
素子では、基板12の表面に光導波路14を形成した構
造であるため、チェレンコフ光の下半分だけ(基板側だ
け)のSH波18しか得られないので、θが適切に設定
されていても理想的なスポットには集光できないという
点である。この様子を、図5の(A)に示したスクリー
ン22上に示してある。なお、基本波光16も同様に下
半分だけスクリーン上に投射されているのがわかる。
Another problem is that the Cerenkov synchrotron radiation of a perfect shape can be condensed by the axicon lens, and the planar SHG used in FIGS. 4 and 5 is used.
Since the element has the structure in which the optical waveguide 14 is formed on the surface of the substrate 12, only the SH wave 18 of only the lower half of the Cherenkov light (only the substrate side) can be obtained. Therefore, even if θ is appropriately set, The point is that it cannot be focused on a specific spot. This state is shown on the screen 22 shown in FIG. It can be seen that the fundamental wave light 16 is also projected on the screen only in the lower half.

【0008】そこで、文献(III)に開示されているよう
な、ファイバ形のSHG素子30が提案された。この素
子30によれば、チェレンコフ角がθで、出射方向に対
して直交する面内において、帯状のリングの形態で光が
分布したチェレンコフ放射光としてSH光(波)が得ら
れること、および、アキシコンレンズの頂角αを適切に
設定すれば、SH光を理想的なスポットに集光できる。
以下、この内容を図6を参照して説明する。
Therefore, a fiber type SHG element 30 as disclosed in Document (III) has been proposed. According to this element 30, SH light (wave) is obtained as Cerenkov radiant light in which light is distributed in the form of a belt-shaped ring in a plane having a Cerenkov angle of θ and orthogonal to the emission direction, and If the apex angle α of the axicon lens is set appropriately, the SH light can be focused on an ideal spot.
Hereinafter, this content will be described with reference to FIG.

【0009】図6は、スポット状の収束光を得るため
の、従来のSHG装置の要部を概略的に示す構成図であ
る。光ファイバ形SHG素子30は、コア32aとクラ
ッド32bとからなり、コア32aをフリントガラスS
F4およびクラッド32bを有機非線形光学結晶である
4−(N,N−ジメチルアミノ)−3−アセトアミドニ
トロベンゼン(4−(N ,N-dimethylamino )−3−ac
etamidonitrobenzene (DAN))の材料として用いて
単結晶ファイバ化して形成したものである。コア32a
の基本波16に対する屈折率をN(ω)、クラッド32
bのSH波(SHG光)18に対する屈折率をn(2
ω)とすると、上述した(1)式を満足するθを頂角の
半分とするチェレンコフ放射光として、SH光18が取
り出される。このSH光18は前者のプレーナ形のSH
G素子からのチェレンコフ光とは異なり、欠けた部分の
ない円帯状である。このため、図6に示すように、アキ
シコンレンズ34(頂角α)を用いて理想的なスポット
に集光できる。この点につき、さらに詳しく説明する。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a main part of a conventional SHG device for obtaining a spot-shaped convergent light. The optical fiber type SHG element 30 is composed of a core 32a and a clad 32b, and the core 32a is made of flint glass S.
F4 and the clad 32b are formed of 4- (N, N-dimethylamino) -3-acetamidonitrobenzene (4- (N, N-dimethylamino) -3-ac, which is an organic nonlinear optical crystal.
It is formed as a single crystal fiber by using it as a material of etamidonitrobenzene (DAN). Core 32a
The refractive index of the fundamental wave 16 of the clad 32 is N (ω).
The refractive index of b for SH wave (SHG light) 18 is n (2
ω), the SH light 18 is extracted as Cerenkov radiant light with θ half the apex angle, which satisfies the above-described expression (1). This SH light 18 is the former planar type SH light.
Unlike the Cherenkov light from the G element, it has a circular band shape with no missing portion. Therefore, as shown in FIG. 6, it is possible to focus the light on an ideal spot using the axicon lens 34 (apex angle α). This point will be described in more detail.

【0010】ファイバ形SHG素子30の一端から基本
波16を導入し、他端からSH光18と基本波16を出
射させる。このうちSH波18はアキシコンレンズ34
によりチェレンコフ放射光が平面波(平行光)にされた
後、さらに対物レンズ36にスポット状に集光される。
アキシコンレンズ34の素材のSH波に対する屈折率を
A (2ω)とすると、角度θとαとの関係が次式
(2)を満足すれば、図に示すようなチェレンコフ放射
光はこのアキシコンレンズ34により平行光に変えられ
る。
The fundamental wave 16 is introduced from one end of the fiber type SHG element 30, and the SH light 18 and the fundamental wave 16 are emitted from the other end. Of these, the SH wave 18 is the axicon lens 34.
Thus, the Cherenkov radiation is converted into a plane wave (parallel light), and then is condensed in a spot shape on the objective lens 36.
Assuming that the refractive index of the material of the axicon lens 34 with respect to SH waves is n A (2ω), if the relation between the angle θ and α satisfies the following equation (2), the Cherenkov radiant light as shown in the figure shows It is converted into parallel light by the con-lens 34.

【0011】 COS[(α/2)−θ)]=nA ・COS(α/2) (2) すなわち COS[(α/2)−COS-1{N(ω)/n(2ω)}] =nA (2ω)・COS(α/2) (3) チェレンコフ光が理想的なスポットに集光されるのは、
この(3)式を満足するときに限られる。したがって、
基本波の波長すなわち角周波数ωが異なれば集光点はぼ
けることになる。これは実用上極めて大きな障害とな
る。特に半導体レーザ(LD)を基本波光源とした応用
において障害となる。通常、頂角αを予め定めてアキシ
コンレンズを形成している。このため、このレンズに対
して式(2)ないし式(3)を満足する波長で発振する
半導体レーザ(LD)を見つけ出すことは容易でない。
しかも、LDの発振波長は注入電流値や周囲温度により
変動するから、この変動に対応出来るようにするために
は、従来は、予想し得るSH波の波長に適合したアキシ
コンレンズを全て用意しておき、波長の変化毎にアキシ
コンレンズの交換をする必要があるが、このような処置
は事実上不可能であるし、また、全ての波長に対応する
個別のアキシコンレンズを用意することも現実的ではな
い。
COS [(α / 2) −θ)] = n A · COS (α / 2) (2) That is, COS [(α / 2) −COS −1 {N (ω) / n (2ω)} ] = N A (2ω) · COS (α / 2) (3) The Cerenkov light is focused on an ideal spot.
Only when the expression (3) is satisfied. Therefore,
If the wavelength of the fundamental wave, that is, the angular frequency ω is different, the focal point will be blurred. This is an extremely large obstacle in practical use. In particular, it becomes an obstacle in applications where a semiconductor laser (LD) is used as a fundamental wave light source. Usually, the apex angle α is predetermined and an axicon lens is formed. Therefore, it is not easy to find a semiconductor laser (LD) that oscillates at a wavelength that satisfies the expressions (2) to (3) for this lens.
Moreover, since the oscillation wavelength of the LD fluctuates depending on the injection current value and the ambient temperature, in order to be able to cope with this fluctuation, conventionally, all axicon lenses suitable for the expected wavelength of the SH wave have been prepared. It is necessary to replace the axicon lens every time the wavelength changes, but this kind of procedure is virtually impossible, and individual axicon lenses for all wavelengths must be prepared. Is not realistic.

【0012】通常、SHG素子を利用した短波長光源の
使用は、第2高調波光を光軸上で最大光強度を持った平
行光線束に変換するため、或いは、第2高調波光を一点
へ集光させるためである。図6に示すようにSH光束は
平行光線束としてアキシコンレンズの後方で得られる
が、既に説明したように、光軸上の光強度が0であると
いう中心部分が抜けた円筒状の光束である。しかし、工
業上の応用では、光軸上での光強度が最大になっている
いわゆるガウスビームが最も用途が広い。またアキシコ
ンレンズの後方でえられる光束も光の回折効果のために
平行光線束といえども少しずつ光束の半径は広がって伝
播していく。
Usually, the use of a short wavelength light source using an SHG element is used for converting the second harmonic light into a parallel light flux having the maximum light intensity on the optical axis, or collecting the second harmonic light at one point. This is to make it glow. As shown in FIG. 6, the SH light flux is obtained as a parallel light flux behind the axicon lens, but as already explained, it is a cylindrical light flux with the central portion missing, that is, the light intensity on the optical axis is 0. is there. However, in industrial applications, the so-called Gaussian beam, which has the maximum light intensity on the optical axis, is the most versatile. Also, the light flux obtained behind the axicon lens is a parallel light flux due to the diffraction effect of light, but the radius of the light flux gradually spreads and propagates.

【0013】ところで、文献(IV)「フィジカル レ
ビュー レッターズ(PHYSICAL REVIEW
LETTERS),Vol.58,No.15(19
87),pp.1499−1501」に、光軸に垂直な
断面内に一様な光強度分布を有する平行光線束に対し
て、円環状のスリットと凸レンズとを組み合わせること
により、無回折モードであって、しかも、1波長程度の
半径を持つ平行光線束が得られる技術が開示されてい
る。この組み合わせ構造を図7に示す。図中、40波ス
リット板であり、通常は、使用光に対して透明な材料、
たとえばガラス版に、不透明遮光膜を設けて、スリット
40aの部分だけ、光が透過出来るように構成してあ
る。このスリット40aを円環状に形成してあり、その
平均半径をdとし、スリット幅を△dしてある。凸レン
ズ42の焦点距離fだけ離れた光軸上にこのスリット板
40を、その円環状スリット42aの径の中心が位置す
るように、光軸に対して垂直となるように設けてある。
この文献によれば、無回折モードの微細径の平行光線束
が得られる範囲は、凸レンズから最長伝播距離ZMAX
範囲内であるという。しかし、得られた無回折モードの
平行光線束の光強度は、入射光Lの光強度の1/100
以下となってしまい、実用的ではない。
By the way, reference (IV) “Physical Review Letters (PHYSICAL REVIEW)
LETTERS), Vol. 58, No. 15 (19
87), pp. 1499-1501 ", a parallel light flux having a uniform light intensity distribution in a cross section perpendicular to the optical axis is combined with an annular slit and a convex lens to obtain a non-diffraction mode, and A technique for obtaining a bundle of parallel rays having a radius of about one wavelength is disclosed. This combined structure is shown in FIG. In the figure, it is a 40-wave slit plate, which is usually a transparent material for the used light,
For example, a glass plate is provided with an opaque light-shielding film so that light can be transmitted only through the slit 40a. The slit 40a is formed in an annular shape, its average radius is d, and the slit width is Δd. The slit plate 40 is provided so as to be perpendicular to the optical axis such that the center of the diameter of the annular slit 42a is located on the optical axis separated by the focal length f of the convex lens 42.
According to this document, the range in which a non-diffraction mode minute-diameter parallel light flux is obtained is within the range of the longest propagation distance Z MAX from the convex lens. However, the light intensity of the obtained parallel beam bundle in the non-diffraction mode is 1/100 of the light intensity of the incident light L.
It is not practical because it becomes the following.

【0014】そこで、図6に示した構成のうち、対物レ
ンズ36を用いる代わりに、円環(リング)状のスリッ
ト40と凸レンズ42との組み合わせ構造を用いれば、
一応、光強度の大なる微細径の平行光線束を得ることが
出来ると考えられる。その構成を図8に示す。しかし、
この場合には、SHG素子として光ファイバ形のSHG
素子30を使用しているため、仮に光源として半導体レ
ーザ(LD)を用いたとしても、発振波長の安定化を図
れないため、チェレンコフ角が一定せず、アキシコンレ
ンズ34を通過した平行光線束を、常時、スリット42
aに一致させることが困難であり、このため、図8に示
した構成は、実用的ではない。
Therefore, in the structure shown in FIG. 6, instead of using the objective lens 36, if a combination structure of a ring-shaped slit 40 and a convex lens 42 is used,
For the time being, it is considered possible to obtain a bundle of parallel rays of small diameter with a high light intensity. The structure is shown in FIG. But,
In this case, the SHG element is an optical fiber type SHG.
Since the element 30 is used, even if a semiconductor laser (LD) is used as a light source, the oscillation wavelength cannot be stabilized, so that the Cherenkov angle is not constant and the parallel light flux that has passed through the axicon lens 34. Always slit 42
It is difficult to match a, and therefore the configuration shown in FIG. 8 is not practical.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のチ
ェレンコフ放射形位相整合法によるSHG技術では、こ
れを実用化するには、整理すると、下記のような種々の
解決すべき問題がある。
As described above, the conventional SHG technique based on the Cherenkov radial phase matching method has the following various problems to be solved in order to put it into practical use.

【0016】従来のプレーナ形光導波路を用いチェレ
ンコフ形の位相整合によるSHG素子の場合、チェレン
コフ放射光の一部を欠いた形になるため、原理的に一点
に集光することができない。
In the case of a conventional SHG element using a Cherenkov type phase matching using a planar type optical waveguide, since a part of the Cherenkov radiated light is cut off, it cannot be focused at one point in principle.

【0017】ファイバ形の光導波路を用いチェレンコ
フ形の位相整合によるSHG素子の場合、アキシコンレ
ンズ通過後円帯(円環)状に光が分布した円筒状チェレ
ンコフ光が得られる。しかし、集光に必要な部品の一つ
であるアキシコンレンズの形状により決まる放射角のチ
ェレンコフ放射光のみが集光できることに止まり、すな
わち集光できる条件は極めて狭いので応用上極めて使い
にくい。
In the case of an SHG element by Cherenkov type phase matching using a fiber type optical waveguide, cylindrical Cherenkov light in which light is distributed in a circular band (ring) after passing through an axicon lens is obtained. However, only Cerenkov radiation with an emission angle determined by the shape of the axicon lens, which is one of the components required for light collection, can be collected, that is, the conditions under which light can be collected are extremely narrow, which makes it extremely difficult to use in applications.

【0018】また、従来のチェレンコフ放射型SHG
装置から得られるSH光束は光軸上に光強度を持たない
円筒形の平行光線束であり、しかも、回折効果により光
束の半径は徐々に広がって大きくなって行くので、実用
上支障を来す恐れがある。
The conventional Cherenkov radiation type SHG
The SH light flux obtained from the device is a cylindrical parallel light flux having no light intensity on the optical axis, and the radius of the light flux gradually expands and increases due to the diffraction effect, which causes a practical problem. There is a fear.

【0019】また、従来のファイバ形SHG素子を用
いて無回折モードの平行光線束を得ようとしても、安定
している無回折モードの平行光線束が、常時、得られな
いので、実用性に乏しい。
Even if a conventional fiber type SHG element is used to obtain a parallel light flux in the non-diffraction mode, a stable parallel light flux in the non-diffraction mode cannot always be obtained. poor.

【0020】この発明の目的は、発振波長が安定し、し
かも、第2高調波光の一点へ集光を容易に可能とするか
または光軸上で最大強度を持った第2高調波光の平行光
線束を安定して得ることを可能とするSHG装置を提供
することにある。
An object of the present invention is to stabilize the oscillation wavelength and, moreover, make it possible to focus light on one point of the second harmonic light easily, or to make parallel rays of the second harmonic light having the maximum intensity on the optical axis. An object of the present invention is to provide an SHG device capable of stably obtaining a bundle.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の第2高調波発生装置によれば、(a)両
端面を低反射面として形成した半導体レーザと、(b)
この半導体レーザからの基本波光を第2高調波光に変換
する、チェレンコフ放射形第2高調波発生(SHG)素
子と、(c)この半導体レーザからの出射光をSHG素
子の光導波路に集光し、かつこの光導波路からの帰還光
をこの半導体レーザへ入力させるための光学系と、
(d)このSHG素子から出射した、第2高調波光とし
てのチェレンコフ放射光を平行光線束にするためのアキ
シコンレンズとを含む第2高調波発生装置において、
(e)この光導波路を、周期的屈折率分布構造として形
成した非線形光導波路とし、(f)このSHG素子を、
この光導波路の入・出射端面以外の外周囲を第2高調波
光に対して透明な材料層で形成してあることを特徴とす
る。
In order to achieve this object, according to the second harmonic generation device of the present invention, (a) a semiconductor laser having both end surfaces formed as low reflection surfaces, and (b)
Cherenkov radiation type second harmonic generation (SHG) element for converting the fundamental wave light from this semiconductor laser into second harmonic light, and (c) the light emitted from this semiconductor laser is focused on the optical waveguide of the SHG element. And an optical system for inputting the feedback light from the optical waveguide to the semiconductor laser,
(D) A second harmonic generation device including an axicon lens for collimating Cherenkov radiation as second harmonic light emitted from this SHG element,
(E) This optical waveguide is a nonlinear optical waveguide formed as a periodic refractive index distribution structure, and (f) this SHG element is
The outer periphery of the optical waveguide other than the input / output end faces is formed of a material layer transparent to the second harmonic light.

【0022】この発明の実施に当たり、好ましくは、こ
の周期的屈折率分布構造を、前述の基本波に対して第1
および第2屈折率領域を交互に周期的に配列して形成し
ておき、その周期をΛとするとき、このΛは下記の条件
を満足する構成とするのが良い。
In practicing the present invention, it is preferable that the periodic refractive index distribution structure should be firstly arranged with respect to the fundamental wave.
When the second refractive index regions are alternately arranged periodically and formed, and the period is Λ, it is preferable that Λ satisfy the following condition.

【0023】Λ=P・λ(ω)/2N(ω) 但し、 COSθ=N(ω)/n(2ω) および COS[(α/2)−θ]=nA (2ω)・COS(α/2) であって、Pは正の整数、λ(ω)は前述の基本波の波
長、N(ω)はこの基本波に対する前述の光導波路の実
効屈折率、n(ω)は前述の材料層の、第2高調波光に
対する屈折率、nA (2ω)は前述のアキシコンレンズ
の、第2高調波光に対する屈折率およびαは前述のアキ
シコンレンズの頂角である。
Λ = Pλ (ω) / 2N (ω) where COSθ = N (ω) / n (2ω) and COS [(α / 2) −θ] = n A (2ω) COS (α / 2), P is a positive integer, λ (ω) is the wavelength of the fundamental wave, N (ω) is the effective refractive index of the optical waveguide with respect to the fundamental wave, and n (ω) is the above The refractive index of the material layer with respect to the second harmonic light, n A (2ω) is the refractive index of the axicon lens described above with respect to the second harmonic light, and α is the apex angle of the axicon lens described above.

【0024】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、前述のアキシコンレンズの後段に対物レンズを設け
た構成とするのが良い。
Further, in implementing the present invention, it is preferable that an objective lens is provided after the axicon lens described above.

【0025】また、アキシコンレンズの後段に、前述の
平行光線束にされたチェレンコフ放射光を通過させるリ
ング状のスリットと、このスリットの後段に該スリット
を含む面から焦点距離だけ離れているレンズとを含む構
成とするのが良い。
Further, a ring-shaped slit for passing the Cherenkov radiated light made into the above-mentioned parallel light flux is provided in the rear stage of the axicon lens, and a lens which is separated from the surface including the slit by the focal length in the rear stage of this slit. It is preferable that the configuration includes and.

【0026】また、アキシコンレンズの代わりにフレネ
ルゾーンプレートを用いても良い。
A Fresnel zone plate may be used instead of the axicon lens.

【0027】[0027]

【作用】この発明の第2高調波発生装置によれば、SH
G素子の光導波路を、その入・出射端面以外の外周囲を
第2高調波光に対して透明な、少なくとも一つの材料層
で形成してあるので、発生するSH光を欠けた部分のな
い円環状の形のチェレンコフ放射光として取り出せるこ
とになる。従って、SHG素子から発生したSH光をア
キシコンレンズによって光軸に対して直交する面内での
断面における光強度分布が円環状分布となっている、円
筒状の平行光線束に、常時、変換することが出来る。こ
の平行光線束を適当な対物レンズを用いて集光させるこ
とによって、実質的にボケの無い、スポットとして集光
出来る。
According to the second harmonic generator of the present invention, the SH
The optical waveguide of the G element is formed by at least one material layer that is transparent to the second harmonic light on the outer periphery except the input / output end faces, so that there is no portion lacking the SH light that is generated. It can be extracted as Cherenkov radiation in the form of a ring. Therefore, the SH light generated from the SHG element is always converted by the axicon lens into a cylindrical parallel ray bundle in which the light intensity distribution in the cross section in the plane orthogonal to the optical axis is an annular distribution. You can do it. By condensing this parallel light flux using an appropriate objective lens, it can be condensed as a spot having substantially no blur.

【0028】また、上述した構成によれば、光導波路を
周期的屈折率分布構造として構成してあるので、半導体
レーザ(LD)からの基本波は、SHG素子において、
ブラッグ反射により位相整合条件に合致した基本波がこ
のLDに帰還する。そして、LDの両端面に低反射率コ
ーティングを施してあるため、しきい値電流が大きい。
このため、周期的屈折率構造の周期をSH光の集光条件
に合致するように設計しておけば、LDは設計通りの発
振波長で自動的に安定して発振する。その結果、チェレ
ンコフ放射光としてのSH光は、SHG素子から安定し
たチェレンコフ角θで出射するので、予め基本波の発振
を設計に応じて定めておけば、アキシコンレンズの頂角
αもこの角度θに対応させて定めておくことができ、従
って、安定した、チェレンコフ放射光の平行光線束を、
常時、得る。そのため、この平行光線束を対物レンズで
集光させると、ボケの無い、光強度の大なる微小なスポ
ットとして集光出来る。
Further, according to the above-mentioned structure, since the optical waveguide is structured as a periodic refractive index distribution structure, the fundamental wave from the semiconductor laser (LD) is
A fundamental wave matching the phase matching condition is returned to this LD by the Bragg reflection. Since both end faces of the LD are coated with low reflectance, the threshold current is large.
Therefore, if the period of the periodic refractive index structure is designed to match the SH light condensing condition, the LD automatically and stably oscillates at the oscillation wavelength as designed. As a result, since SH light as Cherenkov radiation is emitted from the SHG element at a stable Cherenkov angle θ, if the oscillation of the fundamental wave is determined in advance according to the design, the apex angle α of the axicon lens is also this angle. It can be set in correspondence with θ, and therefore a stable parallel beam bundle of Cherenkov radiation is
Always get. Therefore, when the parallel light flux is condensed by the objective lens, it can be condensed as a minute spot with a large light intensity without blurring.

【0029】また、アキシコンレンズの後段に円環状の
スリットを設け、このスリットを焦平面に位置させたレ
ンズを用いることによって、無回折モードの光束であっ
て、しかも、光軸上で最大光強度を有する平行光線束
を、常時、安定して得る。
Further, by using a lens having an annular slit in the subsequent stage of the axicon lens and arranging this slit on the focal plane, the light beam is in the non-diffraction mode and the maximum light is on the optical axis. A parallel ray bundle having strength is always obtained stably.

【0030】[0030]

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
つき説明する。なお、図は、この発明が理解出来る程度
に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概略的に
示してあるにすぎない。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings only schematically show the shapes, sizes, and arrangement relationships of the respective constituent components to the extent that the present invention can be understood.

【0031】図1は、この発明の第2高調波発生装置の
一実施例を示す構成図である。図2の(A)および
(B)は、この発明の一構成成分として用いるSHG素
子の構造の一実施例を示す斜視図および断面図である。
図3は、この発明の他の実施例を示す構成図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the second harmonic generation device of the present invention. 2A and 2B are a perspective view and a cross-sectional view showing one embodiment of the structure of the SHG element used as one component of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the present invention.

【0032】この発明の第2高調波発生装置(SHG装
置)は、光源としての半導体レーザ100と、光学系1
10と、チェレンコフ放射形第2高調波発生素子(SH
G素子)120と、アキシコンレンズ130とを少なく
とも具えた構造となっている(図1)。
The second harmonic generation device (SHG device) of the present invention comprises a semiconductor laser 100 as a light source and an optical system 1.
10 and the Cherenkov radiation type second harmonic generation element (SH
The structure has at least a G element) 120 and an axicon lens 130 (FIG. 1).

【0033】次に、このSHG装置の各構成成分につき
説明するが、既に説明した構成成分については、特に必
要がある場合を除き、その説明の詳細を省略する。先
ず、この発明で使用する半導体レーザ(LD)100
は、その両端面を低反射面として形成する。半導体レー
ザ100の両端面を低反射面(AR面)とすることによ
り、通常の半導体レーザよりも、しきい値電流を充分に
大きくすることができる。そのため、後述するSHG素
子120からの帰還光により、しきい値を越えた基本波
F で発振する。この低反射面は、半導体レーザ100
の入・出射端面に低反射膜をコーティングして設ければ
良く、このコーティング技術は、従来普通に用いられて
いる。
Next, each component of this SHG device will be described, but the details of the components already described will be omitted unless there is a particular need. First, the semiconductor laser (LD) 100 used in the present invention
Has both end surfaces formed as low reflection surfaces. By making both end surfaces of the semiconductor laser 100 low reflective surfaces (AR surfaces), the threshold current can be made sufficiently larger than that of a normal semiconductor laser. Therefore, the feedback light from the SHG element 120, which will be described later, oscillates with the fundamental wave L F exceeding the threshold value. This low reflection surface is the semiconductor laser 100.
It suffices to coat a low reflection film on the input / output end faces of the above, and this coating technique is conventionally used.

【0034】光学系110は、半導体レーザ100とS
HG素子120とを光学的に結合させる手段であるた
め、この半導体レーザ100からの出射光をSHG素子
120の光導波路122に集光し、かつこの光導波路1
22からの帰還光をこの半導体レーザ100へ入力させ
る構成となっていれば良い。この実施例では、半導体レ
ーザ100側から、ロリメートレンズ112、アナモル
フィックプリズムペア114および集光レンズ116を
もって構成してある。当然ながら、光ファイバ或いはそ
の他の光学手段(空気空間およびまたは真空空間をも含
む。)等を用いて両者100および120を光学的に結
合させてもよい。
The optical system 110 includes the semiconductor laser 100 and S
Since it is a means for optically coupling with the HG element 120, the emitted light from the semiconductor laser 100 is condensed on the optical waveguide 122 of the SHG element 120 and the optical waveguide 1
It suffices that the feedback light from 22 is input to the semiconductor laser 100. In this embodiment, a laser beam lens 112, an anamorphic prism pair 114, and a condenser lens 116 are arranged from the semiconductor laser 100 side. Of course, an optical fiber or other optical means (including an air space and / or a vacuum space) or the like may be used to optically couple the both 100 and 120.

【0035】チェレンコフ放射形第2高調波発生(SH
G)素子122は、この半導体レーザ100からの基本
波光を第2高調波光に変換する素子である。このSHG
素子につき図2の(A)および(B)を参照して説明す
る。
Cherenkov radiation type second harmonic generation (SH
The G) element 122 is an element that converts the fundamental wave light from the semiconductor laser 100 into the second harmonic light. This SHG
The element will be described with reference to FIGS. 2A and 2B.

【0036】このSHG素子120は、光導波路122
と、その入・出射端面以外の外周囲を取り囲む、第2高
調波光に対して透明な材料層124で構成する(図2の
(A))。この実施例では、SHG素子120を、従来
公知の、基板126およびこれに設けた非線形光導波路
122からなるプレーナ形SHG素子の上面に、クラッ
ド128を設けた構造としている。そして、この光導波
路122を、周期的屈折率分布構造として形成した非線
形光導波路として、従来周知のプロトン交換法(Li−
+ 交換法)で基板126に形成する。
The SHG element 120 includes an optical waveguide 122.
And a material layer 124 surrounding the outer periphery other than the input / output end faces and transparent to the second harmonic light ((A) in FIG. 2). In this embodiment, the SHG element 120 has a structure in which a cladding 128 is provided on the upper surface of a conventionally known planar type SHG element composed of a substrate 126 and a nonlinear optical waveguide 122 provided thereon. Then, this optical waveguide 122 is used as a non-linear optical waveguide formed as a periodic refractive index distribution structure, and a conventionally known proton exchange method (Li-
H + exchange method) is used to form the substrate 126.

【0037】図2の(A)には、周期的屈折率分布構造
として示してないが、この光導波路122を第1および
第2屈折率領域122aおよび122bをもって構成す
る。この実施例では、例えば、図2の(B)に示すよう
に、高屈折率部122aおよび低屈折率部122bの2
つの屈折率の異なる部分を交互に導波方向に沿って周期
的に配列させて構成してある。この構造は、一旦、イオ
ン交換法を用いて、基板126に低屈折率部122bの
材料で光導波路の原形を形成した後、イオン交換法を用
いて、一定の周期でかつ一定の幅で高屈折率部122a
を作り込めば良い。
Although not shown as a periodic refractive index distribution structure in FIG. 2A, this optical waveguide 122 is constituted by first and second refractive index regions 122a and 122b. In this embodiment, for example, as shown in FIG. 2B, two high refractive index portions 122a and low refractive index portions 122b are provided.
It is configured by alternately arranging two portions having different refractive indexes periodically along the waveguide direction. In this structure, once the original shape of the optical waveguide is formed on the substrate 126 by the material of the low refractive index portion 122b by using the ion exchange method, and then the ion exchange method is used to increase the height of the optical waveguide with a constant period and a constant width. Refractive index portion 122a
Just make it.

【0038】次に、光導波路122が形成されている基
板126の全面に、基板と同一の材料でクラッド128
を設ける。基板とクラッドとを同一の材料で形成したの
は、基板側とクラッド側とで、チェレンコフ角を同一に
するためである。この材料として、第2高調波に対して
透明な、例えば、LiNbO3 を用いるのが好適であ
る。従って、この実施例では、この材料層124を、基
板126と、この基板および光導波路に光学的にコンタ
クトしたクラッド128をもって構成してある。
Next, on the entire surface of the substrate 126 on which the optical waveguide 122 is formed, the clad 128 is made of the same material as the substrate.
To provide. The reason that the substrate and the clad are made of the same material is that the Cherenkov angles are the same on the substrate side and the clad side. It is preferable to use, for example, LiNbO 3 which is transparent to the second harmonic as the material. Therefore, in this embodiment, the material layer 124 comprises a substrate 126 and a cladding 128 which is in optical contact with the substrate and the optical waveguide.

【0039】また、これら高屈折率部122aおよび低
屈折率部122bの両者の屈折率差を、好ましくは、小
さくしておくのが良い。このようにすると、チェレンコ
フ放射光の出射モードを実質的に同一とすることが出来
る。チェレンコフ放射光のモードが異なってしまうと、
SHG素子120から取り出されるSH光が後段のアキ
シコンレンズ(図1の130)によって集光不可能なモ
ードとなってしまい、実用性の乏しいSHG装置となっ
てしまう。
The difference in refractive index between the high refractive index portion 122a and the low refractive index portion 122b is preferably small. By doing so, the emission modes of the Cherenkov radiation can be made substantially the same. If the modes of Cherenkov synchrotron radiation are different,
The SH light extracted from the SHG element 120 becomes a mode in which light cannot be collected by the axicon lens (130 in FIG. 1) in the subsequent stage, resulting in an SHG device with poor practicality.

【0040】次に、このSHG素子120が満たすべき
条件につき検討する。SHG素子は、半導体レーザ10
0を基本波で安定発振させるための帰還光を出射させる
と共に、一定のチェレンコフ角θで第2高調波を発生さ
せる必要がある。このため、SHG素子120の光導波
路122はブラッグ反射を生じさせるように構成するこ
とを要する。
Next, conditions to be satisfied by the SHG element 120 will be examined. The SHG element is a semiconductor laser 10
It is necessary to emit the feedback light for stably oscillating 0 with the fundamental wave and also to generate the second harmonic at a constant Cherenkov angle θ. Therefore, the optical waveguide 122 of the SHG element 120 needs to be configured to cause Bragg reflection.

【0041】今、周期的屈折率構造の一周期をΛとす
る。このとき、このΛは下記の条件を満足する構成とす
るのが良い。
Now, let one period of the periodic refractive index structure be Λ. At this time, it is preferable that Λ satisfy the following condition.

【0042】 Λ=P・λ(ω)/2N(ω) (5) 但し、 COSθ=N(ω)/n(2ω) (6) および COS[(α/2)−θ]=nA (2ω)・COS(α/2) (7) である。ここで、Pは正の整数でブラッグ反射の次数で
与えられ、λ(ω)は基本波の波長、N(ω)はこの基
本波に対する光導波路122の実効屈折率、n(ω)は
材料層124の、第2高調波光に対する屈折率、n
A (2ω)はアキシコンレンズ130の、第2高調波光
に対する屈折率およびαはこのアキシコンレンズの頂角
である。なお、式(6)は、式(1)に対応しており、
式(7)は、式(2)に対応している。また、実効屈折
率とは、高および低屈折率部の屈折率の算術平均値で与
えられるが、両屈折率部の屈折率の値は極めて近接した
値であるので、どちらかの屈折率部の屈折率で近似的に
与えてもよい。
Λ = P · λ (ω) / 2N (ω) (5) where COSθ = N (ω) / n (2ω) (6) and COS [(α / 2) −θ] = n A ( 2ω) · COS (α / 2) (7). Here, P is a positive integer given by the order of Bragg reflection, λ (ω) is the wavelength of the fundamental wave, N (ω) is the effective refractive index of the optical waveguide 122 for this fundamental wave, and n (ω) is the material. Refractive index of layer 124 for second harmonic light, n
A (2ω) is the refractive index of the axicon lens 130 with respect to the second harmonic light, and α is the apex angle of this axicon lens. The equation (6) corresponds to the equation (1),
Expression (7) corresponds to expression (2). Further, the effective refractive index is given by the arithmetic mean value of the refractive indexes of the high and low refractive index portions, but the refractive index values of both refractive index portions are very close to each other, so that either refractive index portion The refractive index may be approximately given.

【0043】以下、この条件につき説明する。光導波路
122の光屈折率部122aおよび低屈折率部122b
の基本波LF に対する屈折率をそれぞれNa(ω)およ
びNb(ω)とする。また、SH波LS に対するそれぞ
れの屈折率をnSA(2ω)およびnSB(2ω)とする。
このとき両屈折率部122aおよび122bにおけるチ
ェレンコフ放射角θaおよびθbのずれ角△θは次式で
与えられる。
This condition will be described below. The optical refractive index portion 122a and the low refractive index portion 122b of the optical waveguide 122
Let Na (ω) and Nb (ω) be the refractive indices of the fundamental wave L F , respectively. Further, the respective refractive indices for the SH wave L S are n SA (2ω) and n SB (2ω).
At this time, the shift angle Δθ between the Cerenkov radiation angles θa and θb in both refractive index portions 122a and 122b is given by the following equation.

【0044】 △θ=COS-1[Na(ω)/nSA(2ω)] −COS-1[Nb(ω)/nSB(2ω)] (8) この式において、△θは零(0)であることが理想的で
はあるから、屈折率差[Na(ω)−Nb(ω)]およ
び[nSA(2ω)−nSB(2ω)]は、それぞれ、小さ
いことが望ましい。しかし、屈折率差を零とすること
は、この発明の効果を達成出来ないので、どの程度間で
この屈折率差を小さくすれば良いのか評価する必要があ
る。
Δθ = COS −1 [Na (ω) / n SA (2ω)] −COS −1 [Nb (ω) / n SB (2ω)] (8) In this equation, Δθ is zero (0 It is ideal that the refractive index differences [Na (ω) -Nb (ω)] and [n SA (2ω) -n SB (2ω)] are small. However, since the effect of the present invention cannot be achieved by setting the difference in refractive index to zero, it is necessary to evaluate how long the difference in refractive index should be reduced.

【0045】そこで、図2の(B)に示す構造におい
て、SHG素子120の導波方向の長さDを5mmとし
て検討する。屈折率周期構造の周期Λは、基本波LF
波長λ(ω)を830nmとすると、Na(ω)=2.
172となる。周期的屈折率分布構造が、仮に9次のブ
ラッグ反射を起こすとすると、Pは9であり、その場
合、式(5)で与えられる周期Λは、Λ=9×0.83
/(2×2.172)=1.72となる。今、、D=5
mmであるとしているので、このSHG素子120で
は、2900周期のブラッグ反射格子が形成されている
こととなる。
Therefore, in the structure shown in FIG. 2B, the length D of the SHG element 120 in the waveguide direction will be 5 mm. When the wavelength λ (ω) of the fundamental wave L F is 830 nm, the period Λ of the refractive index periodic structure is Na (ω) = 2.
It becomes 172. Assuming that the periodic refractive index distribution structure causes Bragg reflection of the 9th order, P is 9, and in that case, the period Λ given by the equation (5) is Λ = 9 × 0.83.
/(2×2.172)=1.72. Now, D = 5
Since it is assumed to be mm, this SHG element 120 has a Bragg reflection grating of 2900 cycles.

【0046】次に、仮に[Na(ω)−Nb(ω)]=
0.001とすると、[nSA(2ω)−nSB(2ω)]
も0.001程度となり、ブラッグ反射率Rは、周知の
次式(9)を使って計算すると、ほぼ94.3%とな
り、充分な反射率を有していることが理解出来る。な
お、n1 およびn2 は、光導波路の入・出射端面と接す
る空気の屈折率で1とし、rを周期Λの繰り返し数、こ
こでは2900とする。
Next, suppose that [Na (ω) -Nb (ω)] =
If it is 0.001, [n SA (2ω) −n SB (2ω)]
Also becomes about 0.001, and the Bragg reflectance R is calculated to be approximately 94.3% by using the well-known equation (9), and it can be understood that the Bragg reflectance R has a sufficient reflectance. Note that n 1 and n 2 are the refractive indices of air in contact with the input / output end faces of the optical waveguide, and r is the number of repetitions of the period Λ, here 2900.

【0047】 R={[A]/[B]}2 [A]=1−(Na(ω)/n1 )×(Na(ω)/n2 ) ×(Na(ω)/Nb(ω))2r [B]=1+(Na(ω)/n1 )×(Na(ω)/n2 ) ×(Na(ω)/Nb(ω))2r ・・・(9) Na(ω)=2.173とし、Nb(ω)=2.172
として式(9)を計算すると、R=0.943となる。
R = {[A] / [B]} 2 [A] = 1− (Na (ω) / n 1 ) × (Na (ω) / n 2 ) × (Na (ω) / Nb (ω )) 2r [B] = 1 + (Na (ω) / n 1 ) × (Na (ω) / n 2 ) × (Na (ω) / Nb (ω)) 2r ... (9) Na (ω) = 2.173, Nb (ω) = 2.172
When equation (9) is calculated as, R = 0.943.

【0048】一方、この場合のチェレンコフ放射角θa
およびθbのずれは、第2高調波の波長415nm対す
る高および低屈折率部122aおよび122bの屈折率
をそれぞれnSA=2.312およびnSB=2.311で
あるとすると、 θa=COS-1[Na(ω)/nSA(2ω)]=19.9688° θb=COS-1[Nb(ω)/nSB(2ω)]=19.9688° となる。従って、式(8)から、 △θ=0.0043° という極めて小さな値となっている。この値は、当業者
には、半導体レーザを安定発振させない場合の従来構造
のSHG装置の場合に比べて充分小さな値であると理解
出来る。このように約1000分の4°〜5°程度とい
う小さい値のずれ角△θで放射されたSH波LS1を、後
段に設けたアキシコンレンズ130で、何ら支障なく、
集光し、それによりドーナツ状の光強度分布を持った平
行光線束LS2を出射させることが出来る(図1)。ま
た、この程度の屈折率差を与える光導波路122を、現
在のイオン交換技術をもって形成することが出来るの
で、実用に供するチェレンコフ放射形SHG素子を形成
することが出来る。
On the other hand, the Cerenkov radiation angle θa in this case
The deviations of θb and θb are θa = COS , where n SA = 2.312 and n SB = 2.311 are the refractive indices of the high and low refractive index portions 122a and 122b for the second harmonic wavelength of 415 nm, respectively. 1 [Na (ω) / n SA (2ω)] = 19.9688 ° θb = COS −1 [Nb (ω) / n SB (2ω)] = 19.9688 °. Therefore, from the formula (8), Δθ = 0.0043 °, which is an extremely small value. Those skilled in the art can understand that this value is a sufficiently small value as compared with the case of the SHG device having the conventional structure when the semiconductor laser is not stably oscillated. In this way, the SH wave L S1 radiated with a small deviation angle Δθ of about 4 ° to 5 ° of about 1000 is not affected by the axicon lens 130 provided in the subsequent stage.
By condensing, a parallel light flux L S2 having a donut-shaped light intensity distribution can be emitted (FIG. 1). Further, since the optical waveguide 122 that gives such a difference in refractive index can be formed by the current ion exchange technology, it is possible to form a Cherenkov radiating SHG element for practical use.

【0049】このように、図1に示す構成例では、半導
体レーザ100の両端面をARコーティングして発振し
きい値を充分大きく設定してある。そして、SHG素子
120の周期的屈折率分布構造の光導波路122を、式
(5)を満足するブラッグ反射が生ずるように、構成出
来るので、半導体レーザ100は、SHG素子122に
おいて自動的に式(5)を満足した光の帰還をうけるの
で、半導体レーザ100は、一旦発振が開始すると、基
本波は自動的に一定の波長で安定に発振し、しかも、発
振波長は、周囲の温度や注入電流値の変化の影響をほと
んど受けない。従って、少なくとも、式(5)、(6)
および(7)を満足させるようにSHG素子を構成すれ
ば、安定発振している基本波を、第2高調波としてのチ
ェレンコフ放射光に、効率よく変換し、しかも、このチ
ェレンコフ放射光を、その放射角度も実質的に同一と見
做し得る範囲内で放射させることが出来るということが
理解出来る。
As described above, in the configuration example shown in FIG. 1, both end faces of the semiconductor laser 100 are AR-coated to set the oscillation threshold value sufficiently large. Since the optical waveguide 122 having the periodic refractive index distribution structure of the SHG element 120 can be configured so that the Bragg reflection satisfying the expression (5) is generated, the semiconductor laser 100 automatically calculates in the SHG element 122 by the expression ( Since the semiconductor laser 100 receives the feedback of the light satisfying the condition 5), once the oscillation starts, the fundamental wave automatically oscillates stably at a constant wavelength, and the oscillation wavelength depends on the ambient temperature and the injection current. Almost unaffected by changes in value. Therefore, at least equations (5) and (6)
If the SHG element is configured so as to satisfy (7) and (7), the stable oscillation fundamental wave is efficiently converted into Cherenkov radiation as the second harmonic, and this Cherenkov radiation is converted into It can be understood that the emission angles can also be emitted within a range that can be considered to be substantially the same.

【0050】図1に示した実施例では、好適例として、
この発明のSHG装置の構成の一部分として、アキシコ
ンレンズ130の後段に対物レンズ140を設けてい
る。この構成によれば、アキシコンレンズ130からの
円筒状の平行光線束LS2を対物レンズ140によって効
率良く一点に集光させてスポット状の集光点150を得
ることが出来る。
In the embodiment shown in FIG. 1, as a preferred example,
As a part of the configuration of the SHG device of the present invention, an objective lens 140 is provided after the axicon lens 130. According to this configuration, the cylindrical parallel light flux L S2 from the axicon lens 130 can be efficiently focused by the objective lens 140 at one point to obtain the spot-shaped focus point 150.

【0051】図3は、この発明の他の好適実施例の構成
を示す図である。この実施例によれば、アキシコンレン
ズ130の後段に、平行光線束にされたチェレンコフ放
射光(第2高調波光:SH波)LS2を通過させるリング
状のスリット160aと、このスリット160aの後段
にこのスリットを含む面(スリット板160の面)から
焦点距離fだけ離れているレンズ162とを含む構成と
している。この実施例では、光学系110を単なる空気
の間隙としてある。また、スリット板160は、図8で
説明したスリット板と同様に形成することが出来る。ま
た、レンズ162とスリット板160との組み合わせ
も、図8の場合と同様にして組み合わせれば良い。その
他の各構成成分は、図1に示した構成成分と同様である
ので、その詳細な説明を省略する。
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of another preferred embodiment of the present invention. According to this embodiment, in the subsequent stage of the axicon lens 130, a ring-shaped slit 160a for passing the Cherenkov radiation light (second harmonic light: SH wave) L S2 formed into a parallel light flux, and in the subsequent stage of this slit 160a. In addition, the lens 162 is separated from the surface including the slit (the surface of the slit plate 160) by the focal length f. In this embodiment, the optical system 110 is simply an air gap. Further, the slit plate 160 can be formed in the same manner as the slit plate described in FIG. The lens 162 and the slit plate 160 may be combined in the same manner as in the case of FIG. The other components are the same as the components shown in FIG. 1, so detailed description thereof will be omitted.

【0052】図3に示すSHG装置の構成によれば、ア
キシコンレンズ130で平行光線束にされた、光強度が
光軸に直交する面内において円環状に分布したSH光L
S2を効率よく集光してレンズ162の後方の、当該レン
ズ162から最長伝播距離に至る範囲内の光軸上に、無
回折モードの、微細径の平行光線束164を形成するこ
とが出来る。この最長伝播距離は、通常、数十cmであ
るので、実用上何ら支障がない。また、この構成によれ
ば、アキシコンレンズ130からの平行なSH光LS2
実質的に存在している領域にのみスリット160aを設
けた構成となっているので、SH光の光強度が最大とな
っている部分がスリット160aを通過することとな
る。従って、スリット160およびレンズ162によっ
て集光された平行光線束164の光強度は、従来構成の
場合とは異なり、実質的に弱まっていない。このため、
光軸上にボケの生じない、最大光強度を持った平行光線
束を得ることが出来る。なお、SHG素子120のSH
波LS1の出射側の端面からアキシコンレンズ130まで
の距離Sが変わると、対応して平行光線束LS2の中心間
の径が変わるため、このスリット160aの径dも、こ
の距離Sに対応させて予め設定することが出来る。
According to the configuration of the SHG device shown in FIG. 3, the SH light L formed into a parallel light flux by the axicon lens 130 and having a light intensity distributed annularly in a plane orthogonal to the optical axis.
It is possible to efficiently collect S2 and form a parallel beam bundle 164 of a non-diffraction mode and a small diameter on the optical axis behind the lens 162 within the range from the lens 162 to the longest propagation distance. This longest propagation distance is usually several tens of cm, so there is no problem in practical use. Further, according to this configuration, since the slit 160a is provided only in the region where the parallel SH light L S2 from the axicon lens 130 substantially exists, the light intensity of the SH light is maximum. Will pass through the slit 160a. Therefore, the light intensity of the parallel light bundle 164 condensed by the slit 160 and the lens 162 is not substantially weakened, unlike the case of the conventional configuration. For this reason,
It is possible to obtain a bundle of parallel rays having maximum light intensity without causing blurring on the optical axis. The SH of the SHG element 120
When the distance S from the end face on the exit side of the wave L S1 to the axicon lens 130 changes, the diameter between the centers of the parallel ray bundle L S2 also changes, so the diameter d of this slit 160a also changes to this distance S. Corresponding and can be preset.

【0053】この発明は、上述した実施例にのみ限定さ
れるものではなく、多くの変形または変更を行ない得る
ことが明らかである。例えば、上述した実施例では、S
HG素子として、光導波路を形成した基板上にクラッド
を設けた構成としたが、光導波路を中心としてその周囲
に同一の第2高調波に対して透明な材料層を具えた構造
であれば良い。従って、例えば、周期的屈折率構造を有
する光導波路を形成したファイバ状のチェレンコフ放射
形SHG素子であってもよい。
It is clear that the invention is not limited to the embodiments described above, but that many variants or modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, S
As the HG element, the clad is provided on the substrate on which the optical waveguide is formed, but any structure may be used as long as it has a material layer transparent to the same second harmonic around the optical waveguide. .. Therefore, for example, a fiber-shaped Cherenkov radiation type SHG element in which an optical waveguide having a periodic refractive index structure is formed may be used.

【0054】また、SHG素子を形成する材料としてL
iNbO3 を用いたが、これを用いる代わりに、LiT
aO3 とかKTP(KTiOPO4 )とかその他の非線
形光学材料を用いても形成することが出来る。
L is used as a material for forming the SHG element.
iNbO 3 was used, but instead of using it, LiT
It can also be formed by using aO 3, KTP (KTiOPO 4 ), or other nonlinear optical material.

【0055】[0055]

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の第2高調波発生装置によれば以下に掲げるよう
な利点を有している。
As is apparent from the above description, the second harmonic generation device of the present invention has the following advantages.

【0056】半導体レーザとチェレンコフ放射形SH
G素子を組み合わせてあるので、装置の小型化が可能と
なる。
Semiconductor laser and Cherenkov radiation type SH
Since the G element is combined, the device can be downsized.

【0057】また、SHG素子の光導波路を周期的屈
折率構造とし、かつ、半導体レーザの入・出射端面を低
反射面としてあるため、半導体レーザの駆動電流値や周
囲温度等に影響されずに、設計した基本波発振波長で安
定発振させることが出来る。
Further, since the optical waveguide of the SHG element has a periodic refractive index structure and the input / output end faces of the semiconductor laser are low-reflecting surfaces, they are not affected by the driving current value of the semiconductor laser or the ambient temperature. , It is possible to oscillate stably at the designed fundamental wave oscillation wavelength.

【0058】また、SHG素子を、光導波路の外周囲
を同一の材料からなる層で取り囲んであるため、この層
の第2高調波に対する屈折率は一様に構成されることと
なり、従って、チェレンコフ放射光は、常に、光導波路
の周囲360°にわたり一定の放射角度で放射される。
このため、基本波の波長が決まれば、第2高調波はSH
G素子から円環状に一定の放射角度で自動的に、かつ、
安定して放射するので、後段のアキシコンレンズにより
常に平行光線束を得ることが出来る。このため、設計に
応じた基本波の波長に対応した頂角を有するアキシコン
レンズを用意しておけば済むので、無駄が省ける。
Further, since the SHG element is surrounded by the layer made of the same material on the outer periphery of the optical waveguide, the refractive index for the second harmonic of this layer is made uniform, and therefore the Cherenkov is formed. The emitted light is always emitted at a constant emission angle over 360 ° around the light guide.
Therefore, if the wavelength of the fundamental wave is determined, the second harmonic will be SH
From the G element to a ring shape automatically at a constant radiation angle, and
Since it radiates stably, a parallel ray bundle can always be obtained by the axicon lens in the latter stage. Therefore, it suffices to prepare an axicon lens having an apex angle corresponding to the wavelength of the fundamental wave according to the design, and waste can be saved.

【0059】上述した〜の結果、アキシコンレン
ズの後段に集光レンズを配置することによって、第2高
調波をボケのない、光強度の大なるおよび微細径のスポ
ットとして集光出来る。また、アキシコンレンズの後段
にスリットと対物レンズの組み合わせ構造を配置するこ
とによって、光軸上に光強度の大なる、ボケのないおよ
び微細径の平行光線束を得ることが出来る。
As a result of the above items (1) to (4), by arranging the condenser lens at the rear stage of the axicon lens, it is possible to condense the second harmonic wave as a spot having a large light intensity and a fine diameter without blurring. Further, by arranging the combination structure of the slit and the objective lens in the subsequent stage of the axicon lens, it is possible to obtain a parallel light flux having a large light intensity on the optical axis, no blur, and a fine diameter.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第2高調波発生装置(SHG装置)
の第1実施例の説明に供する概略的構成図である。
FIG. 1 is a second harmonic generation device (SHG device) of the present invention.
2 is a schematic configuration diagram for explaining the first embodiment of FIG.

【図2】(A)は、この発明のSHG装置で使用するS
HG素子の一実施例を概略的に示す斜視図であり、
(B)は、図(A)の断面図である。
FIG. 2A is an S used in the SHG device of the present invention.
It is a perspective view showing roughly one example of a HG element,
(B) is a cross-sectional view of FIG.

【図3】この発明のSHG装置の第2実施例の説明に供
する概略的構成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram for explaining a second embodiment of the SHG device of the present invention.

【図4】(A)は、従来のチェレンコフ放射形第2高調
波発生素子の概略的斜視図であり、(B)は、図(A)
の断面図である。
FIG. 4A is a schematic perspective view of a conventional Cherenkov radiation type second harmonic generation element, and FIG. 4B is a diagram of FIG.
FIG.

【図5】(A)は、従来のSHG装置の要部を概略的に
示す斜視図であり、(B)は、図(A)の断面図であ
る。
5A is a perspective view schematically showing a main part of a conventional SHG device, and FIG. 5B is a cross-sectional view of FIG.

【図6】スポット状の収束光を得るための従来のSHG
装置を概略的に示す構成図である。
FIG. 6 is a conventional SHG for obtaining spot-shaped convergent light.
It is a block diagram which shows a device roughly.

【図7】光強度が一様に分布している平行光線束を光軸
上の平行光線束に変換するための従来のスリットと対物
レンズの組み合わせ構造を示す構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram showing a conventional combined structure of a slit and an objective lens for converting a parallel ray bundle in which the light intensity is uniformly distributed into a parallel ray bundle on the optical axis.

【図8】光軸上に平行光線束を得るための従来のSHG
装置を概略的に示す構成図である。
FIG. 8: Conventional SHG for obtaining a bundle of parallel rays on the optical axis
It is a block diagram which shows a device roughly.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100:半導体レーザ(LD)、 110:光
学系 112:ロリメートレンズ 114:アナモルフィックプリズムペア、 116:集
光レンズ 120:SHG素子、 122:光
導波路 122a:高屈折率部、 122b:
低屈折率部 124:材料層、 126:基
板 128:クラッド、 130:ア
キシコンレンズ 140:集光レンズ、 150:ス
ポット 160スリット板、 160a:
スリット 162:対物レンズ、 164:
(光軸上の)平行光線束 LF :基本波光、 LS2:チェ
レンコフ放射光 LS2:(光強度分布が円環状の)チェレンコフ放射光。
100: Semiconductor laser (LD), 110: Optical system 112: Rolimate lens 114: Anamorphic prism pair, 116: Condensing lens 120: SHG element, 122: Optical waveguide 122a: High refractive index part, 122b:
Low refractive index portion 124: Material layer, 126: Substrate 128: Clad, 130: Axicon lens 140: Condensing lens, 150: Spot 160 slit plate, 160a:
Slit 162: Objective lens, 164:
Parallel light bundle (on the optical axis) L F: fundamental light, L S2: Cerenkov radiation light L S2 :( light intensity distribution of annular) Cerenkov radiation light.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)両端面を低反射面として形成した
半導体レーザと、 (b)該半導体レーザからの基本波光を第2高調波光に
変換する、チェレンコフ放射形第2高調波発生(SH
G)素子と、 (c)前記半導体レーザからの出射光をSHG素子の光
導波路に集光し、かつこの光導波路からの帰還光をこの
半導体レーザへ入力させるための光学系と、 (d)前記SHG素子から出射した、第2高調波光とし
てのチェレンコフ放射光を平行光線束にするためのアキ
シコンレンズとを含む第2高調波発生装置において、 (e)前記光導波路を、周期的屈折率分布構造として形
成した非線形光導波路とし、 (f)前記SHG素子を、前記光導波路の入・出射端面
以外の外周囲を第2高調波光に対して透明な材料層で形
成してあることを特徴とする第2高調波発生装置。
1. A semiconductor laser having (a) both end surfaces formed as low reflection surfaces, and (b) Cherenkov radiation type second harmonic generation (SH) for converting fundamental wave light from the semiconductor laser into second harmonic light.
G) element, (c) an optical system for converging the light emitted from the semiconductor laser on the optical waveguide of the SHG element and inputting the return light from the optical waveguide to the semiconductor laser, (d) A second harmonic generation device including an axicon lens for collimating Cherenkov radiation as second harmonic light emitted from the SHG element, wherein: (e) the optical waveguide has a periodic refractive index. A nonlinear optical waveguide formed as a distributed structure, and (f) the SHG element is formed of a material layer transparent to the second harmonic light on the outer periphery of the optical waveguide except the input / output end faces. And a second harmonic generation device.
【請求項2】 請求項1に記載の第2高調波発生装置に
おいて、 前記周期的屈折率分布構造を、前記基本波に対して第1
および第2屈折率領域を交互に周期的に配列して形成し
てあり、 その周期をΛとするとき、該Λは下記の条件を満足する
ことを特徴とする第2高調波発生装置。 Λ=P・λ(ω)/2N(ω) 但し、 COSθ=N(ω)/n(2ω) および COS[(α/2)−θ]=nA (2ω)・COS(α/2) であって、Pは正の整数、λ(ω)は前記基本波の波
長、N(ω)は前記基本波に対する前記光導波路の実効
屈折率、n(ω)は前記材料層の、第2高調波光に対す
る屈折率、nA (2ω)は前記アキシコンレンズの、第
2高調波光に対する屈折率およびαは前記アキシコンレ
ンズの頂角である。
2. The second harmonic generation device according to claim 1, wherein the periodic refractive index distribution structure has a first refractive index distribution with respect to the fundamental wave.
And the second refractive index regions are alternately arranged periodically, and when the period is Λ, the Λ satisfies the following condition. Λ = P · λ (ω) / 2N (ω) where COSθ = N (ω) / n (2ω) and COS [(α / 2) −θ] = n A (2ω) · COS (α / 2) Where P is a positive integer, λ (ω) is the wavelength of the fundamental wave, N (ω) is the effective refractive index of the optical waveguide with respect to the fundamental wave, and n (ω) is the second layer of the material layer. Refractive index for higher harmonic light, n A (2ω) is the refractive index of the axicon lens for the second higher harmonic light, and α is the apex angle of the axicon lens.
【請求項3】 請求項1に記載の第2高調波発生装置に
おいて、 前記アキシコンレンズの後段に設けた対物レンズを含む
ことを特徴とする第2高調波発生装置。
3. The second harmonic generation device according to claim 1, further comprising an objective lens provided at a stage subsequent to the axicon lens.
【請求項4】 請求項1に記載の第2高調波発生装置に
おいて、 前記アキシコンレンズの後段に、前記平行光線束にされ
たチェレンコフ放射光を通過させるリング状のスリット
と、該スリットの後段に該スリットを含む面から焦点距
離だけ離れているレンズとを含むことを特徴とする第2
高調波発生装置。
4. The second harmonic wave generating device according to claim 1, wherein a ring-shaped slit for passing the Cherenkov radiation in the bundle of parallel rays and a post-stage of the slit are provided after the axicon lens. A lens separated from the surface including the slit by a focal length.
Harmonic generator.
【請求項5】 請求項1に記載のアキシコンレンズの代
わりにフレネルゾーンプレートを用いることを特徴とす
る第2高調波発生装置。
5. A second harmonic generation device using a Fresnel zone plate instead of the axicon lens according to claim 1.
JP5767992A 1992-03-16 1992-03-16 Second harmonic generator Expired - Fee Related JP2843196B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5767992A JP2843196B2 (en) 1992-03-16 1992-03-16 Second harmonic generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5767992A JP2843196B2 (en) 1992-03-16 1992-03-16 Second harmonic generator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05257183A true JPH05257183A (en) 1993-10-08
JP2843196B2 JP2843196B2 (en) 1999-01-06

Family

ID=13062619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5767992A Expired - Fee Related JP2843196B2 (en) 1992-03-16 1992-03-16 Second harmonic generator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2843196B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100563124B1 (en) * 1998-04-08 2006-03-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Lithographic apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100563124B1 (en) * 1998-04-08 2006-03-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2843196B2 (en) 1999-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5963359A (en) Wavelength conversion device employing non-diffracting beam
US5377291A (en) Wavelength converting optical device
US5101297A (en) Method for producing a diffraction grating in optical elements
JPH04107536A (en) Second harmonic generation device
JP2525879B2 (en) Fiber-type optical wavelength conversion element
KR0174775B1 (en) Wavelength converting waveguide laser device
US5007694A (en) Light wavelength converter
US5224195A (en) Light wavelength converter for a wavelength of laser beams into a short wavelength
US5046802A (en) Light wavelength converter
JPH03226704A (en) Laser beam oscillator
JP2843196B2 (en) Second harmonic generator
JPH09179155A (en) Optical wavelength converting device
JP2002287193A (en) Wavelength conversion element, wavelength conversion device, and laser device
JPH0820657B2 (en) Optical wavelength conversion element
JP2835087B2 (en) Wavelength conversion optical element
JPH0369926A (en) Device for forming collimated beam of light
JP2878701B2 (en) Wavelength conversion optical element
JP2605933B2 (en) Beam shaping lens and short wavelength laser light source
JP3448350B2 (en) Harmonic generator
JP2688102B2 (en) Optical wavelength converter
JP2002374030A (en) Coherent light source and method of manufacturing the same
JPH0235424A (en) Optical wavelength converting element
JPH0545656U (en) Light source
JP2897366B2 (en) Optical waveguide device
JPH05181091A (en) Collimating lens and light source device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19981013

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101023

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees