JPH05259216A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05259216A JPH05259216A JP4089408A JP8940892A JPH05259216A JP H05259216 A JPH05259216 A JP H05259216A JP 4089408 A JP4089408 A JP 4089408A JP 8940892 A JP8940892 A JP 8940892A JP H05259216 A JPH05259216 A JP H05259216A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止を行う際にＩＣチップの位置ずれを
防止することができる半導体装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 導電性接着剤２４を介してＩＣチップ１２の
裏面側を金属部材２２の凹部に嵌め込む。フィルムキャ
リアの表面に当接させる上金型３２としては、その樹脂
注入室の形状を金属部材２２の形状に合致するように形
成したものを用いる。上金型３２の樹脂注入室に金属部
材２２を嵌め込むようにして、上金型３２と下金型３４
とでＴＡＢテープを挟持する。溶融したエポキシ樹脂を
下金型３４に設けた樹脂供給口から流し込み、金属部材
２２を介してＩＣチップ１２を上金型３２に固定して樹
脂封止する。
防止することができる半導体装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 導電性接着剤２４を介してＩＣチップ１２の
裏面側を金属部材２２の凹部に嵌め込む。フィルムキャ
リアの表面に当接させる上金型３２としては、その樹脂
注入室の形状を金属部材２２の形状に合致するように形
成したものを用いる。上金型３２の樹脂注入室に金属部
材２２を嵌め込むようにして、上金型３２と下金型３４
とでＴＡＢテープを挟持する。溶融したエポキシ樹脂を
下金型３４に設けた樹脂供給口から流し込み、金属部材
２２を介してＩＣチップ１２を上金型３２に固定して樹
脂封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子たとえばＩ
ＣチップをＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式で実
装し、樹脂封止した半導体装置の製造方法に関するもの
である。
ＣチップをＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式で実
装し、樹脂封止した半導体装置の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ウエハから切り出された半導体素子、た
とえばＩＣチップの実装技術のひとつとしてＴＡＢ方式
が知られている。この方式は、ポリイミド等で作られた
可撓性のテープ状フィルムに複数のリードを形成し、そ
のリードとＩＣチップに形成された複数の電極とを一括
して接合するボンディング方式である。ＴＡＢ方式は、
テープの段階で電気的特性の検査が可能であり、またテ
ープの可撓性を利用し、折り曲げて立体的な実装ができ
る等の特徴がある。
とえばＩＣチップの実装技術のひとつとしてＴＡＢ方式
が知られている。この方式は、ポリイミド等で作られた
可撓性のテープ状フィルムに複数のリードを形成し、そ
のリードとＩＣチップに形成された複数の電極とを一括
して接合するボンディング方式である。ＴＡＢ方式は、
テープの段階で電気的特性の検査が可能であり、またテ
ープの可撓性を利用し、折り曲げて立体的な実装ができ
る等の特徴がある。
【０００３】図１０は従来のＴＡＢパッケージの概略断
面図である。図１０に示すＴＡＢパッケージは、ＩＣチ
ップ１１２と、フィルム１１４と、フィルム１１４に形
成されたリード１１６と、バンプ１１８と、平坦な金属
プレート１２２と、導電性接着剤１２４と、保護樹脂
（エポキシ樹脂）１２６と、放熱用フィン１２８とを備
えるものである。
面図である。図１０に示すＴＡＢパッケージは、ＩＣチ
ップ１１２と、フィルム１１４と、フィルム１１４に形
成されたリード１１６と、バンプ１１８と、平坦な金属
プレート１２２と、導電性接着剤１２４と、保護樹脂
（エポキシ樹脂）１２６と、放熱用フィン１２８とを備
えるものである。
【０００４】このＴＡＢパッケージを形成するには、ま
ず、インナーリードボンディング工程において、リード
１１６の先端部にバンプ１１８を介してＩＣチップ１１
２の電極を接合した後、ＩＣチップ１１２の裏面に導電
性接着剤１２４を塗布し、金属プレート１２２を接着す
る。一般に金属プレート１２２はグランドを取るために
使用されるが、ここでは、金属プレート１２２を放熱用
に用いる。そして、このフィルム１１４を上金型と下金
型で挟み、エポキシ樹脂１２６を注入してＩＣチップ１
１２を樹脂封止する。ただし、金属プレート１２２の上
面は露出させるようにする。最後に、金属プレート１２
２の露出面上に導電性接着剤１２４を介してフィン１２
８を取り付けることにより、ＴＡＢパッケージが形成さ
れる。
ず、インナーリードボンディング工程において、リード
１１６の先端部にバンプ１１８を介してＩＣチップ１１
２の電極を接合した後、ＩＣチップ１１２の裏面に導電
性接着剤１２４を塗布し、金属プレート１２２を接着す
る。一般に金属プレート１２２はグランドを取るために
使用されるが、ここでは、金属プレート１２２を放熱用
に用いる。そして、このフィルム１１４を上金型と下金
型で挟み、エポキシ樹脂１２６を注入してＩＣチップ１
１２を樹脂封止する。ただし、金属プレート１２２の上
面は露出させるようにする。最後に、金属プレート１２
２の露出面上に導電性接着剤１２４を介してフィン１２
８を取り付けることにより、ＴＡＢパッケージが形成さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、小型化・軽
量化を目的としたＴＡＢパッケージでは、ＩＣチップの
厚さが０．８ｍｍ程度のものが使用される。かかるＩＣ
チップを樹脂封止する際には、フィルムを上金型と下金
型とで挟んでも、リード及びフィルムが軟らかいことに
加えて、ＩＣチップが薄型であるため、たとえば注入さ
れた樹脂の流れや樹脂圧によりＩＣチップが所定の位置
からずれたり傾いたりすることがある。このため、樹脂
封止の際に、たとえばＩＣチップの電極とリードとの接
合が剥がされたり、リード間が短絡されたりして、不良
品が発生することがあった。
量化を目的としたＴＡＢパッケージでは、ＩＣチップの
厚さが０．８ｍｍ程度のものが使用される。かかるＩＣ
チップを樹脂封止する際には、フィルムを上金型と下金
型とで挟んでも、リード及びフィルムが軟らかいことに
加えて、ＩＣチップが薄型であるため、たとえば注入さ
れた樹脂の流れや樹脂圧によりＩＣチップが所定の位置
からずれたり傾いたりすることがある。このため、樹脂
封止の際に、たとえばＩＣチップの電極とリードとの接
合が剥がされたり、リード間が短絡されたりして、不良
品が発生することがあった。
【０００６】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、樹脂封止を行う際にＩＣチップの位置ずれを防
止することができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
であり、樹脂封止を行う際にＩＣチップの位置ずれを防
止することができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、フィルムキャリア上に半導体素子を搭載
し、該半導体素子を樹脂封止する半導体装置の製造方法
において、金属部材に形成した凹部に前記半導体素子の
裏面側を嵌合した後、前記金属部材の形状に合致した樹
脂注入室の形状を有し且つ前記半導体素子が搭載された
側から前記フィルムキャリアに当接させる上金型と、前
記半導体素子が搭載された側と反対側から前記フィルム
キャリアに当接させる下金型とを用いて前記半導体素子
を樹脂封止することを特徴とするものである。
めの本発明は、フィルムキャリア上に半導体素子を搭載
し、該半導体素子を樹脂封止する半導体装置の製造方法
において、金属部材に形成した凹部に前記半導体素子の
裏面側を嵌合した後、前記金属部材の形状に合致した樹
脂注入室の形状を有し且つ前記半導体素子が搭載された
側から前記フィルムキャリアに当接させる上金型と、前
記半導体素子が搭載された側と反対側から前記フィルム
キャリアに当接させる下金型とを用いて前記半導体素子
を樹脂封止することを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明は前記の構成によって、半導体素子の裏
面側を金属部材に形成した凹部に嵌合した後、金属部材
の形状に合致した樹脂注入室の形状を有する上金型を、
半導体素子が搭載された側からフィルムキャリアに当接
させて、半導体素子を樹脂封止することにより、金属部
材で半導体素子を上金型に固定しておくことができる。
このため、注入する樹脂の流れや樹脂圧等により半導体
素子が所定の位置からずれたり傾いたりするのを防止す
ることができる。
面側を金属部材に形成した凹部に嵌合した後、金属部材
の形状に合致した樹脂注入室の形状を有する上金型を、
半導体素子が搭載された側からフィルムキャリアに当接
させて、半導体素子を樹脂封止することにより、金属部
材で半導体素子を上金型に固定しておくことができる。
このため、注入する樹脂の流れや樹脂圧等により半導体
素子が所定の位置からずれたり傾いたりするのを防止す
ることができる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の第一実施例について図面を参
照して説明する。図１は本発明の第一実施例である半導
体装置の製造方法を説明するための図、図２はその製造
方法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図で
ある。
照して説明する。図１は本発明の第一実施例である半導
体装置の製造方法を説明するための図、図２はその製造
方法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図で
ある。
【００１０】図２に示すＴＡＢパッケージは、ＴＡＢテ
ープと、金属部材２２と、導電性接着剤２４と、保護樹
脂（エポキシ樹脂）２６と、ポリイミド系の接着剤２８
とを備えるものである。また、本実施例においてＴＡＢ
テープは、ＩＣチップ１２と、テープ状のフィルム１４
上にリード１６が形成されたフィルムキャリアと、バン
プ１８とを有するものである。尚、フィルムキャリアの
表面とはリード１６が形成された面をいう。
ープと、金属部材２２と、導電性接着剤２４と、保護樹
脂（エポキシ樹脂）２６と、ポリイミド系の接着剤２８
とを備えるものである。また、本実施例においてＴＡＢ
テープは、ＩＣチップ１２と、テープ状のフィルム１４
上にリード１６が形成されたフィルムキャリアと、バン
プ１８とを有するものである。尚、フィルムキャリアの
表面とはリード１６が形成された面をいう。
【００１１】ＩＣチップ１２とリード１６との接続に
は、いわゆる転写バンプ方式を用いており、ＩＣチップ
１２の表面に形成した電極とリード１６の先端部とをバ
ンプ１８を介して接合する。尚、ＩＣチップ１２はフィ
ルムキャリアの表面に搭載される。
は、いわゆる転写バンプ方式を用いており、ＩＣチップ
１２の表面に形成した電極とリード１６の先端部とをバ
ンプ１８を介して接合する。尚、ＩＣチップ１２はフィ
ルムキャリアの表面に搭載される。
【００１２】金属部材２２は、金属製のプレートに凹部
を形成したものである。凹部の形状はＩＣチップ１２の
裏面側を嵌合できるように形成している。ＩＣチップ１
２と金属部材２２とは、ポリイミド系の接着剤２８を介
して固定される。金属部材２２の材質としては、アルミ
ニウムなどの熱伝導性の高い金属を用いる。ここでは、
金属部材２２を放熱用に使用する。
を形成したものである。凹部の形状はＩＣチップ１２の
裏面側を嵌合できるように形成している。ＩＣチップ１
２と金属部材２２とは、ポリイミド系の接着剤２８を介
して固定される。金属部材２２の材質としては、アルミ
ニウムなどの熱伝導性の高い金属を用いる。ここでは、
金属部材２２を放熱用に使用する。
【００１３】また、ＴＡＢパッケージを製造する際に使
用する成形金型としては、フィルムキャリアの表面に当
接させる上金型の樹脂注入室の形状を金属部材の形状に
合致するように形成したものを使用する。保護樹脂２６
は、金属部材２２の全体を覆うように形成されるのでは
なく、金属部材２２の下面側、すなわち凹部を形成した
側だけに形成され、金属部材２２の上面及び側面は露出
している。
用する成形金型としては、フィルムキャリアの表面に当
接させる上金型の樹脂注入室の形状を金属部材の形状に
合致するように形成したものを使用する。保護樹脂２６
は、金属部材２２の全体を覆うように形成されるのでは
なく、金属部材２２の下面側、すなわち凹部を形成した
側だけに形成され、金属部材２２の上面及び側面は露出
している。
【００１４】次に、第一実施例のＴＡＢパッケージの製
造方法を説明する。まず、フィルムキャリアから、いわ
ゆる転写バンプ方式を用いて、リード１６の先端部とＩ
Ｃチップ１２の表面に形成した電極とをバンプ１８を介
して接合することにより、ＴＡＢテープを形成する。金
属部材２２の凹部に導電性接着剤２４を塗布し、ＩＣチ
ップ１２を金属部材２２の凹部に嵌め込んで接着する。
ここで、金属部材２２に形成された凹部の周囲の面に
は、ポリイミド系の接着剤２８を塗布しておく。
造方法を説明する。まず、フィルムキャリアから、いわ
ゆる転写バンプ方式を用いて、リード１６の先端部とＩ
Ｃチップ１２の表面に形成した電極とをバンプ１８を介
して接合することにより、ＴＡＢテープを形成する。金
属部材２２の凹部に導電性接着剤２４を塗布し、ＩＣチ
ップ１２を金属部材２２の凹部に嵌め込んで接着する。
ここで、金属部材２２に形成された凹部の周囲の面に
は、ポリイミド系の接着剤２８を塗布しておく。
【００１５】そして、図１に示すように、上金型３２の
樹脂注入室に金属部材２２を嵌め込むようにして、上金
型３２と下金型３４とでＴＡＢテープを挟持する。溶融
した熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）２６を下金型３４に
設けた樹脂供給口（不図示）から流し込み、樹脂注入室
に圧入する。樹脂の硬化を進行させるために数分間加圧
したまま保持した後、樹脂成形したＴＡＢテープを金型
から取り出す。尚、ポリイミド系の接着剤２８を金属部
材２２に塗布したのは、金属部材２２とエポキシ樹脂２
６との接着性をよくするためである。
樹脂注入室に金属部材２２を嵌め込むようにして、上金
型３２と下金型３４とでＴＡＢテープを挟持する。溶融
した熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）２６を下金型３４に
設けた樹脂供給口（不図示）から流し込み、樹脂注入室
に圧入する。樹脂の硬化を進行させるために数分間加圧
したまま保持した後、樹脂成形したＴＡＢテープを金型
から取り出す。尚、ポリイミド系の接着剤２８を金属部
材２２に塗布したのは、金属部材２２とエポキシ樹脂２
６との接着性をよくするためである。
【００１６】その後、パンチング工程において各コマ毎
にフィルム１４及びリード１６を切断することにより、
樹脂封止を行ったＩＣチップ１２を個々に打ち抜く。最
後に、リード１６のフォーミングを行い、図２に示すＴ
ＡＢパッケージの完成品を得る。
にフィルム１４及びリード１６を切断することにより、
樹脂封止を行ったＩＣチップ１２を個々に打ち抜く。最
後に、リード１６のフォーミングを行い、図２に示すＴ
ＡＢパッケージの完成品を得る。
【００１７】第一実施例のＴＡＢパッケージの製造方法
では、ＩＣチップを金属部材の凹部に嵌め込んで固定
し、しかも上金型として樹脂注入室の形状が金属部材の
形状に合うように形成されたものを使用することによ
り、ＩＣチップが金属部材を介して上金型で固定される
ので、注入する樹脂の流れや樹脂圧によりＩＣチップが
所定の位置からずれたり傾いたりすることを防止するこ
とができる。このため、薄型のＩＣチップを使用した場
合でも、樹脂封止の際にＩＣチップの電極とリードとの
接合が剥がれることはなく、不良品の発生率を減少させ
ることができ、製品の歩留りの向上を図ることができ
る。
では、ＩＣチップを金属部材の凹部に嵌め込んで固定
し、しかも上金型として樹脂注入室の形状が金属部材の
形状に合うように形成されたものを使用することによ
り、ＩＣチップが金属部材を介して上金型で固定される
ので、注入する樹脂の流れや樹脂圧によりＩＣチップが
所定の位置からずれたり傾いたりすることを防止するこ
とができる。このため、薄型のＩＣチップを使用した場
合でも、樹脂封止の際にＩＣチップの電極とリードとの
接合が剥がれることはなく、不良品の発生率を減少させ
ることができ、製品の歩留りの向上を図ることができ
る。
【００１８】また、第一実施例の製造方法では、ＩＣチ
ップを樹脂封止する際に金属部材の下面側にだけ保護樹
脂を形成したことにより、金属部材の上面及び側面は露
出されている。このため、パッケージの表面は、約上半
分に金属部材が露出しているので、従来のＴＡＢパッケ
ージよりも広い範囲から、ＩＣチップが発する熱を効率
よく外部に放出することができる。
ップを樹脂封止する際に金属部材の下面側にだけ保護樹
脂を形成したことにより、金属部材の上面及び側面は露
出されている。このため、パッケージの表面は、約上半
分に金属部材が露出しているので、従来のＴＡＢパッケ
ージよりも広い範囲から、ＩＣチップが発する熱を効率
よく外部に放出することができる。
【００１９】次に、本発明の第二実施例について図３を
参照して説明する。図３は本発明の第二実施例である半
導体装置の製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージ
の概略断面図である。第二実施例において上記第一実施
例と同一の機能を有するものには同一の符号を付すこと
により、その詳細な説明を省略する。
参照して説明する。図３は本発明の第二実施例である半
導体装置の製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージ
の概略断面図である。第二実施例において上記第一実施
例と同一の機能を有するものには同一の符号を付すこと
により、その詳細な説明を省略する。
【００２０】第二実施例が第一実施例と異なる点は、金
属部材２２ａの上面にフィン２３ａを形成したことであ
る。かかる金属部材２２ａを有するＴＡＢパッケージ
は、たとえばフィン２３ａと嵌合する溝を形成した上金
型を用いることにより、上記第一実施例と同様の方法で
容易に形成できる。その他の構成は第一実施例と同様で
ある。
属部材２２ａの上面にフィン２３ａを形成したことであ
る。かかる金属部材２２ａを有するＴＡＢパッケージ
は、たとえばフィン２３ａと嵌合する溝を形成した上金
型を用いることにより、上記第一実施例と同様の方法で
容易に形成できる。その他の構成は第一実施例と同様で
ある。
【００２１】第二実施例の半導体装置の製造方法も、上
記第一実施例と同様の作用・効果を奏するが、かかる方
法で製造されたＴＡＢパッケージでは、フィンを設けた
分だけ熱を外部に放出することができ、放熱性を向上さ
せることができる。
記第一実施例と同様の作用・効果を奏するが、かかる方
法で製造されたＴＡＢパッケージでは、フィンを設けた
分だけ熱を外部に放出することができ、放熱性を向上さ
せることができる。
【００２２】次に、本発明の第三実施例について図４を
参照して説明する。図４は本発明の第三実施例である半
導体装置の製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージ
の概略断面図である。第三実施例において第一及び第二
実施例と同一の機能を有するものには同一の符号を付す
ことにより、その詳細な説明を省略する。
参照して説明する。図４は本発明の第三実施例である半
導体装置の製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージ
の概略断面図である。第三実施例において第一及び第二
実施例と同一の機能を有するものには同一の符号を付す
ことにより、その詳細な説明を省略する。
【００２３】第三実施例が第二実施例と異なる点は、金
属部材２２ｂの上面だけでなく、側面にもフィン２３ｂ
を形成したことである。かかる金属部材２２ｂを有する
ＴＡＢパッケージは、上記第二実施例と同様の方法によ
り形成できる。その他の構成は第一及び第二実施例と同
様である。
属部材２２ｂの上面だけでなく、側面にもフィン２３ｂ
を形成したことである。かかる金属部材２２ｂを有する
ＴＡＢパッケージは、上記第二実施例と同様の方法によ
り形成できる。その他の構成は第一及び第二実施例と同
様である。
【００２４】第三実施例の半導体装置の製造方法も、第
一及び第二実施例と同様の作用・効果を奏するが、フィ
ンを金属部材の側面にも設けたため、第二実施例で形成
したＴＡＢパッケージよりも、一層、放熱性を向上させ
ることができる。
一及び第二実施例と同様の作用・効果を奏するが、フィ
ンを金属部材の側面にも設けたため、第二実施例で形成
したＴＡＢパッケージよりも、一層、放熱性を向上させ
ることができる。
【００２５】次に、本発明の第四実施例について図５及
び図６を参照して説明する。図５は本発明の第四実施例
である半導体装置の製造方法を説明するための図、図６
はその製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概
略断面図である。第四実施例において第一実施例と同一
の機能を有するものには同一の符号を付すことにより、
その詳細な説明を省略する。
び図６を参照して説明する。図５は本発明の第四実施例
である半導体装置の製造方法を説明するための図、図６
はその製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概
略断面図である。第四実施例において第一実施例と同一
の機能を有するものには同一の符号を付すことにより、
その詳細な説明を省略する。
【００２６】第四実施例が第一実施例と異なる点は、同
一パッケージ内に二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂを設
けた点である。第四実施例のＴＡＢパッケージを製造す
るには、まず、フィルム１４ｃ上に形成したリード１６
ｃと二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂの表面に形成した
電極とをバンプ１８を介して接合する。また、配線設計
上、二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂの電極間をボンデ
ィングワイヤ１７で接続している。金属部材２２ｃの二
つの凹部に導電性接着剤２４を塗布し、ＩＣチップ１２
ａ，１２ｂを金属部材２２ｃの各凹部に嵌め込んで接着
する。ここで、ボンディングワイヤ１７の流れや曲がり
を防止するため、図５に示すように、ボンディングワイ
ヤ１７をポッティングで樹脂封止する。そして、第一実
施例と同様に金属部材２２ｃを介してＩＣチップ１２
ａ，１２ｂを上金型に固定して樹脂封止を行うことによ
り、図６に示すＴＡＢパッケージが得られる。尚、２７
はポッティング樹脂である。
一パッケージ内に二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂを設
けた点である。第四実施例のＴＡＢパッケージを製造す
るには、まず、フィルム１４ｃ上に形成したリード１６
ｃと二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂの表面に形成した
電極とをバンプ１８を介して接合する。また、配線設計
上、二つのＩＣチップ１２ａ，１２ｂの電極間をボンデ
ィングワイヤ１７で接続している。金属部材２２ｃの二
つの凹部に導電性接着剤２４を塗布し、ＩＣチップ１２
ａ，１２ｂを金属部材２２ｃの各凹部に嵌め込んで接着
する。ここで、ボンディングワイヤ１７の流れや曲がり
を防止するため、図５に示すように、ボンディングワイ
ヤ１７をポッティングで樹脂封止する。そして、第一実
施例と同様に金属部材２２ｃを介してＩＣチップ１２
ａ，１２ｂを上金型に固定して樹脂封止を行うことによ
り、図６に示すＴＡＢパッケージが得られる。尚、２７
はポッティング樹脂である。
【００２７】第四実施例の半導体装置の製造方法も、上
記第一実施例と同様の作用・効果を奏する。また、二つ
のＩＣチップを同一パッケージ内に形成することによ
り、半導体装置の省スペース化を図ることができる。
記第一実施例と同様の作用・効果を奏する。また、二つ
のＩＣチップを同一パッケージ内に形成することによ
り、半導体装置の省スペース化を図ることができる。
【００２８】次に、本発明の第五実施例について図７を
参照して説明する。図７は本発明の第五実施例である半
導体装置の製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージ
の概略断面図である。第五実施例において第四実施例と
同一の機能を有するものには同一の符号を付すことによ
り、その詳細な説明を省略する。
参照して説明する。図７は本発明の第五実施例である半
導体装置の製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージ
の概略断面図である。第五実施例において第四実施例と
同一の機能を有するものには同一の符号を付すことによ
り、その詳細な説明を省略する。
【００２９】第五実施例が第四実施例と異なる点は、金
属部材２２ｄの上面にフィン２３ｄを形成したことであ
る。かかる金属部材２２ｄを有するＴＡＢパッケージ
は、上記第二実施例と同様の方法で容易に形成できる。
その他の構成は第四実施例と同様である。第五実施例の
半導体装置の製造方法も、第四実施例と同様の作用・効
果を奏するが、フィンを設けた分だけ熱を外部に放出す
ることができ、放熱性を向上させることができる。
属部材２２ｄの上面にフィン２３ｄを形成したことであ
る。かかる金属部材２２ｄを有するＴＡＢパッケージ
は、上記第二実施例と同様の方法で容易に形成できる。
その他の構成は第四実施例と同様である。第五実施例の
半導体装置の製造方法も、第四実施例と同様の作用・効
果を奏するが、フィンを設けた分だけ熱を外部に放出す
ることができ、放熱性を向上させることができる。
【００３０】次に、本発明の第六実施例について図８を
参照して説明する。図８は本発明の第六実施例である半
導体装置の製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージ
の概略断面図である。第六実施例において第四及び第五
実施例と同一の機能を有するものには同一の符号を付す
ことにより、その詳細な説明を省略する。
参照して説明する。図８は本発明の第六実施例である半
導体装置の製造方法を用いて形成したＴＡＢパッケージ
の概略断面図である。第六実施例において第四及び第五
実施例と同一の機能を有するものには同一の符号を付す
ことにより、その詳細な説明を省略する。
【００３１】第六実施例が第五実施例と異なる点は、金
属部材２２ｅの上面だけでなく、側面にもフィン２３ｅ
を形成したことである。かかる金属部材２２ｅを有する
ＴＡＢパッケージは、第五実施例と同様の方法により形
成できる。その他の構成は第四及び第五実施例と同様で
ある。第六実施例の半導体装置の製造方法も、第四及び
第五実施例と同様の作用・効果を奏するが、フィンを金
属部材の側面にも設けたため、第五実施例で形成したＴ
ＡＢパッケージよりも、一層、放熱性を向上させること
ができる。
属部材２２ｅの上面だけでなく、側面にもフィン２３ｅ
を形成したことである。かかる金属部材２２ｅを有する
ＴＡＢパッケージは、第五実施例と同様の方法により形
成できる。その他の構成は第四及び第五実施例と同様で
ある。第六実施例の半導体装置の製造方法も、第四及び
第五実施例と同様の作用・効果を奏するが、フィンを金
属部材の側面にも設けたため、第五実施例で形成したＴ
ＡＢパッケージよりも、一層、放熱性を向上させること
ができる。
【００３２】本発明は、上記の各実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が可
能である。たとえば、上記の各実施例では、転写バンプ
方式でリードとＩＣチップの電極とを接合したＴＡＢテ
ープを用いてＴＡＢパッケージを形成した場合について
説明したが、ＩＣバンプ方式で形成したＴＡＢテープを
用いてＴＡＢパッケージを形成することも可能である。
ＩＣバンプ方式では、フィルムキャリアの表裏面のどち
らにもＩＣチップを搭載することができる。このため、
フィルムキャリアの裏面にＩＣチップを搭載したＴＡＢ
テープを用いて、ＴＡＢパッケージを形成することによ
り、図９に示すように、半導体装置の薄型化を図ること
ができる。尚、図９において、図１に示すものと同一の
機能を有するものには、同一の符号を付することによ
り、その詳細な説明を省略する。
のではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が可
能である。たとえば、上記の各実施例では、転写バンプ
方式でリードとＩＣチップの電極とを接合したＴＡＢテ
ープを用いてＴＡＢパッケージを形成した場合について
説明したが、ＩＣバンプ方式で形成したＴＡＢテープを
用いてＴＡＢパッケージを形成することも可能である。
ＩＣバンプ方式では、フィルムキャリアの表裏面のどち
らにもＩＣチップを搭載することができる。このため、
フィルムキャリアの裏面にＩＣチップを搭載したＴＡＢ
テープを用いて、ＴＡＢパッケージを形成することによ
り、図９に示すように、半導体装置の薄型化を図ること
ができる。尚、図９において、図１に示すものと同一の
機能を有するものには、同一の符号を付することによ
り、その詳細な説明を省略する。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体素子の裏面側を金属部材に形成した凹部に嵌合した
後、金属部材の形状に合致した樹脂注入室の形状を有す
る上金型を、半導体素子が搭載された側からフィルムキ
ャリアに当接させて、半導体素子を樹脂封止することに
より、金属部材で半導体素子を上金型に固定し、注入す
る樹脂の流れや樹脂圧等により半導体素子が所定の位置
からずれたり傾いたりすることを防止することができる
ので、不良品の発生率を減少させることができ、製品の
歩留りの向上を図ることができる半導体装置の製造方法
を提供することができる。
導体素子の裏面側を金属部材に形成した凹部に嵌合した
後、金属部材の形状に合致した樹脂注入室の形状を有す
る上金型を、半導体素子が搭載された側からフィルムキ
ャリアに当接させて、半導体素子を樹脂封止することに
より、金属部材で半導体素子を上金型に固定し、注入す
る樹脂の流れや樹脂圧等により半導体素子が所定の位置
からずれたり傾いたりすることを防止することができる
ので、不良品の発生率を減少させることができ、製品の
歩留りの向上を図ることができる半導体装置の製造方法
を提供することができる。
【図１】本発明の第一実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図２】第一実施例の製造方法を用いて形成したＴＡＢ
パッケージの概略断面図である。
パッケージの概略断面図である。
【図３】本発明の第二実施例である半導体装置の製造方
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
【図４】本発明の第三実施例である半導体装置の製造方
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
【図５】本発明の第四実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図６】第四実施例の製造方法を用いて形成したＴＡＢ
パッケージの概略断面図である。
パッケージの概略断面図である。
【図７】本発明の第五実施例である半導体装置の製造方
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
【図８】本発明の第六実施例である半導体装置の製造方
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
【図９】本発明の他の実施例である半導体装置の製造方
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
法を用いて形成したＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
【図１０】従来のＴＡＢパッケージの概略断面図であ
る。
る。
１２，１２ａ，１２ｂ ＩＣチップ １４，１４ｃ フィルム １６，１６ｃ リード １７ ボンディングワイヤ １８ バンプ ２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ 金
属部材 ２３ａ，２３ｂ，２３ｄ，２３ｅ フィン ２４ 導電性接着剤 ２６ エポキシ樹脂 ２７ ポッティング樹脂 ２８ ポリイミド系の接着剤 ３２ 上金型 ３４ 下金型
属部材 ２３ａ，２３ｂ，２３ｄ，２３ｅ フィン ２４ 導電性接着剤 ２６ エポキシ樹脂 ２７ ポッティング樹脂 ２８ ポリイミド系の接着剤 ３２ 上金型 ３４ 下金型
Claims (1)
- 【請求項１】 フィルムキャリア上に半導体素子を搭載
し、該半導体素子を樹脂封止する半導体装置の製造方法
において、金属部材に形成した凹部に前記半導体素子の
裏面側を嵌合した後、前記金属部材の形状に合致した樹
脂注入室の形状を有し且つ前記半導体素子が搭載された
側から前記フィルムキャリアに当接させる上金型と、前
記半導体素子が搭載された側と反対側から前記フィルム
キャリアに当接させる下金型とを用いて前記半導体素子
を樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089408A JPH05259216A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089408A JPH05259216A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259216A true JPH05259216A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13969822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4089408A Withdrawn JPH05259216A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766986A (en) * | 1995-05-26 | 1998-06-16 | Hestia Technologies, Inc. | Method of transfer molding electronic packages and packages produced thereby |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP4089408A patent/JPH05259216A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766986A (en) * | 1995-05-26 | 1998-06-16 | Hestia Technologies, Inc. | Method of transfer molding electronic packages and packages produced thereby |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |