JPH05259793A - 高周波デバイス用パッケ−ジの構造 - Google Patents
高周波デバイス用パッケ−ジの構造Info
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- JPH05259793A JPH05259793A JP4085944A JP8594492A JPH05259793A JP H05259793 A JPH05259793 A JP H05259793A JP 4085944 A JP4085944 A JP 4085944A JP 8594492 A JP8594492 A JP 8594492A JP H05259793 A JPH05259793 A JP H05259793A
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 皿型パッケ−ジの壁を気密貫通してパッケ−
ジ内外を接続するア−スリ−ド部材のパスが複雑である
ことに起因し、当該パッケ−ジに収納する高周波デバイ
スの諸特性が損なわれることを防止することを目的とす
る。 【構成】 上述の目的を達成する為、上記ア−スリ−ド
部材が大なる容量を構成することなきようそのパスを極
力短く且つ単純化する為、パッケ−ジ内底面のシ−ルド
用導体膜とパッケ−ジ内に張出す半島表面のア−ス用ワ
イヤ接続パッドとを前記半島内側壁に設けた導体膜或は
当該半島を貫通するビアホ−ルにて電気的に接続したも
のである。
ジ内外を接続するア−スリ−ド部材のパスが複雑である
ことに起因し、当該パッケ−ジに収納する高周波デバイ
スの諸特性が損なわれることを防止することを目的とす
る。 【構成】 上述の目的を達成する為、上記ア−スリ−ド
部材が大なる容量を構成することなきようそのパスを極
力短く且つ単純化する為、パッケ−ジ内底面のシ−ルド
用導体膜とパッケ−ジ内に張出す半島表面のア−ス用ワ
イヤ接続パッドとを前記半島内側壁に設けた導体膜或は
当該半島を貫通するビアホ−ルにて電気的に接続したも
のである。
Description
【産業上の利用分野】本発明はフラット型パッケ−ジ、
殊にＳＡＷフィルタの如き高周波デバイスを収納する為
のパッケ−ジの構造に関する。
殊にＳＡＷフィルタの如き高周波デバイスを収納する為
のパッケ−ジの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波デバイス、殊にＳＡＷフィルタの
如く接地が充分になされないと所望の特性が得られない
高周波デバイスは従来図２（ａ）に示す如きパッケ−ジ
に封止するのが一般的であった。 即ち、各種電子デバ
イスに対する超小型化且つ薄型化への要求に応える為、
ガラス或はセラミクスを皿型に成型したフラットパッケ
−ジ１の内部底面に導体膜２を形成しこれをパッケ−ジ
１内壁から突出する半島部３表面に形成した導体膜４と
パッケ−ジ外側壁に形成した外部リ−ド５を介して電気
的に接続し、当該パッケ−ジ１の内部底面に固定したＳ
ＡＷフィルタの如き高周波デバイス６のア−ス端子と前
記半島３表面の導体薄膜４とをボンデイ ングヤイヤ７に
て接続しデバイス６の接地を行うようにしていた。尚、
前記パッケ−ジ１内壁から張出す他の半島８表面の導体
パッド９から延び当該パッケ−ジ１側壁を気密貫通して
その外側壁に露出するリ−ド１０はホット端子の一であ
り、斯るパッケ−ジではその外周縁表面に形成した導体
膜１１と金属蓋１２とを半田或は溶接等によって接着す
ることにより封止するものであることはいうまでもある
まい。
如く接地が充分になされないと所望の特性が得られない
高周波デバイスは従来図２（ａ）に示す如きパッケ−ジ
に封止するのが一般的であった。 即ち、各種電子デバ
イスに対する超小型化且つ薄型化への要求に応える為、
ガラス或はセラミクスを皿型に成型したフラットパッケ
−ジ１の内部底面に導体膜２を形成しこれをパッケ−ジ
１内壁から突出する半島部３表面に形成した導体膜４と
パッケ−ジ外側壁に形成した外部リ−ド５を介して電気
的に接続し、当該パッケ−ジ１の内部底面に固定したＳ
ＡＷフィルタの如き高周波デバイス６のア−ス端子と前
記半島３表面の導体薄膜４とをボンデイ ングヤイヤ７に
て接続しデバイス６の接地を行うようにしていた。尚、
前記パッケ−ジ１内壁から張出す他の半島８表面の導体
パッド９から延び当該パッケ−ジ１側壁を気密貫通して
その外側壁に露出するリ−ド１０はホット端子の一であ
り、斯るパッケ−ジではその外周縁表面に形成した導体
膜１１と金属蓋１２とを半田或は溶接等によって接着す
ることにより封止するものであることはいうまでもある
まい。
【０００３】しかしながら上述した如きリ−ド構造のパ
ッケ−ジに於ては、その内に収納するデバイスはそれ自
体としての入出力インピ−ダンスがスペックを満足して
いたとしても同図（ａ）に示す如くパッケ−ジ１の接地
リ−ド端子を構成する導体膜２、４等が何等かの分布定
数回路を構成することもあってデバイスの周波数が高く
なればなるほど原因不明且つ解析困難な特性劣化、即
ち、収納するデバイスがＳＡＷフィルタであれば所望の
減衰特性が得られない等の問題が多発するという欠陥が
あった。斯る問題を幾分なりとも緩和せんとして、例え
ば図２（ｂ）に示す如くデバイス６のア−ス端子を更に
パッケ−ジ１底面の導体膜２と他のボンデイ ングワイヤ
１３にて直接々続して接地を完全ならしめるといった手
法が応急的に採用されるが、斯る手法は製造工数を増大
させるのみならずパッケ−ジサイズの拡大につながり時
代の要請に逆行するものであった。
ッケ−ジに於ては、その内に収納するデバイスはそれ自
体としての入出力インピ−ダンスがスペックを満足して
いたとしても同図（ａ）に示す如くパッケ−ジ１の接地
リ−ド端子を構成する導体膜２、４等が何等かの分布定
数回路を構成することもあってデバイスの周波数が高く
なればなるほど原因不明且つ解析困難な特性劣化、即
ち、収納するデバイスがＳＡＷフィルタであれば所望の
減衰特性が得られない等の問題が多発するという欠陥が
あった。斯る問題を幾分なりとも緩和せんとして、例え
ば図２（ｂ）に示す如くデバイス６のア−ス端子を更に
パッケ−ジ１底面の導体膜２と他のボンデイ ングワイヤ
１３にて直接々続して接地を完全ならしめるといった手
法が応急的に採用されるが、斯る手法は製造工数を増大
させるのみならずパッケ−ジサイズの拡大につながり時
代の要請に逆行するものであった。
【０００４】
【発明の目的】本発明は上述した如き従来の高周波デバ
イスを収納するパッケ−ジの構造上の欠陥に鑑みてなさ
れたものであってパッケ−ジの接地リ−ドパタ−ンを適
切に配置することによってパッケ−ジサイズの拡大、コ
ストの増大を招来することなく所望の特性を得ることが
できる構造の高周波デバイス用パッケ−ジを提供せんと
するものである。
イスを収納するパッケ−ジの構造上の欠陥に鑑みてなさ
れたものであってパッケ−ジの接地リ−ドパタ−ンを適
切に配置することによってパッケ−ジサイズの拡大、コ
ストの増大を招来することなく所望の特性を得ることが
できる構造の高周波デバイス用パッケ−ジを提供せんと
するものである。
【０００５】
【発明の概要】上述の目的を達成する為、本発明に係る
パッケ−ジはパッケ−ジ内部底面に設けたシ−ルド用導
体膜とパッケ−ジ外側壁に形成する接地用リ−ド端子と
をパッケ−ジ壁面を気密貫通して接続すると共に、該パ
ッケ−ジ内壁から突出する半島表面に形成したデバイス
の接地用パッドと前記シ−ルド用導体膜とを前記半島の
壁面に設けた導体膜或は前記半島を貫通するビアホ−ル
を介して電気的に接続するものである。
パッケ−ジはパッケ−ジ内部底面に設けたシ−ルド用導
体膜とパッケ−ジ外側壁に形成する接地用リ−ド端子と
をパッケ−ジ壁面を気密貫通して接続すると共に、該パ
ッケ−ジ内壁から突出する半島表面に形成したデバイス
の接地用パッドと前記シ−ルド用導体膜とを前記半島の
壁面に設けた導体膜或は前記半島を貫通するビアホ−ル
を介して電気的に接続するものである。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を図面に示した実施例によって
詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に係るパッケ−ジ
の一実施例を示す断面図であって、皿型パッケ−ジ１４
の内部底面にシ−ルド用導体膜２を設け、これを該導体
膜２から該パッケ−ジ側壁を気密貫通してパッケ−ジ外
側壁に露出する接地用リ−ド部１５と接続すると共に該
パッケ−ジの内側壁から張出す半島３表面にワイヤボン
デイ ング用パッド１６を設け、該パッド１６を前記半島
３のパッケ−ジ内側壁面に形成した凹陥に付着した導体
膜１７を介して前記シ−ルド用導体膜２に接続したもの
である。尚、当該パッケ−ジ１４内に張出す他の半島８
表面の導体パッド９及びこれから当該パッケ−ジ１４の
外側壁に延びる導体膜１０は当該パッケ−ジに収納する
デバイス６のホット端子を外部に導くものであり、斯る
パッケ−ジは皿の縁部平面に付着した導体膜１１を介し
て金属蓋１２を半田付或は溶接等をすることにより封止
するものである。
詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に係るパッケ−ジ
の一実施例を示す断面図であって、皿型パッケ−ジ１４
の内部底面にシ−ルド用導体膜２を設け、これを該導体
膜２から該パッケ−ジ側壁を気密貫通してパッケ−ジ外
側壁に露出する接地用リ−ド部１５と接続すると共に該
パッケ−ジの内側壁から張出す半島３表面にワイヤボン
デイ ング用パッド１６を設け、該パッド１６を前記半島
３のパッケ−ジ内側壁面に形成した凹陥に付着した導体
膜１７を介して前記シ−ルド用導体膜２に接続したもの
である。尚、当該パッケ−ジ１４内に張出す他の半島８
表面の導体パッド９及びこれから当該パッケ−ジ１４の
外側壁に延びる導体膜１０は当該パッケ−ジに収納する
デバイス６のホット端子を外部に導くものであり、斯る
パッケ−ジは皿の縁部平面に付着した導体膜１１を介し
て金属蓋１２を半田付或は溶接等をすることにより封止
するものである。
【０００７】上述した如きパッケ−ジ１４に各種の高周
波ＳＡＷフィルタ６を収納しそのフィルタ特性を測定し
たところ、説明の煩雑を回避する為詳細なデ−タの紹介
は省略するが接地に関しては接地用ボンデイ ングワイヤ
７ １本のみで概ね所望のフィルタ特性を得られること
が判明した。その理由は必ずしも定かではないが、本願
発明に係るパッケ−ジは従前一般に使用していた図２
（ａ）に示す如きそれと異なり、収納したデバイス６の
ア−ス端子からパッケ−ジ１４の外部接地端子１５まで
のパスが短いこと及び前記シ−ルド用導体膜２と絶縁層
を介して重なるパッド１６の面積が極めて小なることに
基づきア−ス端子に付加され如何なる挙動を示すか明ら
かではない分布定数回路の影響が殆ど生じない為と想像
される。
波ＳＡＷフィルタ６を収納しそのフィルタ特性を測定し
たところ、説明の煩雑を回避する為詳細なデ−タの紹介
は省略するが接地に関しては接地用ボンデイ ングワイヤ
７ １本のみで概ね所望のフィルタ特性を得られること
が判明した。その理由は必ずしも定かではないが、本願
発明に係るパッケ−ジは従前一般に使用していた図２
（ａ）に示す如きそれと異なり、収納したデバイス６の
ア−ス端子からパッケ−ジ１４の外部接地端子１５まで
のパスが短いこと及び前記シ−ルド用導体膜２と絶縁層
を介して重なるパッド１６の面積が極めて小なることに
基づきア−ス端子に付加され如何なる挙動を示すか明ら
かではない分布定数回路の影響が殆ど生じない為と想像
される。
【０００８】ところで、上述した如きパッケ−ジは以下
の如くすれば容易に製造可能である。即ち、パッケ−ジ
の底板を構成するセラミック・シ−ト１８の前記シ−ル
ド用導体膜２に対応する部分に導体インクを印刷したも
の、前記底板１８と同一形状のセラミック・シ−トであ
って前記凹陥部１７に対応する部分に孔を穿け、この孔
の内周と前記半島３及び８表面に形成すべきア−ス及び
ホット端子接続用パッド１６及び９に対応する部分に導
体インクを付着した後前記孔を横切る線を含む切断線に
よって中央部を所望の形状だけ除去し前記半島部３及び
８を形成したもの及び単純な額状セラミック・シ−ト１
９であってその表面に銀蝋プリフォ−ム１１を介して導
体シ−ル（図示省略）を重ねたものを上述の順に重ね合
わせ焼成するのが一般的であろう。
の如くすれば容易に製造可能である。即ち、パッケ−ジ
の底板を構成するセラミック・シ−ト１８の前記シ−ル
ド用導体膜２に対応する部分に導体インクを印刷したも
の、前記底板１８と同一形状のセラミック・シ−トであ
って前記凹陥部１７に対応する部分に孔を穿け、この孔
の内周と前記半島３及び８表面に形成すべきア−ス及び
ホット端子接続用パッド１６及び９に対応する部分に導
体インクを付着した後前記孔を横切る線を含む切断線に
よって中央部を所望の形状だけ除去し前記半島部３及び
８を形成したもの及び単純な額状セラミック・シ−ト１
９であってその表面に銀蝋プリフォ−ム１１を介して導
体シ−ル（図示省略）を重ねたものを上述の順に重ね合
わせ焼成するのが一般的であろう。
【０００９】以上、半島３表面のア−ス接続用パッド１
６をシ−ルド用導体膜２との接続を前記半島３壁面に形
成した凹陥内に付着した導体膜１７を介して行った実施
例について説明したが本発明はこれのみに限定されるも
のではなく、例えば同図（ｂ）に示す如くア−ス接続用
パッド１６とシ−ルド用導体膜２との接続を前記半島３
を垂直に貫通するビアホ−ル２０によって行ってもよ
く、この方が半島３及び８を貼り出した額状セラミック
・シ−トを製造する上では簡単な場合も存在しよう。更
に本発明に係るパッケ−ジはセラミックに代えてガラス
を用いてもよく、その際は前述した底板１８、パッケ−
ジの側壁とパッケ−ジ内に張出す半島部を構成する部分
３及び並びにやはりパッケ−ジの側壁と封止蓋の接合部
を校正する額状部１９を夫々焼固めたガラス粉にて形成
し、所要のメタライズを施した上で積層した上、型にい
れて過熱溶触すれば良い。
６をシ−ルド用導体膜２との接続を前記半島３壁面に形
成した凹陥内に付着した導体膜１７を介して行った実施
例について説明したが本発明はこれのみに限定されるも
のではなく、例えば同図（ｂ）に示す如くア−ス接続用
パッド１６とシ−ルド用導体膜２との接続を前記半島３
を垂直に貫通するビアホ−ル２０によって行ってもよ
く、この方が半島３及び８を貼り出した額状セラミック
・シ−トを製造する上では簡単な場合も存在しよう。更
に本発明に係るパッケ−ジはセラミックに代えてガラス
を用いてもよく、その際は前述した底板１８、パッケ−
ジの側壁とパッケ−ジ内に張出す半島部を構成する部分
３及び並びにやはりパッケ−ジの側壁と封止蓋の接合部
を校正する額状部１９を夫々焼固めたガラス粉にて形成
し、所要のメタライズを施した上で積層した上、型にい
れて過熱溶触すれば良い。
【００１０】
【発明の効果】本発明は以上説明した如く構成するもの
であるから従来一般の皿型パッケ−ジに比して格別の工
程変化、工数増大及びパッケ−ジサイズの増大を伴うこ
となく内部に収納するＳＡＷフィルタの如き高周波デバ
イスの諸特性を当該パッケ−ジに収納したが故に損なう
ことがないという効果がある。
であるから従来一般の皿型パッケ−ジに比して格別の工
程変化、工数増大及びパッケ−ジサイズの増大を伴うこ
となく内部に収納するＳＡＷフィルタの如き高周波デバ
イスの諸特性を当該パッケ−ジに収納したが故に損なう
ことがないという効果がある。
【００１１】
【図１】（ａ）は本発明に係る高周波デバイス用パッケ
−ジの一実施例を示す断面図。（ｂ）は本発明の他の実
施例を示す断面図。
−ジの一実施例を示す断面図。（ｂ）は本発明の他の実
施例を示す断面図。
【図２】（ａ）は従来一般に用いられていた高周波デバ
イス用パッケ−ジの構造を示す断面図。（ｂ）は図２
（ｂ）に示すパッケ−ジに収納した高周波デバイスの特
性不足を補う為の手法を示す断面図。
イス用パッケ−ジの構造を示す断面図。（ｂ）は図２
（ｂ）に示すパッケ−ジに収納した高周波デバイスの特
性不足を補う為の手法を示す断面図。
２・・・シ−ルド用導体膜 ３、８・・・半島部 ９，１６・・・ボンデイ ングワイヤ接続用パッド １７・・・半島内側壁の導体膜 ２０・・・ビアホ−ル １５・・・ア−スリ−ド端子
Claims (2)
- 【請求項１】 底面にシ−ルド用導体膜を備え、内壁面
から張出した半島部表面にボンデイ ングワイヤ接続用パ
ッドを設けた皿型パッケ−ジに於て、前記シ−ルド用導
体膜と前記ボンデイ ングワイヤ接続用パッドとを前記半
島の内側壁面に設けた導体膜或は前記半島を貫通するビ
アホ−ルを介して電気的に接続すると共にこれらをパッ
ケ−ジ壁面を気密貫通してパッケ−ジ外壁のア−ス用リ
−ド端子と接続したことを特徴とする高周波デバイス用
パッケ−ジの構造。 - 【請求項２】 前記半島の内側壁面に設ける導体膜が該
内側壁面に形成した凹陥断面を有する溝に付着したもの
であることを特徴とする請求項１記載の高周波デバイス
用パッケ−ジの構造。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085944A JPH05259793A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 高周波デバイス用パッケ−ジの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085944A JPH05259793A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 高周波デバイス用パッケ−ジの構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259793A true JPH05259793A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13872876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4085944A Pending JPH05259793A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 高周波デバイス用パッケ−ジの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259793A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183230A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Kyocera Corp | 高周波回路用パッケージの実装構造 |
| KR100386938B1 (ko) * | 2000-05-30 | 2003-06-09 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 발진 회로 |
| KR100639183B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2006-10-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고주파용 반도체 패키지 |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP4085944A patent/JPH05259793A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183230A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Kyocera Corp | 高周波回路用パッケージの実装構造 |
| KR100386938B1 (ko) * | 2000-05-30 | 2003-06-09 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 발진 회로 |
| KR100639183B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2006-10-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고주파용 반도체 패키지 |
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