JPH0526292B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0526292B2 JPH0526292B2 JP61049519A JP4951986A JPH0526292B2 JP H0526292 B2 JPH0526292 B2 JP H0526292B2 JP 61049519 A JP61049519 A JP 61049519A JP 4951986 A JP4951986 A JP 4951986A JP H0526292 B2 JPH0526292 B2 JP H0526292B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crt
- electrode
- voltage electrode
- electron
- cathode ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/84—Arrangements for removing or diverting unwanted particles, e.g. for negative ions or fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/485—Construction of the gun or of parts thereof
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、陰極線管（CRT）、特に超高解像度
CRTにおいて良好な動作を可能にするCRTの電
極構体に関する。
CRTにおいて良好な動作を可能にするCRTの電
極構体に関する。
高精細な情報が必要とされる、例えば多量のグ
ラフイツク及びアルフアニユーメリツクデータを
表示するコンピユータ端末のスクリーンにおいて
は、CRTの解像度は極めて重要な事項である。
高解像度のCRTは、通常、高圧（例えば18kV以
上の電圧）で作動される。また、CRTの電子レ
ンズは収差を低減できるように大口径のものでな
ければならず、そのためCRTの内面コーテイン
グをバイポテンシヤル電子レンズの高圧電極とし
て用いている。この“開構造”のCRTでは、電
子銃電極が微粒子によつて汚染されることが問題
になる。例えば、CRTに衝撃や振動が加わつた
とき、アルミニウムが被覆されたスクリーン上に
生じた自由荷電粒子がバイポテンシヤル電子レン
ズの低圧側電極に付着して擬似電子放射を引き起
こすことがある。
ラフイツク及びアルフアニユーメリツクデータを
表示するコンピユータ端末のスクリーンにおいて
は、CRTの解像度は極めて重要な事項である。
高解像度のCRTは、通常、高圧（例えば18kV以
上の電圧）で作動される。また、CRTの電子レ
ンズは収差を低減できるように大口径のものでな
ければならず、そのためCRTの内面コーテイン
グをバイポテンシヤル電子レンズの高圧電極とし
て用いている。この“開構造”のCRTでは、電
子銃電極が微粒子によつて汚染されることが問題
になる。例えば、CRTに衝撃や振動が加わつた
とき、アルミニウムが被覆されたスクリーン上に
生じた自由荷電粒子がバイポテンシヤル電子レン
ズの低圧側電極に付着して擬似電子放射を引き起
こすことがある。
電子レンズの高圧側電極が電子銃構体の一部を
構成するCRTも多く存在する。このようなCRT
では、高圧エレメントは電子銃構体を支持する絶
縁ロツドに固定されている。この構体は汚染の影
響は受けにくいが、電子銃を支持するガラスロツ
ドの絶縁が充分でないため高圧の破壊（ブレーク
ダウン）を起こす虞れがある。更に、絶縁ロツド
は通常高圧エレメントの外周に位置するので、電
子銃構体の高圧エレメントを絶縁ロツドで支持す
る構成は電子レンズの口径を制限しがちである。
構成するCRTも多く存在する。このようなCRT
では、高圧エレメントは電子銃構体を支持する絶
縁ロツドに固定されている。この構体は汚染の影
響は受けにくいが、電子銃を支持するガラスロツ
ドの絶縁が充分でないため高圧の破壊（ブレーク
ダウン）を起こす虞れがある。更に、絶縁ロツド
は通常高圧エレメントの外周に位置するので、電
子銃構体の高圧エレメントを絶縁ロツドで支持す
る構成は電子レンズの口径を制限しがちである。
超高解像度CRTにおける他の問題は、ガスを
吸収するために用いるゲツターの配置場所に関係
するものである。高圧レンズ電極用内部コーテイ
ングを有するCRTにおけるゲツターの配置場所
は、アノードボタンまたはシヤドウマスクに限定
されてきた。しかし、このような配置は、ネツク
側からのアクセスが制限されることによるゲツタ
ーの交換の困難性のためCRTバルブを再生する
ことを困難にする。また、CRTフエースプレー
トがフリツト焼結処理によりバルブに取付けられ
る場合、高温処理工程でゲツターの有効性が全般
的に減じられる。ゲツターは高圧電子銃電極に配
置することが望ましいが、この型の電極が重大な
欠点を有することは上述のとおりである。
吸収するために用いるゲツターの配置場所に関係
するものである。高圧レンズ電極用内部コーテイ
ングを有するCRTにおけるゲツターの配置場所
は、アノードボタンまたはシヤドウマスクに限定
されてきた。しかし、このような配置は、ネツク
側からのアクセスが制限されることによるゲツタ
ーの交換の困難性のためCRTバルブを再生する
ことを困難にする。また、CRTフエースプレー
トがフリツト焼結処理によりバルブに取付けられ
る場合、高温処理工程でゲツターの有効性が全般
的に減じられる。ゲツターは高圧電子銃電極に配
置することが望ましいが、この型の電極が重大な
欠点を有することは上述のとおりである。
したがつて、本発明の目的は、電子銃の汚染を
防止し不都合な電子放射を生じさせない手段を有
する高解像度のCRTを提供することである。
防止し不都合な電子放射を生じさせない手段を有
する高解像度のCRTを提供することである。
本発明の他の目的は、従来構成に比べアーク問
題がなく、口径を大きくすることができ且つ収差
の小さい高圧電極を有する高解像度のCRTを提
供することである。
題がなく、口径を大きくすることができ且つ収差
の小さい高圧電極を有する高解像度のCRTを提
供することである。
本発明の他の目的は、内壁コーテイングのみを
用いたCRTに比べ突抜け現象（パンチスルー）
問題の起こりにくい、高圧電極を有する高解像度
CRTを提供することである。
用いたCRTに比べ突抜け現象（パンチスルー）
問題の起こりにくい、高圧電極を有する高解像度
CRTを提供することである。
本発明の他の目的は、CRTのネツク電極構体
上にゲツターを取付ける高解像度CRTを提供す
ることである。
上にゲツターを取付ける高解像度CRTを提供す
ることである。
〔問題を解決するための手段〕
本発明による陰極線管は、電子ビームを集束さ
せる電子レンズの一部を構成する低電圧用電極を
少なくとも設けた電子銃構体１６，２０，２２，
２６，２８を有し、更に、低電圧用電極と陰極線
管のスクリーン端間のネツク部の中に電子レンズ
の他部分を構成する高電圧用電極５６を設けてい
る。この高電圧用電極は、一周縁部が陰極線管の
ネツク部の内壁面に沿つて近接して略円筒形状の
電極である。更に、この高電圧用電極の他周縁部
から連続して内側方向に延び、上記電子レンズが
通過する中心開口部５２を有する略円盤形状の粒
子捕捉手段５０も設けている。高電圧用電極は、
低電圧用電極を含む電子銃構体から独立して陰極
線管ネツク部の内壁面に支持手段４６，４８によ
つて支持されている。
せる電子レンズの一部を構成する低電圧用電極を
少なくとも設けた電子銃構体１６，２０，２２，
２６，２８を有し、更に、低電圧用電極と陰極線
管のスクリーン端間のネツク部の中に電子レンズ
の他部分を構成する高電圧用電極５６を設けてい
る。この高電圧用電極は、一周縁部が陰極線管の
ネツク部の内壁面に沿つて近接して略円筒形状の
電極である。更に、この高電圧用電極の他周縁部
から連続して内側方向に延び、上記電子レンズが
通過する中心開口部５２を有する略円盤形状の粒
子捕捉手段５０も設けている。高電圧用電極は、
低電圧用電極を含む電子銃構体から独立して陰極
線管ネツク部の内壁面に支持手段４６，４８によ
つて支持されている。
本発明の陰極線管は、電子レンズの一部分を構
成する低電圧用電極を電子銃構体に組み込み、電
子レンズの他部分を構成する高電圧用電極を電子
銃構体と独立して設け、高圧の絶縁破壊（ブレー
クダウン）を発生を防止すると共に、陰極線管の
ネツク部の内径に近似した大口径電子レンズを実
現する。また、高電圧用電極及びそれに連続して
延びた粒子捕捉手段により、スクリーン側から電
子銃側に飛ぶ余計な荷電粒子を遮断する。
成する低電圧用電極を電子銃構体に組み込み、電
子レンズの他部分を構成する高電圧用電極を電子
銃構体と独立して設け、高圧の絶縁破壊（ブレー
クダウン）を発生を防止すると共に、陰極線管の
ネツク部の内径に近似した大口径電子レンズを実
現する。また、高電圧用電極及びそれに連続して
延びた粒子捕捉手段により、スクリーン側から電
子銃側に飛ぶ余計な荷電粒子を遮断する。
第１図は、本発明によるCRTの一実施例を示
す。このCRTは前方にフアネル部１０及び後方
に管状ネツク部１２を有し、管状ネツク部１２
は、前方の蛍光スクリーン１４上に“書込み”を
行なう電子ビーム１８を放射する電子銃構体を内
包している。この電子銃構体は、カソード１６を
有し、カソード１６は第１グリツド２０及び第２
グリツド２２の開口、更にアノードシリンダ２４
の一端の開口を順次通過する。アノードシリンダ
２４の他端で、電子ビーム１８は一組のウエハ電
極２６を通過する。ウエハ電極２６については、
本出願人による特願昭60−116331号に詳細に説明
されている。電子ビーム１８はウエハ電極２６を
通過後、ウエハ電極２６に隣接する小径の円筒状
部３４と放射状フランジ３８でこの円筒状部３４
に接合されたCRT正面へ向いた大径の円筒状部
３６とから成るフオーカス電極２８を通る。フオ
ーカス電極２８からスクリーン１４へかけて、
CRT内面にコーテイング３２が施される。コー
テイング３２のCRTネツク領域は好適には高抵
抗である。コーテイング３２にはCRTの高圧の
加速電圧が印加される。上述の特願昭60−116331
号に記載されたような従来のCRTにおいては、
ビーム１８の焦点合わせに用いられるバイポテン
シヤル電子レンズの高圧側電極としてコーテイン
グ３２のみが働き、低圧側の電極として電極２８
が働いた。
す。このCRTは前方にフアネル部１０及び後方
に管状ネツク部１２を有し、管状ネツク部１２
は、前方の蛍光スクリーン１４上に“書込み”を
行なう電子ビーム１８を放射する電子銃構体を内
包している。この電子銃構体は、カソード１６を
有し、カソード１６は第１グリツド２０及び第２
グリツド２２の開口、更にアノードシリンダ２４
の一端の開口を順次通過する。アノードシリンダ
２４の他端で、電子ビーム１８は一組のウエハ電
極２６を通過する。ウエハ電極２６については、
本出願人による特願昭60−116331号に詳細に説明
されている。電子ビーム１８はウエハ電極２６を
通過後、ウエハ電極２６に隣接する小径の円筒状
部３４と放射状フランジ３８でこの円筒状部３４
に接合されたCRT正面へ向いた大径の円筒状部
３６とから成るフオーカス電極２８を通る。フオ
ーカス電極２８からスクリーン１４へかけて、
CRT内面にコーテイング３２が施される。コー
テイング３２のCRTネツク領域は好適には高抵
抗である。コーテイング３２にはCRTの高圧の
加速電圧が印加される。上述の特願昭60−116331
号に記載されたような従来のCRTにおいては、
ビーム１８の焦点合わせに用いられるバイポテン
シヤル電子レンズの高圧側電極としてコーテイン
グ３２のみが働き、低圧側の電極として電極２８
が働いた。
電子ビーム１８は電磁偏向ヨーク３０によつて
偏向される。この電磁偏向ヨーク３０はCRT内
で電子ビームを２つの直角方向に偏向するために
用いる任意の型のものでよいが、好適には溝付フ
エライトコア上に固定巻き（stator−wound）さ
れたものである。リツツ線コイル及び適当な磁性
材料を用いれば高い偏向周波数での表皮効果やコ
ア損失が軽減できる。
偏向される。この電磁偏向ヨーク３０はCRT内
で電子ビームを２つの直角方向に偏向するために
用いる任意の型のものでよいが、好適には溝付フ
エライトコア上に固定巻き（stator−wound）さ
れたものである。リツツ線コイル及び適当な磁性
材料を用いれば高い偏向周波数での表皮効果やコ
ア損失が軽減できる。
電極１６，２０，２２，２４，２６，２８は共
通の電子銃構体内に含まれ、CRTの後端から伸
びたガラス製絶縁ロツド４２に支持される。前述
のとおり、この支持ロツド４２の絶縁特性は、そ
のCRTが動作し得る電圧の制限要因になること
がある。しかし、本発明による電極構体４４は、
CRTのネツク１２内で１対のスナツバー
（snubber）４６，４８により独立して支持され
ている。各スナツバーは、粒子捕捉円板５０から
ネツクに沿つてカンチレバー状に反対方向に伸び
る外方にばね偏倚された多数の金属板の弾性指状
部を有する。粒子捕捉円板５０の周囲に略連続し
て並ぶスナツパー指状部４６，４８は第２及び第
４図に詳細に示されている。指状部４８は高圧コ
ーテイング３２と電気的に接触するので、コーテ
イング３２は粒子捕捉円板５０よりCRT後端側
には及んでいない。
通の電子銃構体内に含まれ、CRTの後端から伸
びたガラス製絶縁ロツド４２に支持される。前述
のとおり、この支持ロツド４２の絶縁特性は、そ
のCRTが動作し得る電圧の制限要因になること
がある。しかし、本発明による電極構体４４は、
CRTのネツク１２内で１対のスナツバー
（snubber）４６，４８により独立して支持され
ている。各スナツバーは、粒子捕捉円板５０から
ネツクに沿つてカンチレバー状に反対方向に伸び
る外方にばね偏倚された多数の金属板の弾性指状
部を有する。粒子捕捉円板５０の周囲に略連続し
て並ぶスナツパー指状部４６，４８は第２及び第
４図に詳細に示されている。指状部４８は高圧コ
ーテイング３２と電気的に接触するので、コーテ
イング３２は粒子捕捉円板５０よりCRT後端側
には及んでいない。
粒子捕捉円板５０は、CRTのネツクを略横断
する方向に配置された金属円板からなり、その中
心にはCRTのスクリーン側に伸びた円筒状軸方
向フランジ５４で定められた開口５２を有する。
粒子捕捉円板５０及び支持指状部４６，４８は、
ネツク全体に広がるので、CRTスクリーン側か
ら移動してくる粒子が低圧側電極２８に付着する
のを防ぐ。（付着した粒子は擬似電子放射を起こ
す虞れがある。）若し、このような付着が電極２
８の径大部３６のスクリーン側端部に起こると、
特に擬似放射が生じ易い。中央開口５２及び軸方
向フランジ５４の直径は、電子ビーム１８を通過
させCRTに適度のポンピング効率を与える充分
な大きさを有し、且つ電極２８の前方端部に
CRTの軸方向に沿つて粒子が付着するのを防止
する。このため、開口５２の直径は電極部分３６
の内径よりかなり小さくしてある。具体例として
は、ネツクの内径が1.255インチ（約3.2cm）、電
極部分３６の直径が１インチ（約2.5cm）の場合、
開口５２は0.5インチ（約1.3cm）である。開口５
２の直径は上記直径のCRTに対しては好適には
１／８インチから1/2インチの範囲である。1/2イン
チ径の開口は、CRTネツクの断面積を約1/6に減
少させる。粒子捕捉円板５０は、軸方向フランジ
５４及び指状部４８と共にコツプ状構造を形成
し、粒子を収集して、粒子が低圧電極２８へ到達
するのを阻止する。
する方向に配置された金属円板からなり、その中
心にはCRTのスクリーン側に伸びた円筒状軸方
向フランジ５４で定められた開口５２を有する。
粒子捕捉円板５０及び支持指状部４６，４８は、
ネツク全体に広がるので、CRTスクリーン側か
ら移動してくる粒子が低圧側電極２８に付着する
のを防ぐ。（付着した粒子は擬似電子放射を起こ
す虞れがある。）若し、このような付着が電極２
８の径大部３６のスクリーン側端部に起こると、
特に擬似放射が生じ易い。中央開口５２及び軸方
向フランジ５４の直径は、電子ビーム１８を通過
させCRTに適度のポンピング効率を与える充分
な大きさを有し、且つ電極２８の前方端部に
CRTの軸方向に沿つて粒子が付着するのを防止
する。このため、開口５２の直径は電極部分３６
の内径よりかなり小さくしてある。具体例として
は、ネツクの内径が1.255インチ（約3.2cm）、電
極部分３６の直径が１インチ（約2.5cm）の場合、
開口５２は0.5インチ（約1.3cm）である。開口５
２の直径は上記直径のCRTに対しては好適には
１／８インチから1/2インチの範囲である。1/2イン
チ径の開口は、CRTネツクの断面積を約1/6に減
少させる。粒子捕捉円板５０は、軸方向フランジ
５４及び指状部４８と共にコツプ状構造を形成
し、粒子を収集して、粒子が低圧電極２８へ到達
するのを阻止する。
更に本発明によれば、電極構体４４は高圧金属
電極５６を含む。この電極５６は円筒形であり粒
子捕捉円板５０から軸方向に沿つて電極２８側へ
伸びている。電極５６は粒子捕捉円板５０とその
周縁で一体形成または接合されたものであり、
CRTネツク１２の内壁に近接した状態で指状部
４６，４８により共通に支持される。具体的に
は、円筒状電極５６は、粒子捕捉円板５０が上記
指状部に支持された地点の、粒子捕捉円板５０の
外径と等しい直径の第１円筒状部５８と、この第
１円筒状部５８から指状部４６の接触端近くで拡
大した径大部６０とから成る。よつて、径大部６
０の内径はCRTネツクの内径に近く、コーテイ
ング３２と同様の大口径レンズの働きをするが、
コーテイング３２自体はCRTのスクリーン側に
離れて位置している。円筒状電極５６は、電極構
体４４がCRTネツク内に挿入されたとき弾性指
状部４８がコーテイング３２の端部以上に接触す
ることなくコーテイング３２を電極２８側に延長
するよう働き弾性指状部がコーテイング３２にす
れすれに位置するので微粒子物質の移動を防止す
る。円筒状電極５６は、電子銃構体に載置された
従来の高圧電極に付随した高圧ブレークダウンの
危険性を排除しながら所望の大口径レンズ動作を
可能にする。
電極５６を含む。この電極５６は円筒形であり粒
子捕捉円板５０から軸方向に沿つて電極２８側へ
伸びている。電極５６は粒子捕捉円板５０とその
周縁で一体形成または接合されたものであり、
CRTネツク１２の内壁に近接した状態で指状部
４６，４８により共通に支持される。具体的に
は、円筒状電極５６は、粒子捕捉円板５０が上記
指状部に支持された地点の、粒子捕捉円板５０の
外径と等しい直径の第１円筒状部５８と、この第
１円筒状部５８から指状部４６の接触端近くで拡
大した径大部６０とから成る。よつて、径大部６
０の内径はCRTネツクの内径に近く、コーテイ
ング３２と同様の大口径レンズの働きをするが、
コーテイング３２自体はCRTのスクリーン側に
離れて位置している。円筒状電極５６は、電極構
体４４がCRTネツク内に挿入されたとき弾性指
状部４８がコーテイング３２の端部以上に接触す
ることなくコーテイング３２を電極２８側に延長
するよう働き弾性指状部がコーテイング３２にす
れすれに位置するので微粒子物質の移動を防止す
る。円筒状電極５６は、電子銃構体に載置された
従来の高圧電極に付随した高圧ブレークダウンの
危険性を排除しながら所望の大口径レンズ動作を
可能にする。
本発明による高圧電極５６と低圧電極２８は、
協同して電子ビーム１８を蛍光スクリーン１４上
に集束するためのバイポテンシヤル電子レンズを
構成する。電極２８に印加する電圧は、典型的に
は2.5kVであり、高圧電極５６及びコーテイング
３２に印加する電圧は18k〜25kVである。これ
により、焦点の合つた高輝度スポツトを蛍光スク
リーン１４上に形成することができるが、高圧ブ
レークダウンの虞れがつきまとう。しかしなが
ら、電極５６は電子銃構体とは独立して支持され
るので、即ちロツド４２で支持されるのではなく
CRTネツクに対して指状部４６，４８で支持さ
れるので、アークの危険性なく高圧が使用でき
る。
協同して電子ビーム１８を蛍光スクリーン１４上
に集束するためのバイポテンシヤル電子レンズを
構成する。電極２８に印加する電圧は、典型的に
は2.5kVであり、高圧電極５６及びコーテイング
３２に印加する電圧は18k〜25kVである。これ
により、焦点の合つた高輝度スポツトを蛍光スク
リーン１４上に形成することができるが、高圧ブ
レークダウンの虞れがつきまとう。しかしなが
ら、電極５６は電子銃構体とは独立して支持され
るので、即ちロツド４２で支持されるのではなく
CRTネツクに対して指状部４６，４８で支持さ
れるので、アークの危険性なく高圧が使用でき
る。
また、円筒状電極５６は低圧電極２８より大径
であり、低圧電極２８の電極部分３６の前端部を
取り囲む形で伸びている。このオーバーラツプ構
造によつて、電極間領域内でCRTのガラスネツ
クをシールドして、電子ビームのフオーカスに悪
影響を及ぼすようなCRTの荷電を防止する。高
圧電極５６は、更に、コーテイング３２だけを用
いた場合、スポツトノツキング処理の際に起こり
得るガラスCRTネツクの突抜け現象を防止する。
スポツトノツキング処理では、低圧電極２８の不
要ポイントを焼くために通常より高い電圧を電極
２８及び高圧電極手段間に印加するが、高圧電極
にコーテイング３２のみを使用する場合、CRT
ネツクに焼け孔を作る虞れがあつた。
であり、低圧電極２８の電極部分３６の前端部を
取り囲む形で伸びている。このオーバーラツプ構
造によつて、電極間領域内でCRTのガラスネツ
クをシールドして、電子ビームのフオーカスに悪
影響を及ぼすようなCRTの荷電を防止する。高
圧電極５６は、更に、コーテイング３２だけを用
いた場合、スポツトノツキング処理の際に起こり
得るガラスCRTネツクの突抜け現象を防止する。
スポツトノツキング処理では、低圧電極２８の不
要ポイントを焼くために通常より高い電圧を電極
２８及び高圧電極手段間に印加するが、高圧電極
にコーテイング３２のみを使用する場合、CRT
ネツクに焼け孔を作る虞れがあつた。
したがつて、本発明では、CRTバイポテンシ
ヤル電子レンズに粒子捕捉、高圧電極を共に用い
ることにより、高圧電極にCRT内部コーテイン
グのみを用いる場合の粒子付着の問題を解消する
ことができ、更に粒子付着は防げるが高圧での絶
縁ブレークダウンを起こし易い、電子銃構体上へ
の高圧電極の載置も避けることができる。このよ
うに電極構体４４は電子銃のロツドに取付けられ
ないが、その中心はCRTネツクに接触する周囲
の支持指状体４６，４８によつて電子ビームの所
望中心位置に合わされる。この正確な中心合わせ
を確実にするためにCRTネツクは高精度に作ら
れることが望ましい。更に、低圧電極２８及び電
子銃構体の前端部は、電極２８のフランジ３８か
らCRTの後方に突出した第２のスナツパー、即
ち１組の支持指状部６２によつて電極構体４４に
対し位置合わせされる。この弾性指状部６２は指
状部４２，４８と略同一の構成である。指状部６
２は、２次放射メカニズムによつてCRTネツク
に沿つて“這う”高圧によるブレークダウンを阻
止し、その地点まで到着した粒子がネツクに沿つ
てCRT後方に通過するのを阻止する。
ヤル電子レンズに粒子捕捉、高圧電極を共に用い
ることにより、高圧電極にCRT内部コーテイン
グのみを用いる場合の粒子付着の問題を解消する
ことができ、更に粒子付着は防げるが高圧での絶
縁ブレークダウンを起こし易い、電子銃構体上へ
の高圧電極の載置も避けることができる。このよ
うに電極構体４４は電子銃のロツドに取付けられ
ないが、その中心はCRTネツクに接触する周囲
の支持指状体４６，４８によつて電子ビームの所
望中心位置に合わされる。この正確な中心合わせ
を確実にするためにCRTネツクは高精度に作ら
れることが望ましい。更に、低圧電極２８及び電
子銃構体の前端部は、電極２８のフランジ３８か
らCRTの後方に突出した第２のスナツパー、即
ち１組の支持指状部６２によつて電極構体４４に
対し位置合わせされる。この弾性指状部６２は指
状部４２，４８と略同一の構成である。指状部６
２は、２次放射メカニズムによつてCRTネツク
に沿つて“這う”高圧によるブレークダウンを阻
止し、その地点まで到着した粒子がネツクに沿つ
てCRT後方に通過するのを阻止する。
第１図の実施例において、“アンテナ”ゲツタ
ーが金属ストラツプ６４を用いて粒子捕捉円板５
０に取付けられる。金属ストラツプ６４は、粒子
捕捉円板に固着され、略CRTの内壁に平行して
フアネル部内で、偏向ヨークを過ぎた点まで伸び
ている。このゲツター構造は、第３図に詳細に示
すように、ゲーター材料、例えばバリウムを含む
環状の金属樋を内方に向けたものである。ストラ
ツプ６４は、好適にはCRTコーテイング３２に
接触する外方に向いたタブ６８を有する。更にス
トラツプ７０には交差ストラツプ７０が固着さ
れ、その両端はやはりCRTコーテイング３２に
接触するタブ７２を有する。このゲツター構造
は、CRTの高圧端に配置されるが、再生のため
に電子銃と共に取出すことができる。
ーが金属ストラツプ６４を用いて粒子捕捉円板５
０に取付けられる。金属ストラツプ６４は、粒子
捕捉円板に固着され、略CRTの内壁に平行して
フアネル部内で、偏向ヨークを過ぎた点まで伸び
ている。このゲツター構造は、第３図に詳細に示
すように、ゲーター材料、例えばバリウムを含む
環状の金属樋を内方に向けたものである。ストラ
ツプ６４は、好適にはCRTコーテイング３２に
接触する外方に向いたタブ６８を有する。更にス
トラツプ７０には交差ストラツプ７０が固着さ
れ、その両端はやはりCRTコーテイング３２に
接触するタブ７２を有する。このゲツター構造
は、CRTの高圧端に配置されるが、再生のため
に電子銃と共に取出すことができる。
第４図は、本発明の他の実施例によるゲツター
構造を含む電極構体の拡大図である。このゲツタ
ー構造は、ゲツター材料を含む環状の金属樋６
６′から成り、金属樋６６′は電極構体４４と同軸
的に、且つ電子ビームの下流方向に向けて配置さ
れる。ゲツター構造は、粒子捕捉円板５０に固着
されたロツド７４に支持されCRT軸に直角な平
面内に配置される。ゲツター構造６６または６
６′のいずれの場合においても、１次誘導コイル
を用いて、２次コイルとしての環状ゲツター構造
内に高周波電流を誘起させる従来の方法で、ゲツ
ターをフラツシユ（燃焼）させる。先の実施例と
同じく、第４図の実施例によれば、ゲツターの配
置が都合よく行なえ、CRTの管球を再生する場
合にはゲツターを取出すことができる。
構造を含む電極構体の拡大図である。このゲツタ
ー構造は、ゲツター材料を含む環状の金属樋６
６′から成り、金属樋６６′は電極構体４４と同軸
的に、且つ電子ビームの下流方向に向けて配置さ
れる。ゲツター構造は、粒子捕捉円板５０に固着
されたロツド７４に支持されCRT軸に直角な平
面内に配置される。ゲツター構造６６または６
６′のいずれの場合においても、１次誘導コイル
を用いて、２次コイルとしての環状ゲツター構造
内に高周波電流を誘起させる従来の方法で、ゲツ
ターをフラツシユ（燃焼）させる。先の実施例と
同じく、第４図の実施例によれば、ゲツターの配
置が都合よく行なえ、CRTの管球を再生する場
合にはゲツターを取出すことができる。
以上、本発明の好適実施例について説明した
が、本発明の要旨を逸脱することなく変形・変更
が行なえることは、いわゆる当業者には明らかで
あろう。
が、本発明の要旨を逸脱することなく変形・変更
が行なえることは、いわゆる当業者には明らかで
あろう。
本発明のCRTによれば、高電圧用電極の一周
縁部をネツク部の内径に近似させて大口径の電子
レンズを実現しているので、結像収差の小さい高
解像度のCRTを実現できると共に、高電圧用電
極を低電圧用電極を含む電子銃構体と独立配置す
ることにより高電圧破壊の危険を防止出来る。更
に、高電圧用電極の他周縁部から連続して延びる
粒子捕捉手段を設けたので、ネツク部の内側を殆
ど塞ぐことによりスクリーン側から電子銃側に飛
ぶ問題の荷電粒子を略完全に遮断出来る。
縁部をネツク部の内径に近似させて大口径の電子
レンズを実現しているので、結像収差の小さい高
解像度のCRTを実現できると共に、高電圧用電
極を低電圧用電極を含む電子銃構体と独立配置す
ることにより高電圧破壊の危険を防止出来る。更
に、高電圧用電極の他周縁部から連続して延びる
粒子捕捉手段を設けたので、ネツク部の内側を殆
ど塞ぐことによりスクリーン側から電子銃側に飛
ぶ問題の荷電粒子を略完全に遮断出来る。
第１図は本発明によるCRTの長手方向断面図、
第２図は第１図の−線から見た電極構造の背
面図、第３図は第１図のCRTに用いられるゲツ
ター構造の平面図、第４図は本発明の他の実施例
によるCRTの拡大長手方向断面図である。 図中、１６，２０，２２，２４，２６，２８は
電子銃構体、４４は電極構体、４６，４８は指状
部、５０は粒子捕捉円板、５２は中央開口、５６
は高圧金属電極を示す。
第２図は第１図の−線から見た電極構造の背
面図、第３図は第１図のCRTに用いられるゲツ
ター構造の平面図、第４図は本発明の他の実施例
によるCRTの拡大長手方向断面図である。 図中、１６，２０，２２，２４，２６，２８は
電子銃構体、４４は電極構体、４６，４８は指状
部、５０は粒子捕捉円板、５２は中央開口、５６
は高圧金属電極を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビームを集束させる電子レンズの一部を
構成する低電圧用電極を少なくとも設けた電子銃
構体を具備する陰極線管において、 上記低電圧用電極と上記陰極線管のスクリーン
端との間の上記陰極線管のネツク部の中に設けら
れ、一周縁部が上記ネツク部の内壁面に沿つて近
接した略円筒形状で上記電子レンズの他部分を構
成する高電圧用電極と、 該高電圧用電極の他周縁部から連続して内側方
向に延び、上記電子ビームが通過する中心開口部
を有する略円盤形状の粒子捕捉手段と、 上記高電圧用電極の外周部に設けられ、該高電
圧用電極を上記低電圧用電極と独立して上記陰極
線管の上記ネツク部の内壁面に支持する支持手段
と、 を具えることを特徴とする陰極線管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/709,480 US4665340A (en) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | Cathode-ray-tube electrode structure having a particle trap |
| US709480 | 1985-03-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208731A JPS61208731A (ja) | 1986-09-17 |
| JPH0526292B2 true JPH0526292B2 (ja) | 1993-04-15 |
Family
ID=24850045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049519A Granted JPS61208731A (ja) | 1985-03-07 | 1986-03-06 | 陰極線管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4665340A (ja) |
| JP (1) | JPS61208731A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8613170D0 (en) * | 1986-05-30 | 1986-07-02 | Philips Nv | Cathode ray tube |
| US4885503A (en) * | 1987-11-18 | 1989-12-05 | Hitachi, Ltd. | Color cathode-ray tube |
| US4977348A (en) * | 1989-03-07 | 1990-12-11 | Tektronix, Inc. | Electron discharge tube with bipotential electrode structure |
| US5202606A (en) * | 1989-06-23 | 1993-04-13 | U.S. Philips Corporation | Cathode-ray tube with focussing structure and getter means |
| NL9000117A (nl) * | 1989-06-23 | 1991-01-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Kathodestraalbuis. |
| KR940001754B1 (ko) * | 1991-05-30 | 1994-03-05 | 주식회사 금성사 | 음극선관내의 유해물 포집구조체 |
| US5430350A (en) * | 1994-03-09 | 1995-07-04 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Electron gun support and positioning arrangement in a CRT |
| US9543052B2 (en) * | 2005-10-31 | 2017-01-10 | Hbar Technologies, Llc | Containing/transporting charged particles |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3183388A (en) * | 1960-04-12 | 1965-05-11 | Westinghouse Electric Corp | Electron gun particle barrier formed by plurality of flexible radial sectors |
| US3560779A (en) * | 1968-05-02 | 1971-02-02 | Rca Corp | Shadow mask type color picture tube with a fine mesh flexible particle shield between the gun and target portions |
| JPS4833217U (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-21 | ||
| GB2030355B (en) * | 1978-09-15 | 1982-08-25 | English Electric Valve Co Ltd | Electron beam tubes |
| JPS59201347A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Toshiba Corp | 陰極線管 |
-
1985
- 1985-03-07 US US06/709,480 patent/US4665340A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-03-06 JP JP61049519A patent/JPS61208731A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61208731A (ja) | 1986-09-17 |
| US4665340A (en) | 1987-05-12 |
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