JPH05264485A - 表面原子配列観察法 - Google Patents
表面原子配列観察法Info
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- JPH05264485A JPH05264485A JP4091927A JP9192792A JPH05264485A JP H05264485 A JPH05264485 A JP H05264485A JP 4091927 A JP4091927 A JP 4091927A JP 9192792 A JP9192792 A JP 9192792A JP H05264485 A JPH05264485 A JP H05264485A
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- Japan
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- atomic arrangement
- sample
- scanning
- emitted
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、荷電ビームを用いた、実空間分布
観察が可能な表面原子配列観察法を提供することを目的
とする。 【構成】 荷電ビームを細く収束して試料表面を走査
し、その際に発生する二次粒子のうち特定の方向に放出
される二次粒子のみを選択的に検出手段に取り込み、該
検出手段からの信号を前記荷電ビームの走査と同期させ
て表示することにより試料表面の原子配列を反映した走
査像を得ることを特徴とする。
観察が可能な表面原子配列観察法を提供することを目的
とする。 【構成】 荷電ビームを細く収束して試料表面を走査
し、その際に発生する二次粒子のうち特定の方向に放出
される二次粒子のみを選択的に検出手段に取り込み、該
検出手段からの信号を前記荷電ビームの走査と同期させ
て表示することにより試料表面の原子配列を反映した走
査像を得ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面原子配列観察法に係
わり、結晶材料の表面構造を観察する表面構造観察技術
に関する。
わり、結晶材料の表面構造を観察する表面構造観察技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体、金属等の単結晶基板表面
の原子配列の分布を実空間の像として観察する方法とし
ては、反射電子顕微鏡または走査型反射電子顕微鏡が用
いられていた。
の原子配列の分布を実空間の像として観察する方法とし
ては、反射電子顕微鏡または走査型反射電子顕微鏡が用
いられていた。
【０００３】反射電子顕微鏡では電子ビームを試料表面
すれすれに入射させ、試料表面の原子列によって回折さ
れた電子を用いて表面の像を結像させる（八木、谷城、
高柳：「表面電子顕微鏡法」応用物理５５（ｌ９８６）
ｌ０３６．）。
すれすれに入射させ、試料表面の原子列によって回折さ
れた電子を用いて表面の像を結像させる（八木、谷城、
高柳：「表面電子顕微鏡法」応用物理５５（ｌ９８６）
ｌ０３６．）。
【０００４】また、走査型反射電子顕微鏡では、同様に
電子ビームを試料表面すれすれに入射させたときに発生
する回折電子を用いるが、電子ビームを走査電子顕微鏡
と同じように試料表面を走査させ、これに同期させて回
折電子の強度をブラウン管に表示させることにより、表
面の走査像が得られる（市川、土井、早川：「マイクロ
プローブ反射電子回折法による結晶表面の観察」応用物
理５４（１９８５）ｌｌ８７．）。いずれも、結晶表面
の原子配列に敏感な手段で、表面に吸着した異種原子層
や、結晶構成原子が表面ｌ〜３原子層で結晶内部（バル
ク）と異なった原子配列をとる表面再配列構造（例え
ば、Ｓｉ（１１１）面における７×７構造やＳｉ（ｌ０
０）面におけるｌ×２構造）についての空間分布を鮮明
な像として観察できる。
電子ビームを試料表面すれすれに入射させたときに発生
する回折電子を用いるが、電子ビームを走査電子顕微鏡
と同じように試料表面を走査させ、これに同期させて回
折電子の強度をブラウン管に表示させることにより、表
面の走査像が得られる（市川、土井、早川：「マイクロ
プローブ反射電子回折法による結晶表面の観察」応用物
理５４（１９８５）ｌｌ８７．）。いずれも、結晶表面
の原子配列に敏感な手段で、表面に吸着した異種原子層
や、結晶構成原子が表面ｌ〜３原子層で結晶内部（バル
ク）と異なった原子配列をとる表面再配列構造（例え
ば、Ｓｉ（１１１）面における７×７構造やＳｉ（ｌ０
０）面におけるｌ×２構造）についての空間分布を鮮明
な像として観察できる。
【０００５】しかし、いずれの場合にも表面からの反射
回折電子を利用するため電子ビームを試料表面すれすれ
（数度以下）に入射させる必要があり、得られる像は電
子ビームの入射方向に極端な寸詰まりを起こしたものと
なる（縦横比が数十対ｌ）。一方、反射回折電子を用い
ずに二次電子で結晶表面の走査像を得ようとする試みも
ある（市ノ川：「低エネルギー走査型電子顕微鏡」日本
結晶学会誌２９（ｌ９８７）ｌ３０．、井野：「超高真
空走査電子顕微鏡による表面吸着層の観察」日本物理学
会１９９０年秋の分科会講演予講集第二分冊Ｐ４６
０．）。この方法は、垂直入射の電子ビームを使用でき
るため、走査像の寸詰まりはない。しかしながら、この
方法では、表面に存在する、基板原子とは異なる原子の
層を識別することはできるが、表面再配列層のような基
板原子自体の原子配列の違いを識別することはできなか
った。
回折電子を利用するため電子ビームを試料表面すれすれ
（数度以下）に入射させる必要があり、得られる像は電
子ビームの入射方向に極端な寸詰まりを起こしたものと
なる（縦横比が数十対ｌ）。一方、反射回折電子を用い
ずに二次電子で結晶表面の走査像を得ようとする試みも
ある（市ノ川：「低エネルギー走査型電子顕微鏡」日本
結晶学会誌２９（ｌ９８７）ｌ３０．、井野：「超高真
空走査電子顕微鏡による表面吸着層の観察」日本物理学
会１９９０年秋の分科会講演予講集第二分冊Ｐ４６
０．）。この方法は、垂直入射の電子ビームを使用でき
るため、走査像の寸詰まりはない。しかしながら、この
方法では、表面に存在する、基板原子とは異なる原子の
層を識別することはできるが、表面再配列層のような基
板原子自体の原子配列の違いを識別することはできなか
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の表面
原子配列観察法における上記の欠点を改善するために提
案されたもので、その目的は、実空間分布観察が可能
な、荷電ビームを用いた表面原子配列観察法を提供する
ことにある。
原子配列観察法における上記の欠点を改善するために提
案されたもので、その目的は、実空間分布観察が可能
な、荷電ビームを用いた表面原子配列観察法を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、荷電ビームを細く収束して試料表面を走
査し、その際に表面から二次的に発生する二次電子、オ
ージェ電子、散乱粒子あるいはスパッタ粒子等の二次粒
子のうち特定の方向に放出されるもののみを選択的に検
出し、試料表面の原子配列を反映した走査像を得ること
を特徴とする表面原子配列観察法を要旨とするものであ
る。
め、本発明は、荷電ビームを細く収束して試料表面を走
査し、その際に表面から二次的に発生する二次電子、オ
ージェ電子、散乱粒子あるいはスパッタ粒子等の二次粒
子のうち特定の方向に放出されるもののみを選択的に検
出し、試料表面の原子配列を反映した走査像を得ること
を特徴とする表面原子配列観察法を要旨とするものであ
る。
【０００８】
【作用】表面原子配列を反映した走査像を得る原理は、
荷電ビーム照射に伴い表面から二次的に発生するオージ
ェ電子や二次イオン等が結晶方位依存性、即ち、原子配
列依存性を持つことを利用したものである。
荷電ビーム照射に伴い表面から二次的に発生するオージ
ェ電子や二次イオン等が結晶方位依存性、即ち、原子配
列依存性を持つことを利用したものである。
【０００９】結晶面から放出される粒子の強度が、結晶
構造に依存すること自体は、例えば、二次イオン（G.Sl
odzian,"SOME PROBLEM ENCOUNTERED IN SECONDARY ION
EMISSION APPLIED TO ELEMENTARY ANALYSIS", Surface
Science, 48(1975)161）やオージェ電子（D.G.Frank,N.
Batiina,J.W.McCargar and A.T.Hubbard、"Direct Imagi
ng of Surface Atomic Structure by angular Distribu
tion Auger Microscopy: The Bare Pt(111) Surface",
Langmuir 5 (1989) 1141.）についての報告があるよう
に、放出強度が結晶面の対称性を反映して変化すること
が知られている。
構造に依存すること自体は、例えば、二次イオン（G.Sl
odzian,"SOME PROBLEM ENCOUNTERED IN SECONDARY ION
EMISSION APPLIED TO ELEMENTARY ANALYSIS", Surface
Science, 48(1975)161）やオージェ電子（D.G.Frank,N.
Batiina,J.W.McCargar and A.T.Hubbard、"Direct Imagi
ng of Surface Atomic Structure by angular Distribu
tion Auger Microscopy: The Bare Pt(111) Surface",
Langmuir 5 (1989) 1141.）についての報告があるよう
に、放出強度が結晶面の対称性を反映して変化すること
が知られている。
【００１０】しかしながら、これらは、バルクとしての
結晶構造の対称性を反映した結果を示したにすぎず、単
結晶の表面再配列層に関する知見は全くなく、単結晶表
面の再配列層から放出される二次粒子がその原子配列に
依存することは、本発明者らによって初めて見いだされ
たものである。即ち、本発明者らは、表面１〜３層だけ
がバルク結晶とは異なる原子配列をとる表面再配列層か
らの二次イオンやオージェ電子の放出強度・放出方向
が、その原子配列に依存して変化することを見いだし、
これを基に本発明の表面原子配列観察法の発明に至った
わけである。
結晶構造の対称性を反映した結果を示したにすぎず、単
結晶の表面再配列層に関する知見は全くなく、単結晶表
面の再配列層から放出される二次粒子がその原子配列に
依存することは、本発明者らによって初めて見いだされ
たものである。即ち、本発明者らは、表面１〜３層だけ
がバルク結晶とは異なる原子配列をとる表面再配列層か
らの二次イオンやオージェ電子の放出強度・放出方向
が、その原子配列に依存して変化することを見いだし、
これを基に本発明の表面原子配列観察法の発明に至った
わけである。
【００１１】本発明においては、例えば表面に原子配列
の異なる複数の領域が混在する場合（例えば、Ｓｉ（１
００）面のｌ×２領域と２×１領域）、各々の領域から
特定方向に放出される二次イオンやオージェ電子の強度
が僅かに異なることを利用し、表面原子配列を反映した
走査像を得ることが可能となる。
の異なる複数の領域が混在する場合（例えば、Ｓｉ（１
００）面のｌ×２領域と２×１領域）、各々の領域から
特定方向に放出される二次イオンやオージェ電子の強度
が僅かに異なることを利用し、表面原子配列を反映した
走査像を得ることが可能となる。
【００１２】即ち、ある特定の原子配列の表面から放出
された二次粒子の強度は、検出する方向により異なるた
め、例えばマスク等の角度制限手段を用いて検出器に入
射する方向を定め、微少径（好ましくは、最小の同一原
子配列領域の面積より小さい面積のビーム径）の荷電ビ
ームで表面を走査することにより、表面上の異なる原子
配列の分布を観察することができる。ここで、放出粒子
を検出する特定方向は、試料表面の異なる原子配列の領
域から放出される粒子強度のコントラストが大きくなる
ように選べば良い。
された二次粒子の強度は、検出する方向により異なるた
め、例えばマスク等の角度制限手段を用いて検出器に入
射する方向を定め、微少径（好ましくは、最小の同一原
子配列領域の面積より小さい面積のビーム径）の荷電ビ
ームで表面を走査することにより、表面上の異なる原子
配列の分布を観察することができる。ここで、放出粒子
を検出する特定方向は、試料表面の異なる原子配列の領
域から放出される粒子強度のコントラストが大きくなる
ように選べば良い。
【００１３】また、本発明では、放出粒子のエネルギー
分析あるいは質量分析を同時に行うことにより、表面原
子配列の分布観察のみならず元素の分布観察あるいは原
子配列解析も同時に行うことが可能となる。
分析あるいは質量分析を同時に行うことにより、表面原
子配列の分布観察のみならず元素の分布観察あるいは原
子配列解析も同時に行うことが可能となる。
【００１４】
（実施例ｌ）図１に本発明の第ｌの実施例における表面
原子配列観察法の手順を示す。
原子配列観察法の手順を示す。
【００１５】荷電ビーム（電子ビームまたはイオンビー
ム）を細く（例えば直径５０ｎｍ以下）収束し、この荷
電ビームで試料表面上の所望の領域を走査する。これに
よって試料表面から放出される二次電子のうち、角度制
限手段を用いて特定の方向に放出される二次電子を選択
的に検出する。そして、荷電ビームの走査に同期させて
二次電子強度をＣＲＴ等の表示手段上に表示することに
より走査像を得る。
ム）を細く（例えば直径５０ｎｍ以下）収束し、この荷
電ビームで試料表面上の所望の領域を走査する。これに
よって試料表面から放出される二次電子のうち、角度制
限手段を用いて特定の方向に放出される二次電子を選択
的に検出する。そして、荷電ビームの走査に同期させて
二次電子強度をＣＲＴ等の表示手段上に表示することに
より走査像を得る。
【００１６】この時、走査像が表面原子配列分布を反映
したものになる理由を以下に説明する。二次電子の放出
方向は完全には等方的ではなく、原子配列の異方性を反
映した空間分布を持つ。この様子を２回対称性を持つＳ
ｉ（１００）面のｌ×２構造を例に図２を用いて説明す
る。
したものになる理由を以下に説明する。二次電子の放出
方向は完全には等方的ではなく、原子配列の異方性を反
映した空間分布を持つ。この様子を２回対称性を持つＳ
ｉ（１００）面のｌ×２構造を例に図２を用いて説明す
る。
【００１７】ｌ×２構造の原子配列を横から眺めると、
図中でＡ方向と示した方向と、これに垂直なＢ方向では
原子配列が異なる。このため、二次電子の放出強度にも
Ａ方向とＢ方向との間で僅かな差が生じる。従って、放
出される二次電子の全部ではなく、ある制限された方位
角内にのみ放出されるものを検出すると、二次電子強度
は原子配列と同じ２回対称性を持つ。この二次電子の放
出強度の２回対称性における山と谷の強度差は、表面に
垂直な方向の二次電子まで検出するよりも、表面に対し
て低角に放出される二次電子だけを検出した方が大きく
なる。
図中でＡ方向と示した方向と、これに垂直なＢ方向では
原子配列が異なる。このため、二次電子の放出強度にも
Ａ方向とＢ方向との間で僅かな差が生じる。従って、放
出される二次電子の全部ではなく、ある制限された方位
角内にのみ放出されるものを検出すると、二次電子強度
は原子配列と同じ２回対称性を持つ。この二次電子の放
出強度の２回対称性における山と谷の強度差は、表面に
垂直な方向の二次電子まで検出するよりも、表面に対し
て低角に放出される二次電子だけを検出した方が大きく
なる。
【００１８】いま、図３（１）に示すように、図２の原
子配列のＡ方向の向きが９０゜異なる二つの領域が共存
している場合を考える（Ｓｉ（１００）面ではｌ×２領
域と２×１領域に対応する）。これを図中ａ方向に放出
される二次電子を選択的に検出すると、図３（２）に示
すように、それぞれの原子配列の領域の分布を反映した
像を得ることができる。
子配列のＡ方向の向きが９０゜異なる二つの領域が共存
している場合を考える（Ｓｉ（１００）面ではｌ×２領
域と２×１領域に対応する）。これを図中ａ方向に放出
される二次電子を選択的に検出すると、図３（２）に示
すように、それぞれの原子配列の領域の分布を反映した
像を得ることができる。
【００１９】図４にＳｉ（１００）面の観察に本方法を
適用した結果を示す。よく知られているようにＳｉ（ｌ
００）面には１×２領域と２×ｌ領域とが共存してい
る。２５ｋｅＶの電子ビームを表面に垂直に入射し、検
出器を試料の真横に置いて二次電子を検出した。検出器
を試料の真横に置くことにより、検出器に向かって放出
される二次電子の捕獲効率を他の方向に放出される二次
電子に比べて大きくすることができる。
適用した結果を示す。よく知られているようにＳｉ（ｌ
００）面には１×２領域と２×ｌ領域とが共存してい
る。２５ｋｅＶの電子ビームを表面に垂直に入射し、検
出器を試料の真横に置いて二次電子を検出した。検出器
を試料の真横に置くことにより、検出器に向かって放出
される二次電子の捕獲効率を他の方向に放出される二次
電子に比べて大きくすることができる。
【００２０】この結果、図４に示すように、ｌ×２領域
と２×１領域とで二次電子強度に差が生じ、両者の分布
を反映した走査像を得ることができた。
と２×１領域とで二次電子強度に差が生じ、両者の分布
を反映した走査像を得ることができた。
【００２１】（実施例２）図５に、本発明の第２の実施
例における表面原子配列観察法の手順を示す。
例における表面原子配列観察法の手順を示す。
【００２２】荷電ビーム（電子ビームまたはイオンビー
ム）を細く（例えば直径５０ｎｍ以下）収束し、この荷
電ビームで試料表面上の所望の領域を走査する。これに
よって試料表面から放出されるオージェ電子のうち、角
度制限手段を用いて特定の方向に放出されるオージェ電
子を選択的に取り込み、かつエネルギ分析手段によって
特定のエネルギのオージェ電子を検出する。そして、荷
電ビームの走査に同期させてオージェ電子強度をＣＲＴ
等の表示手段上に表示することにより走査像を得る。
ム）を細く（例えば直径５０ｎｍ以下）収束し、この荷
電ビームで試料表面上の所望の領域を走査する。これに
よって試料表面から放出されるオージェ電子のうち、角
度制限手段を用いて特定の方向に放出されるオージェ電
子を選択的に取り込み、かつエネルギ分析手段によって
特定のエネルギのオージェ電子を検出する。そして、荷
電ビームの走査に同期させてオージェ電子強度をＣＲＴ
等の表示手段上に表示することにより走査像を得る。
【００２３】本実施例ではオージェ電子分光による表面
元素の空間分布の観察と、原子配列分布観察を同時に行
えるという利点がある。
元素の空間分布の観察と、原子配列分布観察を同時に行
えるという利点がある。
【００２４】（実施例３）図６に、本発明の第３の実施
例における表面原子配列観察法の手順を示す。
例における表面原子配列観察法の手順を示す。
【００２５】イオンビームを細く（例えば直径５０ｎｍ
以下）収束し、このイオンビームで試料表面上の所望の
領域を走査する。これによってイオンビーム自身が試料
表面から散乱されて発生する散乱イオン、あるいはイオ
ンビームが中性化して散乱された中性粒子（両者を併せ
て散乱粒子と呼ぶ）のうち、角度制限手段を用いて特定
の方向に散乱される散乱粒子を選択的に取り込み、取り
込んだ散乱粒子の全部あるいはエネルギ分析手段によっ
て分別した特定のエネルギの散乱粒子を検出する。
以下）収束し、このイオンビームで試料表面上の所望の
領域を走査する。これによってイオンビーム自身が試料
表面から散乱されて発生する散乱イオン、あるいはイオ
ンビームが中性化して散乱された中性粒子（両者を併せ
て散乱粒子と呼ぶ）のうち、角度制限手段を用いて特定
の方向に散乱される散乱粒子を選択的に取り込み、取り
込んだ散乱粒子の全部あるいはエネルギ分析手段によっ
て分別した特定のエネルギの散乱粒子を検出する。
【００２６】そして、イオンビームの走査に同期させて
散乱粒子強度をＣＲＴ等の表示手段上に表示することに
より走査像を得る。
散乱粒子強度をＣＲＴ等の表示手段上に表示することに
より走査像を得る。
【００２７】本実施例ではイオン散乱分光による原子配
列解析と原子配列分布の空間分布観察を組み合わせるこ
とができる。
列解析と原子配列分布の空間分布観察を組み合わせるこ
とができる。
【００２８】（実施例４）図７に、本発明の第４の実施
例における表面原子配列観察法の手順を示す。イオンビ
ームを細く（例えば直径５０ｎｍ以下）収束し、このイ
オンビームで試料表面上の所望の領域を走査する。これ
によって試料表面原子がスパッタされて発生する二次イ
オンあるいは中性スパッタ粒子（両者を併せてスパッタ
粒子と呼ぶ）のうち、角度制限手段を用いて特定の方向
に放出されるスパツタ粒子を選択的に取り込み、取り込
んだスパッタ粒子の全部あるいは質量分析手段によって
分別した特定の質量のスパッタ粒子を検出する。そし
て、イオンビームの走査に同期させてスパツタ粒子強度
をＣＲＴ等の表示手段に表示することにより走査像を得
る。
例における表面原子配列観察法の手順を示す。イオンビ
ームを細く（例えば直径５０ｎｍ以下）収束し、このイ
オンビームで試料表面上の所望の領域を走査する。これ
によって試料表面原子がスパッタされて発生する二次イ
オンあるいは中性スパッタ粒子（両者を併せてスパッタ
粒子と呼ぶ）のうち、角度制限手段を用いて特定の方向
に放出されるスパツタ粒子を選択的に取り込み、取り込
んだスパッタ粒子の全部あるいは質量分析手段によって
分別した特定の質量のスパッタ粒子を検出する。そし
て、イオンビームの走査に同期させてスパツタ粒子強度
をＣＲＴ等の表示手段に表示することにより走査像を得
る。
【００２９】本実施例では二次イオン質重分析あるいは
二次中性粒子質量分析による元素分布観察と原子配列分
布観察を同時に行うことができる。
二次中性粒子質量分析による元素分布観察と原子配列分
布観察を同時に行うことができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明により、即ち、荷電ビームを細く
収束して試料表面を走査し、その際に表面から二次的に
発生する二次電子やオージェ電子等の二次粒子のうち特
定の方向に放出されるもののみを選択的に検出して走査
像を得ることにより、従来は困難であった荷電ビームを
用いた表面原子配列の実空間分布観察が容易になる。
収束して試料表面を走査し、その際に表面から二次的に
発生する二次電子やオージェ電子等の二次粒子のうち特
定の方向に放出されるもののみを選択的に検出して走査
像を得ることにより、従来は困難であった荷電ビームを
用いた表面原子配列の実空間分布観察が容易になる。
【００３１】しかも、表面原子配列の分布観察と同時
に、構成元素の分布観察あるいは原子配列解析も同時に
行うことが可能となる。
に、構成元素の分布観察あるいは原子配列解析も同時に
行うことが可能となる。
【００３２】従って、本発明の表面原子配列観察法は、
結晶材料の表面構造の研究に多大な進歩をもたらし、材
料開発及び素子開発に大きく貢献することは疑う余地の
ないところである。
結晶材料の表面構造の研究に多大な進歩をもたらし、材
料開発及び素子開発に大きく貢献することは疑う余地の
ないところである。
【図１】本発明の第一の実施例における表面原子配列観
察法の工程図。
察法の工程図。
【図２】Ｓｉ（１００）面の１×２構造の原子配列の異
方性を説明する図。
方性を説明する図。
【図３】２種類の原子配列が混在する場合の二次電子像
を説明する図。
を説明する図。
【図４】本発明の第ｌの実施例によるＳｉ（１００）面
の１×２領域と２×１領域の観察結果を示す写真。
の１×２領域と２×１領域の観察結果を示す写真。
【図５】本発明の第２の実施例における表面原子配列観
察法を説明する図。
察法を説明する図。
【図６】本発明の第３の実施例における表面原子配列観
察法を説明する図。
察法を説明する図。
【図７】本発明の第４の実施例における表面原子配列観
察法を説明する図。
察法を説明する図。
Claims (4)
- 【請求項１】 荷電ビームを細く収束して試料表面を走
査し、その際に発生する二次電子のうち特定の方向に放
出される二次電子のみを選択的に検出手段に取り込み、
該検出手段からの信号を前記荷電ビームの走査と同期さ
せて表示することにより試料表面の原子配列を反映した
走査像を得ることを特徴とする表面原子配列観察法。 - 【請求項２】 荷電ビームを細く収束して試料表面を走
査し、その際に発生するオージェ電子のうち特定の方向
に放出されるオージェ電子のみを選択的に検出手段に取
り込み、該検出手段からの信号を前記荷電ビームの走査
と同期させて表示することにより試料表面の原子配列を
反映した走査像を得ることを特徴とする表面原子配列観
察法。 - 【請求項３】 イオンビームを細く収束して試料表面を
走査し、その際に前記イオンビームが散乱されて発生す
る散乱粒子のうち特定の方向に放出される散乱粒子のみ
を選択的に検出手段に取り込み、該検出手段からの信号
を前記イオンビームの走査と同期させて表示することに
より試料表面の原子配列を反映した走査像を得ることを
特徴とする表面原子配列観察法。 - 【請求項４】 イオンビームを細く収束して試料表面を
走査し、その際に前記イオンビームによって試料構成原
子がスパッタされて発生するスパツタ粒子のうち特定の
方向に放出されるスパツタ粒子のみを選択的に検出手段
に取り込み、該検出手段からの信号を前記イオンビーム
の走査と同期させて表示することにより試料表面の原子
配列を反映した走査像を得ることを特徴とする表面原子
配列観察法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091927A JPH05264485A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 表面原子配列観察法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091927A JPH05264485A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 表面原子配列観察法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05264485A true JPH05264485A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=14040221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4091927A Pending JPH05264485A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 表面原子配列観察法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05264485A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011529622A (ja) * | 2008-07-31 | 2011-12-08 | ケーマック | 中エネルギーイオンビーム散乱を用いた分光分析器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0192649A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-11 | Nippon Steel Corp | 微細異相の分析方法 |
| JPH0443541A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 表面分析装置および表面分析方法 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP4091927A patent/JPH05264485A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0192649A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-11 | Nippon Steel Corp | 微細異相の分析方法 |
| JPH0443541A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 表面分析装置および表面分析方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011529622A (ja) * | 2008-07-31 | 2011-12-08 | ケーマック | 中エネルギーイオンビーム散乱を用いた分光分析器 |
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