JPH0526539B2 - - Google Patents
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- JPH0526539B2 JPH0526539B2 JP59088582A JP8858284A JPH0526539B2 JP H0526539 B2 JPH0526539 B2 JP H0526539B2 JP 59088582 A JP59088582 A JP 59088582A JP 8858284 A JP8858284 A JP 8858284A JP H0526539 B2 JPH0526539 B2 JP H0526539B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J33/00—Discharge tubes with provision for emergence of electrons or ions from the vessel; Lenard tubes
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Apparatus For Disinfection Or Sterilisation (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は可調整強度分布を有する電子流生成方
法及び装置に関し、チヤンバ内に配置された細長
いフイラメントからフイラメントを包囲する空間
に自由電子が発生され電子は前記空間を画定する
電極構造により前記空間内で加速され、加速電子
からなる電子流がチヤンバから電子を透過する壁
内の窓を通つて外へ向けられる。
法及び装置に関し、チヤンバ内に配置された細長
いフイラメントからフイラメントを包囲する空間
に自由電子が発生され電子は前記空間を画定する
電極構造により前記空間内で加速され、加速電子
からなる電子流がチヤンバから電子を透過する壁
内の窓を通つて外へ向けられる。
ある化学反応を起す目的で電子放射を向けるこ
とにより材料の表面を処理することができる。考
えられるこのような反応として室温におけるフイ
ルムの架橋もしくは重合及び表面コーテイングも
しくは積層の硬化をあげることができ、電子放射
はさらに例えば包装の滅菌にも適切である。
とにより材料の表面を処理することができる。考
えられるこのような反応として室温におけるフイ
ルムの架橋もしくは重合及び表面コーテイングも
しくは積層の硬化をあげることができ、電子放射
はさらに例えば包装の滅菌にも適切である。
広大な材料面を照射する場合集束電子ビームを
使用することが従来技術で知られている。しかし
ながらこの手順では表面の異なる部分を同時に照
射することは不可能であり、この手順は電子ビー
ムが被照射面上を掃引することを意味しておりそ
れはすなわち必要な装置が比較的複雑となること
を意味している。
使用することが従来技術で知られている。しかし
ながらこの手順では表面の異なる部分を同時に照
射することは不可能であり、この手順は電子ビー
ムが被照射面上を掃引することを意味しておりそ
れはすなわち必要な装置が比較的複雑となること
を意味している。
平面電子流を使つて照射を行うことも知られて
おり、その場合の装置は実質的により単純とな
る。電子源として真空室内に配置された線状白熱
フイラメントを使用して電子流が発生され、そこ
から離れた電子は高電圧により加速されて真空室
の壁に設けた電子に対して透明な窓を通つて真空
室の外へ向けられる。しかしながらこの手順は白
熱フイラメントの特性がフイラメントに沿つた異
なる点で幾分変動するため電子流の幅方向におい
て非均一な強度分布を有する電子流が生じるとい
う因難な問題をかかえている。
おり、その場合の装置は実質的により単純とな
る。電子源として真空室内に配置された線状白熱
フイラメントを使用して電子流が発生され、そこ
から離れた電子は高電圧により加速されて真空室
の壁に設けた電子に対して透明な窓を通つて真空
室の外へ向けられる。しかしながらこの手順は白
熱フイラメントの特性がフイラメントに沿つた異
なる点で幾分変動するため電子流の幅方向におい
て非均一な強度分布を有する電子流が生じるとい
う因難な問題をかかえている。
従来技術の問題解決に関する前記欠点を解消し
て電子流の幅方向の強度分布が均一な電子流もし
くは前記分布を所望するように調整可能な電子流
を生成できる手順を考案するのが本発明の目的で
ある。本発明の手順は電子流の強度分布の調整を
細長い軟磁性体及び並べられた磁石からなる一列
の磁石を使用して行うことを特徴とし、両者の一
方はチヤンバ窓の方向から見てフイラメントの後
方でフイラメントと実質的に平行とされており、
他方はチヤンバ窓の外側で電子流の前に配置され
ており、従つて磁石による調整は電極構造内の電
子の吸収に基いておりそれは磁界強度に依存す
る。
て電子流の幅方向の強度分布が均一な電子流もし
くは前記分布を所望するように調整可能な電子流
を生成できる手順を考案するのが本発明の目的で
ある。本発明の手順は電子流の強度分布の調整を
細長い軟磁性体及び並べられた磁石からなる一列
の磁石を使用して行うことを特徴とし、両者の一
方はチヤンバ窓の方向から見てフイラメントの後
方でフイラメントと実質的に平行とされており、
他方はチヤンバ窓の外側で電子流の前に配置され
ており、従つて磁石による調整は電極構造内の電
子の吸収に基いておりそれは磁界強度に依存す
る。
本発明の手順は本質的に前記軟磁性体と横に並
べた磁石からなる一列の磁石との間に磁界を発生
することに基いている。磁界はフイラメントから
放出されらせん状径路を移動する電子を捕捉し、
これらの径路の半径は磁界強度に依存する。この
場合電子は電子を加速する電界に入る前に電極構
造により形成される空間の壁により吸収され、こ
のように吸収される電子数は磁界により制御する
ことができる。
べた磁石からなる一列の磁石との間に磁界を発生
することに基いている。磁界はフイラメントから
放出されらせん状径路を移動する電子を捕捉し、
これらの径路の半径は磁界強度に依存する。この
場合電子は電子を加速する電界に入る前に電極構
造により形成される空間の壁により吸収され、こ
のように吸収される電子数は磁界により制御する
ことができる。
本発明の手順によりもう一つの利点が得られそ
れは電子流が窓へ案内され磁界の磁界線に従つて
電子を通すことができ、漂遊放射や窓の縁に衝突
する電子により生じる加熱問題が軽減される。
れは電子流が窓へ案内され磁界の磁界線に従つて
電子を通すことができ、漂遊放射や窓の縁に衝突
する電子により生じる加熱問題が軽減される。
生成される電子流の強度分布を電子流の幅方向
で調整するために、装置のさまざまな点で磁界強
度を変えることができる。このため軟磁性体から
の各磁石の距離を個々に調整するか、もしくは替
りに各々の強度を個々に制御可能な電磁石を使用
することができる。いずれの場合にも磁界強度を
調整して電子放出フイラメントの方向において電
界に進入できる電子数を調整して電子流の所望の
強度分布を得ることができる。
で調整するために、装置のさまざまな点で磁界強
度を変えることができる。このため軟磁性体から
の各磁石の距離を個々に調整するか、もしくは替
りに各々の強度を個々に制御可能な電磁石を使用
することができる。いずれの場合にも磁界強度を
調整して電子放出フイラメントの方向において電
界に進入できる電子数を調整して電子流の所望の
強度分布を得ることができる。
本発明はさらに前記手順により可調整強度分布
を有する電子流生成装置にも関連している。本装
置は細長い電子放出フイラメントと、前記フイラ
メントを包囲し電子を加速する空間を画定する電
極構造と、フイラメント及び電極構造が配置され
壁に電子を通す窓を有しその中へ電子流を向ける
ことができるチヤンバとを具備しており、電子流
の強度分布を調整する部材として細長い軟磁性体
と横に並べられた磁石からなる一列の磁石とを具
備し、両者の一方はフイラメントに実質的に平行
にチヤンバ窓の方向から見てフイラメントの後方
に配置されており他方はチヤンバ窓の外側で電子
流の前に配置されており、従つて磁石により達成
される調整の基本は磁界強度に依存する電極構造
内におけるフイラメントから放出される電子の吸
収であることを特徴としている。
を有する電子流生成装置にも関連している。本装
置は細長い電子放出フイラメントと、前記フイラ
メントを包囲し電子を加速する空間を画定する電
極構造と、フイラメント及び電極構造が配置され
壁に電子を通す窓を有しその中へ電子流を向ける
ことができるチヤンバとを具備しており、電子流
の強度分布を調整する部材として細長い軟磁性体
と横に並べられた磁石からなる一列の磁石とを具
備し、両者の一方はフイラメントに実質的に平行
にチヤンバ窓の方向から見てフイラメントの後方
に配置されており他方はチヤンバ窓の外側で電子
流の前に配置されており、従つて磁石により達成
される調整の基本は磁界強度に依存する電極構造
内におけるフイラメントから放出される電子の吸
収であることを特徴としている。
図に本発明の実施例に従つた可調整強度分布を
有する電子流生成装置を示し、それは鋼製円筒型
真空室１と、前記真空室の軸に平行なフイラメン
ト２と前記フイラメントを包囲し電極構造を構成
する鋼製の細長いシエル３を具備している。真空
室１の壁には真空室の軸に平行で電子を通す窓４
が設けられており、それはチタン製でありその中
へ本装置により生成される電子流を向けることが
できる。電子流は図において矢印５で示されてい
る。フイラメント２を包囲するシエル３は前記シ
エルにより形成される細長い凹み６内にフイラメ
ントが配置されるような形状とされており、この
凹みは真空室の壁の窓４に向つて開いている。前
記凹み６の両縁において前記シエル３は加速電極
７を構成するような形状とされており、従つて電
子流が窓４へ向つてそれを通り抜ける時に電極は
フイラメント２から放出され両加速電極７間の電
界に入つた電子を加速して窓の前を運ばれる被照
射フイルムウエブ８に衝突させる。
有する電子流生成装置を示し、それは鋼製円筒型
真空室１と、前記真空室の軸に平行なフイラメン
ト２と前記フイラメントを包囲し電極構造を構成
する鋼製の細長いシエル３を具備している。真空
室１の壁には真空室の軸に平行で電子を通す窓４
が設けられており、それはチタン製でありその中
へ本装置により生成される電子流を向けることが
できる。電子流は図において矢印５で示されてい
る。フイラメント２を包囲するシエル３は前記シ
エルにより形成される細長い凹み６内にフイラメ
ントが配置されるような形状とされており、この
凹みは真空室の壁の窓４に向つて開いている。前
記凹み６の両縁において前記シエル３は加速電極
７を構成するような形状とされており、従つて電
子流が窓４へ向つてそれを通り抜ける時に電極は
フイラメント２から放出され両加速電極７間の電
界に入つた電子を加速して窓の前を運ばれる被照
射フイルムウエブ８に衝突させる。
本装置から生成される電子流カーテン５の強度
を調整するために、シエル３内で真空室窓４の方
向から見てフイラメント２の後方に、フイラメン
トと平行で好ましくは鉄である強磁性材からなる
物体が配置されている。窓４の外で電子流５の前
にはさらに一列の磁石１０が横に並べられてお
り、従つて強磁性材体９と一列の磁石との間に磁
界を生成することができる。磁界強度を調整する
ために、電子放出フイラメント２からの各磁石１
０の距離を独立に調整することができ、第１図で
は１個の磁石が他の磁石よりもフイラメントから
幾分遠くへ配置されている。替りに磁界強度の調
整は磁石１０の磁化電流を調整して行うことがで
きる。
を調整するために、シエル３内で真空室窓４の方
向から見てフイラメント２の後方に、フイラメン
トと平行で好ましくは鉄である強磁性材からなる
物体が配置されている。窓４の外で電子流５の前
にはさらに一列の磁石１０が横に並べられてお
り、従つて強磁性材体９と一列の磁石との間に磁
界を生成することができる。磁界強度を調整する
ために、電子放出フイラメント２からの各磁石１
０の距離を独立に調整することができ、第１図で
は１個の磁石が他の磁石よりもフイラメントから
幾分遠くへ配置されている。替りに磁界強度の調
整は磁石１０の磁化電流を調整して行うことがで
きる。
前記装置による電子流カーテン５の発生はシエ
ル３に真空室１の壁に関して数100KVの負電圧
を加え、強磁性体９と磁石１０間に磁界を確立し
て行われる。次にフイラメント２から放出された
電子はらせん状径路に沿つて凹み６内に押進さ
れ、その一部は凹みの壁に吸収されまた一部は加
速電極７間の電界に進入する。フイラメント２か
ら放出される電子数と吸収される電子数との比は
本装置のさまざまな点に作用する磁界強度に依存
する。加速電極７は電界に進入した電子を電子流
５の形で真空室壁１内の窓４に向つて加速し、そ
れは窓を通過した後窓と磁石１０の間を運ばれる
被照射フイルムウエブ８に衝突する。真空室１の
壁は硬磁性材で出来ているため、磁界は窓４上へ
の電子流５の集束を促進し本装置の適切な機能と
干渉する漂遊放射はたとえあつても僅かとなる。
ル３に真空室１の壁に関して数100KVの負電圧
を加え、強磁性体９と磁石１０間に磁界を確立し
て行われる。次にフイラメント２から放出された
電子はらせん状径路に沿つて凹み６内に押進さ
れ、その一部は凹みの壁に吸収されまた一部は加
速電極７間の電界に進入する。フイラメント２か
ら放出される電子数と吸収される電子数との比は
本装置のさまざまな点に作用する磁界強度に依存
する。加速電極７は電界に進入した電子を電子流
５の形で真空室壁１内の窓４に向つて加速し、そ
れは窓を通過した後窓と磁石１０の間を運ばれる
被照射フイルムウエブ８に衝突する。真空室１の
壁は硬磁性材で出来ているため、磁界は窓４上へ
の電子流５の集束を促進し本装置の適切な機能と
干渉する漂遊放射はたとえあつても僅かとなる。
第１図において１個の磁石１０は他の磁石より
もフイラメントから離されており、これは磁界線
密度がこの点で低減され電子は大きな半径のらせ
ん状径路に沿つて凹み６内に押進されることを意
味する。その結果電極構造３の壁による電子の吸
収が増大し、この点における電子流の強度が他の
点に較べて低下する。
もフイラメントから離されており、これは磁界線
密度がこの点で低減され電子は大きな半径のらせ
ん状径路に沿つて凹み６内に押進されることを意
味する。その結果電極構造３の壁による電子の吸
収が増大し、この点における電子流の強度が他の
点に較べて低下する。
本技術に習熟した人であれば本発明は前記実施
例に限定されず特許請求の範囲内で変えられるこ
とをお判りいただけることと思う。
例に限定されず特許請求の範囲内で変えられるこ
とをお判りいただけることと思う。
第１図は本発明に従つて電子流を生成する装置
及び電子を照射するフイルムウエブを装置の一側
面から見た一部断面図、第２図は第１図の断面
−図である。 符号の説明、１…真空室、２…フイラメント、
３…鋼製シエル、７…加速電極、８…フイルムウ
エブ、９…硬磁性材体、１０…磁石。
及び電子を照射するフイルムウエブを装置の一側
面から見た一部断面図、第２図は第１図の断面
−図である。 符号の説明、１…真空室、２…フイラメント、
３…鋼製シエル、７…加速電極、８…フイルムウ
エブ、９…硬磁性材体、１０…磁石。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チヤンバ１内に配置された細長いフイラメン
ト２により前記フイラメントを包囲する空間６に
自由電子を生成し前記電子は前記空間において前
記空間を画定する電極構造３により加速され、加
速電子からなる電子流を前記チヤンバの壁にある
電子を透過する窓４を通つて外へ向ける可調整強
度分布を有する電子流生成方法において、前記電
子流５の強度分布の調整は細長い軟磁性材体９と
横に並べられた磁石１０からなる一列の磁石を使
用して行われ、両者の一方はフイラメント２と実
質的に平行にチヤンバ１の窓４の方向から見てフ
イラメントの後方に配置されており、他方はチヤ
ンバの窓の外側で電子流の前に配置されており、
磁石により行われる調整の基本は磁界強度に依存
する電極構造３内における電子の吸収であること
を特徴とする電子流生成方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
前記調整は磁石列内の異なる磁石１０と軟磁性材
体９間の距離を調整して行われることを特徴とす
る電子流生成方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
前記磁石１０として電磁石が使用されており前記
調整は磁石列内の異なる磁石の電流強度を調整し
て行われることを特徴とする電子流生成方法。 ４ 可調整強度分布を有する電子流５を生成する
装置において、該装置は細長い電子放出フイラメ
ント２と、空間６を包囲して電子を加速する電極
構造３と、前記フイラメント及び電極構造が配置
されその壁に電子を透過し電子流を向けることが
できる窓４を有するチヤンバ１とを具備し、前記
装置は電子流５の強度分布を調整する部材として
細長い軟磁性材体９と横に並べられた磁石１０か
らなる一列の磁石とを具備し、両者の一方はフイ
ラメント２に平行にチヤンバ１の窓４から見てフ
イラメントの後方に配置され他方はチヤンバの窓
の外側で電子流の前に配置されており、磁石によ
り行われる調整の基本は磁界強度に依存する電極
構造３内におけるフイラメントから放出される電
子の吸収であることを特徴とする電子流生成装
置。 ５ 特許請求の範囲第４項記載の装置において、
磁石列内の各磁石の軟磁性材体９からの距離は独
立に調整できることを特徴とする電子流生成装
置。 ６ 特許請求の範囲第４項記載の装置において、
前記磁石１０は電磁石でありその各々の電流強度
を独立に調整できることを特徴とする電子流生成
装置。 ７ 特許請求の範囲第４項から第６項のいずれか
一項に記載の装置において、前記チヤンバの壁は
硬磁性材からなることを特徴とする電子流生成装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI831524A FI70347C (fi) | 1983-05-03 | 1983-05-03 | Foerfarande och anordning foer aostadkommande av en av intensitetfoerdelning justerbar elektronridao |
| FI831524 | 1983-05-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035447A JPS6035447A (ja) | 1985-02-23 |
| JPH0526539B2 true JPH0526539B2 (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=8517142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59088582A Granted JPS6035447A (ja) | 1983-05-03 | 1984-05-04 | 電子流生成方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4543487A (ja) |
| JP (1) | JPS6035447A (ja) |
| DE (1) | DE3416198A1 (ja) |
| FI (1) | FI70347C (ja) |
| GB (1) | GB2139416B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101463483B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2014-11-27 | 우영산업(주) | 원형 톱이 장착된 커팅 어셈블리의 중량 부여 타입 절삭 장치 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3529310A1 (de) * | 1985-08-16 | 1987-03-05 | Hoelter Heinz | Verfahren zur reinigung von be- und entlueftungsschaechten in wohn- und krankenhaeusern, schulen, altenheimen usw. |
| US4763005A (en) * | 1986-08-06 | 1988-08-09 | Schumer Steven E | Rotating field electron beam apparatus and method |
| FI84961C (fi) * | 1989-02-02 | 1992-02-10 | Tampella Oy Ab | Foerfarande foer alstrande av hoegeffektelektronridaoer med hoeg verkningsgrad. |
| US5329129A (en) * | 1991-03-13 | 1994-07-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electron shower apparatus including filament current control |
| DE4432984C2 (de) * | 1994-09-16 | 1996-08-14 | Messer Griesheim Schweistechni | Vorrichtung zum Bestrahlen von Oberflächen mit Elektronen |
| DE19844720A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen |
| WO2007107211A1 (de) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur eigenschaftsänderung dreidimensionaler formteile mittels elektronen |
| CN115529710B (zh) * | 2022-09-28 | 2024-02-20 | 中国原子能科学研究院 | 一种电子帘加速器 |
| CN116095937A (zh) * | 2023-02-20 | 2023-05-09 | 中广核达胜加速器技术有限公司 | 阴极部件及大束流帘式加速器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3013154A (en) * | 1958-11-14 | 1961-12-12 | High Voltage Engineering Corp | Method of and apparatus for irradiating matter with high energy electrons |
| US3144552A (en) * | 1960-08-24 | 1964-08-11 | Varian Associates | Apparatus for the iradiation of materials with a pulsed strip beam of electrons |
-
1983
- 1983-05-03 FI FI831524A patent/FI70347C/fi not_active IP Right Cessation
-
1984
- 1984-05-02 DE DE19843416198 patent/DE3416198A1/de active Granted
- 1984-05-03 GB GB08411346A patent/GB2139416B/en not_active Expired
- 1984-05-03 US US06/606,719 patent/US4543487A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-04 JP JP59088582A patent/JPS6035447A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101463483B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2014-11-27 | 우영산업(주) | 원형 톱이 장착된 커팅 어셈블리의 중량 부여 타입 절삭 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4543487A (en) | 1985-09-24 |
| GB8411346D0 (en) | 1984-06-06 |
| JPS6035447A (ja) | 1985-02-23 |
| FI831524A0 (fi) | 1983-05-03 |
| GB2139416B (en) | 1987-09-09 |
| FI831524L (fi) | 1984-11-04 |
| DE3416198A1 (de) | 1984-11-22 |
| FI70347C (fi) | 1986-09-15 |
| GB2139416A (en) | 1984-11-07 |
| DE3416198C2 (ja) | 1992-11-12 |
| FI70347B (fi) | 1986-02-28 |
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