JPH05267156A - 半導体製造方法及びそれを行なうためのアッシング装置 - Google Patents
半導体製造方法及びそれを行なうためのアッシング装置Info
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- JPH05267156A JPH05267156A JP4061750A JP6175092A JPH05267156A JP H05267156 A JPH05267156 A JP H05267156A JP 4061750 A JP4061750 A JP 4061750A JP 6175092 A JP6175092 A JP 6175092A JP H05267156 A JPH05267156 A JP H05267156A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】エッチング工程の後に、金属部分を腐食せず
に、素子に与えるダメージの少ないアッシング工程を行
なう半導体製造方法及びそれに用いるに適したアッシン
グ装置を提供すること。 【構成】基板上に設けられた金属膜を、金属膜上に設け
られたレジストのパターンをマスクとしてエッチングす
る工程と、基板を、レジストをアッシングするための部
所に、不活性ガス雰囲気中で搬送する工程と、オゾンを
用い、さらに必要なら紫外線照射し、レジストをアッシ
ングする工程とを有することを特徴とする半導体製造方
法。エッチング室３とアッシングするための処理室５、
５’との間を不活性ガス雰囲気下に基板を搬送するため
の搬送手段４を有するアッシング装置。
に、素子に与えるダメージの少ないアッシング工程を行
なう半導体製造方法及びそれに用いるに適したアッシン
グ装置を提供すること。 【構成】基板上に設けられた金属膜を、金属膜上に設け
られたレジストのパターンをマスクとしてエッチングす
る工程と、基板を、レジストをアッシングするための部
所に、不活性ガス雰囲気中で搬送する工程と、オゾンを
用い、さらに必要なら紫外線照射し、レジストをアッシ
ングする工程とを有することを特徴とする半導体製造方
法。エッチング室３とアッシングするための処理室５、
５’との間を不活性ガス雰囲気下に基板を搬送するため
の搬送手段４を有するアッシング装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジストのアッシング
工程を伴う半導体製造方法及びこれを行なうためのアッ
シング装置に関する。
工程を伴う半導体製造方法及びこれを行なうためのアッ
シング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造に際し、配線等
のために金属膜を設け、その上にレジストのパターンを
形成し、このパターンに金属膜をエッチングした後、試
料を真空中でプラズマ式のアッシング装置に搬送し、こ
の装置でレジストをアッシングすることが行なわれてい
た。一方、アッシング装置として、オゾンを利用し、大
気圧下で処理するアッシング装置やさらにこれに紫外線
照射を加えたアッシング装置が使用されつつある。これ
らのアッシング装置は、荷電粒子が存在せず、従って素
子がチャージアップや可動イオン汚染によるダメージを
受けることがほとんどない等の利点を有する。なお、こ
の種の装置に関連するものとして、日立評論 第７３巻
第９号（１９９１−９）第３７頁から第４２頁があ
る。
のために金属膜を設け、その上にレジストのパターンを
形成し、このパターンに金属膜をエッチングした後、試
料を真空中でプラズマ式のアッシング装置に搬送し、こ
の装置でレジストをアッシングすることが行なわれてい
た。一方、アッシング装置として、オゾンを利用し、大
気圧下で処理するアッシング装置やさらにこれに紫外線
照射を加えたアッシング装置が使用されつつある。これ
らのアッシング装置は、荷電粒子が存在せず、従って素
子がチャージアップや可動イオン汚染によるダメージを
受けることがほとんどない等の利点を有する。なお、こ
の種の装置に関連するものとして、日立評論 第７３巻
第９号（１９９１−９）第３７頁から第４２頁があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のエッチング
の後に、オゾン又はオゾンと紫外線を用いて大気圧下で
処理するアッシングを行なうには、エッチング装置の真
空を破り、試料を大気に開放し、大気圧下でアッシング
装置に移動させる必要がある。この際、エッチング後に
も残留している塩素等のエッチングガスが大気中の水分
を吸収し、塩酸等の腐食性の薬液となり、金属部分を腐
食するという問題が生じる。
の後に、オゾン又はオゾンと紫外線を用いて大気圧下で
処理するアッシングを行なうには、エッチング装置の真
空を破り、試料を大気に開放し、大気圧下でアッシング
装置に移動させる必要がある。この際、エッチング後に
も残留している塩素等のエッチングガスが大気中の水分
を吸収し、塩酸等の腐食性の薬液となり、金属部分を腐
食するという問題が生じる。
【０００４】本発明の第１の目的は、エッチング工程の
後に、金属部分を腐食することのない、また、素子にダ
メージを与えることの少ないアッシング工程を行なう半
導体製造方法を提供することにある。本発明の第２の目
的は、そのような半導体製造方法に用いるに適したアッ
シング装置を提供することにある。
後に、金属部分を腐食することのない、また、素子にダ
メージを与えることの少ないアッシング工程を行なう半
導体製造方法を提供することにある。本発明の第２の目
的は、そのような半導体製造方法に用いるに適したアッ
シング装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、
（１）基板上に設けられた金属膜を、該金属膜上に設け
られたレジストのパターンをマスクとしてエッチングす
る工程と、該基板を不活性ガス雰囲気中で、レジストを
アッシングするための部所に搬送する工程と、レジスト
をアッシングする工程とを有することを特徴とする半導
体製造方法、（２）上記１記載の半導体製造方法におい
て、上記レジストをアッシングする工程は、反応ガスと
してオゾンを使用して行なうことを特徴とする半導体製
造方法、（３）上記１記載の半導体製造方法において、
上記レジストをアッシングする工程は、反応ガスとして
オゾンを使用し、かつ紫外線を照射して行なうことを特
徴とする半導体製造方法、（４）上記３記載の半導体製
造方法において、上記紫外線は、少なくとも２５４ｎｍ
の波長を有する紫外線であることを特徴とする半導体製
造方法、（５）上記１から４のいずれか一に記載の半導
体製造方法において、上記レジストをアッシングする工
程は、さらに上記基板を加熱して行なうことを特徴とす
る半導体製造方法、（６）上記１から５のいずれか一に
記載の半導体製造方法において、上記レジストをアッシ
ングする工程は、上記不活性ガス雰囲気と隔てられた処
理室内で行なわれることを特徴とする半導体製造方法に
よって達成される。
（１）基板上に設けられた金属膜を、該金属膜上に設け
られたレジストのパターンをマスクとしてエッチングす
る工程と、該基板を不活性ガス雰囲気中で、レジストを
アッシングするための部所に搬送する工程と、レジスト
をアッシングする工程とを有することを特徴とする半導
体製造方法、（２）上記１記載の半導体製造方法におい
て、上記レジストをアッシングする工程は、反応ガスと
してオゾンを使用して行なうことを特徴とする半導体製
造方法、（３）上記１記載の半導体製造方法において、
上記レジストをアッシングする工程は、反応ガスとして
オゾンを使用し、かつ紫外線を照射して行なうことを特
徴とする半導体製造方法、（４）上記３記載の半導体製
造方法において、上記紫外線は、少なくとも２５４ｎｍ
の波長を有する紫外線であることを特徴とする半導体製
造方法、（５）上記１から４のいずれか一に記載の半導
体製造方法において、上記レジストをアッシングする工
程は、さらに上記基板を加熱して行なうことを特徴とす
る半導体製造方法、（６）上記１から５のいずれか一に
記載の半導体製造方法において、上記レジストをアッシ
ングする工程は、上記不活性ガス雰囲気と隔てられた処
理室内で行なわれることを特徴とする半導体製造方法に
よって達成される。
【０００６】上記第２の目的は、（７）真空容器よりな
るエッチング室、該エッチング室内に設けられたエッチ
ング手段、該エッチング室に不活性ガスを導入するため
の導入口、基板上に形成されたレジストをアッシングす
るための処理室、該基板を不活性ガス雰囲気下にエッチ
ング室から該処理室へ搬送するための搬送手段及び該処
理室に反応ガスを導入するための第２の導入口を有する
ことを特徴とするアッシング装置、（８）上記７記載の
アッシング装置において、上記第２の導入口は、オゾン
ガスを導入するための導入口であることを特徴とするア
ッシング装置、（９）上記７又は８記載のアッシング装
置において、上記処理室は、処理室内に紫外線が照射さ
れるための光源を有することを特徴とするアッシング装
置、（１０）上記７から９のいずれか一に記載のアッシ
ング装置において、上記処理室は、その周囲と隔てられ
た構造であることを特徴とするアッシング装置によって
達成される。
るエッチング室、該エッチング室内に設けられたエッチ
ング手段、該エッチング室に不活性ガスを導入するため
の導入口、基板上に形成されたレジストをアッシングす
るための処理室、該基板を不活性ガス雰囲気下にエッチ
ング室から該処理室へ搬送するための搬送手段及び該処
理室に反応ガスを導入するための第２の導入口を有する
ことを特徴とするアッシング装置、（８）上記７記載の
アッシング装置において、上記第２の導入口は、オゾン
ガスを導入するための導入口であることを特徴とするア
ッシング装置、（９）上記７又は８記載のアッシング装
置において、上記処理室は、処理室内に紫外線が照射さ
れるための光源を有することを特徴とするアッシング装
置、（１０）上記７から９のいずれか一に記載のアッシ
ング装置において、上記処理室は、その周囲と隔てられ
た構造であることを特徴とするアッシング装置によって
達成される。
【０００７】本発明において、不活性ガスとはアルゴン
等の希ガスの他に窒素ガスも含む広義の不活性ガスであ
る。アッシングのための反応ガスとしてはオゾンが好ま
しい。また、オゾンは通常は酸素等で希釈して用いられ
る。オゾンの他に、窒素ガス、水蒸気等の添加ガスを加
えて用いてもよい。
等の希ガスの他に窒素ガスも含む広義の不活性ガスであ
る。アッシングのための反応ガスとしてはオゾンが好ま
しい。また、オゾンは通常は酸素等で希釈して用いられ
る。オゾンの他に、窒素ガス、水蒸気等の添加ガスを加
えて用いてもよい。
【０００８】
【作用】エッチング工程の後、不活性ガス雰囲気でエッ
チング装置の真空を破り、不活性ガス雰囲気中でオゾン
又はオゾンと紫外線を用いたアッシング装置に試料を搬
送することにより、試料が水分に接触しないため、腐食
性薬液が生成せず、金属を腐食することがない。
チング装置の真空を破り、不活性ガス雰囲気中でオゾン
又はオゾンと紫外線を用いたアッシング装置に試料を搬
送することにより、試料が水分に接触しないため、腐食
性薬液が生成せず、金属を腐食することがない。
【０００９】また、オゾン又はオゾンと紫外線を用いた
アッシング装置は、大気圧下でオゾンを供給し、紫外線
を照射又は照射することなく、さらに必要なら試料を加
熱することにより、オゾンを励起酸素原子に変え、レジ
ストを酸化、分解、揮発させるものである。
アッシング装置は、大気圧下でオゾンを供給し、紫外線
を照射又は照射することなく、さらに必要なら試料を加
熱することにより、オゾンを励起酸素原子に変え、レジ
ストを酸化、分解、揮発させるものである。
【００１０】この装置を用いてアッシングするすると、
荷電粒子が存在しないことからウェーハがチャージアッ
プによるダメージを受けることがない。また可動イオン
は、主としてレジスト中のナトリウム等の不純物がアッ
シング中に素子内へ入ったものであり、ウェーハがチャ
ージアップすると可動イオンが多くなる。本発明の装置
を用いたアッシングでは可動イオン汚染はほとんど起こ
っていない。
荷電粒子が存在しないことからウェーハがチャージアッ
プによるダメージを受けることがない。また可動イオン
は、主としてレジスト中のナトリウム等の不純物がアッ
シング中に素子内へ入ったものであり、ウェーハがチャ
ージアップすると可動イオンが多くなる。本発明の装置
を用いたアッシングでは可動イオン汚染はほとんど起こ
っていない。
【００１１】
実施例１ ６インチウェーハに半導体素子の主要部分を形成した
後、アルミ膜（Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ）を設け、その上にレ
ジストのパターンを形成した。このウェーハをエッチン
グ室に移し、塩素ガスをエッチングガスとしてアルミ膜
をドライエッチングして配線パターンとした。窒素ガス
を用いてエッチング室の真空を破り、アーム式の搬送手
段により、ほぼ大気圧の窒素雰囲気中でウェーハをアッ
シング装置の処理室に搬送し、アッシングガスとしてオ
ゾン（５ｖｏｌ％）を供給し、ウェーハを３５０℃に加
熱してアッシングした。この時処理室の周囲雰囲気は窒
素ガスで置換した。この結果、アッシング後、アルミの
腐食が発生しないことを確認した。
後、アルミ膜（Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ）を設け、その上にレ
ジストのパターンを形成した。このウェーハをエッチン
グ室に移し、塩素ガスをエッチングガスとしてアルミ膜
をドライエッチングして配線パターンとした。窒素ガス
を用いてエッチング室の真空を破り、アーム式の搬送手
段により、ほぼ大気圧の窒素雰囲気中でウェーハをアッ
シング装置の処理室に搬送し、アッシングガスとしてオ
ゾン（５ｖｏｌ％）を供給し、ウェーハを３５０℃に加
熱してアッシングした。この時処理室の周囲雰囲気は窒
素ガスで置換した。この結果、アッシング後、アルミの
腐食が発生しないことを確認した。
【００１２】また、処理室を密閉構造とした場合、置換
ガスを節約することができる。これについて図１を用い
て説明する。上記と同じくアルミ膜上にレジストのパタ
ーンを有するウェーハをカセット１に搭載し、ロードロ
ック室２に搬送し、ロードロック室２を真空にする。ウ
ェーハをエッチング室３に移し、塩素ガスをエッチング
ガスとしてアルミ膜をドライエッチングし、窒素ガスを
導入口（図示せず）よりエッチング室に入れてその真空
を破り、アーム式の搬送手段４により、窒素雰囲気中で
ウェーハをアッシング装置の処理室５に搬送し、処理室
を密閉する。以下、上記と同様にアッシングした。これ
により置換ガスを０．５ｍ3／ｍｉｎ節約出来た。
ガスを節約することができる。これについて図１を用い
て説明する。上記と同じくアルミ膜上にレジストのパタ
ーンを有するウェーハをカセット１に搭載し、ロードロ
ック室２に搬送し、ロードロック室２を真空にする。ウ
ェーハをエッチング室３に移し、塩素ガスをエッチング
ガスとしてアルミ膜をドライエッチングし、窒素ガスを
導入口（図示せず）よりエッチング室に入れてその真空
を破り、アーム式の搬送手段４により、窒素雰囲気中で
ウェーハをアッシング装置の処理室５に搬送し、処理室
を密閉する。以下、上記と同様にアッシングした。これ
により置換ガスを０．５ｍ3／ｍｉｎ節約出来た。
【００１３】なお、図において１’はアッシング後のウ
ェーハを搭載するカセット、６はオゾン発生機、７はオ
ゾンの導入口、８は添加ガスの導入口、９はオゾン分解
機である。
ェーハを搭載するカセット、６はオゾン発生機、７はオ
ゾンの導入口、８は添加ガスの導入口、９はオゾン分解
機である。
【００１４】上記各例では置換ガスとして窒素を使用し
たが、アルゴン等の不活性ガスを使用しても同様の効果
が得られた。
たが、アルゴン等の不活性ガスを使用しても同様の効果
が得られた。
【００１５】実施例２ 実施例１と同じく、アルミ膜上にレジストのパターンを
有する６インチウェーハを用い、エッチング室にて、塩
素ガスをエッチングガスとしてアルミ膜をドライエッチ
ングした。窒素ガスでエッチング室の真空を破り、アー
ム式の搬送手段により、窒素雰囲気中でウェーハをアッ
シング装置の処理室に搬送した。オゾン（５ｖｏｌ％）
と紫外線（主な波長：１８５ｎｍ、２５４ｎｍ）を供給
し、温度２５０℃でアッシングした。この時処理室の周
囲雰囲気は窒素ガスで置換した。この結果、アッシング
後、アルミの腐食が発生しないことを確認した。
有する６インチウェーハを用い、エッチング室にて、塩
素ガスをエッチングガスとしてアルミ膜をドライエッチ
ングした。窒素ガスでエッチング室の真空を破り、アー
ム式の搬送手段により、窒素雰囲気中でウェーハをアッ
シング装置の処理室に搬送した。オゾン（５ｖｏｌ％）
と紫外線（主な波長：１８５ｎｍ、２５４ｎｍ）を供給
し、温度２５０℃でアッシングした。この時処理室の周
囲雰囲気は窒素ガスで置換した。この結果、アッシング
後、アルミの腐食が発生しないことを確認した。
【００１６】実施例１と同様に処理室を密閉構造とした
場合、置換ガスを０．５ｍ3／ｍｉｎ節約出来た。ま
た、置換ガスとして窒素を使用したが、アルゴン等不活
性ガスを使用しても同様の効果が得られた。
場合、置換ガスを０．５ｍ3／ｍｉｎ節約出来た。ま
た、置換ガスとして窒素を使用したが、アルゴン等不活
性ガスを使用しても同様の効果が得られた。
【００１７】
【発明の効果】オゾン等をアッシングに用いることによ
り、素子に与えるダメージの少ないアッシング装置とす
ることができ、かつ、アッシング装置への搬送を不活性
ガス雰囲気で行なうため、金属部分の腐食を防止するこ
とできた。
り、素子に与えるダメージの少ないアッシング装置とす
ることができ、かつ、アッシング装置への搬送を不活性
ガス雰囲気で行なうため、金属部分の腐食を防止するこ
とできた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のエッチング装置とアッシン
グ装置の模式図である。
グ装置の模式図である。
１、１’ カセット ２ ロードロック室 ３ エッチング室 ４ 搬送手段 ５、５’ 処理室 ６ オゾン発生機 ７ オゾンの導入口 ８ 添加ガスの導入口 ９ オゾン分解機
Claims (10)
- 【請求項１】基板上に設けられた金属膜を、該金属膜上
に設けられたレジストのパターンをマスクとしてエッチ
ングする工程と、該基板を不活性ガス雰囲気中で、レジ
ストをアッシングするための部所に搬送する工程と、レ
ジストをアッシングする工程とを有することを特徴とす
る半導体製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体製造方法において、
上記レジストをアッシングする工程は、反応ガスとして
オゾンを使用して行なうことを特徴とする半導体製造方
法。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体製造方法において、
上記レジストをアッシングする工程は、反応ガスとして
オゾンを使用し、かつ紫外線を照射して行なうことを特
徴とする半導体製造方法。 - 【請求項４】請求項３記載の半導体製造方法において、
上記紫外線は、少なくとも２５４ｎｍの波長を有する紫
外線であることを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項５】請求項１から４のいずれか一に記載の半導
体製造方法において、上記レジストをアッシングする工
程は、さらに上記基板を加熱して行なうことを特徴とす
る半導体製造方法。 - 【請求項６】請求項１から５のいずれか一に記載の半導
体製造方法において、上記レジストをアッシングする工
程は、上記不活性ガス雰囲気と隔てられた処理室内で行
なわれることを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項７】真空容器よりなるエッチング室、該エッチ
ング室内に設けられたエッチング手段、該エッチング室
に不活性ガスを導入するための導入口、基板上に形成さ
れたレジストをアッシングするための処理室、該基板を
不活性ガス雰囲気下にエッチング室から該処理室へ搬送
するための搬送手段及び該処理室に反応ガスを導入する
ための第２の導入口を有することを特徴とするアッシン
グ装置。 - 【請求項８】請求項７記載のアッシング装置において、
上記第２の導入口は、オゾンガスを導入するための導入
口であることを特徴とするアッシング装置。 - 【請求項９】請求項７又は８記載のアッシング装置にお
いて、上記処理室は、処理室内に紫外線が照射されるた
めの光源を有することを特徴とするアッシング装置。 - 【請求項１０】請求項７から９のいずれか一に記載のア
ッシング装置において、上記処理室は、その周囲と隔て
られた構造であることを特徴とするアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4061750A JPH05267156A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 半導体製造方法及びそれを行なうためのアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4061750A JPH05267156A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 半導体製造方法及びそれを行なうためのアッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267156A true JPH05267156A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13180156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4061750A Pending JPH05267156A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 半導体製造方法及びそれを行なうためのアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267156A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002023390A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-23 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の感光膜パターンの形成方法 |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP4061750A patent/JPH05267156A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002023390A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-23 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の感光膜パターンの形成方法 |
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