JPH05267231A

JPH05267231A - 局所微量ガス添加ドライエッチング装置

Info

Publication number: JPH05267231A
Application number: JP4065745A
Authority: JP
Inventors: Naoyuki Koto; 直行小藤; Kazunori Tsujimoto; 和典辻本; Kosei Kumihashi; 孝生組橋; Shinichi Taji; 新一田地
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-03-24
Filing date: 1992-03-24
Publication date: 1993-10-15
Anticipated expiration: 2016-05-08
Also published as: JP3163724B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】エッチングにおいて微量ガス添加の制御性を上
げ、垂直，高選択エッチングを行なう。同時に、汚染な
どのガス添加の悪影響をなくす。【構成】エッチングガスの導入口２とは別に、添加ガス
導入口３をウエハ１０から平均自由行程の１／２以内の
位置に設け、処理室の内のガス滞在時間を１００ｍsec
以下にした装置、およびこの装置を用いて、１〜１０ｍ
Torrのガス圧で、エッチングガスを５００sccm以上、添
加ガスをエッチングガスの１／２０以下もしくは１０sc
cmに添加して、エッチングする。【効果】側壁保護膜やエッチングラジカルの吸着量が数
原子層レベルで制御可能となり、垂直性エッチングが行
なえる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の微細加工
を行なうドライエッチング装置に関して、極微量の添加
ガスを、導入量の制御性を高くして基板表面に供給し高
精度のドライエッチングを行なう装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常のプラズマを用いたエッチングに
は、Ｓｉ表面に吸着したラジカルが熱エネルギにより活
性化し生じるエッチング反応（ラジカル反応），吸着し
たラジカルがイオンの照射で活性化され進むエッチング
反応（イオンアシスト反応），イオンが物理的にエッチ
ングする反応（物理スパッタ反応）の三つの反応が共存
している。この内、ラジカル反応は等方的で、アンダー
カットの原因となるため、抑制されなければならない。

【０００３】この抑制方法の一つに、堆積性ガスを添加
する方法がある。これには、堆積性のガスを直接添加す
る方法と、堆積性のガスとエッチング性のガスの化合物
をプラズマ中に供給し、間接的に堆積性のガスを添加す
る方法の二つがある。

【０００４】前者の例として、プロシーディングオブ
シンポジュームオンドライプロセス(Proc. of Sy
mp. on Dry Process,ｐ.１１４２８(１９８５)）があ
る。

【０００５】これは、Ｃｌ₂ ガスにＣＨＦ₃ を添加して
単結晶Ｓｉをエッチングしたものである。エッチング側
壁では、このＣＨＦ₃ による重合膜が堆積し、Ｃｌラジ
カルによるアンダーカットから側壁を保護する。一方、
底面では、イオン照射により重合膜が除去され、Ｃｌに
よるエッチングが進む。添加量２０％で垂直形状が得ら
れることが報告されている。

【０００６】後者の例として、ジャーナルオブバキ
ュームサイエンステクノロジー（Jounal of Vacuum
Science Technology，ｐ.７２１(１９８０)）がある。
これは複合ガスＣＦ₃Ｃｌを用いてｎ+ poly−Ｓｉを垂
直性エッチングするものである。ＣＦ₃Ｃｌはプラズマ
中で解離してエッチング種Ｃｌと堆積性の種ＣＦ_xを生
じる。底面では、ＣｌラジカルによるＳｉのエッチング
が進む。他方、側面では、ＣＦ_x による重合膜やＣｌ＋
ＣＦ₃→ＣＦ₃Ｃｌの再結合により、Ｃｌラジカルによる
アンダーカットから側壁を保護する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来のガス添加方法で
は、基板から１０cm以上離れた導入口から添加ガスが供
給され、反応室全体に拡がるため、基板上で所望の量の
ガスを添加するためにはエッチングガスの１０％以上と
いう多量のガスを添加する必要があった。さらに処理容
器内容積が２００〜３００ｌで、排気速度が１００〜
５００ｌ／sec であったため、処理室内滞在時間が４
００ｍsec〜３secと長く、堆積性ガスが添加された場
合、処理室の内壁やウエハの汚染が生じ易い問題があっ
た。また、エッチングガスの１／２０以下の微量ガスを
制御するためには、ガス導入口と基板表面が離れすぎて
いるため、基板表面でのガスの濃度の高精度の制御が困
難であった。本発明は、これら従来ガス添加法の諸問題
を解決することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】主ガス導入口１と離れた
位置に添加ガス導入口２を設け、添加量を主ガスの１／
２０以内にした。この添加ガス導入口２の構成には下記
の３通りがある。

【０００９】(１) 添加ガスの導入口２を、被エッチン
グ試料から平均自由行程の１／２以内の距離で、前記試
料中心から仰角４５度以下の位置に回転対称状に設け、
前記導入口の吹き出し口を前記試料直上のＥＣＲ面に向
ける、すなわち、前記導入口が前記試料面に対して０〜
９０度の仰角をなすように設定する。

【００１０】(２) 添加ガスの導入口２を、被エッチン
グ試料から平均自由行程以内の距離で、前記試料中心か
ら仰角４５度〜６５度の位置に回転対称状に設け、前記
導入口が被エッチング試料面に対して０〜９０度の伏角
をなすように設定した。

【００１１】(３) 添加ガス導入口２を喉部径０.３mm
以下のラバルノズル及びオリフィス径２mm以下のスキマ
で構成する。前記ノズルおよび前記スキマの位置は被エ
ッチング試料から１０cm以上平均自由行程以内の距離に
設置し、前記ノズルから導入されたガス流の中心部が、
前記スキマのオリフィスを通り被エッチング試料に入射
するように最適化する。望ましくは、添加ガスの基板へ
の入射角を４５度以下にし、添加ガスの反射方向に鏡面
加工を施した反射板を設け、その法線が基板に向くよう
に、設定する。さらに、基板の対面に鏡面加工を施した
放物面状の反射板を設け、その焦点が基板面内にあり、
基線面の法線が排気口の方向を向いているように設定す
る。

【００１２】また、上記の装置において、実効排気速度
を２０００ｌ／sec以上、処理室内の容積を１００ｌ
以下にし、エッチング中の総ガス圧を１０ｍTorr 以下
にした。

【００１３】

【作用】制御性良くガス添加をする方法には二つの方法
が考えられる。一つはガスを基板の数cmの近傍から添加
ガスを導入する方法であり、もう一つは、数十cm離れた
位置から高方向性の添加ガス流を導入する方法である。

【００１４】ここでは、基板近傍から添加ガスを導入す
る方法について考え方を説明する。基板近傍でガス添加
を行なう場合、基板上でのガス分布の均一性が問題とな
る。図２にガス添加装置の１次元モデルを示す。ここ
で、導入口２３からのガスの入射量の角度依存性は次式
に従うものとしている。

【００１５】 φ＝Ｃ×cos(θ＋ψ） …(１) θは導入口中心軸が基板面と角、ψは基板面と添加方向
のなす角度である。

【００１６】また、ガス導入口２３から基板２４までの
間でのガス分子の衝突は無視している。以下このモデル
に従って計算を行なった。図３は４inch基板２４（ｌ＝
４inch）から基板面に平行方向（ｗ）に１cm，垂直方向
（ｈ）に３cm離れたガス導入口２３から基板面に対して
伏角２７度で入射させた場合について、基板面へ入射す
る添加ガス量の分布を計算した結果を示したものであ
る。基板２４のごく近くでガスを添加では、導入口２３
を基板２４に向けると、不均一な添加になってしまうこ
とがわかる。

【００１７】図４はこの系（ｈ＝３cm，ｗ＝１cm，ｌ＝
４inch）においてガス導入口２３の角度θを−９０度〜
９０度の範囲で変化させた場合の、基板２４上でのガス
添加の不均一性の変化を示している。ただし、不均一度
は次式で表される。

【００１８】 σ＝(Ｆmax−Ｆmin)／｛(Ｆmax＋Ｆmin)／２｝ …(２) Ｆmax，Ｆminはそれぞれ基板上での添加ガス入射量の最
大値及び最小値である。ガス導入口を水平より上方に向
けた場合のθ＝２５度の場合に最も均一な添加が行なえ
ることがわかる。

【００１９】図５は、この極小となるθ及び、導入口が
基板中心を向くときのθが、ｒ＝ｈ／(ｗ＋ｌ／２)の比
に対してどのように変化するかを示している。この結果
から、ｒ＜１領域すなわち、基板中心から仰角４５度以
下の位置にガス導入口のある場合には、ガスの導入口の
向きを水平より上方に向けた時に、均一な添加がなされ
ることがわかる。一方、ｒ＞１の領域、すなわち、基板
中心から仰角４５度以上の位置にガス導入口がある場合
には、添加ガス導入口の向きを水平より下方に向けた時
に均一に添加できる。

【００２０】図６は、この極小となるθにおける不均一
度および基板中心での添加ガス入射量と、ｒ＝ｈ／(ｗ
＋ｌ／２)との関係を示している。不均一度は、ｒ＝０
〜１で急激に減少し、ｒ＞１であまり変化しないことが
わかる。また、基板中心での添加ガスの入射量は、ｒ＝
１程度で極大値をとることがわかる。従って、ｒ＝１〜
２の範囲、すなわち、基板中心から仰角４５〜６５度の
位置が、添加ガス導入口を設置するために最も最適な位
置であり、添加ガス導入口向きは、θ＝０〜−90度が良
いことがわかる。

【００２１】容器内ガス圧が１ｍTorr以上で平均自由行
程が５cm以下と短い場合には、基板とガス導入口との距
離が平均自由行程より短くなるように、ｒ＜１の位置に
ガス導入口を設け、導入口を水平面より上方向に向ける
ことで、均一な添加をすることができる。さらに、導入
口が基板直上のＥＣＲ面に向けられることで、添加ガス
が効率良くＥＣＲ面に供給されるため、添加ガスの解離
効率は高く、生成されたラジカルの基板への到達率も大
きい。

【００２２】容器内ガス圧が、１ｍTorr以下で平均自由
行程が５cm以上の場合には、ｒ＝１〜２の範囲でガス導
入口を水平面より下方に向けその角度を最適化すること
で、均一かつ高効率のガス添加ができる。

【００２３】このような、ガス添加の高効率化を図るこ
とにより、エッチングガスの１／２０以下の微少量で十
分な添加の効果が得られる。一方、排気速度を従来の10
0〜５００ｌ／secから２５００ｌ／sec以上に増やす
ことで、１０ｍTorr以下で数１００sccm程度の大量のエ
ッチングガスを流すことができ、高速かつ高方向性のエ
ッチングができる。さらに、下記の効果により、反応生
成物や余分な堆積性のガスの処理室内滞在時間が１００
ｍsec 以下に短縮されることや、さらに基板対面に放物
面状の反射板６を設け、反応生成物を効率良く排気口に
輸送することで、ウエハや処理室の汚染を軽減できる。
特に、処理室のガス圧力が１ｍTorrから１０ｍTorrの場
合は、添加ガスの平均自由行程が５cm以下になり、添加
ガスの基板付近からの発散が抑制され、処理室内の汚染
は、さらに減少する。

【００２４】ガスの処理室内滞在時間は、次式で表され
る。

【００２５】 τ＝Ｖ／Ｓ …(３) ここで、Ｖは真空処理室の容積、Ｓは実効排気速度であ
る。従来装置では排気速度が１００〜５００ｌ／sec
で真空処理室容積が２００〜３００ｌ程度であったた
め、ガスの滞在時間は４００ｍsec〜３secであった。本
発明では、排気速度２５００ｌ／sec ，処理室容積１
００ｌ以下であるためガスの滞在時間が１００ｍsec
以下と小さくなった。

【００２６】また、供給された添加ガスが効率良く基板
に供給されるため、１０sccm以下の量の添加ガスを誤差
０.１sccm 以下の精度で基板に添加することができる。
したがって、数原子層のラジカル吸着を制御することも
可能である。

【００２７】

【実施例】

（実施例１）本発明による局所ガス添加マイクロ波エッ
チング装置の実施例を図１に示す。真空処理室１にガス
導入口２からは主ガスを、ガス導入管３からは添加ガス
を導入し、マイクロ波発生器４で２.４５ＧＨｚの高周
波を発生させ、これを導波管５より放電部６に輸送して
ガスプラズマ７を発生させる。高効率放電のために磁場
発生用のソレノイドコイル８が放電部周囲に配置され、
電子サイクロトロン共鳴により高密度のプラズマが発生
される。放電部には試料台９があり、この上に配置され
たウエハ１０をガスプラズマによりエッチング処理す
る。処理後のエッチングガスはガス導入口２から、添加
ガスは導入口３からそれぞれ、放電部６，真空処理室１
を経て排気管１１から排気ポンプ１２により真空処理室
外へ排出される。

【００２８】この際、コンダクタンスバルブ１３を可変
にすることにより、排気速度を変えることができる。エ
ッチングガスはガス流量コントローラ１４を通しガス配
管１５を経てガス導入口２からメッシュ状に小孔の開い
たバッファ室１６を通して放電部６へ導入される。ガス
導入口２は２個所以上設け、放電部中心軸に対して対称
配置した。添加ガスは、ガス流量コントローラ１４を通
しガス配管１５を経てウエハ１０の周囲に備えられたガ
ス導入口３を通して放電部６の底部へ供給される。この
とき、ガス導入部の貯気層の温度が室温以下になるよう
に設定した。ガス導入口３はウエハ１０の５mm外側に６
個所以上設け、ウエハ中心に対して、回転対称配置し、
ウエハの中心の５cm真上に向けられている。ウエハは０
℃以下に冷却する機構１７が備えられ、１３.５６ＭＨ
ｚから４００ＫＨｚのＲＦバイアス１８が印加でき
る。真空処理室にはヒータ１９が付いており５０℃以上
に加熱できる。

【００２９】排気ポンプには排気速度２０００ｌ／sec
のターボ分子ポンプ２台を用い、総排気速度４０００
ｌ／secにして放電部，真空処理室，排気管およびコン
ダクタンスバルブの総排気コンダクタンスは４０００
ｌ／secとした。この時、実効排気速度は２０００ｌ／
secである。また、放電部，真空処理室，排気管の総容
積は１００ｌであり真空処理室内のガス滞在時間は前
述の式(３)より、５０ｍsecである。

【００３０】この装置を用いて、Ｓｉトレンチに用いら
れるＳｉ単結晶のエッチングを行った。試料はＳｉ基板
を５００ｎｍの厚さに熱酸化し、その上にフォトレジス
トマスクを形成し、酸化膜をドライエッチングした後、
フォトレジストを除去してＳｉＯ₂ マスクを形成したも
のである。主ガスにはエッチングガスであるＣｌ₂を、
添加ガスには堆積性のＣＦ₄ を用い、主ガス流量５００
sccm，総ガス圧力５ｍTorr，マイクロ波電力５００Ｗ，
ＲＦバイアスは２ＭＨｚで２０Ｗ，基板温度は室温にし
てエッチングをした。磁場強度分布は上方から下方に向
けて小さく、ＥＣＲ条件を満たす８７５ガウスの位置は
ウエハの上方４mmであった。

【００３１】添加ガス量を無添加から２％まで変化させ
た時のアンダーカットの添加ガス量依存性を図７に示
す。アンダーカットは、無添加時では０.２μｍあった
が、添加ガス量の増加とともに減少し、２％では０.０
２μｍ以下になった。この時のエッチング速度は、無
添加で１０００ｎｍ／sec であり、添加ガスの流量に対
してほとんど減少せず、２％の場合でも９００ｎｍ／se
c 以上のエッチング速度が維持された。また、処理室内
壁面に堆積物は認められなかった。

【００３２】２％ガス添加のエッチングにおいて、添加
ガス供給口と基板との距離に対する、アンダーカットの
変化を図８に示す。添加の効果は、導入口と基板との距
離が２cm以下の場合に顕著に表われた。

【００３３】本実施例では、主ガスとしてエッチングガ
スＣｌ₂ を、添加ガスとして堆積性ガスＣＦ₄ を、基板
としてＳｉ〈１００〉を用いたが、他の半導体や、金
属，絶縁膜をエッチングする場合にも、主ガスとしてＣ
ｌ₂ 以外のエッチングガスを用いた場合にも、添加ガス
としてＣＦ₄ 以外のカーボンを含む堆積性のガスを用い
た場合にも、同様の効果が得られる。

【００３４】（実施例２）図１の装置を用いてＳｉトレ
ンチに用いられるＳｉ単結晶のエッチングを行なった。
試料は実施例１と同様のもので、主ガスとして不活性ガ
スＡｒ，添加ガスとしてＳｉのエッチング種Ｃｌ₂ をそ
れぞれ用い、主ガス流量５０sccm，ガス圧力０.５ｍTor
r ，マイクロ波電力５００Ｗ，ＲＦバイアス２ＭＨｚ／
２０Ｗ，基板温度は室温とし、添加ガス流量０.４sccm
でエッチングを行なった。この時、アンダーカットは
０.０２μｍ以下であった。

【００３５】この結果は次のように説明される。Ｃｌ₂
ガスを添加ガス導入口３から０.４sccmの微量添加した
場合、その解離で生じたラジカルの大部分が基板上に吸
着し、その吸着量は数原子層になる。この場合、Ａｒイ
オンの照射されたエッチング底面はイオンアシスト反応
においてエッチングが進行した。一方、エッチング側面
では、ラジカル量が少ないため、ラジカル反応によるア
ンダーカットがほとんど生じなかった。

【００３６】また、本実施例のエッチングにおいて、添
加ガスの供給を、１サイクル１sec中に５００ｍsecの添
加時間との５００ｍsecの非添加時間を有するパルス状
にした場合、１原子層／サイクルのエッチングが行なえ
る。

【００３７】本実施例では基板としてＳｉ，主ガスとし
てＡｒ，添加ガスとしてＣｌ₂ を用いたが、他の半導体
や金属・絶縁膜のエッチングでも、また、主ガスとして
Ａｒ以外の不活性ガスを用いた場合にも、添加ガスとし
Ｃｌ₂ 以外のエッチング性のガスを用いた場合にも、同
様の効果が得られる。

【００３８】（実施例３）図１の装置を用いてＳｉトレ
ンチに用いられるＳｉ単結晶のエッチングを行なった。
試料は実施例１と同様のもので、主ガスとしてＣｌ₂ ，
添加ガスとしてＯ₂ ，主ガス流量５００sccm，ガス圧力
５ｍtorr，マイクロ波電力５００Ｗ，ＲＦバイアス２Ｍ
Ｈｚ／２０Ｗ、基板温度は室温とし、添加ガス流量０.
８sccmで深さ１μｍのトレンチ形状のエッチングを行な
った。この時のアンダーカットは０.０２μｍ以下、Ｓ
ｉ／ＳｉＯ₂ の選択比は、２００以上であった。

【００３９】この結果は、次のように説明される。実施
例２の場合と同様にしてＯラジカルが吸着し、数原子層
の酸化膜が形成される。エッチング底面では酸化膜がイ
オン照射により除去されるため、エッチングが進行す
る。一方、イオンの照射されない側面では酸化膜はＣｌ
ラジカルに対して側壁保護膜として働くため、アンダー
カットが抑制される。さらに、Ｏ₂ 添加は、ＳｉＯ₂ の
エッチングを促進するカーボンを反応除去するため、Ｓ
ｉ／ＳｉＯ₂ の選択比が大きくなる。

【００４０】本実施例では基板としてＳｉ，主ガスとし
てＣｌ₂，添加ガスとしてＯ₂を用いたが、他の半導体や
金属をエッチングする場合にも、また、主ガスとしてＣ
ｌ₂以外のエッチングガスを用いた場合にも、添加ガス
としてＯ₃，Ｎ₂Ｏ等のオキシダントを用いた場合にも、
同様の効果が得られる。

【００４１】（実施例４）図９は、数十cm離れた位置か
ら、高方向性の添加ガスを導入した実施例を示すモデル
図である。高方向性の添加ガス流はラバルノズル２６か
らのガス流の中心部をスキマ２７でコリメートすること
により形成される。このようなガス導入系では、例え
ば、ノズル２６とスキマ２７間の距離を１cmにし、１気
圧程度の圧力でラバルノズル２６へガスを供給した場
合、中心から１０度外れた位置におけるガス流束は中心
部の１／１０以下に減少する。この系を用いて、数十cm
離れた位置から、添加ガスを基板３１に向けて流した場
合、平均自由行程が数十cmと長く、スキマから基板まで
の行程での分子相互の衝突が無視できる条件では、導入
したガスの大部分が基板に供給される。さらに、添加ガ
スを４５度以下の角度で基板３１に入射させ、その反射
方向に球状反射板３０を設け、基板３１からの反射した
添加ガスを基板方向に反射させることで、導入ガスを高
効率で基板３１に添加することができる。さらに基板対
面に上記の放物面状の反射板２５を設け、反応生成物２
９を効率良く排気口に輸送することで、ウエハや処理室
の汚染を軽減できる。本装置でも、図１とほぼ同様、ガ
スの添加効果が得られた。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、側壁保護膜やエッチン
グラジカルの吸着量が数原子層レベルで制御可能とな
り、垂直性エッチングが行なえる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による局所ガス添加マイクロ波プラズマ
エッチング装置の説明図。

【図２】ガス添加装置の１次元モデルの説明図。

【図３】ｗ＝１cm，ｈ＝３cm，ｌ＝４inch，θ＝−２７
度の場合の基板上でのガス入射量の分布図。

【図４】ｗ＝１cm，ｈ＝３cm，ｌ＝４inchの場合の不均
一度の仰角θ依存性を示す説明図。

【図５】不均一度が極少になる場合のθおよびガス導入
口が基板中心を向く場合のθと、ｒとの関係を示す特性
図。

【図６】不均一度の極少値および、その時の基板中心で
のガス入射量を示す特性図。

【図７】ノズル，スキマを用いたガス添加方法のモデル
の特性図。

【図８】図７に示した装置で、主ガスをＣｌ₂ ，添加ガ
スをＣＦ₄ として、Ｓｉをエッチングした場合のガス添
加量とアンダーカット量の関係を示した特性図。

【図９】添加ガス導入口と基板との距離と、アンダーカ
ット量の関係を示した説明図。

【符号の説明】

１…真空処理装置、２…主ガス導入口、３…添加ガス導
入口、４…マイクロ波発生装置、５…導波管、６…放電
部、７…ガスプラズマ、８…ソレノイドコイル、９…試
料台、１０…ウエハ、１１…排気管、１２…排気ポン
プ、１３…コンダクタンスバルブ、１４…ガス流量コン
トローラ、１５…ガス配管、１６…バッファ室、１７…
冷却機構、１８…ＲＦバイアス、１９…ヒータ、２０…
バタフライバルブ。

フロントページの続き (72)発明者田地新一東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空処理室，前記真空処理室内に処理ガス
を導入する機構，前記処理ガスの流量を調節する機構，
前記処理ガスを前記真空処理室外に排気する機構，排気
コンダクタンスを可変にする手段，処理される試料を保
持する機構、および高周波放電またはマイクロ波放電で
ガスプラズマを発生させる機構を有し、前記ガスプラズ
マにより前記試料を処理するエッチング装置において、
実効排気速度が1300ｌ／sec 以上になるような排気ポン
プを用い、主ガスを供給するためのガス導入口を有し、
前記ガス導入口から離れた場所に、基板に主ガスの１／
２０以下の微量の添加ガスを供給することのできるガス
導入口を有することを特徴とする局所微量ガス添加ドラ
イエッチング装置。
【請求項２】請求項１において、前記主ガスおよび前記
添加ガスの全ガス圧を１０ｍTorr以下にし、前記真空処
理室内のガス滞在時間を１００ｍsec 以下にするドライ
エッチング方法。
【請求項３】請求項１において、前記添加ガス導入口の
位置および吹き出し角を可変にするドライエッチング装
置。
【請求項４】請求項１において、前記添加ガスの導入口
を、前記基板からガス平均自由行程以内でかつ２cm以内
の距離で、基板中心から仰角４５度以下の位置に設ける
ドライエッチング装置。
【請求項５】請求項４において、前記添加ガスの導入口
の中心軸の向きを基板面に対して仰角０〜９０度に設定
し、前記ガス導入口を前記基板の周辺に沿って少なくと
も、３個所以上設けるドライエッチング装置。
【請求項６】請求項１において、前記添加ガスの導入口
を、前記基板から平均自由行程以内の距離で、前記基板
の中心から仰角４５度〜６５度の位置に、少なくとも３
個所以上、回転対称状に設けるドライエッチング装置。
【請求項７】請求項６において、前記添加ガスの導入口
の中心軸の向きを、前記基板面に対して伏角０〜９０度
の範囲で、前記基板上での添加ガスの分布が最も均一に
なる角度に設定するドライエッチング装置。
【請求項８】請求項１において、前記添加ガスの導入口
２から１０sccm以下の微量添加ガスを、誤差０.１sccm
以下の精度で基板に供給するガス添加方法。
【請求項９】請求項８において、前記添加ガス導入手段
が、前記添加ガスをパルス幅500ｍsec 以下で、間けつ
的に導入する機構を備えたドライエッチング装置。
【請求項１０】請求項２において、前記ガス導入口が、
喉部径０.３mm 以下のラバルノズル及び、オリフィス径
２mm以下のスキマで構成されており、前記ノズルの中心
軸が前記スキマのオリフィスを通して基板に向いている
ドライエッチング装置。
【請求項１１】請求項１において、前記添加ガス導入部
の貯気槽の温度を室温以下にするエッチング装置。
【請求項１２】請求項１０において、前記ガス導入口
を、前記基板から１０cm以上平均自由行程以下の距離
で、基板中心からの仰角が４５度以下の位置に設けるド
ライエッチング装置。
【請求項１３】請求項１２において、前記ノズルに供給
されるガスの圧力が１気圧以上であるドライエッチング
装置。
【請求項１４】請求項１２において、前記エッチング装
置で、前記基板の中心軸に対して、ガス導入口と反対側
に、鏡面加工の施された反射板を有し、その反射板の法
線が基板の方向を向いているドライエッチング装置。
【請求項１５】請求項１において、前記基板の対面に鏡
面加工の施された放物面状の反射板を有し、前記放物面
の焦点が前記基板面内にあり、前記基線面の法線が排気
口の方向を向いているドライエッチング装置。
【請求項１６】請求項１４または１５において、前記反
射板としてＸ線用のミラーを用いるドライエッチング装
置。