JPH0526751Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0526751Y2 JPH0526751Y2 JP1988019143U JP1914388U JPH0526751Y2 JP H0526751 Y2 JPH0526751 Y2 JP H0526751Y2 JP 1988019143 U JP1988019143 U JP 1988019143U JP 1914388 U JP1914388 U JP 1914388U JP H0526751 Y2 JPH0526751 Y2 JP H0526751Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal foil
- heater block
- tape
- semiconductor
- semiconductor pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は半導体製造装置に関し、詳しくは、
TABリード型半導体装置の製造に使用され、絶
縁フイルム上に金属箔リードを被着形成した
TABテープに、半導体ペレツトを熱圧着により
組付ける装置に関するものである。
TABリード型半導体装置の製造に使用され、絶
縁フイルム上に金属箔リードを被着形成した
TABテープに、半導体ペレツトを熱圧着により
組付ける装置に関するものである。
従来の技術
TAB（Tape Automated Bonding）リード型
半導体装置は、絶縁フイルム上に金属箔リードを
被着形成したTABテープに、バンプ電極付きの
半導体ペレツトを熱圧着したもので、例えばフレ
キシブルなフイルム状プリント基板等に組付けら
れるカメラ用IC等の高密度実装用電子部品とし
て多用されている。
半導体装置は、絶縁フイルム上に金属箔リードを
被着形成したTABテープに、バンプ電極付きの
半導体ペレツトを熱圧着したもので、例えばフレ
キシブルなフイルム状プリント基板等に組付けら
れるカメラ用IC等の高密度実装用電子部品とし
て多用されている。
上記TABリード型半導体装置は、一般に、複
数個が連続した状態で製造されており、第３図を
参照しながら説明する。第３図において、Ａは
TABリード型半導体装置、１は半導体ペレツト、
２はTABテープを示す。
数個が連続した状態で製造されており、第３図を
参照しながら説明する。第３図において、Ａは
TABリード型半導体装置、１は半導体ペレツト、
２はTABテープを示す。
上記半導体ペレツト１は、半導体ウエーハを細
分割して得られたもので、上面外周縁には、所定
個数のバンプ電極３，３……が形成されている。
分割して得られたもので、上面外周縁には、所定
個数のバンプ電極３，３……が形成されている。
上記TABテープ２は、長尺な合成樹脂製絶縁
フイルム４上にCu等の金属箔リード５，５……
を被着形成したものである。上記絶縁フイルム４
の窓孔６，６……に延在された金属箔リード５，
５……の遊端と、上記窓孔６，６内に収納配置さ
れた半導体ペレツト１の各バンプ電極３，３……
との熱圧着により接続してTABリード型半導体
装置Ａが製造される。
フイルム４上にCu等の金属箔リード５，５……
を被着形成したものである。上記絶縁フイルム４
の窓孔６，６……に延在された金属箔リード５，
５……の遊端と、上記窓孔６，６内に収納配置さ
れた半導体ペレツト１の各バンプ電極３，３……
との熱圧着により接続してTABリード型半導体
装置Ａが製造される。
上記TABリード型半導体装置ＡにおけるTAB
テープ２への半導体ペレツト１のマウントは、第
５図乃至第７図に示す製造装置によつて行われ
る。第５図において、７はTABテープ２をガイ
ドするテープガイドで、このテープガイド７は長
尺な鈑金の両端を折曲げ成形し、その中間部に窓
孔８を穿設したものである。９は上記テープガイ
ド７の下方に昇降動自在に配置したヒータブロツ
クで、半導体ペレツト１が位置決め載置される。
このヒータブロツク９は、後述するようにペレツ
トマウント前に半導体ペレツト１を下地加熱する
ため、加熱手段（図示せず）を内蔵するので上記
半導体ペレツト１の面積よりも大きなペレツト載
置面積を有する。１０は上記ヒータブロツク９に
対向してテープガイド７の窓孔８上方に昇降動自
在に配置したヒータチツプで、上記ヒータブロツ
ク９と同様、加熱手段（図示せず）を内蔵する。
テープ２への半導体ペレツト１のマウントは、第
５図乃至第７図に示す製造装置によつて行われ
る。第５図において、７はTABテープ２をガイ
ドするテープガイドで、このテープガイド７は長
尺な鈑金の両端を折曲げ成形し、その中間部に窓
孔８を穿設したものである。９は上記テープガイ
ド７の下方に昇降動自在に配置したヒータブロツ
クで、半導体ペレツト１が位置決め載置される。
このヒータブロツク９は、後述するようにペレツ
トマウント前に半導体ペレツト１を下地加熱する
ため、加熱手段（図示せず）を内蔵するので上記
半導体ペレツト１の面積よりも大きなペレツト載
置面積を有する。１０は上記ヒータブロツク９に
対向してテープガイド７の窓孔８上方に昇降動自
在に配置したヒータチツプで、上記ヒータブロツ
ク９と同様、加熱手段（図示せず）を内蔵する。
上記装置によるTABテープ２への半導体ペレ
ツト１のマウントは、次のようにして行われる。
ツト１のマウントは、次のようにして行われる。
まず、テープガイド７に沿うTABテープ２の
送りにより上記TABテープ２の窓孔６をテープ
ガイド７の窓孔８に対応させて位置決めする。そ
してヒータブロツク９上に半導体ペレツト１を位
置決め載置して下地加熱した後、第６図に示すよ
うにヒータブロツク９を上昇させ、この半導体ペ
レツト１を上記TABテープ２の窓孔６内に配置
させて、半導体ペレツト１のバンプ電極３，３…
…を、各金属箔リード５，５……の遊端下面に当
接させる。このヒータブロツク９の上昇と共に、
上記ヒータチツプ１０を、加熱させた状態で上記
テープガイド７の窓孔８に向けて降下させ、上記
各金属箔リード５，５……の遊端上面に圧接させ
る。これにより、ヒータブロツク９及びヒータチ
ツプ１０で、上記半導体ペレツト１のバンプ電極
３，３……と、各金属箔リード５，５……とを熱
圧着する。
送りにより上記TABテープ２の窓孔６をテープ
ガイド７の窓孔８に対応させて位置決めする。そ
してヒータブロツク９上に半導体ペレツト１を位
置決め載置して下地加熱した後、第６図に示すよ
うにヒータブロツク９を上昇させ、この半導体ペ
レツト１を上記TABテープ２の窓孔６内に配置
させて、半導体ペレツト１のバンプ電極３，３…
…を、各金属箔リード５，５……の遊端下面に当
接させる。このヒータブロツク９の上昇と共に、
上記ヒータチツプ１０を、加熱させた状態で上記
テープガイド７の窓孔８に向けて降下させ、上記
各金属箔リード５，５……の遊端上面に圧接させ
る。これにより、ヒータブロツク９及びヒータチ
ツプ１０で、上記半導体ペレツト１のバンプ電極
３，３……と、各金属箔リード５，５……とを熱
圧着する。
考案が解決しようとする課題
ところで、上述した従来の半導体製造装置で
は、ペレツトマウント時において金属箔リード
５，５……と半導体ペレツト１とを熱圧着するに
際し、ヒータブロツク９で半導体ペレツト１を予
め下地加熱しているため、ヒータブロツク９の半
導体ペレツト載置面でのペレツト周辺部位からの
輻射熱により、第５図鎖線で示すように絶縁フイ
ルム４の窓孔８に延在した金属箔リード５，５…
…の遊端が加熱され、熱圧着前にその自重で垂れ
下がつて変形することがあつた。この状態で熱圧
着が行われると、上記金属箔リード５，５……で
の熱圧着位置がずれ、その遊端が半導体ペレツト
１に近接して耐圧が大幅に低下し、極端には両者
の接触によりシヨート不良が発生する處もあつ
た。
は、ペレツトマウント時において金属箔リード
５，５……と半導体ペレツト１とを熱圧着するに
際し、ヒータブロツク９で半導体ペレツト１を予
め下地加熱しているため、ヒータブロツク９の半
導体ペレツト載置面でのペレツト周辺部位からの
輻射熱により、第５図鎖線で示すように絶縁フイ
ルム４の窓孔８に延在した金属箔リード５，５…
…の遊端が加熱され、熱圧着前にその自重で垂れ
下がつて変形することがあつた。この状態で熱圧
着が行われると、上記金属箔リード５，５……で
の熱圧着位置がずれ、その遊端が半導体ペレツト
１に近接して耐圧が大幅に低下し、極端には両者
の接触によりシヨート不良が発生する處もあつ
た。
そこで本考案は前記問題点に鑑みて提案された
もので、その目的とするところは、ペレツトマウ
ント時、ヒータブロツクからの輻射熱による金属
箔リードの熱変形を未然に防止することにある。
もので、その目的とするところは、ペレツトマウ
ント時、ヒータブロツクからの輻射熱による金属
箔リードの熱変形を未然に防止することにある。
課題を解決するための手段
本考案における上記目的を達成するための技術
的手段は、絶縁フイルム上に金属箔リードを被着
形成したTABテープをテープガイドにて半導体
ペレツトが載置されたヒータブロツク上にガイド
し、金属箔リードと半導体ペレツトとを接続する
ものにおいて、上記ヒータブロツクからの熱を遮
蔽するシヤツターをテープガイドとヒータブロツ
ク間に退入自在に配置した半導体製造装置であ
る。
的手段は、絶縁フイルム上に金属箔リードを被着
形成したTABテープをテープガイドにて半導体
ペレツトが載置されたヒータブロツク上にガイド
し、金属箔リードと半導体ペレツトとを接続する
ものにおいて、上記ヒータブロツクからの熱を遮
蔽するシヤツターをテープガイドとヒータブロツ
ク間に退入自在に配置した半導体製造装置であ
る。
作 用
本考案によれば、ヒータブロツク上の半導体ペ
レツトとテープガイドにガイドされたTABテー
プの金属箔リードとを熱圧着するに際して、上記
ヒータブロツクとTABテープの金属箔リード間
にシヤツターを介在させ、このシヤツターでヒー
タブロツクからの輻射熱を遮蔽して金属箔リード
の遊端の変形を抑制する。
レツトとテープガイドにガイドされたTABテー
プの金属箔リードとを熱圧着するに際して、上記
ヒータブロツクとTABテープの金属箔リード間
にシヤツターを介在させ、このシヤツターでヒー
タブロツクからの輻射熱を遮蔽して金属箔リード
の遊端の変形を抑制する。
実施例
本考案に係る半導体製造装置の一実施例を、第
１図乃至第３図を参照しながら説明する。但し、
第４図乃至第７図と同一部分には同一参照符号を
付して説明は省略する。
１図乃至第３図を参照しながら説明する。但し、
第４図乃至第７図と同一部分には同一参照符号を
付して説明は省略する。
本考案の特徴は、ヒータブロツク９からの輻射
熱を遮蔽するシヤツター１１，１１をテープガイ
ド７とヒータブロツク９間に退入自在に配置した
ことにある。
熱を遮蔽するシヤツター１１，１１をテープガイ
ド７とヒータブロツク９間に退入自在に配置した
ことにある。
上記シヤツター１１，１１は、テープガイド７
のテープ送り前後位置の下方に配置された一対の
帯板状の部材で、両者は同一構造を有するので、
その一方について説明すると、その中間部をテー
プガイド７の一部を下方へ延設した支持部１２に
て軸支し、両内外端部１１ａ，１１ｂを若干折曲
させた形状のものである。このシヤツター１１の
外端部１１ｂには、シヤツター駆動用のシリンダ
１３が連結固定される。
のテープ送り前後位置の下方に配置された一対の
帯板状の部材で、両者は同一構造を有するので、
その一方について説明すると、その中間部をテー
プガイド７の一部を下方へ延設した支持部１２に
て軸支し、両内外端部１１ａ，１１ｂを若干折曲
させた形状のものである。このシヤツター１１の
外端部１１ｂには、シヤツター駆動用のシリンダ
１３が連結固定される。
本考案装置によるTABテープ２への半導体ペ
レツト１のマウントは、次のようにして行われ
る。
レツト１のマウントは、次のようにして行われ
る。
まず、従来と同様、第１図に示すようにテープ
ガイド７に沿うTABテープ２の送りにより上記
TABテープ２の窓孔６をテープガイド７の窓孔
８に対応させて位置決めした状態で、ヒータブロ
ツク９に半導体ペレツト１を位置決め載置して下
地加熱する。この時、シリンダ１３，１３の退入
作動によりシヤツター１１，１１をその中間部を
中心に図示ａ矢印方向に回動させて閉動作させ、
その内端部１１ａ，１１ａをヒータブロツク９と
テープガイド７間に介在させる。これによりヒー
タブロツク９の半導体ペレツト載置面での半導体
ペレツト周辺部位からの輻射熱がシヤツター１
１，１１によつて遮蔽され、TABテープ２の金
属箔リード５，５……に達し難くして上記輻射熱
により金属箔リード５，５……の遊端が加熱され
て熱変形でその自重により垂れ下がるのを抑制す
る。尚、この時、金属箔リード５，５……の遊端
は、シヤツター１１，１１の内端部１１ａ，１１
ａにて下方から支持されている。
ガイド７に沿うTABテープ２の送りにより上記
TABテープ２の窓孔６をテープガイド７の窓孔
８に対応させて位置決めした状態で、ヒータブロ
ツク９に半導体ペレツト１を位置決め載置して下
地加熱する。この時、シリンダ１３，１３の退入
作動によりシヤツター１１，１１をその中間部を
中心に図示ａ矢印方向に回動させて閉動作させ、
その内端部１１ａ，１１ａをヒータブロツク９と
テープガイド７間に介在させる。これによりヒー
タブロツク９の半導体ペレツト載置面での半導体
ペレツト周辺部位からの輻射熱がシヤツター１
１，１１によつて遮蔽され、TABテープ２の金
属箔リード５，５……に達し難くして上記輻射熱
により金属箔リード５，５……の遊端が加熱され
て熱変形でその自重により垂れ下がるのを抑制す
る。尚、この時、金属箔リード５，５……の遊端
は、シヤツター１１，１１の内端部１１ａ，１１
ａにて下方から支持されている。
そして第２図に示すように上記ヒータブロツク
９を上昇させ、半導体ペレツト１をTABテープ
２の窓孔６内に収納配置させて、半導体ペレツト
１の各バンプ電極３，３……を金属箔リード５，
５……の遊端下面に当接させる。この状態で、ヒ
ータチツプ１０を加熱させた状態でテープガイド
７の窓孔８まで降下させ、金属箔リード５，５…
…の遊端上面に圧接させる。これにより上記ヒー
タチツプ１０及びヒータブロツク９で半導体ペレ
ツト１の各バンプ電極３，３……とTABテープ
２の各金属箔リード５、５……とを熱圧着する。
そして第３図に示すようにこの熱圧着完了後に
は、ヒータチツプ１０を上昇させると共にヒータ
ブロツク９を降下させ、これと同期させてシリン
ダ１３，１３の突出作動によりシヤツター１１，
１１をその中間部を中心にして図示ｂ矢印方向に
回動させて開動作させ、その内端部１１ａ，１１
ａをヒータブロツク９とテープガイド７間から離
脱させて初期位置に復帰させる。その後は上述し
た動作を繰返すことによりTABテープ２に半導
体ペレツト１をマウントする。
９を上昇させ、半導体ペレツト１をTABテープ
２の窓孔６内に収納配置させて、半導体ペレツト
１の各バンプ電極３，３……を金属箔リード５，
５……の遊端下面に当接させる。この状態で、ヒ
ータチツプ１０を加熱させた状態でテープガイド
７の窓孔８まで降下させ、金属箔リード５，５…
…の遊端上面に圧接させる。これにより上記ヒー
タチツプ１０及びヒータブロツク９で半導体ペレ
ツト１の各バンプ電極３，３……とTABテープ
２の各金属箔リード５、５……とを熱圧着する。
そして第３図に示すようにこの熱圧着完了後に
は、ヒータチツプ１０を上昇させると共にヒータ
ブロツク９を降下させ、これと同期させてシリン
ダ１３，１３の突出作動によりシヤツター１１，
１１をその中間部を中心にして図示ｂ矢印方向に
回動させて開動作させ、その内端部１１ａ，１１
ａをヒータブロツク９とテープガイド７間から離
脱させて初期位置に復帰させる。その後は上述し
た動作を繰返すことによりTABテープ２に半導
体ペレツト１をマウントする。
尚、上記シヤツター１１は、輻射熱を遮蔽する
ことが可能な耐熱性材料で構成されるものであれ
ばその材質は限定されない。
ことが可能な耐熱性材料で構成されるものであれ
ばその材質は限定されない。
考案の効果
本考案に係る半導体製造装置によれば、半導体
ペレツトの、TABテープの金属箔リードへの熱
圧着時に、ヒータブロツクからの熱輻射による金
属箔リードの垂れ下がりは抑制され、常に安定し
た良好な熱圧着を実現することができ、半導体ペ
レツトの耐圧低下及びシヨート不良が未然に防止
できて高品質の半導体装置が提供できる。
ペレツトの、TABテープの金属箔リードへの熱
圧着時に、ヒータブロツクからの熱輻射による金
属箔リードの垂れ下がりは抑制され、常に安定し
た良好な熱圧着を実現することができ、半導体ペ
レツトの耐圧低下及びシヨート不良が未然に防止
できて高品質の半導体装置が提供できる。
第１図は本考案に係る半導体製造装置の一実施
例を示す断面図、第２図及び第３図は第１図装置
の各動作説明図である。第４図はTABリード型
半導体装置を示す斜視図、第５図は半導体製造装
置の従来例を示す断面図、第６図及び第７図は第
５図装置の各動作説明図である。 １……半導体ペレツト、２……TABテープ、
４……絶縁フイルム、５……金属箔リード、６…
…窓孔、７……テープガイド、９……ヒータブロ
ツク、１０……ヒータチツプ、１１……シヤツタ
ー。
例を示す断面図、第２図及び第３図は第１図装置
の各動作説明図である。第４図はTABリード型
半導体装置を示す斜視図、第５図は半導体製造装
置の従来例を示す断面図、第６図及び第７図は第
５図装置の各動作説明図である。 １……半導体ペレツト、２……TABテープ、
４……絶縁フイルム、５……金属箔リード、６…
…窓孔、７……テープガイド、９……ヒータブロ
ツク、１０……ヒータチツプ、１１……シヤツタ
ー。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 窓孔を有する絶縁フイルム上に窓孔内に一端を
延在させて金属箔リードを被着形成したTABテ
ープをテープガイドにて半導体ペレツトが載置さ
れたヒータブロツク上にガイドし、金属箔リード
の一端部と半導体ペレツト上の電極とをヒータチ
ツプにて熱圧着するものにおいて、 上記テープガイドとヒータブロツク間にヒータ
ブロツクからの熱を遮蔽するシヤツターを退入自
在に配置したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988019143U JPH0526751Y2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988019143U JPH0526751Y2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123343U JPH01123343U (ja) | 1989-08-22 |
| JPH0526751Y2 true JPH0526751Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=31234392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988019143U Expired - Lifetime JPH0526751Y2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526751Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP1988019143U patent/JPH0526751Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01123343U (ja) | 1989-08-22 |
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