JPH05267939A - Ｒｆ混合器 - Google Patents
Ｒｆ混合器Info
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- JPH05267939A JPH05267939A JP4340840A JP34084092A JPH05267939A JP H05267939 A JPH05267939 A JP H05267939A JP 4340840 A JP4340840 A JP 4340840A JP 34084092 A JP34084092 A JP 34084092A JP H05267939 A JPH05267939 A JP H05267939A
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- fets
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/145—Balanced arrangements with transistors using a combination of bipolar transistors and field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1458—Double balanced arrangements, i.e. where both input signals are differential
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1466—Passive mixer arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1491—Arrangements to linearise a transconductance stage of a mixer arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0082—Lowering the supply voltage and saving power
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0084—Lowering the supply voltage and saving power
-
- H—ELECTRICITY
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- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
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-
- H—ELECTRICITY
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- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 入力信号の周波数を変えて別の周波数の出力
信号を発生する混合器であって、方形波を使用すること
によりＦＥＴを迅速に切り換えてその直線性能を高める
と共に、消費電力を低減した混合器を提供する。 【構成】 ＲＦ入力用の変成器１の一次側と、ＩＦ出力
用の変成器２の二次側との間を切り換えるためにＦＥＴ
を使用した整流型の混合器は、駆動トランジスタ６ない
し９からのパルス波形を使用してＦＥＴのゲート電極を
切り換えることにより、高い直線性を発揮すると共に、
局部発振器による駆動回路の消費電力を低減化する。
信号を発生する混合器であって、方形波を使用すること
によりＦＥＴを迅速に切り換えてその直線性能を高める
と共に、消費電力を低減した混合器を提供する。 【構成】 ＲＦ入力用の変成器１の一次側と、ＩＦ出力
用の変成器２の二次側との間を切り換えるためにＦＥＴ
を使用した整流型の混合器は、駆動トランジスタ６ない
し９からのパルス波形を使用してＦＥＴのゲート電極を
切り換えることにより、高い直線性を発揮すると共に、
局部発振器による駆動回路の消費電力を低減化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＲＦ混合器即ち入力信
号の周波数を変える混合器に係り、より詳細には、入力
と出力を接続するためのＦＥＴスイッチングデバイス、
例えば、二重バランス形態即ちブリッジ形態に配列され
た既存のＦＥＴを使用した混合器に関する。
号の周波数を変える混合器に係り、より詳細には、入力
と出力を接続するためのＦＥＴスイッチングデバイス、
例えば、二重バランス形態即ちブリッジ形態に配列され
た既存のＦＥＴを使用した混合器に関する。
【０００２】
【従来の技術】各々の対向枝路対にあるＦＥＴのゲート
電極を局部発振周波数において逆位相で駆動することに
より、入力と出力との間の接続が交互に反転される。
電極を局部発振周波数において逆位相で駆動することに
より、入力と出力との間の接続が交互に反転される。
【０００３】混合器の性能に高い直線性を得るために
は、ＦＥＴをできるだけ急速に切り換えねばならず、こ
れは方形波を用いてゲート電極を駆動することを意味す
る。
は、ＦＥＴをできるだけ急速に切り換えねばならず、こ
れは方形波を用いてゲート電極を駆動することを意味す
る。
【０００４】このような駆動は変成器を用いて行われて
いるが、立ち上り時間及び立ち下り時間を迅速にすべき
場合には方形波に広い帯域巾が要求される。これは、変
成器が低いインピーダンスで終端される場合にのみ達成
できるが、ゲートの出力インピーダンスは容量性である
から、これには、変成器駆動部の出力間をある定められ
た低い抵抗で分路することが必要となり、この抵抗が電
力を消費する。
いるが、立ち上り時間及び立ち下り時間を迅速にすべき
場合には方形波に広い帯域巾が要求される。これは、変
成器が低いインピーダンスで終端される場合にのみ達成
できるが、ゲートの出力インピーダンスは容量性である
から、これには、変成器駆動部の出力間をある定められ
た低い抵抗で分路することが必要となり、この抵抗が電
力を消費する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＦＥＴへの低電力駆動
入力を達成する１つの方法は、ＦＥＴのキャパシタンス
で一部が形成された共振回路を用いることによるもので
あるが（１９８６年５月発行のエレクトロニックス・エ
ンジニアリングの第５３ないし５６ページに掲載された
エド・オクナー著の「Ｓｉ ８９０１によるダイナミッ
クレンジの広い混合(High Dynamic Range Mixing with
the Si 8901)」参照）、これには方形波駆動を使用する
ことができない。
入力を達成する１つの方法は、ＦＥＴのキャパシタンス
で一部が形成された共振回路を用いることによるもので
あるが（１９８６年５月発行のエレクトロニックス・エ
ンジニアリングの第５３ないし５６ページに掲載された
エド・オクナー著の「Ｓｉ ８９０１によるダイナミッ
クレンジの広い混合(High Dynamic Range Mixing with
the Si 8901)」参照）、これには方形波駆動を使用する
ことができない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＲＦ入力の周
波数を変更して別の周波数の出力を発生するための混合
器において、上記入力と出力を接続する一対の絶縁ゲー
トＦＥＴスイッチングデバイスと、ＦＥＴゲートのキャ
パシタンスを繰り返し充電及び放電してＦＥＴスイッチ
ングデバイスを局部発振周波数でオン及びオフに切り換
えるためのパルス波形を発生する駆動回路とを備えたこ
とを特徴とする混合器を提供する。
波数を変更して別の周波数の出力を発生するための混合
器において、上記入力と出力を接続する一対の絶縁ゲー
トＦＥＴスイッチングデバイスと、ＦＥＴゲートのキャ
パシタンスを繰り返し充電及び放電してＦＥＴスイッチ
ングデバイスを局部発振周波数でオン及びオフに切り換
えるためのパルス波形を発生する駆動回路とを備えたこ
とを特徴とする混合器を提供する。
【０００７】パルス波形は、ＦＥＴを迅速に切り換える
ことができ（ひいては、高い直線性を得ることができ）
且つ消費電力を少なくすることができる。
ことができ（ひいては、高い直線性を得ることができ）
且つ消費電力を少なくすることができる。
【０００８】上記駆動回路は、ＦＥＴゲートに対して異
なる電位、例えば交互に正及び負の電位を切り換えるた
めの一対のトランジスタを備え、パルス特性の波形であ
ることにより迅速な切り換えを行えるようにする。とい
うのは、各トランジスタは、各パルスの後に飽和状態か
ら抜け出す時間をもち、蓄積された電荷を打ち消すのに
他のトランジスタからの次のパルスの一部分を消費しな
いからである。
なる電位、例えば交互に正及び負の電位を切り換えるた
めの一対のトランジスタを備え、パルス特性の波形であ
ることにより迅速な切り換えを行えるようにする。とい
うのは、各トランジスタは、各パルスの後に飽和状態か
ら抜け出す時間をもち、蓄積された電荷を打ち消すのに
他のトランジスタからの次のパルスの一部分を消費しな
いからである。
【０００９】上記トランジスタは、相補対になってお
り、局部発振器の方形波駆動によりキャパシタを経てそ
れらのベースから駆動される。
り、局部発振器の方形波駆動によりキャパシタを経てそ
れらのベースから駆動される。
【００１０】以下、添付図面を参照し、本発明により構
成されたＲＦ混合器を一例として詳細に説明する。
成されたＲＦ混合器を一例として詳細に説明する。
【００１１】
【実施例】本発明の混合器は、ＲＦ入力が一次側に加え
られる変成器１と、ＩＦ出力が二次側から取り出される
変成器２とを備えている。両変成器の二次側及び一次側
はアースへとセンタータップが取り出されており、巻線
の両端は４つのＭＯＳＦＥＴ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄよ
り成るブリッジの向かい合った点へ接続される。対向す
る枝路にあるＦＥＴ３ａ、３ｃ及び３ｂ、３ｄのゲート
は互いに接続されて逆位相で駆動され、ＭＯＳＦＥＴ３
ａ及び３ｃは、ＭＯＳＦＥＴ３ｂ及び３ｄと交互に導通
する。局部発振器４は、互いに逆位相の方形波発振信号
をＭＯＳＦＥＴ駆動回路５の点Ａ及びＢに供給し、ここ
で信号が増幅される。
られる変成器１と、ＩＦ出力が二次側から取り出される
変成器２とを備えている。両変成器の二次側及び一次側
はアースへとセンタータップが取り出されており、巻線
の両端は４つのＭＯＳＦＥＴ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄよ
り成るブリッジの向かい合った点へ接続される。対向す
る枝路にあるＦＥＴ３ａ、３ｃ及び３ｂ、３ｄのゲート
は互いに接続されて逆位相で駆動され、ＭＯＳＦＥＴ３
ａ及び３ｃは、ＭＯＳＦＥＴ３ｂ及び３ｄと交互に導通
する。局部発振器４は、互いに逆位相の方形波発振信号
をＭＯＳＦＥＴ駆動回路５の点Ａ及びＢに供給し、ここ
で信号が増幅される。
【００１２】駆動回路５は、正及び負のレール＋Ｖ及び
−Ｖを有し、これらの間に相補的なｎ−ｐ−ｎ、ｐ−ｎ
−ｐトランジスタの２つの対６、７；８、９が接続され
る。これらトランジスタのベースは、局部発振器の逆位
相の駆動波形により各キャパシタ６ａ、７ａ、８ａ及び
９ａを経て駆動される。各バイアス部品６ｂ−６ｄ等も
設けられている。負のレール−Ｖは、全てのＭＯＳＦＥ
Ｔの基体ｓにも接続される。
−Ｖを有し、これらの間に相補的なｎ−ｐ−ｎ、ｐ−ｎ
−ｐトランジスタの２つの対６、７；８、９が接続され
る。これらトランジスタのベースは、局部発振器の逆位
相の駆動波形により各キャパシタ６ａ、７ａ、８ａ及び
９ａを経て駆動される。各バイアス部品６ｂ−６ｄ等も
設けられている。負のレール−Ｖは、全てのＭＯＳＦＥ
Ｔの基体ｓにも接続される。
【００１３】図２を参照すれば、両方の点Ａ及びＢの電
圧波形は図２の（Ａ）に示す形態である。キャパシタ６
ａ−９ａで微分された後、トランジスタ６ないし９のベ
ースに現れる電圧波形は図２の（Ｂ）に示す波形とな
る。このベース電圧の作用は、ｎ−ｐ−ｎトランジスタ
７、９を図２の（Ｃ）に示す時間にそしてｐ−ｎ−ｐト
ランジスタ６、８を図２の（Ｄ）に示す時間にオンに繰
り返し切り換えることである。図２の（Ｃ）及び（Ｄ）
は、完全導通、即ち飽和状態に対する割合としてトラン
ジスタの導通を示している。
圧波形は図２の（Ａ）に示す形態である。キャパシタ６
ａ−９ａで微分された後、トランジスタ６ないし９のベ
ースに現れる電圧波形は図２の（Ｂ）に示す波形とな
る。このベース電圧の作用は、ｎ−ｐ−ｎトランジスタ
７、９を図２の（Ｃ）に示す時間にそしてｐ−ｎ−ｐト
ランジスタ６、８を図２の（Ｄ）に示す時間にオンに繰
り返し切り換えることである。図２の（Ｃ）及び（Ｄ）
は、完全導通、即ち飽和状態に対する割合としてトラン
ジスタの導通を示している。
【００１４】トランジスタ７及び９がオンに切り換えら
れたときには、ＦＥＴ３ａ及び３ｃのゲート電極がチャ
ンネルに対して正となり、ＦＥＴ３ａ及び３ｃが迅速に
オンに切り換えられる。トランジスタに流れる比較的大
きな電流は、ＦＥＴのゲートキャパシタンスを充電する
だけであり、従って、立ち上り時間は迅速なものとな
る。トランジスタのベースに加えられる波形はスパイク
状であるから、ｎ−ｐ−ｎトランジスタ７、９は比較的
迅速にオフに切り換わる。図２の（Ｂ）において負のス
パイクが発生される時までに、トランジスタ７及び９は
もはや飽和状態でなくなり、トランジスタ６及び８が迅
速に飽和し、ＦＥＴ３ａ及び３ｃのゲート電極をチャン
ネルに対して負にさせ、ＦＥＴ３ａ及び３ｃを迅速にオ
フに切り換える。同時に、逆位相の波形がトランジスタ
６及び７を経てＦＥＴ３ｂ及び３ｄをオンに切り換え
る。
れたときには、ＦＥＴ３ａ及び３ｃのゲート電極がチャ
ンネルに対して正となり、ＦＥＴ３ａ及び３ｃが迅速に
オンに切り換えられる。トランジスタに流れる比較的大
きな電流は、ＦＥＴのゲートキャパシタンスを充電する
だけであり、従って、立ち上り時間は迅速なものとな
る。トランジスタのベースに加えられる波形はスパイク
状であるから、ｎ−ｐ−ｎトランジスタ７、９は比較的
迅速にオフに切り換わる。図２の（Ｂ）において負のス
パイクが発生される時までに、トランジスタ７及び９は
もはや飽和状態でなくなり、トランジスタ６及び８が迅
速に飽和し、ＦＥＴ３ａ及び３ｃのゲート電極をチャン
ネルに対して負にさせ、ＦＥＴ３ａ及び３ｃを迅速にオ
フに切り換える。同時に、逆位相の波形がトランジスタ
６及び７を経てＦＥＴ３ｂ及び３ｄをオンに切り換え
る。
【００１５】ＦＥＴのオンへの切り換えは迅速であり、
混合器の直線性を促進する。というのは、トランジスタ
８、９からゲート電極へ大きな電流が流れると共に、各
トランジスタ８、９は、互いに他のトランジスタ９、８
がオンに切り換わるときまでに飽和状態にあることが停
止されるからである。さもなくば、各トランジスタのオ
ン切り換えで生じた電流の一部で、他のトランジスタに
蓄積された電荷を打ち消さねばならず、電流パルスの立
ち上り時間に遅れが生じる。又、パルス特性の波形によ
り、局部発振器による駆動回路の消費電力が低減され
る。
混合器の直線性を促進する。というのは、トランジスタ
８、９からゲート電極へ大きな電流が流れると共に、各
トランジスタ８、９は、互いに他のトランジスタ９、８
がオンに切り換わるときまでに飽和状態にあることが停
止されるからである。さもなくば、各トランジスタのオ
ン切り換えで生じた電流の一部で、他のトランジスタに
蓄積された電荷を打ち消さねばならず、電流パルスの立
ち上り時間に遅れが生じる。又、パルス特性の波形によ
り、局部発振器による駆動回路の消費電力が低減され
る。
【００１６】正及び負のレールは±１０Ｖであり、本発
明の混合器は、ＲＦ信号、特にＨＦ（３−３０ＭＨｚ）
信号に適している。局部発振信号は、２５０ＭＨｚまで
である。これらのパラメータは、使用するデバイスの特
性に基づいて変化する。
明の混合器は、ＲＦ信号、特にＨＦ（３−３０ＭＨｚ）
信号に適している。局部発振信号は、２５０ＭＨｚまで
である。これらのパラメータは、使用するデバイスの特
性に基づいて変化する。
【００１７】本発明の範囲から逸脱せずに、もちろん、
他の変更もなされ得る。従って、トランジスタ６、７；
８、９のマッチングされた対に代わってＦＥＴを用いて
もよく、更に、ＭＯＳＦＥＴは、ｐチャンネル絶縁ゲー
トのエンハンスメント型半導体デバイスであったが、ｎ
チャンネルＭＯＳＦＥＴを用いてもよく、空乏型の絶縁
ゲートＦＥＴを用いてもよく、或いは他の形式のＦＥＴ
を使用してもよい。更に、二重バランス型の混合器につ
いて説明したが、本発明は単一バランス型にも適用でき
る。更に、図示された従来の変成器１、２に代わって、
伝送線型の変成器を使用してもよい。
他の変更もなされ得る。従って、トランジスタ６、７；
８、９のマッチングされた対に代わってＦＥＴを用いて
もよく、更に、ＭＯＳＦＥＴは、ｐチャンネル絶縁ゲー
トのエンハンスメント型半導体デバイスであったが、ｎ
チャンネルＭＯＳＦＥＴを用いてもよく、空乏型の絶縁
ゲートＦＥＴを用いてもよく、或いは他の形式のＦＥＴ
を使用してもよい。更に、二重バランス型の混合器につ
いて説明したが、本発明は単一バランス型にも適用でき
る。更に、図示された従来の変成器１、２に代わって、
伝送線型の変成器を使用してもよい。
【図１】本発明による混合器の回路図である。
【図２】回路の種々の点における波形を示す図である。
１、２ 変成器 ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ ＭＯＳＦＥＴ ４ 局部発振器 ５ ＭＯＳＦＥＴ駆動回路 ６、７、８、９ トランジスタ ６ａ、７ａ、８ａ、９ａ キャパシタ
Claims (5)
- 【請求項１】 ＲＦ入力の周波数を変更して別の周波数
の出力を発生するための混合器において、上記入力と出
力を接続する一対の絶縁ゲートＦＥＴスイッチングデバ
イスと、ＦＥＴゲートのキャパシタンスを繰り返し充電
及び放電してＦＥＴスイッチングデバイスを局部発振周
波数でオン及びオフに切り換えるためのパルス波形を形
成する駆動回路とを備えたことを特徴とする混合器。 - 【請求項２】 上記駆動回路は、ＦＥＴゲートを異なっ
た電位間で切り換えて各ゲートをオン及びオフに切り換
えるための一対のトランジスタを備えている請求項１に
記載の混合器。 - 【請求項３】 上記トランジスタのゲート電極は、各キ
ャパシタを経て局部発振器の駆動部に接続される請求項
２に記載の混合器。 - 【請求項４】 上記スイッチングトランジスタは相補的
な対を形成する請求項２又は３に記載の混合器。 - 【請求項５】 上記ＦＥＴは、ＭＯＳＦＥＴである請求
項１ないし４のいずれかに記載の混合器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9127359A GB2262851B (en) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | R.F. mixer |
| GB9127359:9 | 1991-12-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267939A true JPH05267939A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=10706805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4340840A Pending JPH05267939A (ja) | 1991-12-24 | 1992-12-22 | Ｒｆ混合器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5438693A (ja) |
| EP (1) | EP0549296B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05267939A (ja) |
| AU (1) | AU662942B2 (ja) |
| DE (1) | DE69221277T2 (ja) |
| GB (1) | GB2262851B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4430314C2 (de) * | 1994-08-26 | 1997-01-16 | Telefunken Microelectron | HF-Mischstufe |
| US5983089A (en) * | 1994-09-26 | 1999-11-09 | Endgate Corporation | Slotline-mounted flip chip |
| US5898913A (en) * | 1997-04-25 | 1999-04-27 | Raytheon Company | Plural band converter |
| US6078802A (en) * | 1997-11-18 | 2000-06-20 | Trw Inc. | High linearity active balance mixer |
| US6108529A (en) | 1998-02-01 | 2000-08-22 | Bae Systems Aerospace Electronics Inc. | Radio system including FET mixer device and square-wave drive switching circuit and method therefor |
| US6144236A (en) * | 1998-02-01 | 2000-11-07 | Bae Systems Aerospace Electronics Inc. | Structure and method for super FET mixer having logic-gate generated FET square-wave switching signal |
| US6278872B1 (en) * | 1998-10-16 | 2001-08-21 | Nortel Networks Limited | Frequency converter with improved linearity |
| FR2798234B1 (fr) * | 1999-09-03 | 2001-11-23 | St Microelectronics Sa | Dispositif de transposition de frequence a faible fuite de signal d'oscillateur local et procede correspondant de reduction de fuite |
| US6560451B1 (en) | 1999-10-15 | 2003-05-06 | Cirrus Logic, Inc. | Square wave analog multiplier |
| US6438364B1 (en) * | 2000-06-06 | 2002-08-20 | Philips Electronics North America Corporation | Radio frequency device with fast charging of an input capacitance |
| NL1017773C2 (nl) * | 2001-04-04 | 2002-10-07 | Ericsson Telefon Ab L M | Versterker-mixer inrichting. |
| DE10209164B4 (de) * | 2002-03-01 | 2005-08-18 | Gude, Michael, Dr. | H-Brückenschaltung |
| US7299028B2 (en) * | 2005-01-21 | 2007-11-20 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Low power, low noise figure, latch driver circuit |
| US7856221B1 (en) * | 2005-12-22 | 2010-12-21 | Maxim Integrated Products, Inc. | Mixer topologies having improved second order intermodulation suppression |
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