JPH0526844B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0526844B2 JPH0526844B2 JP60114329A JP11432985A JPH0526844B2 JP H0526844 B2 JPH0526844 B2 JP H0526844B2 JP 60114329 A JP60114329 A JP 60114329A JP 11432985 A JP11432985 A JP 11432985A JP H0526844 B2 JPH0526844 B2 JP H0526844B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiant tube
- heating furnace
- radiant
- zone
- heating
- Prior art date
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- Gas Burners (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、スラブ、ビレツト、ブルームなど
の被加熱材を加熱するための加熱炉の主として均
熱帯に設けられて輻射熱を出すラジアントチユー
ブを製造する方法に関する。
の被加熱材を加熱するための加熱炉の主として均
熱帯に設けられて輻射熱を出すラジアントチユー
ブを製造する方法に関する。
従来の技術
加熱炉に用けられるラジアントチユーブは、炭
化ケイ素質耐火物から形成されていることは、実
公昭59−40437号公報で公知である。
化ケイ素質耐火物から形成されていることは、実
公昭59−40437号公報で公知である。
加熱炉は、被加熱材たとえばスラブが挿入され
る入口側から順に予熱帯、加熱帯、均熱帯に区分
される。この均熱帯のスラブ抽出口に近いとこ
ろ、たとえば約３ｍ以内のところでは、フオーク
を有するエキストラクターで炉床のスラブ支持ビ
ームにたまるスラブを取出す時に、炉外からの侵
入空気およびエキストラクターによる冷却によ
り、特に均熱帯に位置するラジアントチユーブが
急激に冷却される。
る入口側から順に予熱帯、加熱帯、均熱帯に区分
される。この均熱帯のスラブ抽出口に近いとこ
ろ、たとえば約３ｍ以内のところでは、フオーク
を有するエキストラクターで炉床のスラブ支持ビ
ームにたまるスラブを取出す時に、炉外からの侵
入空気およびエキストラクターによる冷却によ
り、特に均熱帯に位置するラジアントチユーブが
急激に冷却される。
発明が解決しようとする課題
粘土結合、ケイ酸塩結合SiCは、耐熱的スポー
リング性（耐熱衝撃性）に問題があるため、これ
により作られたラジアントチユーブは、急激に冷
却されると、クラツクが発生しやすい。
リング性（耐熱衝撃性）に問題があるため、これ
により作られたラジアントチユーブは、急激に冷
却されると、クラツクが発生しやすい。
このため、特に均熱帯に位置するラジアントチ
ユーブは、その寿命が短く、そのため加熱炉の操
業がたびたび停止し、被加熱材の加熱処理の効率
が悪いという問題があつた。
ユーブは、その寿命が短く、そのため加熱炉の操
業がたびたび停止し、被加熱材の加熱処理の効率
が悪いという問題があつた。
この発明は上述した問題点を解決するためにな
されたものであり、加熱炉の主として均熱帯に設
けるラジアントチユーブが、スラブ取出し時に急
激に冷却されてもクラツクが発生しない加熱炉用
ラジアントチユーブを製造する方法を提供するこ
とを目的としている。
されたものであり、加熱炉の主として均熱帯に設
けるラジアントチユーブが、スラブ取出し時に急
激に冷却されてもクラツクが発生しない加熱炉用
ラジアントチユーブを製造する方法を提供するこ
とを目的としている。
課題を解決するための手段
したがつて、この目的を達成するために、この
発明は、Si3N4結合SiC焼結体からなる加熱炉用
ラジアントチユーブを1250〜1500℃の酸化雰囲気
中で再加熱処理することを特徴とする加熱炉用ラ
ジアントチユーブの製造方法を要旨としている。
発明は、Si3N4結合SiC焼結体からなる加熱炉用
ラジアントチユーブを1250〜1500℃の酸化雰囲気
中で再加熱処理することを特徴とする加熱炉用ラ
ジアントチユーブの製造方法を要旨としている。
実施例
第１図は加熱炉の一部切欠側面図を示してお
り、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面を示
している。
り、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面を示
している。
図において、１は加熱炉の炉床である。この炉
床１には被加熱材支持ビーム２が設けられてお
り、支持ビーム２の上には被加熱材３が移動でき
るようになつている。
床１には被加熱材支持ビーム２が設けられてお
り、支持ビーム２の上には被加熱材３が移動でき
るようになつている。
加熱炉は、入口側から順に予熱帯４、加熱帯５
および均熱帯６により構成されている。この予熱
帯４から均熱帯６にわたつて被加熱材３の進行方
向と直角方向に、ラジアントチユーブ７ａ，８が
設定されている。加熱炉の側壁には、バーナ７が
ラジアントチユーブ７ａ，８に対向して設けられ
ている。
および均熱帯６により構成されている。この予熱
帯４から均熱帯６にわたつて被加熱材３の進行方
向と直角方向に、ラジアントチユーブ７ａ，８が
設定されている。加熱炉の側壁には、バーナ７が
ラジアントチユーブ７ａ，８に対向して設けられ
ている。
均熱帯６のラジアントチユーブ８は、予熱帯４
および加熱帯５の領域と同様にサポート９により
炉床１から上方に支持されている。各バーナ７に
同軸となるように直列に並べて設定された各ラジ
アントチユーブ８は、互いに〓間を隔てて設定さ
れており、しかも、一方のラジアントチユーブ８
はバーナ７に対しても〓間が設けられている。
および加熱帯５の領域と同様にサポート９により
炉床１から上方に支持されている。各バーナ７に
同軸となるように直列に並べて設定された各ラジ
アントチユーブ８は、互いに〓間を隔てて設定さ
れており、しかも、一方のラジアントチユーブ８
はバーナ７に対しても〓間が設けられている。
各ラジアントチユーブ８は、両端解放のもので
あり、後述のように酸化雰囲気において再加熱処
理されたSiC−Si3N4系セラミツクすなわちSi3N4
結合SiC焼結体により形成されている。
あり、後述のように酸化雰囲気において再加熱処
理されたSiC−Si3N4系セラミツクすなわちSi3N4
結合SiC焼結体により形成されている。
なお、均熱帯６の上部には上部バーナ１０が設
けられている。
けられている。
使用時には、被加熱材たとえばスラブ３は、予
熱帯４、加熱帯５および均熱帯６に順次移送され
てくる。この間に被加熱材３は予熱、加熱および
均熱処理がなされる。
熱帯４、加熱帯５および均熱帯６に順次移送され
てくる。この間に被加熱材３は予熱、加熱および
均熱処理がなされる。
この予熱、加熱および均熱の作業中は、各ラジ
アントチユーブ７ａ，８にバーナ７の火炎および
燃焼ガスが送られ、ラジアントチユーブ７ａ，８
は輻射熱を出す。
アントチユーブ７ａ，８にバーナ７の火炎および
燃焼ガスが送られ、ラジアントチユーブ７ａ，８
は輻射熱を出す。
操業が進むと、支持ビーム２には、スラブが堆
積する。そこで、均熱帯６の抽出口（図示せず）
を開けて、エキストラクター１１を入れて、そこ
からスラブを取り出す。この時、均熱帯内の温度
と外部との温度差が極めて大きいので、外気の冷
風およびエキストラクター１１により均熱帯６の
ラジアントチユーブ８は急激に冷却される。
積する。そこで、均熱帯６の抽出口（図示せず）
を開けて、エキストラクター１１を入れて、そこ
からスラブを取り出す。この時、均熱帯内の温度
と外部との温度差が極めて大きいので、外気の冷
風およびエキストラクター１１により均熱帯６の
ラジアントチユーブ８は急激に冷却される。
しかしながら、均熱帯６のラジアントチユーブ
８は、酸化雰囲気において再加熱処理された
Si3N4結合SiC焼結体で形成されているので、耐
熱的スポーリング性（耐熱衝撃性）が優れ、クラ
ツクが入るおそれはない。
８は、酸化雰囲気において再加熱処理された
Si3N4結合SiC焼結体で形成されているので、耐
熱的スポーリング性（耐熱衝撃性）が優れ、クラ
ツクが入るおそれはない。
Si3N4結合SiC焼結体からなるラジアントチユ
ーブは、次のような酸化雰囲気再加熱処理条件で
再加熱処理したものが好ましい。
ーブは、次のような酸化雰囲気再加熱処理条件で
再加熱処理したものが好ましい。
まず、従来と同様にSi3N4結合SiC焼結体から
なるラジアントチユーブを作る。どのような従来
方法を採用してもよいが、一般的には、SiC粉末
とSi粉末とバインダーを混練してから、それをラ
ジアントチユーブの形に成形し、N2ガス雰囲気
で焼結する。
なるラジアントチユーブを作る。どのような従来
方法を採用してもよいが、一般的には、SiC粉末
とSi粉末とバインダーを混練してから、それをラ
ジアントチユーブの形に成形し、N2ガス雰囲気
で焼結する。
本発明での、このようにして作られた従来公知
のSi3N4結合SiC焼結体からなるラジアントチユ
ーブを再加熱処理する。
のSi3N4結合SiC焼結体からなるラジアントチユ
ーブを再加熱処理する。
Si3N4結合SiC焼結体からなるラジアントチユ
ーブの再加熱温度は、1250〜1500℃の温度範囲で
ある。また、加熱後の室温までの冷却はできるだ
け低速度で行うとよい。
ーブの再加熱温度は、1250〜1500℃の温度範囲で
ある。また、加熱後の室温までの冷却はできるだ
け低速度で行うとよい。
再加熱処理によつてSi3N4結合SiC焼結体から
なるラジアントチユーブの表層が酸化され、
SiO2化が行われる。再加熱処理時間は適宜選択
すればよいが、通常３〜10時間くらいとする。そ
の場合、処理条件にもよるが、SiO2化層の厚み
は約20〜50μｍ程度である。もちろん本発明はこ
れに限定されない。
なるラジアントチユーブの表層が酸化され、
SiO2化が行われる。再加熱処理時間は適宜選択
すればよいが、通常３〜10時間くらいとする。そ
の場合、処理条件にもよるが、SiO2化層の厚み
は約20〜50μｍ程度である。もちろん本発明はこ
れに限定されない。
なお、酸化雰囲気は、実炉と同程度の燃焼雰囲
気であつてもよい。
気であつてもよい。
酸化雰囲気おいて再加熱処理されたSiC−
Si3N4系セラミツク（つまりSi3N4結合SiC焼結
体）と他のセラミツク質との反復加熱試験の結果
を第３図に示す。
Si3N4系セラミツク（つまりSi3N4結合SiC焼結
体）と他のセラミツク質との反復加熱試験の結果
を第３図に示す。
第３図は縦軸に弾性率減少割合（％）を取り、
横軸には反復回数（回）を取つてある。第３図に
は、比較例として再加熱処理されていないSi3N4
結合SiC焼結体とSiCセラミツクがあげてある。
横軸には反復回数（回）を取つてある。第３図に
は、比較例として再加熱処理されていないSi3N4
結合SiC焼結体とSiCセラミツクがあげてある。
この反復加熱試験は、900℃の炉内に各材質を
挿入し、15分間加熱後放冷するプロセスを繰り返
し実施して、反復回数に対する弾性率の減少割合
を測定する試験である。
挿入し、15分間加熱後放冷するプロセスを繰り返
し実施して、反復回数に対する弾性率の減少割合
を測定する試験である。
第３図から明らかなように、酸化雰囲気におい
て再加熱処理されたSi3N4結合SiC焼結体は、反
復回数が増えてもほとんど弾性率の低下はなく、
初期の弾性率を保持している。ところが、他の材
質はいずれも反復回数が１回から２回で、弾性率
が初期の95％以下に低下してしまう。
て再加熱処理されたSi3N4結合SiC焼結体は、反
復回数が増えてもほとんど弾性率の低下はなく、
初期の弾性率を保持している。ところが、他の材
質はいずれも反復回数が１回から２回で、弾性率
が初期の95％以下に低下してしまう。
このことから明らかなように、再加熱処理済み
のSi3N4結合SiC焼結体は、温度変化が繰り返し
あつても、割れが生じにくいのである。
のSi3N4結合SiC焼結体は、温度変化が繰り返し
あつても、割れが生じにくいのである。
なお、上述した実施例では、均熱帯６の各か所
のラジアントチユーブ８を２本に分割して直列に
並べて２本で１組としているが、第４図に示すよ
うに、これを長くして１本化したラジアントチユ
ーブ８を用いてもよいことはいうまでもない。
のラジアントチユーブ８を２本に分割して直列に
並べて２本で１組としているが、第４図に示すよ
うに、これを長くして１本化したラジアントチユ
ーブ８を用いてもよいことはいうまでもない。
発明の効果
以上説明したことから明らかなように、本発明
によれば、加熱炉に設けるラジアントチユーブを
Si3N4結合SiC焼結体で作り、それを酸素雰囲気
において再加熱処理するので、支持ビーム上にス
ラブがたまつて取出す時に冷風にさらされたりエ
キストラクターにより冷却されたりしても、ラジ
アントチユーブにはクラツクが発生せず、ラジア
ントチユーブの長寿命化が図れ、それにより加熱
炉の安定かつ連続な操業が可能となり、加熱処理
の効率を向上できる効果がある。
によれば、加熱炉に設けるラジアントチユーブを
Si3N4結合SiC焼結体で作り、それを酸素雰囲気
において再加熱処理するので、支持ビーム上にス
ラブがたまつて取出す時に冷風にさらされたりエ
キストラクターにより冷却されたりしても、ラジ
アントチユーブにはクラツクが発生せず、ラジア
ントチユーブの長寿命化が図れ、それにより加熱
炉の安定かつ連続な操業が可能となり、加熱処理
の効率を向上できる効果がある。
第１図はこの発明の方法によつて製造されたラ
ジアントチユーブが設けられた加熱炉を示す一部
切欠側面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における
断面図、第３図は反復加熱試験の結果を示す図、
第４図はこの発明の方法によつて作られたラジア
ントチユーブの別の実施例が設けられた加熱炉を
示す断面図である。 ６……加熱炉の均熱帯、７……バーナ、８……
均熱帯のラジアントチユーブ。
ジアントチユーブが設けられた加熱炉を示す一部
切欠側面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における
断面図、第３図は反復加熱試験の結果を示す図、
第４図はこの発明の方法によつて作られたラジア
ントチユーブの別の実施例が設けられた加熱炉を
示す断面図である。 ６……加熱炉の均熱帯、７……バーナ、８……
均熱帯のラジアントチユーブ。
Claims (1)
- １ Si3N4結合SiC焼結体からなる加熱炉用ラジ
アントチユーブを1250〜1500℃の酸化雰囲気中で
再加熱処理することを特徴とする加熱炉用ラジア
ントチユーブの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11432985A JPS61272315A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 加熱炉用ラジアントチューブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11432985A JPS61272315A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 加熱炉用ラジアントチューブの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272315A JPS61272315A (ja) | 1986-12-02 |
| JPH0526844B2 true JPH0526844B2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=14635090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11432985A Granted JPS61272315A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 加熱炉用ラジアントチューブの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61272315A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131803A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-24 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | ＳｉＣ−Ｓｉ質ラジアントチューブ |
| JP3387358B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2003-03-17 | 住友金属工業株式会社 | 高能率大型光輝加熱炉 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744165U (ja) * | 1980-08-20 | 1982-03-11 | ||
| JPS60240907A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Tokyo Gas Co Ltd | ラジアントチユ−ブバ−ナ |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11432985A patent/JPS61272315A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61272315A (ja) | 1986-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |