JPH05269608A - 差し込み工具 - Google Patents
差し込み工具Info
- Publication number
- JPH05269608A JPH05269608A JP4292660A JP29266092A JPH05269608A JP H05269608 A JPH05269608 A JP H05269608A JP 4292660 A JP4292660 A JP 4292660A JP 29266092 A JP29266092 A JP 29266092A JP H05269608 A JPH05269608 A JP H05269608A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond layer
- tool according
- substrate
- diamond
- microns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 16
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 9
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100093450 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) ubi::crp-6 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000003483 aging Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 carbon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B27/00—Tools for turning or boring machines; Tools of a similar kind in general; Accessories therefor
- B23B27/14—Cutting tools of which the bits or tips or cutting inserts are of special material
- B23B27/141—Specially shaped plate-like cutting inserts, i.e. length greater or equal to width, width greater than or equal to thickness
- B23B27/145—Specially shaped plate-like cutting inserts, i.e. length greater or equal to width, width greater than or equal to thickness characterised by having a special shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5001—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with carbon or carbonisable materials
- C04B41/5002—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B2226/00—Materials of tools or workpieces not comprising a metal
- B23B2226/31—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B2226/00—Materials of tools or workpieces not comprising a metal
- B23B2226/72—Silicon carbide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B2228/00—Properties of materials of tools or workpieces, materials of tools or workpieces applied in a specific manner
- B23B2228/04—Properties of materials of tools or workpieces, materials of tools or workpieces applied in a specific manner applied by chemical vapour deposition [CVD]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基材の自由ケイ素の含有量を所定の範囲内に
定めること等によって基材と蒸着され各ダイヤモンド層
との間に一様で丈夫な結合を生じさせる。 【構成】 差し込み工具は、基材（１４）の表面（１
２）に接合されるダイヤモンド層（１０）を有し、該基
材は、７質量％から１２質量％の自由ケイ素を含有し接
合される炭化ケイ素セラミックである。該層のダイヤモ
ンドは、好ましくはＣＶＤダイヤモンドである。
定めること等によって基材と蒸着され各ダイヤモンド層
との間に一様で丈夫な結合を生じさせる。 【構成】 差し込み工具は、基材（１４）の表面（１
２）に接合されるダイヤモンド層（１０）を有し、該基
材は、７質量％から１２質量％の自由ケイ素を含有し接
合される炭化ケイ素セラミックである。該層のダイヤモ
ンドは、好ましくはＣＶＤダイヤモンドである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、差し込み工具、特に、
切削工具用差し込み工具に関する。
切削工具用差し込み工具に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドの全面的な層が化学的な蒸
着（以下ＣＶＤと呼ぶ）を使用して好適な基材の表面へ
付着される差し込み工具は、周知である。差し込み工具
用基材は、焼結炭化物合金、窒化ケイ素、シアロン（si
alon）、炭化ケイ素等の様に性質において一般にセラミ
ックである。
着（以下ＣＶＤと呼ぶ）を使用して好適な基材の表面へ
付着される差し込み工具は、周知である。差し込み工具
用基材は、焼結炭化物合金、窒化ケイ素、シアロン（si
alon）、炭化ケイ素等の様に性質において一般にセラミ
ックである。
【０００３】この性質の差し込み工具に関する主な問題
の１つは、ダイヤモンド層と基材との間に良好で不変の
接合を達成するのが困難なことであり、或る場合には、
該接合は、劣化し得る。
の１つは、ダイヤモンド層と基材との間に良好で不変の
接合を達成するのが困難なことであり、或る場合には、
該接合は、劣化し得る。
【０００４】特公昭６１−２９１４９３号は、ＣＶＡダ
イヤモンド層を付着するベースとしての窒化ケイ素また
は炭化ケイ素の基材の使用を記載する。炭化ケイ素の性
質の記載はない。
イヤモンド層を付着するベースとしての窒化ケイ素また
は炭化ケイ素の基材の使用を記載する。炭化ケイ素の性
質の記載はない。
【０００５】
【発明の要約】本発明によると、基材の表面に接合され
るダイヤモンド層、好ましくはＣＶＤダイヤモンド層を
有する差し込み工具が提供され、該基材は、自由ケイ素
の質量で７％から１２％まで、好ましくは１０％から１
１．５％までを含有し接合される炭化ケイ素セラミック
である。
るダイヤモンド層、好ましくはＣＶＤダイヤモンド層を
有する差し込み工具が提供され、該基材は、自由ケイ素
の質量で７％から１２％まで、好ましくは１０％から１
１．５％までを含有し接合される炭化ケイ素セラミック
である。
【０００６】
【実施例】接合される炭化ケイ素セラミック基材の自由
ケイ素含有量が上記で特定される範囲内であれば、ダイ
ヤモンド層と該基材との間に一様に丈夫な接合を達成可
能なことが判明しこれは、ＣＶＤダイヤモンド層に対し
て特にあてはまる。自由ケイ素はセラミック全体に均一
に分散し、自由ケイ素のたまり(pool)は実質上存在しな
い。
ケイ素含有量が上記で特定される範囲内であれば、ダイ
ヤモンド層と該基材との間に一様に丈夫な接合を達成可
能なことが判明しこれは、ＣＶＤダイヤモンド層に対し
て特にあてはまる。自由ケイ素はセラミック全体に均一
に分散し、自由ケイ素のたまり(pool)は実質上存在しな
い。
【０００７】ダイヤモンド層は、任意の周知のＣＶＤ法
を使用して接合される炭化ケイ素セラミック基材の表面
に定着されてもよい。ＣＶＤ法では、水素または酸素の
存在下のガス状炭素化合物は、ダイヤモンドを形成する
様に基材の表面に定着する炭素のイオンないし遊離基を
含むプラズマを形成する様に分解される。該ガス状炭素
化合物は、ＲＦまたはマイクロ波エネルギまたは高温フ
ィラメントを使用する加熱によって分解されてもよい。
これ等の方法は、充分に確立されていて、文献に記載さ
れている。
を使用して接合される炭化ケイ素セラミック基材の表面
に定着されてもよい。ＣＶＤ法では、水素または酸素の
存在下のガス状炭素化合物は、ダイヤモンドを形成する
様に基材の表面に定着する炭素のイオンないし遊離基を
含むプラズマを形成する様に分解される。該ガス状炭素
化合物は、ＲＦまたはマイクロ波エネルギまたは高温フ
ィラメントを使用する加熱によって分解されてもよい。
これ等の方法は、充分に確立されていて、文献に記載さ
れている。
【０００８】接合される炭化ケイ素セラミックの炭化ケ
イ素の粒子寸法は、好ましくは使用の際の差し込み工具
の刃の欠けを最小限にする様に微細である。炭化ケイ素
の好適な粒子寸法の範囲は、２ミクロンから５０ミクロ
ンまでであり、好ましくは５ミクロンから３０ミクロン
までである。
イ素の粒子寸法は、好ましくは使用の際の差し込み工具
の刃の欠けを最小限にする様に微細である。炭化ケイ素
の好適な粒子寸法の範囲は、２ミクロンから５０ミクロ
ンまでであり、好ましくは５ミクロンから３０ミクロン
までである。
【０００９】ダイヤモンド層は、任意の好適な厚さを有
してもよいが、一般に１００ミクロンよりも薄い厚さを
有している。２０ミクロンから３０ミクロンまでのダイ
ヤモンド層の厚さは、特に好適であることが判明した。
該層におけるダイヤモンド粒子は、２ミクロンから１０
ミクロンまでの寸法を有している。
してもよいが、一般に１００ミクロンよりも薄い厚さを
有している。２０ミクロンから３０ミクロンまでのダイ
ヤモンド層の厚さは、特に好適であることが判明した。
該層におけるダイヤモンド粒子は、２ミクロンから１０
ミクロンまでの寸法を有している。
【００１０】該基材は、その表面に定着されるダイヤモ
ンドの層を有している。該ダイヤモンド層は、差し込み
工具に切削刃ないし刃先を与える。本発明の好適な一形
態では、基材は、側面によって結合される主平坦面を有
し、ダイヤモンド層は、１つの主平坦面の少くとも一部
に付着される。一般に、該ダイヤモンド層は、それが付
着される全体の主平坦面を被う。ダイヤモンド層が磨か
れることは、好ましい。
ンドの層を有している。該ダイヤモンド層は、差し込み
工具に切削刃ないし刃先を与える。本発明の好適な一形
態では、基材は、側面によって結合される主平坦面を有
し、ダイヤモンド層は、１つの主平坦面の少くとも一部
に付着される。一般に、該ダイヤモンド層は、それが付
着される全体の主平坦面を被う。ダイヤモンド層が磨か
れることは、好ましい。
【００１１】本発明の他の好適形態では、基材は、側面
によって結合される主平坦面を有し、ダイヤモンド層
は、該主平坦面と、該側面との間の端縁を越えて連続す
る様に１つの主平坦面の少くとも一部に付着される。該
端縁は、半径を有してもよく、この場合には、該端縁に
付着されるダイヤモンド層は、相補状の半径を有してい
る。主平坦面に付着されるダイヤモンド層が磨かれれ
ば、磨くことは、ダイヤモンド層の半径を低減して鋭く
する効果を有している。改良される切削刃の鋭さが得ら
れる。
によって結合される主平坦面を有し、ダイヤモンド層
は、該主平坦面と、該側面との間の端縁を越えて連続す
る様に１つの主平坦面の少くとも一部に付着される。該
端縁は、半径を有してもよく、この場合には、該端縁に
付着されるダイヤモンド層は、相補状の半径を有してい
る。主平坦面に付着されるダイヤモンド層が磨かれれ
ば、磨くことは、ダイヤモンド層の半径を低減して鋭く
する効果を有している。改良される切削刃の鋭さが得ら
れる。
【００１２】該差し込み工具は、旋削、スライス削りお
よび穿孔の様な種々の切削作業に使用可能である。該差
し込み工具は、非鉄研摩材料の切削に特に有用である。
よび穿孔の様な種々の切削作業に使用可能である。該差
し込み工具は、非鉄研摩材料の切削に特に有用である。
【００１３】接合される好適な炭化ケイ素セラミックの
一例は、セラミックにわたって均等に分配される炭化ケ
イ素の８７．９質量％と、１１．４質量％の自由ケイ素
含有量と、次の物理的、機械的および熱的の特性とを有
するものである。
一例は、セラミックにわたって均等に分配される炭化ケ
イ素の８７．９質量％と、１１．４質量％の自由ケイ素
含有量と、次の物理的、機械的および熱的の特性とを有
するものである。
【００１４】（物理的特性） 密度…… ３．１０g/cm3 開口気孔率…… ０％ 粒子寸法（平均）……１０μｍ
【００１５】 （機械的特性） 曲げ強さ（３点曲げ）２０℃において ４００ＭＰａ 曲げ強さ（３点曲げ）１０００℃において ４００ＭＰａ 引張り計数 ２０℃において ３９０ＧＰａ ポアソン比 ０．２４ 圧縮強さ ２０℃において ２０００ＭＰａ 破壊強さ Ｋ10 ２０℃において ４ＭＰａｍ1/2 硬さＨｖ（５０ｇ荷重） ３０００kg/mm2
【００１６】 （熱的特性） 熱伝導度 ２０℃において １５０Ｗｍ-1Ｋ-1 比熱 １１００Ｊ／kg℃ 熱膨脹係数 ４．３×１０6 ／℃
【００１７】製品レッフェルエフ（登録商標Ｒｅｆｅｌ
Ｆ）は、該炭素ケイ素セラミックの例である。
Ｆ）は、該炭素ケイ素セラミックの例である。
【００１８】次に、添付図面を参照して本発明の実施例
を説明する。最初に図１，２を参照すると、差し込み工
具は、基材１４の上側平坦面１２に接合されるダイヤモ
ンド層１０を備えている。また、該基材は、下側平坦面
１５を有している。ダイヤモンド層１０は、基材の端縁
１６を越えて側面１８の少くとも一部に下方へ連続す
る。端縁１６は、半径を有し、端縁１６上を通過するダ
イヤモンド層の部分２０は、相補状の半径を有してい
る。
を説明する。最初に図１，２を参照すると、差し込み工
具は、基材１４の上側平坦面１２に接合されるダイヤモ
ンド層１０を備えている。また、該基材は、下側平坦面
１５を有している。ダイヤモンド層１０は、基材の端縁
１６を越えて側面１８の少くとも一部に下方へ連続す
る。端縁１６は、半径を有し、端縁１６上を通過するダ
イヤモンド層の部分２０は、相補状の半径を有してい
る。
【００１９】面１２に接合されるダイヤモンド層１０の
部分は、磨かれるテーブル２２を形成する様に磨かれ
る。図２は、点線でダイヤモンド層１０の最初の上側面
を示し、一方、実線２２は、磨かれるテーブルを示す。
磨くことは、ダイヤモンドの端縁の半径２０を低減し従
って端縁の鋭さを改良する作用を有することが認められ
る。差し込み工具の切削刃を与えるのは、このダイヤモ
ンド端縁２０である。
部分は、磨かれるテーブル２２を形成する様に磨かれ
る。図２は、点線でダイヤモンド層１０の最初の上側面
を示し、一方、実線２２は、磨かれるテーブルを示す。
磨くことは、ダイヤモンドの端縁の半径２０を低減し従
って端縁の鋭さを改良する作用を有することが認められ
る。差し込み工具の切削刃を与えるのは、このダイヤモ
ンド端縁２０である。
【００２０】図１，２に示す差し込み工具は、平面にお
いて三角形の形状を有している。該差し込み工具は、正
方形および矩形の様なその他の形状を備えてもよい。
いて三角形の形状を有している。該差し込み工具は、正
方形および矩形の様なその他の形状を備えてもよい。
【００２１】更に、図１，２の基材１４の面１２は、平
坦である。該面は、他の形状を有してもよい。ダイヤモ
ンド層１０は、該他の形状に従う。
坦である。該面は、他の形状を有してもよい。ダイヤモ
ンド層１０は、該他の形状に従う。
【００２２】本発明の第２実施例は、図３に示される。
この実施例では、ダイヤモンド層２４は、基材２８の上
側面２６に接合される。該ダイヤモンド層および基材
は、鋭いダイヤモンド切削刃３２を生じる様に線３０に
沿って切除される。刃３２の鋭さは、切除部３０の角度
によって指令される。点線は、差し込み工具が製造され
た最初の形状の接合される製品を示す。
この実施例では、ダイヤモンド層２４は、基材２８の上
側面２６に接合される。該ダイヤモンド層および基材
は、鋭いダイヤモンド切削刃３２を生じる様に線３０に
沿って切除される。刃３２の鋭さは、切除部３０の角度
によって指令される。点線は、差し込み工具が製造され
た最初の形状の接合される製品を示す。
【００２３】図１から図３までに示す実施例のダイヤモ
ンド層は、好ましくはＣＶＤダイヤモンド層である。Ｃ
ＶＤダイヤモンド層を製造する方法は、当該技術におい
て周知の任意のものでもよい。
ンド層は、好ましくはＣＶＤダイヤモンド層である。Ｃ
ＶＤダイヤモンド層を製造する方法は、当該技術におい
て周知の任意のものでもよい。
【００２４】本発明の一実施例では、図１，２に示す型
式の差し込み工具は、上述の様な組成と、物理的、機械
的および熱的の特性とを有し接合される炭化ケイ素セラ
ミック基材を与えることによって製造された。ＣＶＤダ
イヤモンド層は、２０トルの圧力において水素／一酸化
炭素の混合物（８０ｓｃｃｍ水素と、２０ｓｃｃｍ一酸
化炭素）を分解するためにマイクロ波エネルギを使用し
て基材の面１２に付着された。２０ミクロンから３０ミ
クロンまでの厚さのダイヤモンド層は、面１２に付着さ
れた。ダイヤモンド層は、基材へ強固に付着して、アル
ミニウム２０％のケイ素試験片の切削を良好に行うこと
が判明した。これは、差し込み工具が製造された直後だ
けではなく５ケ月の期間後でも然りであった。更に、炭
化ケイ素基材上のダイヤモンド膜の時効硬化、引張り割
れおよび剥離は、５ケ月の期間後に光学的にまたはＳＥ
Ｍ（走査電子顕微鏡検査）のいづれによってもそれ等自
体を明示しなかった。
式の差し込み工具は、上述の様な組成と、物理的、機械
的および熱的の特性とを有し接合される炭化ケイ素セラ
ミック基材を与えることによって製造された。ＣＶＤダ
イヤモンド層は、２０トルの圧力において水素／一酸化
炭素の混合物（８０ｓｃｃｍ水素と、２０ｓｃｃｍ一酸
化炭素）を分解するためにマイクロ波エネルギを使用し
て基材の面１２に付着された。２０ミクロンから３０ミ
クロンまでの厚さのダイヤモンド層は、面１２に付着さ
れた。ダイヤモンド層は、基材へ強固に付着して、アル
ミニウム２０％のケイ素試験片の切削を良好に行うこと
が判明した。これは、差し込み工具が製造された直後だ
けではなく５ケ月の期間後でも然りであった。更に、炭
化ケイ素基材上のダイヤモンド膜の時効硬化、引張り割
れおよび剥離は、５ケ月の期間後に光学的にまたはＳＥ
Ｍ（走査電子顕微鏡検査）のいづれによってもそれ等自
体を明示しなかった。
【００２５】同様な差し込み工具は、異なるガス状炭素
／水素の混合物を使用して製造された。例えば、次の混
合物および圧力が使用された。
／水素の混合物を使用して製造された。例えば、次の混
合物および圧力が使用された。
【００２６】
【表１】 Ｈ2 Ａｒ ＣＨ4 圧力 （ｓｃｃｍ） （ｓｃｃｍ） （ｓｃｃｍ） （トル） ２００ ２００ ６０ ８０ ２００ ２００ ４ ７５ ２００ ２００ ６ １５０ ７５０ １４０ １４ １３０ 各々の場合に、炭素ケイ素基材へ強固に接合されるＣＶ
Ｄダイヤモンド層を有する差し込み工具が製造された。
Ｄダイヤモンド層を有する差し込み工具が製造された。
【図１】差し込み工具の一実施例の平面図。
【図２】図１の線２−２に沿う断面図。
【図３】差し込み工具の第２実施例の斜視図。
１０ ダイヤモンド層 １２ 上側平坦面 １４ 基材 １６ 端縁 １８ 側面 ２０ ダイヤモンド端縁（部分） ２４ ダイヤモンド層 ２６ 上側面 ２８ 基材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 25/02 9040−4Ｇ 29/04 7821−4Ｇ (72)発明者 コーネリウス ファール イギリス国エスエル５ ９エルエス バー クシャー，サウス アスコット，ホース ゲイト ライド，ベンエイカー（番地な し) (72)発明者 ジョージ リチャード シャフト イギリス領マン島ポート ソデリック，マ リン ドライブ，コーデリィ（番地なし) (72)発明者 チャールズ ジェラード スウィーニィ イギリス国ユービー３ ３ピーキュー ミ ドルセックス，ヘイズ，アボッツウッド ウェイ 118
Claims (14)
- 【請求項１】 基材の表面に接合されるダイヤモンド層
を有し、該基材が、７質量％から１２質量％までの自由
ケイ素を含有し接合される炭化ケイ素セラミックである
差し込み工具。 - 【請求項２】 請求項１に記載の差し込み工具におい
て，前記ダイヤモンドが、ＣＶＤダイヤモンドである差
し込み工具。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の差し込
み工具において，前記接合される炭素ケイ素セラミック
が、１０質量％から１１．５質量％までの自由ケイ素を
含有する差し込み工具。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいづれか１つの
項に記載の差し込み工具において，前記炭素ケイ素の粒
子寸法が、２ミクロンから５０ミクロンの範囲内にある
差し込み工具。 - 【請求項５】 請求項１から請求項３のいづれか１つの
項に記載の差し込み工具において，前記炭素ケイ素の粒
子寸法が、５ミクロンから３０ミクロンの範囲内にある
差し込み工具。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいづれか１つの
項に記載の差し込み工具において，前記ダイヤモンド層
の厚さが、１００ミクロンよりも薄い差し込み工具。 - 【請求項７】 請求項６に記載の差し込み工具におい
て，前記ダイヤモンド層の厚さが、２０ミクロンから３
０ミクロンの範囲内にある差し込み工具。 - 【請求項８】 請求項１から請求項７のいづれか１つの
項に記載の差し込み工具において，前記ダイヤモンド層
の粒子寸法が、２ミクロンから１０ミクロンの範囲内に
ある差し込み工具。 - 【請求項９】 請求項１から請求項８のいづれか１つの
項に記載の差し込み工具において，前記基材が、側面に
よって結合される主平坦面を有し，前記ダイヤモンド層
が、１つの該主平坦面の少くとも一部に付着される差し
込み工具。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の差し込み工具におい
て，前記ダイヤモンド層が、付着される全体の前記主平
坦面を被う差し込み工具。 - 【請求項１１】 請求項９または請求項１０に記載の差
し込み工具において，前記ダイヤモンド層が、磨かれる
差し込み工具。 - 【請求項１２】 請求項９または請求項１０に記載の差
し込み工具において，前記ダイヤモンド層が、付着され
る前記主平坦面と前記基材の側面との間の端縁を越えて
連続する差し込み工具。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の差し込み工具にお
いて，前記主平坦面に付着される前記ダイヤモンド層の
部分が、磨かれる差し込み工具。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の差し込み工具にお
いて，前記基材の端縁が、半径を有し，該端縁に付着さ
れる前記ダイヤモンド層の部分が、相補状の半径を有
し，該ダイヤモンド層の半径が、磨かれることによって
低減されて鋭くなる差し込み工具。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB919122983A GB9122983D0 (en) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | Tool insert |
| GB92197755 | 1992-09-18 | ||
| GB91229831 | 1992-09-18 | ||
| GB929219775A GB9219775D0 (en) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | Tool insert |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05269608A true JPH05269608A (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=26299767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4292660A Pending JPH05269608A (ja) | 1991-10-30 | 1992-10-30 | 差し込み工具 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0540366A1 (ja) |
| JP (1) | JPH05269608A (ja) |
| AU (1) | AU654588B2 (ja) |
| CA (1) | CA2081631A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101880866A (zh) * | 2010-06-14 | 2010-11-10 | 大连理工大学 | 一种在硬质合金上为金刚石涂层制备金刚石-碳化硅-硅化钴复合中间层的方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5660936A (en) * | 1995-11-01 | 1997-08-26 | General Electric Company | Fine grain diamond tool and method of manufacture |
| GB0120037D0 (en) * | 2001-08-16 | 2001-10-10 | Diamanx Products Ltd | Bearing or wear-resistant surfaces |
| US20050025973A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Slutz David E. | CVD diamond-coated composite substrate containing a carbide-forming material and ceramic phases and method for making same |
| CN103688343B (zh) | 2011-03-07 | 2016-09-07 | 恩特格里公司 | 化学机械抛光垫修整器 |
| JP5764181B2 (ja) | 2013-10-31 | 2015-08-12 | ユニオンツール株式会社 | 硬質皮膜被覆切削工具 |
| WO2018061408A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 切削工具 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4226914A (en) * | 1978-05-19 | 1980-10-07 | Ford Motor Company | Novel spraying composition, method of applying the same and article produced thereby |
| US4301132A (en) * | 1979-05-08 | 1981-11-17 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Silicon carbide bodies and their production |
| US4497639A (en) * | 1981-12-16 | 1985-02-05 | General Electric Company | Silicon carbide cutting insert with pre-pressed core center piece and sintered diamond envelope |
| EP0081775B1 (en) * | 1981-12-16 | 1986-04-09 | General Electric Company | Nitrided superhard composite material |
| EP0384011B1 (en) * | 1989-02-23 | 1993-10-27 | Toshiba Tungaloy Co. Ltd. | Diamond-coated sintered body excellent in adhesion and process for preparing the same |
| US5137398A (en) * | 1990-04-27 | 1992-08-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Drill bit having a diamond-coated sintered body |
| EP0454114B1 (en) * | 1990-04-27 | 1994-07-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Drill of diamond-coated sintered body |
-
1992
- 1992-10-28 AU AU27375/92A patent/AU654588B2/en not_active Ceased
- 1992-10-28 CA CA 2081631 patent/CA2081631A1/en not_active Abandoned
- 1992-10-30 EP EP92309996A patent/EP0540366A1/en not_active Withdrawn
- 1992-10-30 JP JP4292660A patent/JPH05269608A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101880866A (zh) * | 2010-06-14 | 2010-11-10 | 大连理工大学 | 一种在硬质合金上为金刚石涂层制备金刚石-碳化硅-硅化钴复合中间层的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU654588B2 (en) | 1994-11-10 |
| EP0540366A1 (en) | 1993-05-05 |
| CA2081631A1 (en) | 1993-05-01 |
| AU2737592A (en) | 1993-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5349922A (en) | Free standing diamond sheet and method and apparatus for making same | |
| US7367875B2 (en) | CVD diamond-coated composite substrate containing a carbide-forming material and ceramic phases and method for making same | |
| CA2549061A1 (en) | Polycrystalline diamond abrasive elements | |
| EP0503822A2 (en) | A diamond- and/or diamond-like carbon-coated hard material | |
| EP0379220A1 (en) | Diamond coated sintered body | |
| US4440547A (en) | Alumina coated silicon nitride cutting tools | |
| EP0540366A1 (en) | Tool insert | |
| Wurzinger et al. | Bias-enhanced diamond nucleation on silicon—a TEM study | |
| JPS61109628A (ja) | ダイヤモンド被覆工具 | |
| JPS61291493A (ja) | ダイヤモンド被覆硬質材料 | |
| JPH0912328A (ja) | ホイールカッター及びその製造方法 | |
| KR101243686B1 (ko) | 스크라이버 절삭휠 및 그 제조방법 | |
| JPH05253705A (ja) | ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 | |
| JP3260986B2 (ja) | ダイヤモンド複合膜付部材 | |
| JP2558448B2 (ja) | ダイヤモンド被覆切削工具 | |
| JPH0713298B2 (ja) | ダイヤモンド被覆切削工具 | |
| Murakawa et al. | Forming of a grinding wheel using a dresser with brazed diamond film | |
| JPS60165340A (ja) | 選択的に部分改質した焼結合金 | |
| JP2000343303A (ja) | 切削工具及びその製造方法 | |
| JPS63306805A (ja) | ダイヤモンド被覆切削工具 | |
| JPH0688237A (ja) | ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 | |
| JPH05125542A (ja) | ダイヤモンド薄膜工具の製造方法 | |
| JPH05139890A (ja) | ダイヤモンド膜接合体の製造方法 | |
| JPH0355112A (ja) | 丸鋸刃用ダイヤモンド被覆チップ及びそのチップ刃付丸鋸 | |
| JPH09267262A (ja) | 複合レジンボンド型ダイヤモンド砥石 |