JPH05271968A - プラズマエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 カソード電極上で大きな磁束密度を得るよう
にしたプラズマエッチング装置を提供する。 【構成】 高周波電源９から被エッチング物５を載置し
たカソード電極４に高周波電力を供給し、カソード電極
４とアノード電極８との間での放電によりプラズマを発
生させ、かつそのイオンをカソード電極４に向けて加速
させて被エッチング物５に射突させる。電源２０〜２３
とコイル１６〜１９によりカソード電極４の近傍を磁力
線が通るように磁場を発生させ、かつコイル１６〜１９
のうち、カソード電極４に対向する面以外の面の少なく
とも一部分を強磁性体２４，２５で覆ってコイル間や同
一コイルの対向側を磁気シールドして磁場が打ち消し合
うのを防いで、カソード電極４上での磁束密度を増大さ
せる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
等において微細加工用に使用されるプラズマエッチング
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置製造プロセスにおける微細加
工工程においては、反応性ガスの高周波グロー放電を利
用したプラズマエッチング法が主に用いられている。特
に、加工寸法や加工形状の精密な制御が必要な加工にお
いては、高周波を印加したカソード電極上に加工試料、
たとえば半導体ウエハを載置して、カソード電極が負電
圧にバイアスされることにより生じる電極面に垂直な方
向の加速イオンにより方向性エッチングを行うことので
きるリアクティブイオンエッチング法（Ｒｅａｃｔｉｖ
ｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）が主流となって
いる。

【０００３】このＲＩＥ法では、エッチングの特性は気
相中で生じるラジカルの種類や量、および被エッチング
物の載置されたカソード電極に入射するイオンのエネル
ギーや密度によって変化する。しかし、通常の条件では
加工速度は高々数１０ｎｍ／ｍｉｎ．程度であるから、
さらにエッチング速度を増加させるためには、高周波電
力を増加させることが考えられる。

【０００４】しかし、その場合には、ラジカルの量やイ
オン電流密度が増加するだけでなく、イオンエネエルギ
ーも増加するので、エッチングのマスクや下地に対する
選択性を低下させ、しかもまた半導体の結晶に損傷を与
える等の問題を生じた。従って、処理速度の増加のため
には同時に多数枚の半導体ウエハを処理できる大型の装
置が必要であった。

【０００５】また、ＲＩＥ法では微細化が進むにつれカ
ソード電極上のイオンシース内での加速イオンと中性ガ
スとの衝突によって生じた方向の乱れたイオンによる加
工形状の乱れが問題となってきた。

【０００６】これらの問題の解決のために、プラズマ発
生のための高周波電界と組み合せて磁場を印加し、それ
らの相互作用によって処理速度を向上させる、いわゆる
マグネトロン型のエッチング装置が提案されている。Ｗ
ａｌｔｅｒ Ｈ．Ｃｌａｓｓらによる米国特許第４，４
２２，８９６号にそのような装置の一例が示されてい
る。あるいはまた、岡野晴雄らによる特開昭５７−１５
９０２６号にも、このような装置が示されている。

【０００７】これらの装置では、高周波電界と垂直な方
向に磁場を印加することにより電子は電界および磁界に
垂直な方向にドリフトし、その結果、ガスとの衝突が活
発化して放電のプラズマ密度が増加する。そして、これ
はカソード電極上の加工試料に入射するイオン電流密度
を増加させるため、従来のＲＩＥ装置に比べ１０倍程度
のエッチング速度の増加が見られる。従って、装置は基
本的に１枚処理としても十分な処理速度が得られるの
で、装置を小型化できる。

【０００８】あるいはまた、磁場印加手段としてコイル
を用いたものも知られている。論文金京植他「ＳｉＯ₂
の高速エッチング」、第７回ドライプロセスシンポジウ
ム、９５頁（１９８５）にその例が示されている。オー
エン ウィルキンソンによる特開昭６３−１７５３０号
にも、コイルによるマグネトロン型の装置が示されてい
る。

【０００９】しかし、コイルや永久磁石を物理的に動か
したり、コイルに流す電流を時間的に変動させるといっ
た、磁場の時間的に変動を伴う各種のマグネトロンエッ
チング装置では、高周波電界の時間的変化に比べ磁界の
変化が非常に遅いため、磁界の変動にともない放電状態
が変化し、これがイオンのエネルギーや方向性に変動を
与え、素子ダメージや加工形状劣化をもたらしていた。

【００１０】その解決のために、佐藤らによる特開平２
−２２４２３９号においては、被エッチング物を置いた
第１のカソード電極と前記第１のカソード電極の周囲を
囲む環状の第２のカソード電極と前記第１のカソード電
極に対向して設けられ、かつ接地されたアノード電極
と、ガス放電によるプラズマを発生させ、上記カソード
電極側にイオンを加速させるためそれぞれのカソード電
極に接続した高周波電源と、磁力線が前記第１のカソー
ド電極近傍と前記第２のカソード電極近傍を通るような
磁場を印加する磁場印加手段を具備する３極型プラズマ
エッチング装置が開示された。

【００１１】この種の従来装置として４組のコイルを用
いた例を図４に示す。

【００１２】図４において、１は真空チャンバ、２は真
空チャンバ１に接続された真空ポンプ、３は真空チャン
バ１に接続されたガス導入系、４は真空チャンバ１内に
設けられた第１のカソード電極、５は第１のカソード電
極４上に載置された被エッチング物、６は真空チャンバ
１内に設けられた第２のカソード電極、７は第１のカソ
ード電極４を真空チャンバ１から電気的に絶縁するため
の絶縁物、８は第１のカソード電極４に対向して設けら
れたアノード電極である。

【００１３】９および１０は第１および第２のカソード
電極４および６にそれぞれ高周波電力を供給するための
高周波増幅器、１１は第１のカソード電極４と第２のカ
ソード電極６に供給される高周波電力の間の位相差を変
化させるための位相制御器、１２は高周波増幅器９およ
び１０に共通に高周波を供給するための発振器、１４お
よび１５は第１および第２のカソード電極４および６と
高周波増幅器９および１０の間をそれぞれ直流的に絶縁
するためのブロッキングコンデンサである。

【００１４】１６は第１のカソード電極４の近傍のアノ
ード電極８とは反対側に設けられた第１の磁場発生用コ
イル、１７は第１の磁場発生用コイル１６の周囲に設け
られ、この第１の磁場発生用コイル１６より直径の大き
い第２の磁場発生用コイル、１８は第２のカソード電極
６の内側の周囲に設けられた第３の磁場発生用コイル、
１９は第２のカソード電極６の外側の周囲に設けられた
第４の磁場発生用コイルである。

【００１５】２０，２１，２２および２３は磁場発生用
コイル１６，１７，１８および１９に直流電流をそれぞ
れ供給するためのコイル用電源であり、磁場発生用コイ
ル１６，１７，１８および１９と、コイル用電源２０，
２１，２２および２３とで磁場印加手段を構成してい
る。この場合、前記磁場発生用コイル１６と磁場発生用
コイル１９には同一方向の電流を流し、前記磁場発生用
コイル１７と磁場発生用コイル１８にはコイル１６およ
び１７とは逆向きの電流を流す。

【００１６】この装置の中でも、図４に示した磁場印加
手段、すなわち、前記第１のカソード電極４の近傍のア
ノード電極８とは反対側に設けられた第１の磁場発生用
コイル１６と、この第１の磁場発生用コイル１６の周囲
に設けられ、この第１の磁場発生用コイル１６より直径
の大きい第２の磁場発生用コイル１７と、前記第２のカ
ソード電極６の内側の周囲に設けられた第３の磁場発生
用コイル１８と、前記第２のカソード電極６の外側の周
囲に設けられた第４の磁場発生用コイル１９とを有し、
前記第１の磁場発生用コイル１６と前記第４の磁場発生
用コイル１９には同一方向の電流を流し、前記第２の磁
場発生用コイル１７と前記第３の磁場発生用コイル１８
には前記第１および第４のコイル１６および１９とは逆
向きの電流を流すコイル用電源２０，２１，２２および
２３を有するものを用いた装置では、各コイル１６〜１
９への電流を最適化することにより磁束線の向きを第１
のカソード電極４に対しても第２のカソード電極６に対
してもほぼ平行にできるので、プラズマの閉じ込め効果
が最適になり、高いエッチレートと高均一性を得ること
ができる。しかもまた、静止した磁場を用いているの
で、プラズマを時間的に乱すことがなく、エッチングに
よる素子ダメージや加工形状劣化を起こしにくい特徴が
ある。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この装置で
は、それぞれの第１のコイルに流した電流が第２および
第３のコイルで発生した磁場を打ち消す方向に働き、第
２のコイルに流した電流が第１および第４のコイルに流
した電流を打ち消すというように、それぞれのコイルの
電流が他のコイルの磁場を弱める方向に働くので、カソ
ード電極上で大きな磁束密度を得るにはコイルに流す電
流を非常に大きくする必要があった。

【００１８】しかし、装置の物理的な大きさの制約や、
コイル電流によるコイルの過熱防止の冷却効率などから
コイル電流には制限があり、実際にはあまり大きな磁束
密度は得られなかった。また、コイルで発生した磁束が
広範囲にわたって広がるため、実際の装置にこのような
コイルを導入した場合、周囲の電子機器に影響を与える
ことがあった。

【００１９】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、カソード電極上で大きな磁束密度を得るこ
とにより、処理速度を増大でき、しかもまたイオン入射
方向の乱れを確実に抑制することができ、しかも、イオ
ンエネルギーの時間変動をなくしイオンエネルギーを低
下して被エッチング物の損傷が少く、さらに周囲に磁束
の漏れの影響を極力与えないプラズマエッチング装置を
提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、前記磁場印加手段の磁場発生用
コイルの第１のカソード電極に対向する面以外の面の少
なくとも一部分を強磁性体で覆う。

【００２１】すなわち、請求項１記載の発明は、被エッ
チング物を載置したカソード電極と、該カソード電極に
対向して設けられ、かつ接地されたアノード電極と、ガ
ス放電によるプラズマを発生させ、前記カソード電極の
側にイオンを加速させるために前記カソード電極に接続
した高周波電源と、磁力線が前記カソード電極の近傍を
通るような磁場を印加する磁場印加手段とを具備したプ
ラズマエッチング装置において、前記磁場印加手段の周
囲の少なくとも一部分を強磁性体で覆って構成したこと
を特徴とする。

【００２２】請求項２記載の発明は、被エッチング物を
載置した第１のカソード電極と、前記第１のカソード電
極の周囲を囲む環状の第２のカソード電極と、前記第１
のカソード電極に対向して設けられ、かつ接地されたア
ノード電極と、ガス放電によるプラズマを発生させ、前
記カソード電極の側にイオンを加速させるために、前記
第１および第２のカソード電極の各々に接続した第１お
よび第２の高周波電源と、磁力線が前記第１のカソード
電極の近傍と前記第２のカソード電極の近傍とを通るよ
うな磁場を印加する磁場印加手段とを具備した３極型プ
ラズマエッチング装置において、前記磁場印加手段は、
前記第１のカソード電極の前記第２のカソード電極が存
在する側とは反対側に設けられた第１の磁場発生用コイ
ルと、前記第２のカソード電極の前記第１のカソード電
極が存在する側とは反対側に設けられた第２の磁場発生
用コイルと、前記第１および第２の磁場発生用コイルに
逆向きの電流を流すコイル用電源とを具え、前記第１お
よび第２の磁場発生用コイルの前記第１のカソード電極
に対向する面以外の面の少なくとも一部分を強磁性体で
覆って構成したことを特徴とする。

【００２３】請求項３記載の発明は、被エッチング物を
載置した第１のカソード電極と、前記第１のカソード電
極の周囲を囲む環状の第２のカソード電極と、前記第１
のカソード電極に対向して設けられ、かつ接地されたア
ノード電極と、ガス放電によるプラズマを発生させ、前
記カソード電極の側にイオンを加速させるために、前記
第１および第２のカソード電極の各々に接続した第１お
よび第２の高周波電源と、磁力線が前記第１のカソード
電極の近傍と前記第２のカソード電極の近傍とを通るよ
うな磁場を印加する磁場印加手段とを具備した３極型プ
ラズマエッチング装置において、前記磁場印加手段は、
前記第１のカソード電極の近傍のアノード電極とは反対
側に設けられた第１の磁場発生用コイルと、前記第２の
カソード電極の内側の周囲に設けられた第２の磁場発生
用コイルと、前記第２のカソード電極の外側の周囲に設
けられた第３の磁場発生用コイルと、前記第１の磁場発
生用コイルと前記第３の磁場発生用コイルには同一方向
の電流を流し、前記第２の磁場発生用コイルには前記第
１および第３のコイルとは逆向きの電流を流すコイル用
電源とを具え、前記第１，第２および第３の磁場発生用
コイルの前記第１のカソード電極に対向する面以外の面
の少なくとも一部分を強磁性体で覆って構成したことを
特徴とする。

【００２４】請求項４記載の発明は、被エッチング物を
載置した第１のカソード電極と、前記第１のカソード電
極の周囲を囲む環状の第２のカソード電極と、前記第１
のカソード電極に対向して設けられ、かつ接地されたア
ノード電極と、ガス放電によるプラズマを発生させ、前
記カソード電極の側にイオンを加速させるために、前記
第１および第２のカソード電極の各々に接続した第１お
よび第２の高周波電源と、磁力線が前記第１のカソード
電極の近傍と前記第２のカソード電極の近傍とを通るよ
うな磁場を印加する磁場印加手段とを具備した３極型プ
ラズマエッチング装置において、前記磁場印加手段は、
前記第１のカソード電極の近傍のアノード電極とは反対
側に設けられた第１の磁場発生用コイルと、前記第１の
磁場発生用コイルの周囲に設けられ、前記第１の磁場発
生用コイルより直径の大きい第２の磁場発生用コイル
と、前記第２のカソード電極の内側の周囲に設けられた
第３の磁場発生用コイルと、前記第２のカソード電極の
外側の周囲に設けられた第４の磁場発生用コイルと、前
記第１の磁場発生用コイルと前記第４の磁場発生用コイ
ルには同一方向の電流を流し、前記第２の磁場発生用コ
イルと前記第３の磁場発生用コイルには前記第１および
第４の磁場発生用コイルとは逆向きの電流を流すコイル
用電源とを具え、前記第１，第２，第３および第４の磁
場発生用コイルの前記第１のカソード電極に対向する面
以外の面の少なくとも一部分を強磁性体で覆って構成し
たことを特徴とする。

【００２５】

【作用】本発明では、コイルとコイルの間、コイルの第
１のカソードに面している側とは反対の側、コイルの内
側、およびコイルの外側に強磁性体を配置されることに
より、コイル間や同一コイルの対向側が磁気シールドさ
れ、磁場が打ち消しあうのを防ぐことができるので、第
１のカソード電極上での磁束密度を大きくできる。従っ
て、本発明によれば、コイルに流す電流を増加しなくて
も必要な強度の磁場を得ることができ、エッチング装置
内のプラズマ密度を大きく増加でき、以て、エッチング
速度を増加でき、しかもまたエッチングの方向性を改善
できる。さらに加えて、本発明によれば、装置の上部，
下部，周辺に漏れる磁場を低減できるので、周辺の電子
機器に与える影響を大きく低減できる。

【００２６】

【実施例】以下に、図面を参照して本発明の実施例を詳
細に説明する。

【００２７】図１は、４組のコイルを用いた場合の本発
明の一実施例であり、ここで、１は真空チャンバ、２は
真空チャンバ１に接続された真空ポンプ、３は真空チャ
ンバ１に接続されたガス導入系、４は真空チャンバ１内
に設けられた第１のカソード電極、５は第１のカソード
電極４上に載置された被エッチング物、６は真空チャン
バ１内に設けられた第２のカソード電極、７は第１のカ
ソード電極４を真空チャンバ１から電気的に絶縁するた
めの絶縁物、８は第１のカソード電極４に対向して設け
られたアノード電極である。

【００２８】９および１０は第１および第２のカソード
電極４および６にそれぞれ高周波電力を供給するための
高周波増幅器、１１は第１のカソード電極４と第２のカ
ソード電極６に供給される高周波電力の間の位相差を変
化させるための位相制御器、１２は高周波増幅器９およ
び１０に共通に高周波を供給するための発振器、１４お
よび１５は第１および第２のカソード電極４および６と
高周波増幅器９および１０の間をそれぞれ直流的に絶縁
するためのブロッキングコンデンサである。

【００２９】１６は第１のカソード電極４の近傍のアノ
ード電極８とは反対側に設けられた第１の磁場発生用コ
イル、１７は第１の磁場発生用コイル１６の周囲に設け
られ、この第１の磁場発生用コイル１６より直径の大き
い第２の磁場発生用コイル、１８は第２のカソード電極
６の内側の周囲に設けられた第３の磁場発生用コイル、
１９は第２のカソード電極６の外側の周囲に設けられた
第４の磁場発生用コイルである。

【００３０】２０，２１，２２および２３は磁場発生用
コイル１６，１７，１８および１９に直流電流をそれぞ
れ供給するためのコイル用電源であり、磁場発生用コイ
ル１６，１７，１８および１９と、コイル用電源２０，
２１，２２および２３とで磁場印加手段を構成してい
る。この場合、前記磁場発生用コイル１６と磁場発生用
コイル１９には同一方向の電流を流し、前記磁場発生用
コイル１７と磁場発生用コイル１８にはコイル１６およ
び１７とは逆向きの電流を流す。この磁場印加手段のコ
イルの周りの少なくとも一部分を、本発明においては、
符号２４および２５で示す強磁性体で覆う。この強磁性
体としては、できるだけ飽和磁束密度の大きい材料が好
適である。ここでは、珪素鋼を用いた。

【００３１】この種の装置で高磁束密度を得るにはコイ
ルに流す電流を増加させればよいが、電流によりコイル
が過熱するため冷却の必要がある。この冷却には効率の
点で限度があり、本実施例の装置では１２０００ＡＴが
限度であった。従って、強磁性体で覆わなかった場合に
は、ピークの磁束密度を１２０ＧＡＵＳＳにするのが限
度であったが、本発明では、強磁性体２４および２５の
覆いを設けることによりこれを２６０ＧＡＵＳＳまで高
めることができた。

【００３２】図２は、強磁性体２４および２５でコイル
１６〜１９を覆う３例を示す。ここで、（ａ）は強磁性
体２４および２５を第１コイル１６と第２コイル１７と
の間、および第３コイル１８と第４コイル１９との間に
配置し、さらにコイル１６〜１９の第１のカソード電極
４に面した側とは反対の側をも強磁性体２４および２５
で覆った例を示す。（ｂ）はさらにコイル１６〜１９の
外周をも強磁性体２４および２５で覆った例を示す。
（ｃ）はさらにコイル１６〜１９の内周をも強磁性体２
４および２５で覆った例である。

【００３３】図３にこれら強磁性体２４および２５によ
る覆いを入れたときの第１のカソード電極４上での磁束
密度の軸方向変化を示す。同時に強磁性体２４および２
５による覆いを入れない従来の装置の例も対比して破線
で示す。このとき、第１のコイル１６と第３のコイル１
８に流す電流はそれぞれ１００００ＡＴと−１００００
ＡＴで一定とし、第２のコイル１６と第４のコイル１９
に流す電流は磁束密度が第１のカソード電極４上でゼロ
になる場所の軸中心からの距離が一定になるように調節
した。

【００３４】この例を見ると、図２における（ａ）と
（ｂ）の例では従来の１．６倍の磁束密度が得られてお
り、（ｃ）の例では同一電流で２．７倍もの磁束密度が
得られている。また、周辺に漏れる磁場の磁束密度は第
１カソード電極４上での磁場が強くなった割りには増加
しておらず、特に（ａ）と（ｂ）を比べると、外周を覆
った（ｂ）の方が外側への漏れ磁束が小さいことが分か
る。また、これらの例では、いずれの場合にも、コイル
１６〜１９の第１のカソード電極４に面した側とは反対
の側も覆っているため、磁束がエッチングチャンバの上
下方向に漏れるのが従来に比べ大幅に防止されることも
他の測定から分かった。

【００３５】さらに、本発明の装置を実際のアルミニウ
ム電極のエッチングに適用したところ、図３に示した
（ｃ）の例の磁束分布の場合に、セルフバイアス電圧を
従来２００Ｖであったのを１５０Ｖに低下でき、それに
ともない被エッチング物に衝突するイオンのエネルギー
を低下させることができた。このことは発生したプラズ
マの密度を３０％程度増加できたことになる。アルミニ
ウムのエッチングレートも従来３５０ｎｍ／分であった
のを４００ｎｍ／分に増加できた。このときレジストの
エッチレートは従来１００ｎｍ／分であったのが、セル
フバイアス電圧の低下により８０ｎｍ／分に低下させる
ことができ、従って、選択比を３．５倍から５倍に増加
させることができた。

【００３６】この実施例では、コイルを４組使った場合
を述べたが、コイルを３組あるいは２組とした場合であ
っても同様に強磁性体の覆いの効果があることは、原理
上明白である。磁場の発生手段がコイルでなく、例えば
永久磁石のようなときにも、本発明の強磁性体の覆いは
非常に効果があることが確かめられている。さらに加え
て、本実施例では、３極型のプラズマエッチング装置に
ついて述べたが、本発明は３極型に限らず、カソードを
１つしか有しない２極型のプラズマエッチング装置でも
全く同様の効果がある。

【００３７】このように、本発明に係るプラズマエッチ
ング装置を半導体装置の製造プロセスに用いると、高い
スループットでエッチングが可能となり、しかも半導体
装置の損傷を低減することができるので、半導体の製造
原価を減少できるとともに、半導体装置の性能を飛躍的
に向上させることができる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
磁場印加手段の周囲の一部を強磁性体で覆わなかった従
来装置に比べ、エッチングに影響するカソード電極上で
の磁束密度を大幅に増加できる。従って、エッチングに
寄与するプラズマ密度を増加させることができ、その結
果、被エッチング物に衝突するイオンエネルギーを低下
できる。したがって、本発明によれば、従来に比べ低損
傷で高いスループットを有するエッチング装置を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るプラズマエッチング装置の一実施
例を示す概略構成図である。

【図２】本発明における強磁性体によるコイルの覆いの
３例を示す説明図である。

【図３】図２に示した覆いを用いたときの第１のカソー
ド電極上での磁束密度の軸中心からの距離依存性を示す
特性図である。

【図４】従来のプラズマエッチング装置の一例を示す概
略構成図である。

【符号の説明】

１ 真空チャンバ ２ 真空ポンプ ３ ガス導入系 ４ 第１のカソード電極 ５ 被エッチング物 ６ 第２のカソード電極 ７ 絶縁物 ８ アノード電極 ９ 高周波増幅器 １０ 高周波増幅器 １１ 位相制御器 １２ 発振器 １４ ブロッキングコンデンサ １５ ブロッキングコンデンサ １６ 第１の磁場発生用コイル １７ 第２の磁場発生用コイル １８ 第３の磁場発生用コイル １９ 第４の磁場発生用コイル ２０ 第１の磁場発生用コイル用電源 ２１ 第２の磁場発生用コイル用電源 ２２ 第３の磁場発生用コイル用電源 ２３ 第４の磁場発生用コイル用電源 ２４ 強磁性体 ２５ 強磁性体

フロントページの続き (72)発明者 佐久間 春信 東京都港区虎ノ門２丁目３番13号 国際電 気株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被エッチング物を載置したカソード電極
   と、該カソード電極に対向して設けられ、かつ接地され
   たアノード電極と、ガス放電によるプラズマを発生さ
   せ、前記カソード電極の側にイオンを加速させるために
   前記カソード電極に接続した高周波電源と、磁力線が前
   記カソード電極の近傍を通るような磁場を印加する磁場
   印加手段とを具備したプラズマエッチング装置におい
   て、前記磁場印加手段の周囲の少なくとも一部分を強磁
   性体で覆って構成したことを特徴とするプラズマエッチ
   ング装置。
2. 【請求項２】 被エッチング物を載置した第１のカソー
   ド電極と、前記第１のカソード電極の周囲を囲む環状の
   第２のカソード電極と、前記第１のカソード電極に対向
   して設けられ、かつ接地されたアノード電極と、ガス放
   電によるプラズマを発生させ、前記カソード電極の側に
   イオンを加速させるために、前記第１および第２のカソ
   ード電極の各々に接続した第１および第２の高周波電源
   と、磁力線が前記第１のカソード電極の近傍と前記第２
   のカソード電極の近傍とを通るような磁場を印加する磁
   場印加手段とを具備した３極型プラズマエッチング装置
   において、前記磁場印加手段は、前記第１のカソード電
   極の前記第２のカソード電極が存在する側とは反対側に
   設けられた第１の磁場発生用コイルと、前記第２のカソ
   ード電極の前記第１のカソード電極が存在する側とは反
   対側に設けられた第２の磁場発生用コイルと、前記第１
   および第２の磁場発生用コイルに逆向きの電流を流すコ
   イル用電源とを具え、前記第１および第２の磁場発生用
   コイルの前記第１のカソード電極に対向する面以外の面
   の少なくとも一部分を強磁性体で覆って構成したことを
   特徴とするプラズマエッチング装置。
3. 【請求項３】 被エッチング物を載置した第１のカソー
   ド電極と、前記第１のカソード電極の周囲を囲む環状の
   第２のカソード電極と、前記第１のカソード電極に対向
   して設けられ、かつ接地されたアノード電極と、ガス放
   電によるプラズマを発生させ、前記カソード電極の側に
   イオンを加速させるために、前記第１および第２のカソ
   ード電極の各々に接続した第１および第２の高周波電源
   と、磁力線が前記第１のカソード電極の近傍と前記第２
   のカソード電極の近傍とを通るような磁場を印加する磁
   場印加手段とを具備した３極型プラズマエッチング装置
   において、前記磁場印加手段は、前記第１のカソード電
   極の近傍のアノード電極とは反対側に設けられた第１の
   磁場発生用コイルと、前記第２のカソード電極の内側の
   周囲に設けられた第２の磁場発生用コイルと、前記第２
   のカソード電極の外側の周囲に設けられた第３の磁場発
   生用コイルと、前記第１の磁場発生用コイルと前記第３
   の磁場発生用コイルには同一方向の電流を流し、前記第
   ２の磁場発生用コイルには前記第１および第３のコイル
   とは逆向きの電流を流すコイル用電源とを具え、前記第
   １，第２および第３の磁場発生用コイルの前記第１のカ
   ソード電極に対向する面以外の面の少なくとも一部分を
   強磁性体で覆って構成したことを特徴とするプラズマエ
   ッチング装置。
4. 【請求項４】 被エッチング物を載置した第１のカソー
   ド電極と、前記第１のカソード電極の周囲を囲む環状の
   第２のカソード電極と、前記第１のカソード電極に対向
   して設けられ、かつ接地されたアノード電極と、ガス放
   電によるプラズマを発生させ、前記カソード電極の側に
   イオンを加速させるために、前記第１および第２のカソ
   ード電極の各々に接続した第１および第２の高周波電源
   と、磁力線が前記第１のカソード電極の近傍と前記第２
   のカソード電極の近傍とを通るような磁場を印加する磁
   場印加手段とを具備した３極型プラズマエッチング装置
   において、前記磁場印加手段は、前記第１のカソード電
   極の近傍のアノード電極とは反対側に設けられた第１の
   磁場発生用コイルと、前記第１の磁場発生用コイルの周
   囲に設けられ、前記第１の磁場発生用コイルより直径の
   大きい第２の磁場発生用コイルと、前記第２のカソード
   電極の内側の周囲に設けられた第３の磁場発生用コイル
   と、前記第２のカソード電極の外側の周囲に設けられた
   第４の磁場発生用コイルと、前記第１の磁場発生用コイ
   ルと前記第４の磁場発生用コイルには同一方向の電流を
   流し、前記第２の磁場発生用コイルと前記第３の磁場発
   生用コイルには前記第１および第４の磁場発生用コイル
   とは逆向きの電流を流すコイル用電源とを具え、前記第
   １，第２，第３および第４の磁場発生用コイルの前記第
   １のカソード電極に対向する面以外の面の少なくとも一
   部分を強磁性体で覆って構成したことを特徴とするプラ
   ズマエッチング装置。