JPH0527218A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0527218A JPH0527218A JP3205620A JP20562091A JPH0527218A JP H0527218 A JPH0527218 A JP H0527218A JP 3205620 A JP3205620 A JP 3205620A JP 20562091 A JP20562091 A JP 20562091A JP H0527218 A JPH0527218 A JP H0527218A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 共通電位信号を印加する配線パターンを、金
属配線パターンによることなくＩＴＯにより形成可能と
し、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口率の向上を図る。 【構成】 奇数列（偶数列）の他方の液晶端子電極と蓄
積容量端子電極には交流信号Ｖcomを印加し、偶数列
（奇数列）の他方の液晶端子電極と蓄積容量端子電極に
はＶcomの反転信号を印加する。そして、前記他方の液
晶端子電極と蓄積容量端子電極とは、ＩＴＯにより形成
され、ストライプ状に列方向に引き出されおり、隣合う
ストライプパターンは、お互いに電気的に分離されて、
前述の交流信号及びその反転信号が印加される。駆動時
に蓄積容量端子電極から、１個の蓄積容量しか見えない
ので、電極パターンを高抵抗のＩＴＯにより形成でき
る。
属配線パターンによることなくＩＴＯにより形成可能と
し、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口率の向上を図る。 【構成】 奇数列（偶数列）の他方の液晶端子電極と蓄
積容量端子電極には交流信号Ｖcomを印加し、偶数列
（奇数列）の他方の液晶端子電極と蓄積容量端子電極に
はＶcomの反転信号を印加する。そして、前記他方の液
晶端子電極と蓄積容量端子電極とは、ＩＴＯにより形成
され、ストライプ状に列方向に引き出されおり、隣合う
ストライプパターンは、お互いに電気的に分離されて、
前述の交流信号及びその反転信号が印加される。駆動時
に蓄積容量端子電極から、１個の蓄積容量しか見えない
ので、電極パターンを高抵抗のＩＴＯにより形成でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に係り、
特に、コストの低減を図ることのできるアクティブマト
リクス型の液晶表示装置に関する。
特に、コストの低減を図ることのできるアクティブマト
リクス型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型の液晶表示装置
の駆動に関する従来技術として、例えば、ソサイエティ
ー・フォー・インフォメーション・ディスプレイ・ダイ
ジェスト８９〔１９８９年〕第１５１頁〜第１５４頁
〔Ｓocietyfor information Ｄisplay 89 Ｄigest（198
9）、pp.151-154〕等に記載された技術が知られてい
る。
の駆動に関する従来技術として、例えば、ソサイエティ
ー・フォー・インフォメーション・ディスプレイ・ダイ
ジェスト８９〔１９８９年〕第１５１頁〜第１５４頁
〔Ｓocietyfor information Ｄisplay 89 Ｄigest（198
9）、pp.151-154〕等に記載された技術が知られてい
る。
【０００３】図１０は従来技術による液晶表示装置のの
液晶表示部（ＴＦＴ−ＬＣＤ）例を示す回路図、図１１
はその動作を説明する信号のタイミングチャートであ
る。図１０、１１において、ＶG1、ＶG2、ＶG3、……は
ゲート信号、ＶD1、ＶD2、ＶD3、……はドレイン信号、
ＶDKは任意のドレイン信号、ＣLCは液晶容量、ＣSTGは
蓄積容量、ＶCOMは共通電位信号、ＶC1は ＶCOMの振幅
のセンター電位、ＶC2はＶDKの振幅のセンター電位であ
る。
液晶表示部（ＴＦＴ−ＬＣＤ）例を示す回路図、図１１
はその動作を説明する信号のタイミングチャートであ
る。図１０、１１において、ＶG1、ＶG2、ＶG3、……は
ゲート信号、ＶD1、ＶD2、ＶD3、……はドレイン信号、
ＶDKは任意のドレイン信号、ＣLCは液晶容量、ＣSTGは
蓄積容量、ＶCOMは共通電位信号、ＶC1は ＶCOMの振幅
のセンター電位、ＶC2はＶDKの振幅のセンター電位であ
る。
【０００４】従来技術による液晶表示装置は、図１０に
示すように、複数のＴＦＴがマトリクス状に配置され、
行方向の各ＴＦＴのゲートが並列に接続され、各行毎に
行選択信号となるゲート信号ＶG1、ＶG2、ＶG3、……が
印加され、また、列方向の各ＴＦＴのドレインが並列に
接続され、各列毎に画素表示用のデータ信号となるドレ
イン信号ＶD1、ＶD2、ＶD3、……が印加されて動作する
ように構成されている。また、各ＴＦＴのソースには、
液晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSTGとが並列に接続され、共
通電位信号ＶCOMが印加されている。
示すように、複数のＴＦＴがマトリクス状に配置され、
行方向の各ＴＦＴのゲートが並列に接続され、各行毎に
行選択信号となるゲート信号ＶG1、ＶG2、ＶG3、……が
印加され、また、列方向の各ＴＦＴのドレインが並列に
接続され、各列毎に画素表示用のデータ信号となるドレ
イン信号ＶD1、ＶD2、ＶD3、……が印加されて動作する
ように構成されている。また、各ＴＦＴのソースには、
液晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSTGとが並列に接続され、共
通電位信号ＶCOMが印加されている。
【０００５】前述のように構成される従来技術による液
晶表示装置の駆動は、図１１に示すように、共通電位信
号ＶCOMの電圧の極性を１ゲートライン毎に反転させ、
かつ、１ゲートライン毎にドレイン信号の極性を反転さ
せて行われている(行毎反転駆動)。これにより、前記従
来技術は、ドレイン信号の振幅を小さくすることがで
き、信号側ドライバＬＳＩのコストの低減を図ることが
できると共に、１ゲートライン毎にドレイン信号の極性
を反転させているのでフリッカを低減することができる
という効果を得ることができる。
晶表示装置の駆動は、図１１に示すように、共通電位信
号ＶCOMの電圧の極性を１ゲートライン毎に反転させ、
かつ、１ゲートライン毎にドレイン信号の極性を反転さ
せて行われている(行毎反転駆動)。これにより、前記従
来技術は、ドレイン信号の振幅を小さくすることがで
き、信号側ドライバＬＳＩのコストの低減を図ることが
できると共に、１ゲートライン毎にドレイン信号の極性
を反転させているのでフリッカを低減することができる
という効果を得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術は、図
１０には示されていないが、共通電位信号ＶCOMを印加
するための配線パターンが行方向に引き出されており、
また、１つのゲートラインが選択されたとき、このゲー
トラインに接続されている全てのＴＦＴがオン状態とな
る。このため、前記従来技術は、１つのゲートラインが
選択されたとき、そのゲートラインに接続された全ての
ＴＦＴのソースに接続されている蓄積容量ＣSTGが駆動
されることになり、共通電位信号ＶCOMを印加するため
の配線パターンに多くの電流が流れ、蓄積容量ＣSTGを
形成するＩＴＯ(Ｉndium Ｔin Ｏxide)のパターンまで
の配線パターンとして、面積の大きい金属配線パターン
を設けなければならず、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口率の向上
を図ることができないという問題点を有している。
１０には示されていないが、共通電位信号ＶCOMを印加
するための配線パターンが行方向に引き出されており、
また、１つのゲートラインが選択されたとき、このゲー
トラインに接続されている全てのＴＦＴがオン状態とな
る。このため、前記従来技術は、１つのゲートラインが
選択されたとき、そのゲートラインに接続された全ての
ＴＦＴのソースに接続されている蓄積容量ＣSTGが駆動
されることになり、共通電位信号ＶCOMを印加するため
の配線パターンに多くの電流が流れ、蓄積容量ＣSTGを
形成するＩＴＯ(Ｉndium Ｔin Ｏxide)のパターンまで
の配線パターンとして、面積の大きい金属配線パターン
を設けなければならず、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口率の向上
を図ることができないという問題点を有している。
【０００７】また、前記従来技術は、ドレイン信号の極
性を１ゲートライン毎に反転させ、かつ、１ゲートライ
ン毎に共通電位信号ＶCOMを反転して交流化しているの
で、制御回路が複雑になり、消費電力が増大するという
問題点を有している。
性を１ゲートライン毎に反転させ、かつ、１ゲートライ
ン毎に共通電位信号ＶCOMを反転して交流化しているの
で、制御回路が複雑になり、消費電力が増大するという
問題点を有している。
【０００８】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、共通電位信号ＶCOMを印加するための配線パタ
ーンを、金属配線パターンによることなく、ＩＴＯによ
り形成可能とし、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口率の向上を図る
ことができ、かつ、信号側ドライバＬＳＩのコストの低
減を図ることのできるフリッカレスのアクティブマトリ
クス型の液晶表示装置を提供することにある。
解決し、共通電位信号ＶCOMを印加するための配線パタ
ーンを、金属配線パターンによることなく、ＩＴＯによ
り形成可能とし、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口率の向上を図る
ことができ、かつ、信号側ドライバＬＳＩのコストの低
減を図ることのできるフリッカレスのアクティブマトリ
クス型の液晶表示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、前記目
的は、蓄積容量ＣSTGを形成する他方の電極を、ＩＴＯ
による配線パターンにより、列方向ストライプ状に引き
出して形成し、１本の配線パターンがを列方向に並ぶＴ
ＦＴに接続される蓄積容量ＣSTGを形成するようにする
ことにより達成される。
的は、蓄積容量ＣSTGを形成する他方の電極を、ＩＴＯ
による配線パターンにより、列方向ストライプ状に引き
出して形成し、１本の配線パターンがを列方向に並ぶＴ
ＦＴに接続される蓄積容量ＣSTGを形成するようにする
ことにより達成される。
【００１０】また、前記目的は、液晶液晶容量ＣLCを形
成する他方の液晶端子電極をも、前述と同様に列方向に
ストライプ状に引き出して形成することにより達成され
る。
成する他方の液晶端子電極をも、前述と同様に列方向に
ストライプ状に引き出して形成することにより達成され
る。
【００１１】さらに、前記目的は、奇数列（あるいは偶
数列）の他方の液晶端子電極と蓄積容量端子電極とに交
流信号Ｖcomを印加し、偶数列（あるいは奇数列）の他
方の液晶端子電極と蓄積容量端子電極とに交流信号Ｖ
comの反転信号を印加するようにすることにより達成さ
れる。
数列）の他方の液晶端子電極と蓄積容量端子電極とに交
流信号Ｖcomを印加し、偶数列（あるいは奇数列）の他
方の液晶端子電極と蓄積容量端子電極とに交流信号Ｖ
comの反転信号を印加するようにすることにより達成さ
れる。
【００１２】
【作用】蓄積容量ＣSTGを形成する他方の電極を、列方
向に引き出したＩＴＯのパターンとし、１本の配線パタ
ーンにより、列方向に並ぶＴＦＴに接続される蓄積容量
ＣSTGを形成するようにすることにより、１本のゲート
ラインが選択され、表示動作が行われる場合、蓄積容量
ＣSTGに対する配線側からは、１画素分の蓄積容量ＣSTG
しか見えないようにすることができる。このため、列方
向に引き出された蓄積容量ＣSTGを形成する透明電極を
接続する配線パターンには、ゲートラインの選択時にも
大きな電流が流れることがなく、この配線パターンを、
比較的抵抗の高い蓄積容量ＣSTGを形成する透明電極と
同一の電極材であるＩＴＯにより形成することができ
る。このため、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口効率を向上させる
ことができ、バックライトの消費電力の低減を図ること
ができる。
向に引き出したＩＴＯのパターンとし、１本の配線パタ
ーンにより、列方向に並ぶＴＦＴに接続される蓄積容量
ＣSTGを形成するようにすることにより、１本のゲート
ラインが選択され、表示動作が行われる場合、蓄積容量
ＣSTGに対する配線側からは、１画素分の蓄積容量ＣSTG
しか見えないようにすることができる。このため、列方
向に引き出された蓄積容量ＣSTGを形成する透明電極を
接続する配線パターンには、ゲートラインの選択時にも
大きな電流が流れることがなく、この配線パターンを、
比較的抵抗の高い蓄積容量ＣSTGを形成する透明電極と
同一の電極材であるＩＴＯにより形成することができ
る。このため、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口効率を向上させる
ことができ、バックライトの消費電力の低減を図ること
ができる。
【００１３】また、奇数列（あるいは偶数列）の他方の
液晶端子電極と蓄積容量端子電極とに交流信号Ｖcomを
印加し、偶数列（あるいは奇数列）の他方の液晶端子電
極と蓄積容量端子電極とに交流信号Ｖcomの反転信号を
印加するようにすることにより、交流信号ＶcomとＶcom
の反転信号とは、１フィールド毎に反転する交流信号で
あればよく、消費電力を小さくすることができる。さら
に、１ドレインライン毎にドレイン信号の極性を反転さ
せるようにすればよいことになる(列毎反転駆動)ので、
フリッカを低減させることができ、ドレイン信号の振幅
を小さくすることができ、かつ、制御回路が簡単にな
り、信号側ドライバＬＳＩのコストの低減を図ることが
できる。
液晶端子電極と蓄積容量端子電極とに交流信号Ｖcomを
印加し、偶数列（あるいは奇数列）の他方の液晶端子電
極と蓄積容量端子電極とに交流信号Ｖcomの反転信号を
印加するようにすることにより、交流信号ＶcomとＶcom
の反転信号とは、１フィールド毎に反転する交流信号で
あればよく、消費電力を小さくすることができる。さら
に、１ドレインライン毎にドレイン信号の極性を反転さ
せるようにすればよいことになる(列毎反転駆動)ので、
フリッカを低減させることができ、ドレイン信号の振幅
を小さくすることができ、かつ、制御回路が簡単にな
り、信号側ドライバＬＳＩのコストの低減を図ることが
できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明による液晶表示装置の実施例を
図面により詳細に説明する。
図面により詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の第１の実施例の構成を示す
回路図、図２はその動作を説明する信号のタイミングチ
ャート、図３は液晶表示部のＴＦＴ部分の構造の一例を
示す断面図、図４は液晶表示部のＴＦＴ部分の構造の他
の例を示す断面図、図５はＴＦＴ基板側のパターンを示
す図、図６は対向電極側のパターンを示す図である。図
１〜６において、ＶDoは任意の奇数列のドレイン信号、
ＶDeは任意の偶数列のドレイン信号、Ｖcomは奇数列群
の共通電位信号、Ｖcomの反転信号は偶数列群の共通電
位信号、ＶC1はＶcomとＶcomの反転信号との振幅のセン
ター電位、ＶC2はＶDoとＶDeとの振幅のセンター電位、
ｔ1は１走査ラインの選択時間、ｔ2は１フィールドの期
間、１〜３はＩＴＯ電極、４はゲート電極、５はドレイ
ン電極、６はソース電極、７はオーミツク層であり、他
の符号は図１０、１１の場合と同一である。
回路図、図２はその動作を説明する信号のタイミングチ
ャート、図３は液晶表示部のＴＦＴ部分の構造の一例を
示す断面図、図４は液晶表示部のＴＦＴ部分の構造の他
の例を示す断面図、図５はＴＦＴ基板側のパターンを示
す図、図６は対向電極側のパターンを示す図である。図
１〜６において、ＶDoは任意の奇数列のドレイン信号、
ＶDeは任意の偶数列のドレイン信号、Ｖcomは奇数列群
の共通電位信号、Ｖcomの反転信号は偶数列群の共通電
位信号、ＶC1はＶcomとＶcomの反転信号との振幅のセン
ター電位、ＶC2はＶDoとＶDeとの振幅のセンター電位、
ｔ1は１走査ラインの選択時間、ｔ2は１フィールドの期
間、１〜３はＩＴＯ電極、４はゲート電極、５はドレイ
ン電極、６はソース電極、７はオーミツク層であり、他
の符号は図１０、１１の場合と同一である。
【００１６】本発明の第１の実施例の回路は、図１に示
すように、複数のＴＦＴがマトリクス状に配置され、行
方向の各ＴＦＴのゲートが並列に接続され、各行毎に行
選択信号となるゲート信号ＶG1、ＶG2、ＶG3、……が印
加され、また、列方向の各ＴＦＴのドレインが並列に接
続され、各列毎に画素表示用のデータ信号となるドレイ
ン信号ＶD1、ＶD2、ＶD3、……が印加されて動作するよ
うに構成されている。また、各ＴＦＴのソースには、液
晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSTGとが並列に接続され、か
つ、奇数列（偶数列）のＴＦＴ群の液晶容量ＣLCと蓄積
容量ＣSTGの他端には共通電位信号Ｖcomが、偶数列（奇
数列）のＴＦＴ群の液晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSTGの他
端には共通電位信号Ｖcomの反転信号が印加されてい
る。
すように、複数のＴＦＴがマトリクス状に配置され、行
方向の各ＴＦＴのゲートが並列に接続され、各行毎に行
選択信号となるゲート信号ＶG1、ＶG2、ＶG3、……が印
加され、また、列方向の各ＴＦＴのドレインが並列に接
続され、各列毎に画素表示用のデータ信号となるドレイ
ン信号ＶD1、ＶD2、ＶD3、……が印加されて動作するよ
うに構成されている。また、各ＴＦＴのソースには、液
晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSTGとが並列に接続され、か
つ、奇数列（偶数列）のＴＦＴ群の液晶容量ＣLCと蓄積
容量ＣSTGの他端には共通電位信号Ｖcomが、偶数列（奇
数列）のＴＦＴ群の液晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSTGの他
端には共通電位信号Ｖcomの反転信号が印加されてい
る。
【００１７】そして、前述のように構成される本発明の
第１の実施例の駆動は、図２に示すように、共通電位信
号ＶcomとＶcomの反転信号との電圧の極性を１フィール
ド毎に反転させ、かつ、１ドレインライン毎に画像信号
としてのドレイン信号ＶD1〜ＶD3……の極性を反転させ
て行われる(列毎反転駆動)。
第１の実施例の駆動は、図２に示すように、共通電位信
号ＶcomとＶcomの反転信号との電圧の極性を１フィール
ド毎に反転させ、かつ、１ドレインライン毎に画像信号
としてのドレイン信号ＶD1〜ＶD3……の極性を反転させ
て行われる(列毎反転駆動)。
【００１８】これにより、図示本発明の第１の実施例
は、ドレイン信号の振幅を小さくすることができ、信号
側ドライバＬＳＩのコストを低減することができる。ま
た、１ドレインライン毎にドレイン信号の極性を反転さ
せているので、フリッカを低減することができる。さら
に、本発明の第１の実施例は、１フィールド毎にドレイ
ン信号を交流化すればよいので、制御回路を簡単にする
ことができ、また、１フィールド毎にＶcomとＶcomの反
転信号を交流化すればよいので消費電力を比較的小さく
することができる。
は、ドレイン信号の振幅を小さくすることができ、信号
側ドライバＬＳＩのコストを低減することができる。ま
た、１ドレインライン毎にドレイン信号の極性を反転さ
せているので、フリッカを低減することができる。さら
に、本発明の第１の実施例は、１フィールド毎にドレイ
ン信号を交流化すればよいので、制御回路を簡単にする
ことができ、また、１フィールド毎にＶcomとＶcomの反
転信号を交流化すればよいので消費電力を比較的小さく
することができる。
【００１９】本発明の第１の実施例は、前述した回路上
の特徴に加えて、液晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSTGのＴＦ
Ｔのソース電極に接続されていない他端側の電極を列方
向に引き出しているという特徴を有する。以下、これに
ついて、図３〜図６を参照して説明する。
の特徴に加えて、液晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSTGのＴＦ
Ｔのソース電極に接続されていない他端側の電極を列方
向に引き出しているという特徴を有する。以下、これに
ついて、図３〜図６を参照して説明する。
【００２０】図３は前述の本発明の第１の実施例の回路
構成における、１個のＴＦＴ部分の断面構造の例を示し
たものである。
構成における、１個のＴＦＴ部分の断面構造の例を示し
たものである。
【００２１】図３に示すように、本発明による液晶表示
部は、基板側及び対向側となる２枚のガラス基板の間に
形成される。基板側ガラス基板の上には、まず、蓄積容
量ＣSTGのＴＦＴのソース電極に接続されていない他端
側となるＩＴＯ電極１が、後述するように列方向にスト
ライプ状に形成される。このＩＴＯ電極１上に、窒化シ
リコン（ＳｉＮ）等による絶縁膜、ゲート電極４、窒化
シリコン（ＳｉＮ）等による絶縁膜が順次積層されてい
る。ゲート電極４は、金属配線でよく、各行のＴＦＴの
ゲートを接続して行方向に引き出されている。
部は、基板側及び対向側となる２枚のガラス基板の間に
形成される。基板側ガラス基板の上には、まず、蓄積容
量ＣSTGのＴＦＴのソース電極に接続されていない他端
側となるＩＴＯ電極１が、後述するように列方向にスト
ライプ状に形成される。このＩＴＯ電極１上に、窒化シ
リコン（ＳｉＮ）等による絶縁膜、ゲート電極４、窒化
シリコン（ＳｉＮ）等による絶縁膜が順次積層されてい
る。ゲート電極４は、金属配線でよく、各行のＴＦＴの
ゲートを接続して行方向に引き出されている。
【００２２】ゲート電極４上の絶縁膜上には、アモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミック層７、ドレイ
ン電極５及びソース電極６が図示のように積層され、画
素駆動用のＴＦＴが構成されている。ゲート電極４の上
の絶縁膜から延びる絶縁膜上には、画素部を形成するＩ
ＴＯ膜２が形成されており、このＩＴＯ膜２は、ＴＦＴ
のソース電極６と接続されている。このように構成され
るＴＦＴと画素部を形成するＩＴＯ膜２との上部は、さ
らに絶縁膜により覆われている。
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミック層７、ドレイ
ン電極５及びソース電極６が図示のように積層され、画
素駆動用のＴＦＴが構成されている。ゲート電極４の上
の絶縁膜から延びる絶縁膜上には、画素部を形成するＩ
ＴＯ膜２が形成されており、このＩＴＯ膜２は、ＴＦＴ
のソース電極６と接続されている。このように構成され
るＴＦＴと画素部を形成するＩＴＯ膜２との上部は、さ
らに絶縁膜により覆われている。
【００２３】一方、対向側となるガラス基板の下面に
は、カラーフィルターと、液晶容量ＣLCのＴＦＴのソー
ス電極に接続されていない他端側の電極となるＩＴＯ電
極３が、後述するように列方向にストライプ状に形成さ
れている。そして、前述したようなＴＦＴ形成されたガ
ラス基板と、対向側のガラス基板とは、その間に液晶を
挾んで組み立てられ、本発明による液晶表示部が構成さ
れる。
は、カラーフィルターと、液晶容量ＣLCのＴＦＴのソー
ス電極に接続されていない他端側の電極となるＩＴＯ電
極３が、後述するように列方向にストライプ状に形成さ
れている。そして、前述したようなＴＦＴ形成されたガ
ラス基板と、対向側のガラス基板とは、その間に液晶を
挾んで組み立てられ、本発明による液晶表示部が構成さ
れる。
【００２４】前述のように構成される液晶表示部におい
て、蓄積容量ＣSTGは、ゲート電極４直下のＳｉＮとゲ
ート電極４直上のＳｉＮとの２層の絶縁膜を用いて、画
素となるＩＴＯ電極２とＩＴＯ電極１とにより形成さ
れ、また、液晶容量ＣLCは、液晶を用いて、画素となる
ＩＴＯ電極２と対向基板側のＩＴＯ電極３とにより形成
されている。
て、蓄積容量ＣSTGは、ゲート電極４直下のＳｉＮとゲ
ート電極４直上のＳｉＮとの２層の絶縁膜を用いて、画
素となるＩＴＯ電極２とＩＴＯ電極１とにより形成さ
れ、また、液晶容量ＣLCは、液晶を用いて、画素となる
ＩＴＯ電極２と対向基板側のＩＴＯ電極３とにより形成
されている。
【００２５】図４は前述の本発明の第１の実施例の回路
構成における、１個のＴＦＴ部分の断面構造の他の例を
示したものである。
構成における、１個のＴＦＴ部分の断面構造の他の例を
示したものである。
【００２６】この例による本発明の液晶表示部は、蓄積
容量ＣSTGがゲート電極４の直下のＳｉＮのみを用いて
形成されている点で、図３に示した例と相違し、他の構
成は、図３の場合と同一である。この例の場合、図３に
示した例に比較して、蓄積容量ＣSTGの容量を大きくす
ることができる。
容量ＣSTGがゲート電極４の直下のＳｉＮのみを用いて
形成されている点で、図３に示した例と相違し、他の構
成は、図３の場合と同一である。この例の場合、図３に
示した例に比較して、蓄積容量ＣSTGの容量を大きくす
ることができる。
【００２７】図５、図６は図１に示した本発明の第１の
実施例による回路構成で、図３、４に示した断面浩造の
ＴＦＴを用いた場合のＴＦＴ基板側及び対向側のパター
ンを示している。
実施例による回路構成で、図３、４に示した断面浩造の
ＴＦＴを用いた場合のＴＦＴ基板側及び対向側のパター
ンを示している。
【００２８】図５において、行方向に設けられるゲート
電極４と、列方向に設けられるドレイン電極５との各交
点部にＴＦＴがマトリクス状に形成され、前記量電極に
より囲まれるＴＦＴ領域以外の領域に画素となり、液晶
容量ＣLC及び蓄積容量ＣSTGの一方の電極となるＩＴＯ
電極２が形成されている。この画素となるＩＴＯ電極２
の下層部には、すでに説明したように、ガラス基板上に
ＩＴＯ電極２の全てと対向するように、蓄積容量ＣSTG
を形成し、共通電位信号Ｖcom、Ｖcomの反転信号が印加
される電極であるＩＴＯ電極１が、一点鎖線に示すよう
に形成されている。
電極４と、列方向に設けられるドレイン電極５との各交
点部にＴＦＴがマトリクス状に形成され、前記量電極に
より囲まれるＴＦＴ領域以外の領域に画素となり、液晶
容量ＣLC及び蓄積容量ＣSTGの一方の電極となるＩＴＯ
電極２が形成されている。この画素となるＩＴＯ電極２
の下層部には、すでに説明したように、ガラス基板上に
ＩＴＯ電極２の全てと対向するように、蓄積容量ＣSTG
を形成し、共通電位信号Ｖcom、Ｖcomの反転信号が印加
される電極であるＩＴＯ電極１が、一点鎖線に示すよう
に形成されている。
【００２９】このＩＴＯ電極１は、列方向にストライプ
状に形成され、表示部の偶数列群上にある蓄積容量Ｃ
STGを構成するＩＴＯ電極と、表示部の奇数列群上にあ
るＣSTGを構成するＩＴＯ電極とが電気的に切り離され
て形成される。
状に形成され、表示部の偶数列群上にある蓄積容量Ｃ
STGを構成するＩＴＯ電極と、表示部の奇数列群上にあ
るＣSTGを構成するＩＴＯ電極とが電気的に切り離され
て形成される。
【００３０】また、対向側の基板には、図６に示すよう
に、液晶容量ＣLCのＴＦＴのソース電極に接続されてい
ない他端側の電極となるＩＴＯ電極３が、列方向にスト
ライプ状に形成されている。そして、このＩＴＯ電極３
は、表示部の奇数列群上にある共通電位信号Ｖcomを印
加するＩＴＯ電極と表示部の偶数列群上にある共通電位
信号Ｖcomの反転信号を印加するＩＴＯ電極ととが、電
気的に切り離されて形成される。
に、液晶容量ＣLCのＴＦＴのソース電極に接続されてい
ない他端側の電極となるＩＴＯ電極３が、列方向にスト
ライプ状に形成されている。そして、このＩＴＯ電極３
は、表示部の奇数列群上にある共通電位信号Ｖcomを印
加するＩＴＯ電極と表示部の偶数列群上にある共通電位
信号Ｖcomの反転信号を印加するＩＴＯ電極ととが、電
気的に切り離されて形成される。
【００３１】前述したように、本発明の実施例は、蓄積
容量ＣSTGを構成するＩＴＯ電極１の配線パターンを、
列方向にストライプ状に形成しているので、液晶表示部
の表示動作時に、蓄積容量ＣSTGを形成する電極の配線
側からは一画素分のＣSTG容量しか見えないことにな
る。これは、表示動作時に、任意の１走査線に接続され
ている、すなわち、任意の１ゲートラインに接続されて
いるＴＦＴ群がオン状態であるが、それ以外のＴＦＴ群
がオフ状態であるので、図に示したＣSTGの電極の配線
側からは一画素分の蓄積容量ＣSTGしか見えないという
理由による。
容量ＣSTGを構成するＩＴＯ電極１の配線パターンを、
列方向にストライプ状に形成しているので、液晶表示部
の表示動作時に、蓄積容量ＣSTGを形成する電極の配線
側からは一画素分のＣSTG容量しか見えないことにな
る。これは、表示動作時に、任意の１走査線に接続され
ている、すなわち、任意の１ゲートラインに接続されて
いるＴＦＴ群がオン状態であるが、それ以外のＴＦＴ群
がオフ状態であるので、図に示したＣSTGの電極の配線
側からは一画素分の蓄積容量ＣSTGしか見えないという
理由による。
【００３２】従って、前述した本発明の第１の実施例に
よれば、比較的抵抗の高いＩＴＯを蓄積容量ＣSTGを構
成するための電極として用いことが可能となる。これに
より、本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口率の向上を図る
ことができ、バックライトを使用する場合入力、その消
費電力の低減を図ることができる。
よれば、比較的抵抗の高いＩＴＯを蓄積容量ＣSTGを構
成するための電極として用いことが可能となる。これに
より、本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤの開口率の向上を図る
ことができ、バックライトを使用する場合入力、その消
費電力の低減を図ることができる。
【００３３】前述した本発明の第１の実施例は、アクテ
ィブマトリクス液晶表示装置において、共通電位信号と
その反転信号とを１フィールド毎に反転させて交流化
し、かつ、１ドレインライン毎のドレイン信号の極性の
反転を１フィールド毎とした例について説明したが、本
発明は、共通電位信号の電圧の極性を１ゲートライン毎
に反転させ、かつ、１ゲートライン毎にドレイン信号の
極性を反転させる構造の液晶表示装置であっても、蓄積
容量ＣSTGを構成する電極の配線パターンを、列方向に
ストライプ状に形成することにより、ＴＦＴ−ＬＣＤの
開口率の向上を図ることができ、前述と同様な効果を得
ることができる。
ィブマトリクス液晶表示装置において、共通電位信号と
その反転信号とを１フィールド毎に反転させて交流化
し、かつ、１ドレインライン毎のドレイン信号の極性の
反転を１フィールド毎とした例について説明したが、本
発明は、共通電位信号の電圧の極性を１ゲートライン毎
に反転させ、かつ、１ゲートライン毎にドレイン信号の
極性を反転させる構造の液晶表示装置であっても、蓄積
容量ＣSTGを構成する電極の配線パターンを、列方向に
ストライプ状に形成することにより、ＴＦＴ−ＬＣＤの
開口率の向上を図ることができ、前述と同様な効果を得
ることができる。
【００３４】なお、前述において、ＩＴＯ電極は、他の
物質による透明電極であってもよく、また、ＴＦＴは、
多結晶シリコンにより形成されてもよい。
物質による透明電極であってもよく、また、ＴＦＴは、
多結晶シリコンにより形成されてもよい。
【００３５】図７、図８は本発明の第２及び第３の実施
例の構成を示す回路図である。すなわち、これらの実施
例は、図１により説明した本発明第１の実施例の回路構
成が、ＴＦＴ基板上と対向基板上とのＩＴＯ電極を、偶
数列群と奇数列群とに電気的に切り離して形成している
のに対して、ＴＦＴ基板上あるいは対向基板上のＩＴＯ
電極の一方のみを、偶数列群と奇数列群とに電気的に切
り離して形成すればよい点で第１の実施例と相違してい
る。従って、これらの実施例は、偶数列群と奇数列群と
に電気的に切り離していないＩＴＯ電極を、大面積の１
個のＩＴＯ電極により構成することができ、アクティブ
マトリクス液晶表示装置のコストを低減することが可能
となる。
例の構成を示す回路図である。すなわち、これらの実施
例は、図１により説明した本発明第１の実施例の回路構
成が、ＴＦＴ基板上と対向基板上とのＩＴＯ電極を、偶
数列群と奇数列群とに電気的に切り離して形成している
のに対して、ＴＦＴ基板上あるいは対向基板上のＩＴＯ
電極の一方のみを、偶数列群と奇数列群とに電気的に切
り離して形成すればよい点で第１の実施例と相違してい
る。従って、これらの実施例は、偶数列群と奇数列群と
に電気的に切り離していないＩＴＯ電極を、大面積の１
個のＩＴＯ電極により構成することができ、アクティブ
マトリクス液晶表示装置のコストを低減することが可能
となる。
【００３６】図９は前述した本発明による構造の液晶表
示部を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置の全体
の構成を示すブロック図である。図示液晶表示装置は、
前述したように構成される表示部が、走査側駆動回路と
信号側駆動回路とに接続されて制御されており、走査側
駆動回路と信号側駆動回路とが、制御回路によって制御
されるように構成されている。
示部を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置の全体
の構成を示すブロック図である。図示液晶表示装置は、
前述したように構成される表示部が、走査側駆動回路と
信号側駆動回路とに接続されて制御されており、走査側
駆動回路と信号側駆動回路とが、制御回路によって制御
されるように構成されている。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｉ
ＴＯ電極を、直接、蓄積容量を形成する電極に用いるこ
とができるので、開口率の向上を図ることができ、その
結果、バックライトを使用する場合のバックライトの消
費電力を低減させることができる。
ＴＯ電極を、直接、蓄積容量を形成する電極に用いるこ
とができるので、開口率の向上を図ることができ、その
結果、バックライトを使用する場合のバックライトの消
費電力を低減させることができる。
【００３８】また、本発明は、共通電位信号とその反転
信号との電圧の極性を１フィールド毎に反転させ、か
つ、１ドレインライン毎に画像信号としてのドレイン信
号の極性を１フィールド毎に反転させているので、ドレ
イン信号の振幅を小さくすることができ、信号側ドライ
バＬＳＩのコストを低減することができ、フリッカを低
減することができ、さらに、制御回路を簡単にし、その
消費電力を比較的小さくすることができる。
信号との電圧の極性を１フィールド毎に反転させ、か
つ、１ドレインライン毎に画像信号としてのドレイン信
号の極性を１フィールド毎に反転させているので、ドレ
イン信号の振幅を小さくすることができ、信号側ドライ
バＬＳＩのコストを低減することができ、フリッカを低
減することができ、さらに、制御回路を簡単にし、その
消費電力を比較的小さくすることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図２】その動作を説明する信号のタイミングチャート
である。
である。
【図３】液晶表示部のＴＦＴ部分の構造の一例を示す断
面図である。
面図である。
【図４】液晶表示部のＴＦＴ部分の構造の他の例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】ＴＦＴ基板側のパターンを示す図である。
【図６】対向電極側のパターンを示す図である。
【図７】本発明の第２の実施例の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図８】本発明の第３の実施例の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図９】アクティブマトリクス液晶表示装置の全体の構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図１０】従来技術による液晶表示装置の例を示す回路
図である。
図である。
【図１１】従来技術の動作を説明する信号のタイミング
チャートである。
チャートである。
１〜３ ＩＴＯ電極
４ ゲート電極
５ ドレイン電極
６ ソース電極
７ オーミック層
Claims (7)
- 【請求項１】 行列方向にマトリクス状に配置された各
画素と対応するように設けられた画素用ＴＦＴと、該Ｔ
ＦＴのゲート電極を各行毎に共通接続する走査電極と、
前記ＴＦＴのドレインを各列毎に共通接続する信号電極
と、前記ＴＦＴのソースに接続される一方の液晶端子及
び蓄積容量端子となる電極とを有して形成される液晶表
示部を備えて構成される液晶表示装置において、前記一
方の液晶端子及び蓄積容量端子となる電極と対向して、
液晶容量を形成する他方の端子となる電極及び蓄積容量
を形成する他方の端子となる電極を備え、これらの両他
方の電極が、透明な電極により形成され、かつ、前記両
他方の電極の少なくとも一方の電極が、列方向にストラ
イプ状に形成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 行列方向にマトリクス状に配置された各
画素と対応するように設けられた画素用ＴＦＴ、該ＴＦ
Ｔのゲート電極を各行毎に共通接続する走査電極、前記
ＴＦＴのドレインを各列毎に共通接続する信号電極、前
記ＴＦＴのソースに接続される一方の液晶端子及び蓄積
容量端子となる電極を有して形成される液晶表示部と、
前記走査電極に対する駆動信号の出力を制御する走査側
駆動回路と、前記信号電極に対する駆動信号の出力を制
御する信号側駆動回路とを備え、列毎に反転駆動される
液晶表示装置において、前記一方の液晶端子及び蓄積容
量端子となる電極と対向して、液晶容量を形成する他方
の端子となる電極及び蓄積容量を形成する他方の端子と
なる電極を備え、これらの両他方の電極が、透明な電極
により形成され、かつ、前記両他方の電極の少なくとも
一方の電極が、列方向にストライプ状に形成され、前記
ストライプ状に形成される電極の奇数列（あるいは偶数
列）の電極に交流信号を印加し、偶数列（あるいは奇数
列）の電極に前記交流信号の反転信号を印加することを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記ストライプ状に形成される電極は、
表示部の偶数列群上にある電極と表示部の奇数列群上に
ある電極とが、電気的に切り離されていることを特徴と
する請求項１または２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記両他方の電極が、ＩＴＯにより形成
されることを特徴とする請求項１、２または３記載の液
晶表示装置。 - 【請求項５】 行列方向にマトリクス状に配置された各
画素と対応するように設けられた画素用ＴＦＴ、該ＴＦ
Ｔのゲート電極を各行毎に共通接続する走査電極、前記
ＴＦＴのドレインを各列毎に共通接続する信号電極、前
記ＴＦＴのソースに接続される一方の液晶端子及び蓄積
容量端子となる電極を有して形成される液晶表示部と、
前記走査電極に対する駆動信号の出力を制御する走査側
駆動回路と、前記信号電極に対する駆動信号の出力を制
御する信号側駆動回路とを備え、列毎に反転駆動される
液晶表示装置において、奇数列（あるいは偶数列）の他
方の液晶端子電極と蓄積容量端子電極とに交流信号を印
加し、偶数列（あるいは奇数列）の他方の液晶端子電極
に前記交流信号と同一の交流信号を印加し、他方の蓄積
容量端子電極に前記交流信号の反転信号を印加すること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 行列方向にマトリクス状に配置された各
画素と対応するように設けられた画素用ＴＦＴ、該ＴＦ
Ｔのゲート電極を各行毎に共通接続する走査電極、前記
ＴＦＴのドレインを各列毎に共通接続する信号電極、前
記ＴＦＴのソースに接続される一方の液晶端子及び蓄積
容量端子となる電極を有して形成される液晶表示部と、
前記走査電極に対する駆動信号の出力を制御する走査側
駆動回路と、前記信号電極に対する駆動信号の出力を制
御する信号側駆動回路とを備え、列毎に反転駆動される
液晶表示装置において、奇数列（あるいは偶数列）の他
方の液晶端子電極と蓄積容量端子電極とに交流信号を印
加し、偶数列（あるいは奇数列）の他方の液晶端子電極
に前記交流信号の反転信号を印加し、他方の蓄積容量端
子電極に前記交流信号と同一の交流信号を印加すること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記ＴＦＴは、非晶質シリコン、あるい
は、多結晶シリコンにより形成されることを特徴とする
請求項１ないし６のうち１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205620A JPH0527218A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205620A JPH0527218A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0527218A true JPH0527218A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16509902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3205620A Pending JPH0527218A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0527218A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622655A3 (en) * | 1993-04-22 | 1995-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Display device, method for controlling it, and projection-type display device using the same. |
| JP2009282332A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US7652649B2 (en) | 2005-06-15 | 2010-01-26 | Au Optronics Corporation | LCD device with improved optical performance |
| JP2012047807A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3205620A patent/JPH0527218A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622655A3 (en) * | 1993-04-22 | 1995-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Display device, method for controlling it, and projection-type display device using the same. |
| US6177965B1 (en) | 1993-04-22 | 2001-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display device and projection-type display apparatus using the device |
| US7652649B2 (en) | 2005-06-15 | 2010-01-26 | Au Optronics Corporation | LCD device with improved optical performance |
| JP2009282332A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2012047807A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
| CN102376287A (zh) * | 2010-08-24 | 2012-03-14 | 索尼公司 | 显示设备和电子装置 |
| US9214125B2 (en) | 2010-08-24 | 2015-12-15 | Japan Display Inc. | Display device and electronic apparatus |
| US10126612B2 (en) | 2010-08-24 | 2018-11-13 | Japan Display Inc. | Display device and electronic apparatus |
| US10564491B2 (en) | 2010-08-24 | 2020-02-18 | Japan Display Inc. | Display device and electronic apparatus |
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