JPH05273141A - 光ディスク検査装置 - Google Patents
光ディスク検査装置Info
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- JPH05273141A JPH05273141A JP7394392A JP7394392A JPH05273141A JP H05273141 A JPH05273141 A JP H05273141A JP 7394392 A JP7394392 A JP 7394392A JP 7394392 A JP7394392 A JP 7394392A JP H05273141 A JPH05273141 A JP H05273141A
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- reflected light
- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 染み込み不良等による微小な欠陥も容易に検
出できる光ディスク検査装置を提供すること。 【構成】 情報再生時に用いる光ピックアップ２０によ
り、フォーカス調整されたレーザ光を回転する検査対象
の光ディスク１に照射すると共に、トラッキングサーボ
によって光ピックアップ２０を移動し、光ディスク１の
全面に亙ってレーザ光を順次照射する。さらに、フォト
ディテクタ２０ｂによって反射光を受光し、この反射光
強度に対応した信号Ｂ’の最大値及び最小値をサンプル
ホールド回路３２，３３によって検出すると共に、これ
らの出力電圧のＶ１，Ｖ２の差の電圧Ｖ３が基準電圧Ｖ
th以上となったときに欠陥の存在を報知する。 【効果】 簡単な構成により微小な欠陥も容易に検出で
き、不良品の流出を完全に防止することができる。
出できる光ディスク検査装置を提供すること。 【構成】 情報再生時に用いる光ピックアップ２０によ
り、フォーカス調整されたレーザ光を回転する検査対象
の光ディスク１に照射すると共に、トラッキングサーボ
によって光ピックアップ２０を移動し、光ディスク１の
全面に亙ってレーザ光を順次照射する。さらに、フォト
ディテクタ２０ｂによって反射光を受光し、この反射光
強度に対応した信号Ｂ’の最大値及び最小値をサンプル
ホールド回路３２，３３によって検出すると共に、これ
らの出力電圧のＶ１，Ｖ２の差の電圧Ｖ３が基準電圧Ｖ
th以上となったときに欠陥の存在を報知する。 【効果】 簡単な構成により微小な欠陥も容易に検出で
き、不良品の流出を完全に防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク検査装置に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、反射型の光ディスクの一例として
図２に示すものが知られている。図において、１は光デ
ィスクで、円形状の基板２と、この基板２の下面に形成
された記録層３と、記録層３の表面に例えば金を蒸着し
て形成された反射層４とから構成され、基板２の素材と
しては主としてガラス或いはポリカ−ボネイト等の透光
性部材が使用されている。また、ＣＤ方式、ＭＤ方式等
においては、基板２の表面にスパイラル状または同心円
状の案内溝等の凹凸部が形成され、これが情報を記録す
るときにレ−ザ光を照射する際のガイドとなる。
図２に示すものが知られている。図において、１は光デ
ィスクで、円形状の基板２と、この基板２の下面に形成
された記録層３と、記録層３の表面に例えば金を蒸着し
て形成された反射層４とから構成され、基板２の素材と
しては主としてガラス或いはポリカ−ボネイト等の透光
性部材が使用されている。また、ＣＤ方式、ＭＤ方式等
においては、基板２の表面にスパイラル状または同心円
状の案内溝等の凹凸部が形成され、これが情報を記録す
るときにレ−ザ光を照射する際のガイドとなる。
【０００３】また、記録層３は、例えばシアニン色素等
の有機色素がスピンコ−ト法によって基板２上に塗布さ
れて形成される。さらに、記録層３の表面に保護膜５、
或いはその他の機能を有する膜を形成する場合もある。
の有機色素がスピンコ−ト法によって基板２上に塗布さ
れて形成される。さらに、記録層３の表面に保護膜５、
或いはその他の機能を有する膜を形成する場合もある。
【０００４】前述した光ディスク１を製造した後、これ
を検査する際には、専用の検査装置が用いられる。この
検査装置は、図３に示すように、レーザ光発生部１１、
ミラー１２、円筒レンズ１３、光電変換部１４、欠陥検
出部１５から構成されている。
を検査する際には、専用の検査装置が用いられる。この
検査装置は、図３に示すように、レーザ光発生部１１、
ミラー１２、円筒レンズ１３、光電変換部１４、欠陥検
出部１５から構成されている。
【０００５】レーザ光発生部１１は、ＹＡＧレーザ及び
回転ミラー等からなり、所定の速度で回転する光ディス
ク１の中心部と外周部との間を、半径方向に所定の速度
でスキャンしながら光ディスク１の反射面１ａにレーザ
光を照射する。このときの光ディスク１に対するレーザ
光の入射角度は、常に一定に維持されている。
回転ミラー等からなり、所定の速度で回転する光ディス
ク１の中心部と外周部との間を、半径方向に所定の速度
でスキャンしながら光ディスク１の反射面１ａにレーザ
光を照射する。このときの光ディスク１に対するレーザ
光の入射角度は、常に一定に維持されている。
【０００６】光ディスク１からの反射光はミラー１２に
よって反射され、円筒レンズ１３を介して光電変換部１
４に入射される。ミラー１２は光ディスク１の半径以上
の長さを有し、スキャンされる全ての反射光を円筒レン
ズ１３に入射する角度に固定して配置されている。円筒
レンズ１３はミラー１２によって反射されたレーザ光を
屈折させて光電変換部１４の入射口に入射させる。光電
変換部１４では、入射した光の強度に対応する電圧を欠
陥検出部１５に出力し、欠陥検出部１５においてこの電
圧値に基づいて光ディスク１の欠陥が検出される。
よって反射され、円筒レンズ１３を介して光電変換部１
４に入射される。ミラー１２は光ディスク１の半径以上
の長さを有し、スキャンされる全ての反射光を円筒レン
ズ１３に入射する角度に固定して配置されている。円筒
レンズ１３はミラー１２によって反射されたレーザ光を
屈折させて光電変換部１４の入射口に入射させる。光電
変換部１４では、入射した光の強度に対応する電圧を欠
陥検出部１５に出力し、欠陥検出部１５においてこの電
圧値に基づいて光ディスク１の欠陥が検出される。
【０００７】前述の構成によれば、光ディスク１の基板
２及び記録層３を介して反射層４に入射したレーザ光は
反射層によって反射された後、ミラー１２及び円筒レン
ズ１３を介して光電変換部１４に入射される。これによ
り、光ディスク１の反射層４に傷や小孔等の欠陥がある
場合には、この欠陥の箇所からの反射光の光強度が減少
するので、光電変換部１４から出力される電圧が変化
し、この電圧変化によって光ディスク１に欠陥があるこ
とを検出することができる。また、記録層３の塗布欠陥
により記録層３の膜厚に変化を生じている場合、正常な
膜厚の箇所に比べて反射光強度が変化するので、これも
欠陥として検出することができる。
２及び記録層３を介して反射層４に入射したレーザ光は
反射層によって反射された後、ミラー１２及び円筒レン
ズ１３を介して光電変換部１４に入射される。これによ
り、光ディスク１の反射層４に傷や小孔等の欠陥がある
場合には、この欠陥の箇所からの反射光の光強度が減少
するので、光電変換部１４から出力される電圧が変化
し、この電圧変化によって光ディスク１に欠陥があるこ
とを検出することができる。また、記録層３の塗布欠陥
により記録層３の膜厚に変化を生じている場合、正常な
膜厚の箇所に比べて反射光強度が変化するので、これも
欠陥として検出することができる。
【０００８】さらに、光ディスク１を１回転させるだけ
で、光ディスク１の全面を検査することができるため、
検査時間の短縮を図ることができる。
で、光ディスク１の全面を検査することができるため、
検査時間の短縮を図ることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の光ディスク検査装置においては、例えば波長が
５３４ｎｍのＹＡＧレーザ光を光ディスク１の半径方向
に一様に照射して検査しているので、検出可能な欠陥の
直径は３０μｍ以上となる。
た従来の光ディスク検査装置においては、例えば波長が
５３４ｎｍのＹＡＧレーザ光を光ディスク１の半径方向
に一様に照射して検査しているので、検出可能な欠陥の
直径は３０μｍ以上となる。
【００１０】このため、いわゆる染み込み不良による欠
陥を検出することができないという問題点があった。
陥を検出することができないという問題点があった。
【００１１】即ち、何らかの原因により反射層４の膜圧
が不均一になった場合、トップコート剤を塗布して保護
膜５を形成する際に、反射層４の薄い部分からトップコ
ート剤が記録層３へと染み込んでいき、記録層３が犯さ
れていく、染み込み不良が発生することがあるが、この
染み込み不良による欠陥は、その直径が数μｍ程度で、
光ディスク１のほぼ全面に亙って多発する。従って、従
来の検査装置では染み込み不良による欠陥を検出するこ
とができなかった。
が不均一になった場合、トップコート剤を塗布して保護
膜５を形成する際に、反射層４の薄い部分からトップコ
ート剤が記録層３へと染み込んでいき、記録層３が犯さ
れていく、染み込み不良が発生することがあるが、この
染み込み不良による欠陥は、その直径が数μｍ程度で、
光ディスク１のほぼ全面に亙って多発する。従って、従
来の検査装置では染み込み不良による欠陥を検出するこ
とができなかった。
【００１２】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、染み
込み不良等による微小な欠陥も容易に検出できる光ディ
スク検査装置を提供することにある。
込み不良等による微小な欠陥も容易に検出できる光ディ
スク検査装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、検査対象の光ディスクを所定の回転速度
で回転させながらレーザ光を照射し、前記光ディスクか
らの反射光に基づいて、前記光ディスクを検査する光デ
ィスクの検査装置において、前記光ディスクからの情報
再生時とほぼ同等の波長を有するレーザ光を前記光ディ
スクに対して出射するレーザ光発生手段と、該レーザ光
発生手段より出射されたレーザ光のフォーカス調整を行
うフォーカス調整手段と、前記レーザ光発生手段により
出射されたレーザ光の、前記光ディスクからの反射光を
受光し、光強度に対応した信号を出力する受光手段と、
該受光手段の出力信号に基づいて、前記反射光の最大値
を検出する最大値検出手段と、前記受光手段の出力信号
に基づいて、前記反射光の最小値を検出する最小値検出
手段と、前記最大値検出手段の検出結果及び最小値検出
手段の検出結果に基づいて、前記最大値と最小値の差が
所定の基準値以上となったときに欠陥の存在を報知する
報知手段とを備えた光ディスク検査装置を提案する。
成するために、検査対象の光ディスクを所定の回転速度
で回転させながらレーザ光を照射し、前記光ディスクか
らの反射光に基づいて、前記光ディスクを検査する光デ
ィスクの検査装置において、前記光ディスクからの情報
再生時とほぼ同等の波長を有するレーザ光を前記光ディ
スクに対して出射するレーザ光発生手段と、該レーザ光
発生手段より出射されたレーザ光のフォーカス調整を行
うフォーカス調整手段と、前記レーザ光発生手段により
出射されたレーザ光の、前記光ディスクからの反射光を
受光し、光強度に対応した信号を出力する受光手段と、
該受光手段の出力信号に基づいて、前記反射光の最大値
を検出する最大値検出手段と、前記受光手段の出力信号
に基づいて、前記反射光の最小値を検出する最小値検出
手段と、前記最大値検出手段の検出結果及び最小値検出
手段の検出結果に基づいて、前記最大値と最小値の差が
所定の基準値以上となったときに欠陥の存在を報知する
報知手段とを備えた光ディスク検査装置を提案する。
【００１４】
【作用】本発明によれば、レーザ光出射手段により、光
ディスクに記録された情報を再生するとときとほぼ同等
の波長を有するレーザ光が前記光ディスクに対して出射
され、フォーカス調整手段によって前記レーザ光出射手
段より出射されたレーザ光のフォーカス調整が行われ
る。これにより、情報記録時或いは情報再生時に問題と
なる欠陥の直径に対応したレーザ光が前記光ディスクに
照射される。また、前記レーザ光出射手段により出射さ
れたレーザ光の、前記光ディスクからの反射光が受光手
段によって受光され、該受光手段から受光したレーザ光
の光強度に対応した信号が出力されると共に、最大値検
出手段により、前記受光手段の出力信号に基づいて、前
記反射光の最大値が検出され、最小値検出手段により、
前記受光手段の出力信号に基づいて、前記反射光の最小
値が検出される。さらに、報知手段によって、前記最大
値検出手段の検出結果及び最小値検出手段の検出結果に
基づいて、前記最大値と最小値の差が所定の基準値以上
となったときに欠陥の存在が報知される。
ディスクに記録された情報を再生するとときとほぼ同等
の波長を有するレーザ光が前記光ディスクに対して出射
され、フォーカス調整手段によって前記レーザ光出射手
段より出射されたレーザ光のフォーカス調整が行われ
る。これにより、情報記録時或いは情報再生時に問題と
なる欠陥の直径に対応したレーザ光が前記光ディスクに
照射される。また、前記レーザ光出射手段により出射さ
れたレーザ光の、前記光ディスクからの反射光が受光手
段によって受光され、該受光手段から受光したレーザ光
の光強度に対応した信号が出力されると共に、最大値検
出手段により、前記受光手段の出力信号に基づいて、前
記反射光の最大値が検出され、最小値検出手段により、
前記受光手段の出力信号に基づいて、前記反射光の最小
値が検出される。さらに、報知手段によって、前記最大
値検出手段の検出結果及び最小値検出手段の検出結果に
基づいて、前記最大値と最小値の差が所定の基準値以上
となったときに欠陥の存在が報知される。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図において、前述した従来例と同一構成部分は同一
符号をもって表し、その説明を省略する。また、従来例
と本実施例との相違点は、通常光ディスクプレーヤ等に
用いられている半導体レーザを備えた光ピックアップと
これに接続された第２の欠陥検出部を設けたことにあ
る。
る。図において、前述した従来例と同一構成部分は同一
符号をもって表し、その説明を省略する。また、従来例
と本実施例との相違点は、通常光ディスクプレーヤ等に
用いられている半導体レーザを備えた光ピックアップと
これに接続された第２の欠陥検出部を設けたことにあ
る。
【００１６】即ち、２０は光ピックアップで、光ディス
ク１の反射面側に移動可能に配置され、第２の欠陥検出
部３０に接続されている。図４は光ピックアップ２０及
び第２の欠陥検出部３０に係わる電気系回路の構成図で
ある。光ピックアップ２０は、周知のように、レ−ザダ
イオ−ド２０ａ、フォトディテクタ２０ｂ、ハ−フミラ
−２０ｃ、レンズ２０ｄ等から構成されている。レ−ザ
ダイオ−ド２０ａは、レ−ザ駆動回路２１から入力する
電流に対応した所定強度のレ−ザ光を出射し、このレ−
ザ光はハ−フミラ−２０ｃ及びレンズ２０ｄを介して光
ディスク１に照射される。また、光ピックアップ２０か
ら出射されるレーザ光は、フォーカスサーボ２２によっ
てフォーカス調整され、直径数μｍ程度のスポット光と
して光ディスク１に照射される。さらに、光ピックアッ
プ２０はトラッキングサーボ２３によって、光ディスク
１の半径方向に所定速度で移動され、光ディスク１の全
面に亙って順次レーザ光を照射できるようになってい
る。これにより、光ディスク１からの反射光はレンズ２
０ｄ及びハ−フミラ−２０ｃを介してフォトディテクタ
２０ｂに入射され、フォトディテクタ２０ｂによって反
射光強度に比例した電圧を有する電気信号Ｂに変換され
て出力される。
ク１の反射面側に移動可能に配置され、第２の欠陥検出
部３０に接続されている。図４は光ピックアップ２０及
び第２の欠陥検出部３０に係わる電気系回路の構成図で
ある。光ピックアップ２０は、周知のように、レ−ザダ
イオ−ド２０ａ、フォトディテクタ２０ｂ、ハ−フミラ
−２０ｃ、レンズ２０ｄ等から構成されている。レ−ザ
ダイオ−ド２０ａは、レ−ザ駆動回路２１から入力する
電流に対応した所定強度のレ−ザ光を出射し、このレ−
ザ光はハ−フミラ−２０ｃ及びレンズ２０ｄを介して光
ディスク１に照射される。また、光ピックアップ２０か
ら出射されるレーザ光は、フォーカスサーボ２２によっ
てフォーカス調整され、直径数μｍ程度のスポット光と
して光ディスク１に照射される。さらに、光ピックアッ
プ２０はトラッキングサーボ２３によって、光ディスク
１の半径方向に所定速度で移動され、光ディスク１の全
面に亙って順次レーザ光を照射できるようになってい
る。これにより、光ディスク１からの反射光はレンズ２
０ｄ及びハ−フミラ−２０ｃを介してフォトディテクタ
２０ｂに入射され、フォトディテクタ２０ｂによって反
射光強度に比例した電圧を有する電気信号Ｂに変換され
て出力される。
【００１７】第２の欠陥検出部３０は、ＲＦアンプ３
１、サンプルホールド回路３２，３３、減算器３４、比
較器３５及び報知回路３６から構成されている。ＲＦア
ンプ３１はフォトディテクタ２０ｂから信号Ｂを入力
し、この信号Ｂを所定の増幅度にて増幅した信号Ｂ’と
して、サンプルホ−ルド回路３２，３３に入力する。サ
ンプルホ−ルド回路３２は、信号Ｂ’の電圧の最大値を
検出して保持し、この保持電圧Ｖ１を減算器３４に出力
する。また、サンプルホールド回路３３は、信号Ｂ’の
電圧の最小値を保持し、この電圧Ｖ２を減算器３４に出
力する。
１、サンプルホールド回路３２，３３、減算器３４、比
較器３５及び報知回路３６から構成されている。ＲＦア
ンプ３１はフォトディテクタ２０ｂから信号Ｂを入力
し、この信号Ｂを所定の増幅度にて増幅した信号Ｂ’と
して、サンプルホ−ルド回路３２，３３に入力する。サ
ンプルホ−ルド回路３２は、信号Ｂ’の電圧の最大値を
検出して保持し、この保持電圧Ｖ１を減算器３４に出力
する。また、サンプルホールド回路３３は、信号Ｂ’の
電圧の最小値を保持し、この電圧Ｖ２を減算器３４に出
力する。
【００１８】減算器３４は、電圧Ｖ１から電圧Ｖ２を減
算した電圧Ｖ３を比較器３５に出力する。比較器３５は
入力した電圧Ｖ３を予め設定されている基準電圧Ｖthと
比較し、基準電圧Ｖthよりも電圧Ｖ３の値が大きくなっ
たときに異常信号Ｃを報知回路３６に出力する。報知回
路３６は比較器３５から異常信号Ｃを入力したときに、
光ディスク１に欠陥があったことを報知する。
算した電圧Ｖ３を比較器３５に出力する。比較器３５は
入力した電圧Ｖ３を予め設定されている基準電圧Ｖthと
比較し、基準電圧Ｖthよりも電圧Ｖ３の値が大きくなっ
たときに異常信号Ｃを報知回路３６に出力する。報知回
路３６は比較器３５から異常信号Ｃを入力したときに、
光ディスク１に欠陥があったことを報知する。
【００１９】前述の構成からなる本実施例によれば、レ
ーザ光発生部１１から出射されたＹＡＧレーザ光は、所
定の速度で回転する光ディスク１の中心部と外周部との
間を、半径方向に所定の速度でスキャンしながら光ディ
スク１の反射面１ａに照射される。このときの光ディス
ク１からの反射光はミラー１２によって反射され、円筒
レンズ１３を介して光電変換部１４に入射され、光電変
換部１４によって入射した光の強度に対応する電圧が欠
陥検出部１５に出力される。これにより、欠陥検出部１
５においてこの電圧値に基づいて光ディスク１における
直径３０μｍ以上の傷や小孔等の欠陥が検出される。
ーザ光発生部１１から出射されたＹＡＧレーザ光は、所
定の速度で回転する光ディスク１の中心部と外周部との
間を、半径方向に所定の速度でスキャンしながら光ディ
スク１の反射面１ａに照射される。このときの光ディス
ク１からの反射光はミラー１２によって反射され、円筒
レンズ１３を介して光電変換部１４に入射され、光電変
換部１４によって入射した光の強度に対応する電圧が欠
陥検出部１５に出力される。これにより、欠陥検出部１
５においてこの電圧値に基づいて光ディスク１における
直径３０μｍ以上の傷や小孔等の欠陥が検出される。
【００２０】また、光ピックアップ２０のレーザダイオ
ード２０ａから出射されたレーザ光は、情報の再生時と
同様にフォーカス調整されて光ディスク１に照射され
る。このとき、トラッキングサーボ２３は停止され、光
ピックアップ２０は所定位置に固定される。これによ
り、光ピックアップ２０から出射されたレーザ光は、光
ディスク１の所定の１トラックを走査する。このとき
の、光ディスク１からの反射光はフォトディテクタ２０
ｂによって受光され、フォトディテクタ２０ｂからは反
射光強度に比例した電圧を有する電気信号Ｂが出力され
る。これにより、情報再生時に問題となる直径数μｍ程
度の欠陥を反射光強度の強弱、即ち信号Ｂの電圧の高低
として検出することができる。
ード２０ａから出射されたレーザ光は、情報の再生時と
同様にフォーカス調整されて光ディスク１に照射され
る。このとき、トラッキングサーボ２３は停止され、光
ピックアップ２０は所定位置に固定される。これによ
り、光ピックアップ２０から出射されたレーザ光は、光
ディスク１の所定の１トラックを走査する。このとき
の、光ディスク１からの反射光はフォトディテクタ２０
ｂによって受光され、フォトディテクタ２０ｂからは反
射光強度に比例した電圧を有する電気信号Ｂが出力され
る。これにより、情報再生時に問題となる直径数μｍ程
度の欠陥を反射光強度の強弱、即ち信号Ｂの電圧の高低
として検出することができる。
【００２１】前述したような染み込み不良による欠陥及
びその他の欠陥が光ディスク１に存在しないときには、
反射光強度は光ディスク１の全面においてほぼ一定とな
る。この場合、信号Ｂ’の電圧が最大値及び最小値とし
てサンプルホールド回路３２，３３に保持され、減算器
３４の出力電圧Ｖ３はほぼ０Ｖとなる。従って、電圧Ｖ
３は基準電圧Ｖth以下となり比較器３５から異常信号Ｃ
は出力されない。
びその他の欠陥が光ディスク１に存在しないときには、
反射光強度は光ディスク１の全面においてほぼ一定とな
る。この場合、信号Ｂ’の電圧が最大値及び最小値とし
てサンプルホールド回路３２，３３に保持され、減算器
３４の出力電圧Ｖ３はほぼ０Ｖとなる。従って、電圧Ｖ
３は基準電圧Ｖth以下となり比較器３５から異常信号Ｃ
は出力されない。
【００２２】また、染み込み不良等による欠陥が存在し
た場合には、この欠陥部における反射光強度が減少して
フォトディテクタ２０ｂの出力信号Ｂの電圧が低下し、
このときの信号Ｂ’の電圧が最小値としてサンプルホー
ルド回路３３に保持される。これにより、減算器３４の
出力電圧Ｖ３は、サンプルホールド回路３２の出力電圧
Ｖ１とサンプルホールド回路３３の出力電圧Ｖ２との差
となって上昇し、基準電圧Ｖthを上回るものとなる。従
って、比較器３５から異常信号Ｃが出力され、報知回路
３６によって欠陥の存在が報知される。また、染み込み
不良等による欠陥が存在する場合には、光ディスク１の
全面に亙って欠陥が発生するので、レーザ光によって１
トラックのみを走査すれば容易に欠陥を検出することが
できる。さらに詳細な検査を行う場合には、トラッキン
グサーボ２３を動作させて、光ピックアップ２０を移動
しながら光ディスク１の全面をレーザ光により走査すれ
ば良い。
た場合には、この欠陥部における反射光強度が減少して
フォトディテクタ２０ｂの出力信号Ｂの電圧が低下し、
このときの信号Ｂ’の電圧が最小値としてサンプルホー
ルド回路３３に保持される。これにより、減算器３４の
出力電圧Ｖ３は、サンプルホールド回路３２の出力電圧
Ｖ１とサンプルホールド回路３３の出力電圧Ｖ２との差
となって上昇し、基準電圧Ｖthを上回るものとなる。従
って、比較器３５から異常信号Ｃが出力され、報知回路
３６によって欠陥の存在が報知される。また、染み込み
不良等による欠陥が存在する場合には、光ディスク１の
全面に亙って欠陥が発生するので、レーザ光によって１
トラックのみを走査すれば容易に欠陥を検出することが
できる。さらに詳細な検査を行う場合には、トラッキン
グサーボ２３を動作させて、光ピックアップ２０を移動
しながら光ディスク１の全面をレーザ光により走査すれ
ば良い。
【００２３】前述したように本実施例によれば、直径数
μｍ程度の欠陥も容易に検出することができるので、情
報の記録再生時に問題となる微小な欠陥も逃すことなく
発見することができ、不良品の流出を完全に防ぐことが
できる。また、本実施例の検査装置は非常に簡単な構成
で短時間に検査を行うことができるので、既存の光ディ
スク１の製造及び検査ラインに容易に設置することがで
きる。
μｍ程度の欠陥も容易に検出することができるので、情
報の記録再生時に問題となる微小な欠陥も逃すことなく
発見することができ、不良品の流出を完全に防ぐことが
できる。また、本実施例の検査装置は非常に簡単な構成
で短時間に検査を行うことができるので、既存の光ディ
スク１の製造及び検査ラインに容易に設置することがで
きる。
【００２４】尚、本実施例における検査装置の構成は一
例であり、これに限定されることはない。
例であり、これに限定されることはない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、情
報記録時或いは情報再生時に問題となる欠陥の直径に対
応したレーザ光が検査対象の光ディスクに照射され、反
射光強度の最大値及び最小値に基づいて欠陥が検出され
るので、従来検出不可能であった染み込み不良等による
微小な欠陥を容易に検出することができ、不良品の流出
を完全に防止することができる。さらに、非常に簡単な
構成で短時間に検査を行うことができるので、既存の光
ディスクの製造及び検査ラインに容易に設置することが
できるという非常に優れた効果を奏するものである。
報記録時或いは情報再生時に問題となる欠陥の直径に対
応したレーザ光が検査対象の光ディスクに照射され、反
射光強度の最大値及び最小値に基づいて欠陥が検出され
るので、従来検出不可能であった染み込み不良等による
微小な欠陥を容易に検出することができ、不良品の流出
を完全に防止することができる。さらに、非常に簡単な
構成で短時間に検査を行うことができるので、既存の光
ディスクの製造及び検査ラインに容易に設置することが
できるという非常に優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図
【図２】光ディスクの一構成例を示す図
【図３】従来の光ディスク検査装置の一例を示す構成図
【図４】本発明の一実施例における光ピックアップ及び
第２の欠陥検出部に係わる電気系回路の構成図
第２の欠陥検出部に係わる電気系回路の構成図
１…光ディスク、２…基板、３…記録層、４…反射層、
５…保護膜、１１…レーザ光発生部、１２…ミラー、１
３…円筒レンズ、１４…光電変換部、１５…欠陥検出
部、２０…光ピックアップ、２０ａ…レーザダイオー
ド、２０ｂ…フォトディテクタ、２０ｃ…ハーフミラ
ー、２０ｄ…レンズ、２１…レーザ駆動回路、２２…フ
ォーカスサーボ、２３…トラッキングサーボ、３１…Ｒ
Ｆアンプ、３２，３３…サンプルホールド回路、３４…
減算器、３５…比較器、３６…報知回路。
５…保護膜、１１…レーザ光発生部、１２…ミラー、１
３…円筒レンズ、１４…光電変換部、１５…欠陥検出
部、２０…光ピックアップ、２０ａ…レーザダイオー
ド、２０ｂ…フォトディテクタ、２０ｃ…ハーフミラ
ー、２０ｄ…レンズ、２１…レーザ駆動回路、２２…フ
ォーカスサーボ、２３…トラッキングサーボ、３１…Ｒ
Ｆアンプ、３２，３３…サンプルホールド回路、３４…
減算器、３５…比較器、３６…報知回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 検査対象の光ディスクを所定の回転速度
で回転させながらレーザ光を照射し、前記光ディスクか
らの反射光に基づいて、前記光ディスクを検査する光デ
ィスクの検査装置において、 前記光ディスクからの情報再生時とほぼ同等の波長を有
するレーザ光を前記光ディスクに対して出射するレーザ
光出射手段と、 該レーザ光出射手段より出射されたレーザ光のフォーカ
ス調整を行うフォーカス調整手段と、 前記レーザ光出射手段により出射されたレーザ光の、前
記光ディスクからの反射光を受光し、光強度に対応した
信号を出力する受光手段と、 該受光手段の出力信号に基づいて、前記反射光の最大値
を検出する最大値検出手段と、 前記受光手段の出力信号に基づいて、前記反射光の最小
値を検出する最小値検出手段と、 前記最大値検出手段の検出結果及び最小値検出手段の検
出結果に基づいて、前記最大値と最小値の差が所定の基
準値以上となったときに欠陥の存在を報知する報知手段
とを備えた、 ことを特徴とする光ディスク検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7394392A JPH05273141A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光ディスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7394392A JPH05273141A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光ディスク検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273141A true JPH05273141A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13532699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7394392A Pending JPH05273141A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光ディスク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05273141A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004013854A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-12 | Sony Corporation | デフェクト検出装置、デフェクト検出方法 |
| CN1300779C (zh) * | 2004-02-19 | 2007-02-14 | 威盛电子股份有限公司 | 在写录时侦测光盘片瑕疵区块的装置与方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256242A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP7394392A patent/JPH05273141A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256242A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004013854A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-12 | Sony Corporation | デフェクト検出装置、デフェクト検出方法 |
| US7061840B2 (en) | 2002-08-06 | 2006-06-13 | Sony Corporation | Defect detection apparatus and defect detection method |
| CN1300779C (zh) * | 2004-02-19 | 2007-02-14 | 威盛电子股份有限公司 | 在写录时侦测光盘片瑕疵区块的装置与方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990112 |