JPH05273260A - 電圧センサ - Google Patents
電圧センサInfo
- Publication number
- JPH05273260A JPH05273260A JP7194292A JP7194292A JPH05273260A JP H05273260 A JPH05273260 A JP H05273260A JP 7194292 A JP7194292 A JP 7194292A JP 7194292 A JP7194292 A JP 7194292A JP H05273260 A JPH05273260 A JP H05273260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- voltage sensor
- light
- waveguide
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気光学効果を示す材料により形成された光
導波路に伝搬する光の位相変化により電圧を検出する電
圧センサを小型化するとともに入力容量を小さくする。 【構成】 光導波路２を反射型とし、光入射端と光出射
端とを共通化する。
導波路に伝搬する光の位相変化により電圧を検出する電
圧センサを小型化するとともに入力容量を小さくする。 【構成】 光導波路２を反射型とし、光入射端と光出射
端とを共通化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路を利用した電圧
センサに関する。特に、電気光学効果を示す材料により
形成された光導波路を用い、電圧による伝搬光の位相変
化を検出する電圧センサに関する。
センサに関する。特に、電気光学効果を示す材料により
形成された光導波路を用い、電圧による伝搬光の位相変
化を検出する電圧センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は光導波路を利用した電圧センサの
従来例構造を示す斜視図である。
従来例構造を示す斜視図である。
【０００３】この従来例はＬｉＮｂＯ3 、ＧａＡｓなど
の電気光学効果を示す材料からなる基板３１に形成され
た光導波路３２を備え、この光導波路３２は、入射端か
ら二つに分岐し、再び一つに合流して出射端に至る形状
をもつ。さらにこの従来例は、光導波路３２の一方の分
岐路に沿って二つの電極３３を備え、この二つの電極３
３にプローブ端子３４が接続される。光導波路３２の入
射端および出射端にはそれぞれ光ファイバ３５、３６が
光学的に結合される。
の電気光学効果を示す材料からなる基板３１に形成され
た光導波路３２を備え、この光導波路３２は、入射端か
ら二つに分岐し、再び一つに合流して出射端に至る形状
をもつ。さらにこの従来例は、光導波路３２の一方の分
岐路に沿って二つの電極３３を備え、この二つの電極３
３にプローブ端子３４が接続される。光導波路３２の入
射端および出射端にはそれぞれ光ファイバ３５、３６が
光学的に結合される。
【０００４】光ファイバ３５からの入射光は、光導波路
３２を伝搬し、二つに分岐して再び合流し、光ファイバ
３６に伝搬する。プローブ端子３４から電極３３に電圧
が印加されると、光導波路３２の一方の分岐路で伝搬光
の位相が変化し、それを他方の分岐路の伝搬光と合波す
ると干渉が生じる。この干渉による光強度変化を測定す
れば、プローブ端子３４の電圧を検出することができ
る。
３２を伝搬し、二つに分岐して再び合流し、光ファイバ
３６に伝搬する。プローブ端子３４から電極３３に電圧
が印加されると、光導波路３２の一方の分岐路で伝搬光
の位相が変化し、それを他方の分岐路の伝搬光と合波す
ると干渉が生じる。この干渉による光強度変化を測定す
れば、プローブ端子３４の電圧を検出することができ
る。
【０００５】このような電圧センサは、（１）基板３１
の大きさが、長さ（光導波路３２の方向）７ｍｍ、幅５
ｍｍ程度と小型である、（２）入力容量が２〜４ｐＦ程
度と小さいという利点がある。
の大きさが、長さ（光導波路３２の方向）７ｍｍ、幅５
ｍｍ程度と小型である、（２）入力容量が２〜４ｐＦ程
度と小さいという利点がある。
【０００６】このような電圧センサについては、例え
ば、 （１）横河技報、Ｖｏｌ．２８、Ｎｏ．４、１９８４年 （２）アプライド・フィジクス・レターズ第４６巻、第
４６２頁、１９８５年（Appl.Phys.Lett., Vol.46, p.4
62, 1985） （３）光導波エレクトロニクス、日本学術振興会刊、１
９８１年 に詳しく示されている。
ば、 （１）横河技報、Ｖｏｌ．２８、Ｎｏ．４、１９８４年 （２）アプライド・フィジクス・レターズ第４６巻、第
４６２頁、１９８５年（Appl.Phys.Lett., Vol.46, p.4
62, 1985） （３）光導波エレクトロニクス、日本学術振興会刊、１
９８１年 に詳しく示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような電圧センサ
の使用形態を考えると、電圧センサを一つのユニットと
してパッケージングし、光源および光検出器を含む測定
系を別のユニットとし、二つのユニットを二本の光ファ
イバで接続することが望ましい。このとき、電圧センサ
のパッケージから二本の光ファイバを二つの方向に引き
出すのではなく、同一方向に引き出すことが望ましい。
しかし、このようにすると、従来の電圧センサでは光フ
ァイバをパッケージ内で曲げなければならず、その最小
曲げ半径をパッケージ内で確保しなければならない。こ
のため従来の電圧センサは、パッケージの大きさが基板
の二倍程度となっていた。
の使用形態を考えると、電圧センサを一つのユニットと
してパッケージングし、光源および光検出器を含む測定
系を別のユニットとし、二つのユニットを二本の光ファ
イバで接続することが望ましい。このとき、電圧センサ
のパッケージから二本の光ファイバを二つの方向に引き
出すのではなく、同一方向に引き出すことが望ましい。
しかし、このようにすると、従来の電圧センサでは光フ
ァイバをパッケージ内で曲げなければならず、その最小
曲げ半径をパッケージ内で確保しなければならない。こ
のため従来の電圧センサは、パッケージの大きさが基板
の二倍程度となっていた。
【０００８】また、電極の位置が基板の端から離れてい
るため、プローブ端子と電極との距離が長くなり、入力
容量も大きくなる問題があった。
るため、プローブ端子と電極との距離が長くなり、入力
容量も大きくなる問題があった。
【０００９】本発明は、このような課題を解決し、パッ
ケージが小型で入力容量の小さな電圧センサを提供する
ことを目的とする。
ケージが小型で入力容量の小さな電圧センサを提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の電圧センサは、
電気光学効果を示す材料により形成された光導波路と、
この光導波路に被測定電圧源からの電圧を印加してその
伝搬光に位相変化を与える電極とを備えた電圧センサに
おいて、光導波路の一端に反射手段が設けられ、光入射
端と光出射端とが共通の導波路であることを特徴とす
る。
電気光学効果を示す材料により形成された光導波路と、
この光導波路に被測定電圧源からの電圧を印加してその
伝搬光に位相変化を与える電極とを備えた電圧センサに
おいて、光導波路の一端に反射手段が設けられ、光入射
端と光出射端とが共通の導波路であることを特徴とす
る。
【００１１】光導波路はＬｉＮｂＯ3 またはＧａＡｓの
基板に形成されることが望ましい。
基板に形成されることが望ましい。
【００１２】
【作用】光導波路の一端に反射手段を設けることによ
り、伝搬光が折り返され、ほぼ半分の長さの光導波路で
反射手段を設けない場合と同等の位相変化が得られる。
また、光入射端と光出射端とを共通化するので、一本の
光ファイバで測定系のユニットに接続できる。
り、伝搬光が折り返され、ほぼ半分の長さの光導波路で
反射手段を設けない場合と同等の位相変化が得られる。
また、光入射端と光出射端とを共通化するので、一本の
光ファイバで測定系のユニットに接続できる。
【００１３】光導波路としては、一つの光入出射導波路
に対して二つの分岐導波路が設けられたＹ字型導波路を
用い、二つの分岐導波路にそれぞれ反射手段を設け、二
つの分岐導波路の少なくとも一方に沿って電極が設けた
構造、すなわち分岐干渉型構造であることがよい。この
とき、二つの分岐導波路で生じた伝搬光の位相差により
光入出射導波路で干渉が生じ、光強度変化として測定で
きる。
に対して二つの分岐導波路が設けられたＹ字型導波路を
用い、二つの分岐導波路にそれぞれ反射手段を設け、二
つの分岐導波路の少なくとも一方に沿って電極が設けた
構造、すなわち分岐干渉型構造であることがよい。この
とき、二つの分岐導波路で生じた伝搬光の位相差により
光入出射導波路で干渉が生じ、光強度変化として測定で
きる。
【００１４】また、光導波路を一本の導波路とし、その
入出射端に偏光板を配置することもできる。この場合に
は、位相変化により偏波面が回転し、偏光板の透過強度
が変化する。
入出射端に偏光板を配置することもできる。この場合に
は、位相変化により偏波面が回転し、偏光板の透過強度
が変化する。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
るが、実施例については図４の従来例に比べて拡大して
示したおり、実際の寸法には対応していない。
るが、実施例については図４の従来例に比べて拡大して
示したおり、実際の寸法には対応していない。
【００１６】図１は本発明第一実施例の電圧センサとそ
の測定系とを示す図であり、電圧センサを斜視図で示
し、測定系をブロック構成で示す。
の測定系とを示す図であり、電圧センサを斜視図で示
し、測定系をブロック構成で示す。
【００１７】この実施例は、電気光学効果を示す基板１
に形成された光導波路２と、この光導波路２に被測定電
圧源からの電圧を印加してその伝搬光に位相変化を与え
る電極５、６とを備える。電極５、６は各々プローブ端
子９、１０に接続される。基板１としては、例えばＬｉ
ＮｂＯ3 またはＧａＡｓを用いる。
に形成された光導波路２と、この光導波路２に被測定電
圧源からの電圧を印加してその伝搬光に位相変化を与え
る電極５、６とを備える。電極５、６は各々プローブ端
子９、１０に接続される。基板１としては、例えばＬｉ
ＮｂＯ3 またはＧａＡｓを用いる。
【００１８】ここで本実施例の特徴とするところは、光
導波路２は一つの光入出射導波路に対して二つの分岐導
波路３、４が設けられたＹ字型導波路であり、二つの分
岐導波路３、４の一端にそれぞれ反射手段としての反射
板７、８が設けられ、電極５、６が分岐導波路４に沿っ
て設けられ、光導波路２の光入射端と光出射端とが共通
化されたことにある。
導波路２は一つの光入出射導波路に対して二つの分岐導
波路３、４が設けられたＹ字型導波路であり、二つの分
岐導波路３、４の一端にそれぞれ反射手段としての反射
板７、８が設けられ、電極５、６が分岐導波路４に沿っ
て設けられ、光導波路２の光入射端と光出射端とが共通
化されたことにある。
【００１９】この電圧センサは一つのユニットとしてパ
ッケージングされ、そのパッケージから、光導波路２の
入出射端に一端が結合された光ファイバ２０が引き出さ
れる。この光ファイバ２０の他端は測定部２１に結合さ
れる。測定部２１には、半導体レーザ光源２２、アイソ
レータ２３、ビームスプリッタ２４および光検出器２５
を備える。
ッケージングされ、そのパッケージから、光導波路２の
入出射端に一端が結合された光ファイバ２０が引き出さ
れる。この光ファイバ２０の他端は測定部２１に結合さ
れる。測定部２１には、半導体レーザ光源２２、アイソ
レータ２３、ビームスプリッタ２４および光検出器２５
を備える。
【００２０】この実施例の動作を説明する。半導体レー
ザ光源２２から出射されたレーザ光は、アイソレータ２
３、ビームスプリッタ２４および光ファイバ２０を介し
て光導波路２に結合する。光導波路２に結合した光は分
岐導波路３、４に分岐して伝搬し、反射板７、８により
反射され、再び合波されて光ファイバ２０を逆方向に伝
搬する。この逆方向の伝搬光はビームスプリッタ２４に
より光検出器２５に導かれる。プローブ端子９、１０か
ら電極５、６間に電圧が印加されると、分岐導波路４に
電界が印加され、電気光学効果によりその伝搬光の位相
が変化する。このため、分岐導波路３、４の伝搬光を合
波すれば、位相の違いから、干渉による光強度変化を起
こす。この光強度変化を光検出器２５で測定することに
より、プローブ端子９、１０間の電圧を検出できる。
ザ光源２２から出射されたレーザ光は、アイソレータ２
３、ビームスプリッタ２４および光ファイバ２０を介し
て光導波路２に結合する。光導波路２に結合した光は分
岐導波路３、４に分岐して伝搬し、反射板７、８により
反射され、再び合波されて光ファイバ２０を逆方向に伝
搬する。この逆方向の伝搬光はビームスプリッタ２４に
より光検出器２５に導かれる。プローブ端子９、１０か
ら電極５、６間に電圧が印加されると、分岐導波路４に
電界が印加され、電気光学効果によりその伝搬光の位相
が変化する。このため、分岐導波路３、４の伝搬光を合
波すれば、位相の違いから、干渉による光強度変化を起
こす。この光強度変化を光検出器２５で測定することに
より、プローブ端子９、１０間の電圧を検出できる。
【００２１】この実施例では、電圧センサのパッケージ
内で光ファイバ２０を曲げる必要がなく、パッケージを
小型化できる。また、電極５、６を基板１の端部近くま
で形成でき、プローブ端子９、１０とを直結でき、入力
容量を減らすことができる。具体的な数値をあげると、
パッケージの大きさを従来の１７ｍｍ×５ｍｍから７ｍ
ｍ×５ｍｍ程度、すなわち１／２程度に小型化でき、入
力容量を３〜５ｐＦから２〜４ｐＦ程度に減らすことが
できる。
内で光ファイバ２０を曲げる必要がなく、パッケージを
小型化できる。また、電極５、６を基板１の端部近くま
で形成でき、プローブ端子９、１０とを直結でき、入力
容量を減らすことができる。具体的な数値をあげると、
パッケージの大きさを従来の１７ｍｍ×５ｍｍから７ｍ
ｍ×５ｍｍ程度、すなわち１／２程度に小型化でき、入
力容量を３〜５ｐＦから２〜４ｐＦ程度に減らすことが
できる。
【００２２】この実施例において、構造を明確にするた
め反射手段が板状であるように説明したが、実用的には
反射膜が便利である。また、他の光反射構造を用いるこ
ともできる。
め反射手段が板状であるように説明したが、実用的には
反射膜が便利である。また、他の光反射構造を用いるこ
ともできる。
【００２３】図２は本発明第二実施例の電圧センサを示
す斜視図である。この実施例は電極の配置が第一実施例
と異なる。
す斜視図である。この実施例は電極の配置が第一実施例
と異なる。
【００２４】この実施例は、第一実施例と同様に、電気
光学効果を示す基板１に形成された光導波路２と、この
光導波路２に被測定電圧源からの電圧を印加してその伝
搬光に位相変化を与える電極５、６とを備え、電極５、
６は各々プローブ端子９、１０に接続される。光導波路
２は一つの光入出射導波路に対して二つの分岐導波路
３、４が設けられたＹ字型導波路であり、二つの分岐導
波路３、４の一端にそれぞれ反射手段としての反射板
７、８が設けられる。
光学効果を示す基板１に形成された光導波路２と、この
光導波路２に被測定電圧源からの電圧を印加してその伝
搬光に位相変化を与える電極５、６とを備え、電極５、
６は各々プローブ端子９、１０に接続される。光導波路
２は一つの光入出射導波路に対して二つの分岐導波路
３、４が設けられたＹ字型導波路であり、二つの分岐導
波路３、４の一端にそれぞれ反射手段としての反射板
７、８が設けられる。
【００２５】ここで本実施例が第一実施例と異なるの
は、分岐導波路３、４の間に接地電極１１が設けられ、
電極５と接地電極１１とで分岐導波路３を挟み、電極６
と接地電極１１とで分岐導波路４を挟んだことにある。
したがって、プローブ端子９、１０の電圧は差動入力と
なり、分岐導波路３、４のそれぞれの伝搬光に位相変化
を生じさせる。この位相変化による干渉光の強度変化を
測定することは第一実施例と同等であり、同等の測定系
によりプローブ端子９、１０間の電圧を検出できる。
は、分岐導波路３、４の間に接地電極１１が設けられ、
電極５と接地電極１１とで分岐導波路３を挟み、電極６
と接地電極１１とで分岐導波路４を挟んだことにある。
したがって、プローブ端子９、１０の電圧は差動入力と
なり、分岐導波路３、４のそれぞれの伝搬光に位相変化
を生じさせる。この位相変化による干渉光の強度変化を
測定することは第一実施例と同等であり、同等の測定系
によりプローブ端子９、１０間の電圧を検出できる。
【００２６】図３は本発明第三実施例の電圧センサを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【００２７】この実施例は、第一実施例および第二実施
例と同様に、電気光学効果を示す基板１に形成された光
導波路２と、この光導波路２に被測定電圧源からの電圧
を印加してその伝搬光に位相変化を与える電極５、６と
を備え、電極５、６は各々プローブ端子９、１０に接続
される。光導波路２の一端には反射手段としての反射板
７が設けられる。
例と同様に、電気光学効果を示す基板１に形成された光
導波路２と、この光導波路２に被測定電圧源からの電圧
を印加してその伝搬光に位相変化を与える電極５、６と
を備え、電極５、６は各々プローブ端子９、１０に接続
される。光導波路２の一端には反射手段としての反射板
７が設けられる。
【００２８】ここで本実施例が第一実施例および第二実
施例と異なるのは、光導波路２が一本の導波路であり、
その入出射端に偏光板１２が配置されたことである。こ
の構成により、干渉による光強度の変化を得るのではな
く、位相変化による偏波面の回転による偏光板１２の透
過光強度を得る。測定系については第一実施例と同等の
ものを用いることができる。
施例と異なるのは、光導波路２が一本の導波路であり、
その入出射端に偏光板１２が配置されたことである。こ
の構成により、干渉による光強度の変化を得るのではな
く、位相変化による偏波面の回転による偏光板１２の透
過光強度を得る。測定系については第一実施例と同等の
ものを用いることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電圧セン
サは、外部の測定系に結合するための光ファイバを曲げ
る必要がないためパッケージを小型化でき、しかも、プ
ローブ端子と電極との距離が非常に短いので入力容量が
小さくなる効果がある。
サは、外部の測定系に結合するための光ファイバを曲げ
る必要がないためパッケージを小型化でき、しかも、プ
ローブ端子と電極との距離が非常に短いので入力容量が
小さくなる効果がある。
【図１】本発明第一実施例の電圧センサとその測定系を
示す図。
示す図。
【図２】本発明第二実施例の電圧センサを示す斜視図。
【図３】本発明第三実施例の電圧センサを示す斜視図。
【図４】従来例の電圧センサを示す斜視図。
１、３１ 基板 ２、３２ 光導波路 ３、４ 分岐導波路 ５、６、３３ 電極 ７、８ 反射板 ９、１０、３４ プローブ端子 １１ 接地電極 １２ 偏光板 ２０、３５、３６ 光ファイバ ２１ 測定部 ２２ 半導体レーザ光源 ２３ アイソレータ ２４ ビームスプリッタ ２５ 光検出器
Claims (4)
- 【請求項１】 電気光学効果を示す材料により形成され
た光導波路と、 この光導波路に被測定電圧源からの電圧を印加してその
伝搬光に位相変化を与える電極とを備えた電圧センサに
おいて、 前記光導波路は一端に反射手段が設けられた光入射端と
光出射端とが共通の導波路であることを特徴とする電圧
センサ。 - 【請求項２】 光導波路は一つの光入出射導波路に対し
て二つの分岐導波路が設けられたＹ字型導波路であり、
前記二つの分岐導波路にそれぞれ反射手段が設けられ、
前記二つの分岐導波路の少なくとも一方に沿って電極が
設けられた請求項１記載の電圧センサ。 - 【請求項３】 二つの分岐導波路で生じた伝搬光の位相
差により光入出射導波路で生じる干渉光の強度変化を測
定する手段を備えた請求項２記載の電圧センサ。 - 【請求項４】 光導波路は一本の導波路であり、その入
出射端には偏光板が配置された請求項１記載の電圧セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7194292A JPH05273260A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 電圧センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7194292A JPH05273260A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 電圧センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273260A true JPH05273260A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13475066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7194292A Pending JPH05273260A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 電圧センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05273260A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664460A4 (en) * | 1993-07-07 | 1996-09-11 | Tokin Corp | ELECTRIC FIELD SENSOR. |
| EP0668507A4 (en) * | 1993-07-07 | 1996-09-11 | Tokin Corp | ELECTRIC FIELD SENSOR. |
| JPH08233881A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Tokin Corp | サージ波形検出システム |
| EP0866356A1 (en) * | 1997-03-19 | 1998-09-23 | Tokin Corporation | Optical modulator having a reflection plate mounted on a reflection end with an inclined angle against the reflection end |
| JP2011128092A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Japan Ae Power Systems Corp | 単相用光変流器 |
| JP2013032968A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Toyota Industries Corp | 光ファイバ型電圧センサ |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP7194292A patent/JPH05273260A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664460A4 (en) * | 1993-07-07 | 1996-09-11 | Tokin Corp | ELECTRIC FIELD SENSOR. |
| EP0668507A4 (en) * | 1993-07-07 | 1996-09-11 | Tokin Corp | ELECTRIC FIELD SENSOR. |
| US5625284A (en) * | 1993-07-07 | 1997-04-29 | Tokin Corporation | Electric field sensor having sensor head with unbalanced electric field shield to shield branched optical waveguides against an applied electric field |
| US5781003A (en) * | 1993-07-07 | 1998-07-14 | Tokin Corporation | Electric field sensor |
| US5850140A (en) * | 1993-07-07 | 1998-12-15 | Tokin Corporation | Electric field sensor having sensor head with unbalanced electric field shield to shield branched optical waveguides against an applied electric field |
| JPH08233881A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Tokin Corp | サージ波形検出システム |
| EP0866356A1 (en) * | 1997-03-19 | 1998-09-23 | Tokin Corporation | Optical modulator having a reflection plate mounted on a reflection end with an inclined angle against the reflection end |
| US6038354A (en) * | 1997-03-19 | 2000-03-14 | Tokin Corporation | Optical modulator having a reflection plate mounted on a reflection end with an inclined angle against the reflection end |
| JP2011128092A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Japan Ae Power Systems Corp | 単相用光変流器 |
| JP2013032968A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Toyota Industries Corp | 光ファイバ型電圧センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8909006B2 (en) | Optical waveguide device | |
| CN1106577C (zh) | 电场传感器 | |
| WO1995002193A1 (en) | Electric field sensor | |
| JP2631902B2 (ja) | 光集積回路 | |
| US6016198A (en) | Electro-optic reflection device with traveling-wave structure | |
| US7236654B1 (en) | Polymer phase modulator | |
| JPH05224044A (ja) | モニタ付導波路型光デバイス | |
| JP2021012334A (ja) | 光変調器および光学測定装置 | |
| JPH024864B2 (ja) | ||
| JPH0464030B2 (ja) | ||
| JPH01222216A (ja) | 導波路型偏波面制御装置 | |
| US7239765B1 (en) | Polymer phase modulator | |
| JP2898066B2 (ja) | 光デバイス | |
| JPH0954128A (ja) | 反射型光電界センサ | |
| JP2903700B2 (ja) | 導波路型光デバイス | |
| JPH0926516A (ja) | 導波路型偏光分離素子及びそれを用いた導波路型アイソレータ | |
| JP3457710B2 (ja) | 光ファイバ部品 | |
| JP2002031660A (ja) | 光電界センサ | |
| JPH11183528A (ja) | 光学式電圧・電界センサー | |
| JP3673611B2 (ja) | 電界センサ | |
| EP0491834A1 (en) | Quantom non-demolition optical tapping | |
| JP3430340B2 (ja) | 電界センサ | |
| JP3577616B2 (ja) | 電界センサ | |
| JP3355502B2 (ja) | 電界センサ | |
| JP2666362B2 (ja) | 光パルス試験器 |