JPH05273777A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度で、かつ繰り返し安定性の高い電子写
真感光体を提供する。 【構成】 導電性支持体上に、電荷発生材料としてのヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有する電荷発
生層、および電荷輸送層を順次積層した電子写真感光体
であって、導電性支持体と電荷発生層との間に、有機金
属化合物とシランカップリング剤を主成分とする下引き
層を形成したことを特徴とする。
真感光体を提供する。 【構成】 導電性支持体上に、電荷発生材料としてのヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有する電荷発
生層、および電荷輸送層を順次積層した電子写真感光体
であって、導電性支持体と電荷発生層との間に、有機金
属化合物とシランカップリング剤を主成分とする下引き
層を形成したことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性支持体上に積層
型の感光層を有する電子写真感光体に関するものであ
る。さらに詳しくは、特定材料によって形成された下引
き層と特定の材料を含有する電荷発生層を有する積層型
電子写真感光体に関するものである。
型の感光層を有する電子写真感光体に関するものであ
る。さらに詳しくは、特定材料によって形成された下引
き層と特定の材料を含有する電荷発生層を有する積層型
電子写真感光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、レーザープリンター用感光体等
で、干渉縞の発生を防止するために、種々の手段で導電
性支持体表面を粗面化する方法がとられているが、その
場合、粗面化した支持体表面に電荷発生層を塗布する
際、はじき、ぶつ等の塗布欠陥が発生したり、支持体か
らの局所的な電荷の注入により、画像上に黒ポチ、白抜
け等が発生するなどの問題があった。
で、干渉縞の発生を防止するために、種々の手段で導電
性支持体表面を粗面化する方法がとられているが、その
場合、粗面化した支持体表面に電荷発生層を塗布する
際、はじき、ぶつ等の塗布欠陥が発生したり、支持体か
らの局所的な電荷の注入により、画像上に黒ポチ、白抜
け等が発生するなどの問題があった。
【0003】これらの問題を解決する手段として、導電
性支持体と電荷発生層との間に下引き層を設けること
が、一般に行われている。この下引き層を形成するため
の材料としては、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルブチラール、ポリビニルメチルエーテ
ル、ポリアミド、熱可塑性ポリエステル、フェノキシ樹
脂、カゼイン、ゼラチン、ニトロセルロース等の熱可塑
性樹脂、ポリイミド、ポリエチレンイミン、エポキシ樹
脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂
等の熱硬化性樹脂も知られている。しかしながら、これ
らの樹脂を用いて下引き層を形成した場合においては、
概して感度の低下、繰り返し使用時の残留電位の増大等
の電気的特性上の問題や画像欠陥等の画像上の問題を解
決することができなかった。これに対し、特開昭61−
64057号公報に示されるように、有機金属化合物を
主成分とした下引き層を用いると、感度の低下、残留電
位の増加を引き起こすことなく、塗布欠陥や、画質欠陥
を抑制できることが知られている。
性支持体と電荷発生層との間に下引き層を設けること
が、一般に行われている。この下引き層を形成するため
の材料としては、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルブチラール、ポリビニルメチルエーテ
ル、ポリアミド、熱可塑性ポリエステル、フェノキシ樹
脂、カゼイン、ゼラチン、ニトロセルロース等の熱可塑
性樹脂、ポリイミド、ポリエチレンイミン、エポキシ樹
脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂
等の熱硬化性樹脂も知られている。しかしながら、これ
らの樹脂を用いて下引き層を形成した場合においては、
概して感度の低下、繰り返し使用時の残留電位の増大等
の電気的特性上の問題や画像欠陥等の画像上の問題を解
決することができなかった。これに対し、特開昭61−
64057号公報に示されるように、有機金属化合物を
主成分とした下引き層を用いると、感度の低下、残留電
位の増加を引き起こすことなく、塗布欠陥や、画質欠陥
を抑制できることが知られている。
【0004】一方、感光層に関しては、有機系光導電性
物質を樹脂等で結着し、電荷発生層と電荷輸送層とに機
能分離させた層構成を有する有機電子感光体に関して様
々な提案がなされている。それらの材料としては、電荷
発生材料については、例えば、多環キノン顔料、ペリレ
ン顔料、インジゴ顔料、ビスイミダゾール顔料、キナク
リドン顔料、フタロシアニン顔料、モノアゾ顔料、ビス
アゾ顔料、トリスアゾ顔料、ポリアゾ顔料等が知られ、
また、電荷輸送材料としては、ベンジジン系化合物、ア
ミノ系化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、
オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、スチル
ベン化合物、カルバゾール化合物等が知られている。ま
た、これらの電荷発生層と電荷輸送層とを組合せて使用
することについても種々提案されている。(例えば、フ
タロシアニン顔料との組合わせについては、特開昭57
−54942号公報、同60−59355号公報、同6
1−203461公報、同62−47054号公報、同
62−67094号公報等)
物質を樹脂等で結着し、電荷発生層と電荷輸送層とに機
能分離させた層構成を有する有機電子感光体に関して様
々な提案がなされている。それらの材料としては、電荷
発生材料については、例えば、多環キノン顔料、ペリレ
ン顔料、インジゴ顔料、ビスイミダゾール顔料、キナク
リドン顔料、フタロシアニン顔料、モノアゾ顔料、ビス
アゾ顔料、トリスアゾ顔料、ポリアゾ顔料等が知られ、
また、電荷輸送材料としては、ベンジジン系化合物、ア
ミノ系化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、
オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、スチル
ベン化合物、カルバゾール化合物等が知られている。ま
た、これらの電荷発生層と電荷輸送層とを組合せて使用
することについても種々提案されている。(例えば、フ
タロシアニン顔料との組合わせについては、特開昭57
−54942号公報、同60−59355号公報、同6
1−203461公報、同62−47054号公報、同
62−67094号公報等)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来、電子
写真方式を用いた複写機、レーザープリンター、LED
プリンター等に用いられる電子写真感光体において、電
荷発生材料として、従来提案されている有機化合物を用
いた場合、帯電性が悪い、繰り返し安定性に欠けるなど
の問題があった。ところで、電子写真感光体において、
高感度で、かつ繰り返し安定性に優れた電子写真特性を
得るためには、1)電荷発生材料が吸収した光に対して
効率よく電荷を発生すること、2)発生した正孔が電荷
発生層から電荷輸送層にスムーズに注入されること、
3)発生した電子が電荷発生層から下引き層に効率良く
注入し、下引き層を介して導電性支持体と電荷交換する
ことにより、電荷発生層において電荷の蓄積を防ぐこと
と、導電性支持体から正孔の注入を防ぐことの条件が満
たされることが必要とされる。つまり、1)と2)条件
を満たすような効率よく電荷を発生する電荷発生材料、
電荷を高速で移動できる電荷輸送材料の組み合わせが良
好であったとしても、3)の条件を満足するような電荷
発生材料と下引き層との組み合わせでなければ、高感度
かつ繰り返し安定性に優れた電子写真特性を得ることは
できない。
写真方式を用いた複写機、レーザープリンター、LED
プリンター等に用いられる電子写真感光体において、電
荷発生材料として、従来提案されている有機化合物を用
いた場合、帯電性が悪い、繰り返し安定性に欠けるなど
の問題があった。ところで、電子写真感光体において、
高感度で、かつ繰り返し安定性に優れた電子写真特性を
得るためには、1)電荷発生材料が吸収した光に対して
効率よく電荷を発生すること、2)発生した正孔が電荷
発生層から電荷輸送層にスムーズに注入されること、
3)発生した電子が電荷発生層から下引き層に効率良く
注入し、下引き層を介して導電性支持体と電荷交換する
ことにより、電荷発生層において電荷の蓄積を防ぐこと
と、導電性支持体から正孔の注入を防ぐことの条件が満
たされることが必要とされる。つまり、1)と2)条件
を満たすような効率よく電荷を発生する電荷発生材料、
電荷を高速で移動できる電荷輸送材料の組み合わせが良
好であったとしても、3)の条件を満足するような電荷
発生材料と下引き層との組み合わせでなければ、高感度
かつ繰り返し安定性に優れた電子写真特性を得ることは
できない。
【0006】また、電子写真感光体を実用化するために
は、上記の条件を満足するものであって、感度、受容電
位、電位保持性、電位安定性、残留電位、分光特性等の
電子写真特性、耐摩耗性等の機械的耐久性、熱、光、放
電生成物等に対する化学的安定性等、全ての点を満足さ
れる材料を選択しなければならない。しかしながら、こ
れらの全ての点について満足するような材料の組合せを
選択することは非常に困難なことであって、従来提案さ
れている電荷発生材料と電荷輸送材料とを組合せについ
て、上記条件を満足するものは得られていない。
は、上記の条件を満足するものであって、感度、受容電
位、電位保持性、電位安定性、残留電位、分光特性等の
電子写真特性、耐摩耗性等の機械的耐久性、熱、光、放
電生成物等に対する化学的安定性等、全ての点を満足さ
れる材料を選択しなければならない。しかしながら、こ
れらの全ての点について満足するような材料の組合せを
選択することは非常に困難なことであって、従来提案さ
れている電荷発生材料と電荷輸送材料とを組合せについ
て、上記条件を満足するものは得られていない。
【0007】本発明は、上記のような実状に鑑みてなさ
れたものであって、その目的は、高感度で、かつ繰り返
し安定性の高い電子写真感光体を提供することにある。
れたものであって、その目的は、高感度で、かつ繰り返
し安定性の高い電子写真感光体を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々の材
料について検討した結果、導電性支持体上に、電荷発生
層と電荷輸送層を順次積層してなる感光層および導電性
支持体と電荷発生層との間に下引き層を設けてなる電子
写真感光体において、電荷発生層に特定の電荷発生材料
を含有させ、かつ、下引き層を特定の材料で構成させる
ことにより、高感度で、かつ繰り返し安定性の高い電子
写真感光体が得られることを見出だし、本発明を完成す
るに至った。
料について検討した結果、導電性支持体上に、電荷発生
層と電荷輸送層を順次積層してなる感光層および導電性
支持体と電荷発生層との間に下引き層を設けてなる電子
写真感光体において、電荷発生層に特定の電荷発生材料
を含有させ、かつ、下引き層を特定の材料で構成させる
ことにより、高感度で、かつ繰り返し安定性の高い電子
写真感光体が得られることを見出だし、本発明を完成す
るに至った。
【0009】すなわち、本発明は、導電性支持体上に、
少なくとも下引き層、電荷発生層、および電荷輸送層を
順次積層してなる電子写真感光体において、電荷発生層
が、電荷発生材料としてのヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶を含有し、かつ下引き層が、有機金属化合物
とシランカップリング剤を主成分として含有することを
特徴とする。また、本発明においては、上記下引き層に
は、有機金属化合物とシランカップリング剤の外に、そ
れらと相溶する結着樹脂を含有させることが好ましい
が、その場合、結着樹脂の量は、有機金属化合物とシラ
ンカップリング剤の合計量に対して25重量%以下であ
ることが必要である。
少なくとも下引き層、電荷発生層、および電荷輸送層を
順次積層してなる電子写真感光体において、電荷発生層
が、電荷発生材料としてのヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶を含有し、かつ下引き層が、有機金属化合物
とシランカップリング剤を主成分として含有することを
特徴とする。また、本発明においては、上記下引き層に
は、有機金属化合物とシランカップリング剤の外に、そ
れらと相溶する結着樹脂を含有させることが好ましい
が、その場合、結着樹脂の量は、有機金属化合物とシラ
ンカップリング剤の合計量に対して25重量%以下であ
ることが必要である。
【0010】以下において、本発明の感光層について説
明する。図8および図9は、本発明の電子写真用感光体
の断面を示す模式図であって、導電性支持体3上に下引
き層4が設けられ、その上に電荷発生層1および電荷輸
送層2が、電荷発生層および電荷輸送層の順で設けられ
ており、図9においては、さらに、表面に保護層5が設
けられている。
明する。図8および図9は、本発明の電子写真用感光体
の断面を示す模式図であって、導電性支持体3上に下引
き層4が設けられ、その上に電荷発生層1および電荷輸
送層2が、電荷発生層および電荷輸送層の順で設けられ
ており、図9においては、さらに、表面に保護層5が設
けられている。
【0011】本発明において、上記導電性支持体は、電
子写真感光体として使用することが可能なものならば、
いかなるものも使用することができる。具体的には、ア
ルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属
類の他に、アルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロ
ム、ステンレス、金、バナジウム、酸化スズ、酸化イン
ジウム、ITO等の薄膜を被覆したプラスチックフィル
ム等あるいは導電性付与剤を塗布または含浸させた紙お
よびプラスチックフィルム等があげられる。これらの導
電性支持体は、ドラム状、シート状、プレート状等、適
宜の形状のものとして使用されるが、これらに限定され
るものではない。さらに必要に応じて、導電性支持体の
表面は画質に影響のない範囲で各種の処理を行ってもよ
く、例えば、表面の酸化処理や薬品処理および着色処理
または砂目立て等の乱反射処理等を行うことができる。
子写真感光体として使用することが可能なものならば、
いかなるものも使用することができる。具体的には、ア
ルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属
類の他に、アルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロ
ム、ステンレス、金、バナジウム、酸化スズ、酸化イン
ジウム、ITO等の薄膜を被覆したプラスチックフィル
ム等あるいは導電性付与剤を塗布または含浸させた紙お
よびプラスチックフィルム等があげられる。これらの導
電性支持体は、ドラム状、シート状、プレート状等、適
宜の形状のものとして使用されるが、これらに限定され
るものではない。さらに必要に応じて、導電性支持体の
表面は画質に影響のない範囲で各種の処理を行ってもよ
く、例えば、表面の酸化処理や薬品処理および着色処理
または砂目立て等の乱反射処理等を行うことができる。
【0012】下引層は、有機金属化合物、シランカップ
リング剤を主成分として形成され、さらに、これ等有機
金属化合物およびシランカップリング剤と相溶する結着
樹脂が含まれていてもよい。
リング剤を主成分として形成され、さらに、これ等有機
金属化合物およびシランカップリング剤と相溶する結着
樹脂が含まれていてもよい。
【0013】有機金属化合物としては、金属の原子価に
より次のようなものが用いられる。4価の金属を有する
化合物としては、ジルコニウムテトラアセチルアセトネ
ート、ジルコニウムブトキシビスアセチルアセトネー
ト、ジルコニウムトリブトキシアセチルアセトネート、
ジルコニウムテトラキスエチルアセトアセテート、ジル
コニウムブトキシトリスエチルアセトアセテート、ジル
コニウムトリブトキシモノエチルアセトアセテート、ジ
ルコニウムジブトキシビスエチルラクテート、ビスアセ
チルアセトネートビスエチルアセトアセテートジルコニ
ウム、モノアセチルアセトネートトリスエチルアセトア
セテートジルコニウム、ビスアセチルアセトネートビス
エチルラクテートジルコニウム等のジルコニウムキレー
ト化合物、ジルコニウムn−ブトキシド、ジルコニウム
n−プロポキシド等のジルコニウムアルコキシド等があ
げられる。
より次のようなものが用いられる。4価の金属を有する
化合物としては、ジルコニウムテトラアセチルアセトネ
ート、ジルコニウムブトキシビスアセチルアセトネー
ト、ジルコニウムトリブトキシアセチルアセトネート、
ジルコニウムテトラキスエチルアセトアセテート、ジル
コニウムブトキシトリスエチルアセトアセテート、ジル
コニウムトリブトキシモノエチルアセトアセテート、ジ
ルコニウムジブトキシビスエチルラクテート、ビスアセ
チルアセトネートビスエチルアセトアセテートジルコニ
ウム、モノアセチルアセトネートトリスエチルアセトア
セテートジルコニウム、ビスアセチルアセトネートビス
エチルラクテートジルコニウム等のジルコニウムキレー
ト化合物、ジルコニウムn−ブトキシド、ジルコニウム
n−プロポキシド等のジルコニウムアルコキシド等があ
げられる。
【0014】チタニウム化合物としては、一般式(I)
で表わされるチタンオルソエステル
で表わされるチタンオルソエステル
【化1】 (式中、R1 、R2 、R3 およびR4 は、それぞれメチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、イソブチル基、クレジル基、ステアリル
基、ヘキシル基、ノニル基またはセチル基を表わす。)
下記一般式(II)で示されるポリオルソチタン酸エス
テル
ル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、イソブチル基、クレジル基、ステアリル
基、ヘキシル基、ノニル基またはセチル基を表わす。)
下記一般式(II)で示されるポリオルソチタン酸エス
テル
【化2】 (式中、R5 、R6 、R7 およびR8 は、それぞれメチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、イソブチル基、クレジル基、ステアリル
基、ヘキシル基、ノニル基またはセチル基を表わし、p
は2〜10の整数を表わす。)下記一般式(III )で示
されるチタンキレート化合物 Ti(L)q X1-q (III ) (式中、Lは、キレート基、Xは、エステル基、qは、
1〜4を表わす。)また、配位子としては、オクチレン
グリコール、アセチルアセトン等のβ−ケトン、乳酸、
リンゴ酸、酒石酸、サリチル酸等のヒドロキシカルボン
酸、アセト酢酸エステル等のケトエステル、およびジア
セトナルコール等のケトアルコール等があげられる。
ル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、イソブチル基、クレジル基、ステアリル
基、ヘキシル基、ノニル基またはセチル基を表わし、p
は2〜10の整数を表わす。)下記一般式(III )で示
されるチタンキレート化合物 Ti(L)q X1-q (III ) (式中、Lは、キレート基、Xは、エステル基、qは、
1〜4を表わす。)また、配位子としては、オクチレン
グリコール、アセチルアセトン等のβ−ケトン、乳酸、
リンゴ酸、酒石酸、サリチル酸等のヒドロキシカルボン
酸、アセト酢酸エステル等のケトエステル、およびジア
セトナルコール等のケトアルコール等があげられる。
【0015】3価の金属を有する化合物としては、アル
ミニウムイソプロポキシド、モノsec−ブトキシアル
ミニウムジイソプロポキシド、アルミニウムsec−ブ
トキシド、アルミニウムエトキシド等のアルミニウムア
ルコキシド;アルミニウムエチルアセトアセテートジイ
ソプロポキシド、アルミニウムトリス(エチルアセトア
セテート)、アルミニウムトリス(アセチルアセトネー
ト)、アルミニウムビスエチルアセトアセテートモノア
セチルアセネート等のアルミニウムキレート化合物;イ
ンジウムメトキシド、インジウムエトキシド、インジウ
ムイソプロポキシド、インジウムn−ブトキシド等のイ
ンジウムアルコキシド;アンチモンメトキシド、アンチ
モンエトキシド、アンチモンイソプロポキシド、アンチ
モンn−ブトキシド等のアンチモンアルコキド;ボロン
メトキシド、ボロンn−ブトキシド等の等のボロンアル
コキシド等があげられる。
ミニウムイソプロポキシド、モノsec−ブトキシアル
ミニウムジイソプロポキシド、アルミニウムsec−ブ
トキシド、アルミニウムエトキシド等のアルミニウムア
ルコキシド;アルミニウムエチルアセトアセテートジイ
ソプロポキシド、アルミニウムトリス(エチルアセトア
セテート)、アルミニウムトリス(アセチルアセトネー
ト)、アルミニウムビスエチルアセトアセテートモノア
セチルアセネート等のアルミニウムキレート化合物;イ
ンジウムメトキシド、インジウムエトキシド、インジウ
ムイソプロポキシド、インジウムn−ブトキシド等のイ
ンジウムアルコキシド;アンチモンメトキシド、アンチ
モンエトキシド、アンチモンイソプロポキシド、アンチ
モンn−ブトキシド等のアンチモンアルコキド;ボロン
メトキシド、ボロンn−ブトキシド等の等のボロンアル
コキシド等があげられる。
【0016】2価の金属を有する化合物としては、マン
ガン(II)ビス(アセチルアセトネート、亜鉛(II)ビ
ス(アセチルアセトネート)、錫(II)ビス(アセチル
アセトネート)等があげられる。
ガン(II)ビス(アセチルアセトネート、亜鉛(II)ビ
ス(アセチルアセトネート)、錫(II)ビス(アセチル
アセトネート)等があげられる。
【0017】シランカップリング剤としては、例えば、
ビニルトリクロルシラン、ビニルトリエトキシシラン、
ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメ
トキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシ
シラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルモノメ
トキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニ
ルジエトキシシラン、モノフェニルトリメトキシシラ
ン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン等を挙げることができる。
ビニルトリクロルシラン、ビニルトリエトキシシラン、
ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメ
トキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシ
シラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルモノメ
トキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニ
ルジエトキシシラン、モノフェニルトリメトキシシラ
ン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン等を挙げることができる。
【0018】また、結着樹脂としては、ポリウレタン樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール
樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂等が用いられる。
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール
樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂等が用いられる。
【0019】本発明において、下引き層は、上記の有機
金属化合物、シランカップリング剤をそれぞれ少なくと
も1種含むか、または有機金属化合物、シランカップリ
ング剤、結着樹脂をそれぞれ少なくとも1種含み、そし
て、上記有機金属化合物、シランカップリング剤および
結着樹脂は、各々2種以上混合して用いることができ
る。有機金属化合物に対するシランカップリン剤の量
は、5〜95重量%の範囲で任意に設定することができ
る。
金属化合物、シランカップリング剤をそれぞれ少なくと
も1種含むか、または有機金属化合物、シランカップリ
ング剤、結着樹脂をそれぞれ少なくとも1種含み、そし
て、上記有機金属化合物、シランカップリング剤および
結着樹脂は、各々2種以上混合して用いることができ
る。有機金属化合物に対するシランカップリン剤の量
は、5〜95重量%の範囲で任意に設定することができ
る。
【0020】本発明において、下引き層に結着樹脂を含
有させる場合、その配合量は、有機金属化合物とシラン
カップリング剤の合計量に対して25重量%以下の範囲
に設定することが必要である。結着樹脂を有機金属化合
物とシランカップリング剤の合計量に対して、25重量
%よりも多くした場合には、塗布液がゲル化し易くな
り、また、電子写真感光体の電子写真特性の劣化、特に
低温、低湿下において感度の低下、残留電位の増大を引
き起こすからである。なお、結着樹脂の量が、5重量%
よりも少なくした場合には、膜厚を増加させようとする
と、成膜後、下引き層にはクラックが入り易くなるの
で、5〜25重量%の範囲が最も好ましい。下引層の膜
厚は、0.1〜10μmの範囲に任意に設定されるが、
特に0.1〜2μmの範囲が好ましい。下引層の形成
は、上記材料を溶媒と混合、溶解して希釈した後、ブレ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ス
プレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコ
ーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテン
コーティング法等の通常の方法を用いることにより、導
電性支持体上に塗布し、その後、100〜200℃の温
度範囲で乾燥することにより行われる。
有させる場合、その配合量は、有機金属化合物とシラン
カップリング剤の合計量に対して25重量%以下の範囲
に設定することが必要である。結着樹脂を有機金属化合
物とシランカップリング剤の合計量に対して、25重量
%よりも多くした場合には、塗布液がゲル化し易くな
り、また、電子写真感光体の電子写真特性の劣化、特に
低温、低湿下において感度の低下、残留電位の増大を引
き起こすからである。なお、結着樹脂の量が、5重量%
よりも少なくした場合には、膜厚を増加させようとする
と、成膜後、下引き層にはクラックが入り易くなるの
で、5〜25重量%の範囲が最も好ましい。下引層の膜
厚は、0.1〜10μmの範囲に任意に設定されるが、
特に0.1〜2μmの範囲が好ましい。下引層の形成
は、上記材料を溶媒と混合、溶解して希釈した後、ブレ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ス
プレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコ
ーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテン
コーティング法等の通常の方法を用いることにより、導
電性支持体上に塗布し、その後、100〜200℃の温
度範囲で乾燥することにより行われる。
【0021】本発明において、電荷発生層は、電荷発生
材料を結着樹脂に分散させてなるものであって、電荷発
生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
が用いられる。本発明において、ヒドロキシガリウムフ
タロシアニン結晶としては次のものがあげられる。すな
わち、a)上記X線回折スペクトルにおいて、ブラッグ
角度(2θ±0.2°)が7.7°、16.5°、2
5.1°、26.6°に強い回折ピークを有するヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶。b)上記X線回折ス
ペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±0.2°)
が、7.9°、16.5°、24.4°、27.6°に
強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶、c)上記X線回折スペクトルにおいて、ブラ
ッグ角度(2θ±0.2°)が、7.0°、7.5°、
10.5°、11.7°、12.7°、17.3°、1
8.1°、24.5°、26.2°、27.1°に強い
回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶。d)上記X線回折スペクトルにおいて、ブラッグ
角度(2θ±0.2°)が、7.5°、9.9°、1
2.5°、16.3°、18.6°、25.1°、2
8.3°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶。e)上記X線回折スペクトルにお
いて、ブラッグ角度(2θ±0.2°)が6.8°、1
2.8°、15.8°、26.0°に強い回折ピークを
有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。
材料を結着樹脂に分散させてなるものであって、電荷発
生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
が用いられる。本発明において、ヒドロキシガリウムフ
タロシアニン結晶としては次のものがあげられる。すな
わち、a)上記X線回折スペクトルにおいて、ブラッグ
角度(2θ±0.2°)が7.7°、16.5°、2
5.1°、26.6°に強い回折ピークを有するヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶。b)上記X線回折ス
ペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±0.2°)
が、7.9°、16.5°、24.4°、27.6°に
強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶、c)上記X線回折スペクトルにおいて、ブラ
ッグ角度(2θ±0.2°)が、7.0°、7.5°、
10.5°、11.7°、12.7°、17.3°、1
8.1°、24.5°、26.2°、27.1°に強い
回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶。d)上記X線回折スペクトルにおいて、ブラッグ
角度(2θ±0.2°)が、7.5°、9.9°、1
2.5°、16.3°、18.6°、25.1°、2
8.3°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶。e)上記X線回折スペクトルにお
いて、ブラッグ角度(2θ±0.2°)が6.8°、1
2.8°、15.8°、26.0°に強い回折ピークを
有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。
【0022】これ等のヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶は、公知の方法で製造されるクロロガリウムフタ
ロシアニンを、酸またはアルカリ性溶液中での加水分解
またはアシッドペースティングを行なって、ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンを合成し、得られたヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンを、そのまま溶剤処理を行なう
か、また合成によって得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニンを非晶化および粉砕した後、溶剤処理を行な
うか、あるいは、合成によって得られたヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンを溶剤と共にボールミル等によって
湿式粉砕処理を行ない、結晶型を変換することにより製
造することができる。
ン結晶は、公知の方法で製造されるクロロガリウムフタ
ロシアニンを、酸またはアルカリ性溶液中での加水分解
またはアシッドペースティングを行なって、ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンを合成し、得られたヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンを、そのまま溶剤処理を行なう
か、また合成によって得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニンを非晶化および粉砕した後、溶剤処理を行な
うか、あるいは、合成によって得られたヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンを溶剤と共にボールミル等によって
湿式粉砕処理を行ない、結晶型を変換することにより製
造することができる。
【0023】上記の処理において使用される溶剤は、ご
く一般的な溶剤であり、例えば、a)のヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を製造するにあたっては、メタ
ノール、エタノール等のアルコール類、エチレングリコ
ール、グリセリン、ポリエチレングリコール等のグリコ
ール類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ト
ルエン、クロルベンゼン等の芳香族類、さらには数種の
混合系、水とこれら有機溶剤の混合系等であり、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニンに対して1〜200部、好
ましくは10〜100部の範囲で用いる。処理温度は、
0〜150℃、好ましくは室温〜100℃の範囲で実施
することが好ましい。
く一般的な溶剤であり、例えば、a)のヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を製造するにあたっては、メタ
ノール、エタノール等のアルコール類、エチレングリコ
ール、グリセリン、ポリエチレングリコール等のグリコ
ール類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ト
ルエン、クロルベンゼン等の芳香族類、さらには数種の
混合系、水とこれら有機溶剤の混合系等であり、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニンに対して1〜200部、好
ましくは10〜100部の範囲で用いる。処理温度は、
0〜150℃、好ましくは室温〜100℃の範囲で実施
することが好ましい。
【0024】b)のヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を製造するにあたっては、ジメチルホルムアミド、
N−メチルピロリドン等のアミド類、ピリジン、ピペリ
ジン等の有機アミン類、ジメチルスルホキシド等のスル
ホキシド類、さらには数種の混合系、水とこれら有機溶
剤の混合系等が使用され、ヒドロキシガリウムフタロシ
アニンに対して1〜200部、好ましくは10〜100
部の範囲で用いられる。処理温度は、0〜150℃、特
に、室温〜100℃の範囲で実施することが好ましい。
結晶を製造するにあたっては、ジメチルホルムアミド、
N−メチルピロリドン等のアミド類、ピリジン、ピペリ
ジン等の有機アミン類、ジメチルスルホキシド等のスル
ホキシド類、さらには数種の混合系、水とこれら有機溶
剤の混合系等が使用され、ヒドロキシガリウムフタロシ
アニンに対して1〜200部、好ましくは10〜100
部の範囲で用いられる。処理温度は、0〜150℃、特
に、室温〜100℃の範囲で実施することが好ましい。
【0025】c)のヒドロガリウムフタロシアニン結晶
を製造するにあたっては、ベンジルアルコール等の芳香
族アルコール類が使用され、ヒドロキシガリウムフタロ
シアニンに対して1〜200部、好ましくは10〜10
0部の範囲で用いる。処理温度は、0〜150℃、特
に、好ましくは室温〜100℃の範囲で行なうことが好
ましい。
を製造するにあたっては、ベンジルアルコール等の芳香
族アルコール類が使用され、ヒドロキシガリウムフタロ
シアニンに対して1〜200部、好ましくは10〜10
0部の範囲で用いる。処理温度は、0〜150℃、特
に、好ましくは室温〜100℃の範囲で行なうことが好
ましい。
【0026】d)のヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を製造するにあたっては、ジメチルホルムアミド、
N−メチルピロリドン等のアミド類、酢酸エステル、酢
酸ブチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ン等のケトン類、さらには数種の混合系、水とこれら有
機溶剤の混合系等が使用され、ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニンに対して、1〜200部、好ましくは10〜
100部の範囲で用いる。処理温度は、0〜150℃、
特に、好ましくは室温〜100℃の範囲で行なうことが
好ましい。
結晶を製造するにあたっては、ジメチルホルムアミド、
N−メチルピロリドン等のアミド類、酢酸エステル、酢
酸ブチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ン等のケトン類、さらには数種の混合系、水とこれら有
機溶剤の混合系等が使用され、ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニンに対して、1〜200部、好ましくは10〜
100部の範囲で用いる。処理温度は、0〜150℃、
特に、好ましくは室温〜100℃の範囲で行なうことが
好ましい。
【0027】e)のヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を製造するにあたっては、エチレングリコール、グ
リセリン、ポリエチレングリコール等のグリコール類が
使用され、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対し
て、1〜200部、好ましくは10〜100部の範囲で
用いる。処理温度は、0〜150℃、特に、室温〜10
0℃の範囲で実施することが好ましい。
結晶を製造するにあたっては、エチレングリコール、グ
リセリン、ポリエチレングリコール等のグリコール類が
使用され、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対し
て、1〜200部、好ましくは10〜100部の範囲で
用いる。処理温度は、0〜150℃、特に、室温〜10
0℃の範囲で実施することが好ましい。
【0028】結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から
適宜選択して使用することができる。好ましい結着樹脂
としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート
樹脂(ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体等)、ポ
リカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹
脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニ
ルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロ
リドン樹脂、カゼイン等の絶縁性樹脂をあげることがで
きるが、これらに限定されるものではない。これらの結
着樹脂は、単独または2種以上混合して用いることがで
きる。また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有
機光導電性ポリマーから選択することもできる。
適宜選択して使用することができる。好ましい結着樹脂
としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート
樹脂(ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体等)、ポ
リカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹
脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニ
ルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロ
リドン樹脂、カゼイン等の絶縁性樹脂をあげることがで
きるが、これらに限定されるものではない。これらの結
着樹脂は、単独または2種以上混合して用いることがで
きる。また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有
機光導電性ポリマーから選択することもできる。
【0029】また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン
と結着樹脂との配合比(重量比)は、10:1〜1:1
0の範囲が好ましい。また、上記成分を用いて分散させ
る方法としては、ボールミル分散法、アトライター分散
法、サンドミル分散法等の通常の方法を採用することが
できる。この際、分散によって前記ヒドロキシガリウム
フタロシアニンの結晶型が変化しないように条件を設定
することが必要である。ちなみに、本発明で実施した前
記の分散法のいずれについても分散前と結晶型が変化し
ていないことが確認されている。さらにこれらの分散の
際、粒子を0.5μm以下、好ましくは0.3μm以
下、さらに好ましくは0.15μm以下の粒子サイズに
微細化することが有効である。また、これらの分散に用
いる溶剤としては、メタノール、エタノール、n−プロ
パノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、メチルセルソルブ、エチル
セルソルブ、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、塩化メチレ
ン、クロロホルム等の通常の有機溶剤を単独または2種
以上混合して用いることができる。
と結着樹脂との配合比(重量比)は、10:1〜1:1
0の範囲が好ましい。また、上記成分を用いて分散させ
る方法としては、ボールミル分散法、アトライター分散
法、サンドミル分散法等の通常の方法を採用することが
できる。この際、分散によって前記ヒドロキシガリウム
フタロシアニンの結晶型が変化しないように条件を設定
することが必要である。ちなみに、本発明で実施した前
記の分散法のいずれについても分散前と結晶型が変化し
ていないことが確認されている。さらにこれらの分散の
際、粒子を0.5μm以下、好ましくは0.3μm以
下、さらに好ましくは0.15μm以下の粒子サイズに
微細化することが有効である。また、これらの分散に用
いる溶剤としては、メタノール、エタノール、n−プロ
パノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、メチルセルソルブ、エチル
セルソルブ、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、塩化メチレ
ン、クロロホルム等の通常の有機溶剤を単独または2種
以上混合して用いることができる。
【0030】また、本発明で用いる電荷発生層の厚みは
一般的には、0.1〜5μm、好ましくは0.2〜2.
0μmが適当である。また、電荷発生層を形成する際に
採用する塗布方法としては、浸漬コーティング法、スプ
レーコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーティング法、ビードコーティング法、エアー
ナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通
常のコーティング法を採用することができる。
一般的には、0.1〜5μm、好ましくは0.2〜2.
0μmが適当である。また、電荷発生層を形成する際に
採用する塗布方法としては、浸漬コーティング法、スプ
レーコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーティング法、ビードコーティング法、エアー
ナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通
常のコーティング法を採用することができる。
【0031】上記のように形成された電荷発生層の上に
は、次いで、電荷輸送層が形成される。本発明におい
て、電荷輸送層は、電荷輸送材料を適当な結着樹脂中に
含有させてた塗布液を用いて形成することができる。電
荷輸送材料としては、公知のものならば如何なるものも
使用できる。特に、下記一般式(IV)で示されるベン
ジジン系化合物が好ましく使用できる。 (式中、R9 は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基
およびハロゲン原子を表わし、R10およびR11は、それ
ぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子または置換アミノ基を表わし、mおよびnは、それぞ
れ0、1または2を表わす。)
は、次いで、電荷輸送層が形成される。本発明におい
て、電荷輸送層は、電荷輸送材料を適当な結着樹脂中に
含有させてた塗布液を用いて形成することができる。電
荷輸送材料としては、公知のものならば如何なるものも
使用できる。特に、下記一般式(IV)で示されるベン
ジジン系化合物が好ましく使用できる。 (式中、R9 は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基
およびハロゲン原子を表わし、R10およびR11は、それ
ぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子または置換アミノ基を表わし、mおよびnは、それぞ
れ0、1または2を表わす。)
【0032】これ等のベンジジン系化合物の具体例とし
ては、次の表1および表2に示すものがあげられる。
ては、次の表1および表2に示すものがあげられる。
【表1】
【表2】 本発明において、上記のベンジジン系化合物は、単独で
も2種以上を混合して用いてもよい。
も2種以上を混合して用いてもよい。
【0033】さらに、電荷輸送層に用いる結着樹脂は、
ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル
樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビ
ニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテー
ト樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデ
ン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸
共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、
フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキ
ッド樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の公知の樹
脂を用いることができるがこれらに限定されるものでは
ない。
ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル
樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビ
ニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテー
ト樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデ
ン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸
共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、
フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキ
ッド樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の公知の樹
脂を用いることができるがこれらに限定されるものでは
ない。
【0034】これらの結着樹脂のうち下記構造式(V)
〜(X)で示される単量体単位より構成されるポリカー
ボネート樹脂を用いたときに、特に良い特性を示す。
〜(X)で示される単量体単位より構成されるポリカー
ボネート樹脂を用いたときに、特に良い特性を示す。
【化4】
【化5】 上記結着樹脂は、単独あるいは2種以上混合して用いる
ことができる。
ことができる。
【0035】電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重量
比は)10:1〜1:5が好ましい。 さらに、電荷輸
送層を設けるときに用いる溶剤としては、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素
類、アセトン、2−ブタノン等のケトン類、塩化メチレ
ン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族
炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の
環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を
単独あるいは2種以上混合して用いることができる。
比は)10:1〜1:5が好ましい。 さらに、電荷輸
送層を設けるときに用いる溶剤としては、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素
類、アセトン、2−ブタノン等のケトン類、塩化メチレ
ン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族
炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の
環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を
単独あるいは2種以上混合して用いることができる。
【0036】本発明で用いる電荷輸送層の厚みは一般的
には、5〜50μm、好ましくは10〜30μmが適当
である。塗布方法としては、ブレードコーティング法、
ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング
法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エア
ーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の
通常の方法を用いることができる。
には、5〜50μm、好ましくは10〜30μmが適当
である。塗布方法としては、ブレードコーティング法、
ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング
法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エア
ーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の
通常の方法を用いることができる。
【0037】本発明の電子写真感光体においては、複写
機中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは光、熱に
よる感光体の劣化を防止する目的で、電荷発生層および
/または電荷輸送層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定
剤等の添加剤を添加することができる。例えば、酸化防
止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミ
ン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイ
ドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノンおよび
それらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等があ
げられる。光安定剤の例としては、ベンゾフェノン、ベ
ンゾトリアゾール、ジチオカルバメート、テトラメチル
ピペリジン等の誘導体があげられる。また、感度の向
上、残留電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目
的として、少なくとも1種の電子受容性物質を含有させ
ることができる。本発明の感光体に使用可能な電子受容
物質としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン
酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、o−ジニトロベンゼン、m−ジニトロ
ベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリ
ニトロフルオレノン、ピクリン酸、o−ニトロ安息香
酸、p−ニトロ安息香酸、フタル酸等をあげることがで
きる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系やC
l、CN、NO2等の電子吸引性置換基を有するベンゼ
ン誘導体が特に好ましい。
機中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは光、熱に
よる感光体の劣化を防止する目的で、電荷発生層および
/または電荷輸送層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定
剤等の添加剤を添加することができる。例えば、酸化防
止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミ
ン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイ
ドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノンおよび
それらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等があ
げられる。光安定剤の例としては、ベンゾフェノン、ベ
ンゾトリアゾール、ジチオカルバメート、テトラメチル
ピペリジン等の誘導体があげられる。また、感度の向
上、残留電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目
的として、少なくとも1種の電子受容性物質を含有させ
ることができる。本発明の感光体に使用可能な電子受容
物質としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン
酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、o−ジニトロベンゼン、m−ジニトロ
ベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリ
ニトロフルオレノン、ピクリン酸、o−ニトロ安息香
酸、p−ニトロ安息香酸、フタル酸等をあげることがで
きる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系やC
l、CN、NO2等の電子吸引性置換基を有するベンゼ
ン誘導体が特に好ましい。
【0038】電荷輸送層の上には、さらに必要に応じて
保護層を設けてもよい。この保護層は、感光層の帯電時
の電荷輸送層の化学的変質を防止するとともに、感光層
の機械的強度を改善するために用いられる。この保護層
は、導電性材料を適当なバインダーの中に含有させて形
成されている。導電性材料としては、N,N′−ジメチ
ルフェロセン等のメタロセン化合物、N,N′−ジフェ
ニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,
1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン等の芳香族ア
ミン化合物、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化チタン、
酸化インジウム、酸化スズ−酸化アンチモンの固溶体等
の金属酸化物等の材料を用いることができるが、これら
に限定されるものではない。また、この保護層に用いる
結着樹脂としては、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等公知の樹脂
を用いることができる。
保護層を設けてもよい。この保護層は、感光層の帯電時
の電荷輸送層の化学的変質を防止するとともに、感光層
の機械的強度を改善するために用いられる。この保護層
は、導電性材料を適当なバインダーの中に含有させて形
成されている。導電性材料としては、N,N′−ジメチ
ルフェロセン等のメタロセン化合物、N,N′−ジフェ
ニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,
1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン等の芳香族ア
ミン化合物、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化チタン、
酸化インジウム、酸化スズ−酸化アンチモンの固溶体等
の金属酸化物等の材料を用いることができるが、これら
に限定されるものではない。また、この保護層に用いる
結着樹脂としては、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等公知の樹脂
を用いることができる。
【0039】また、この保護層は、その電気抵抗が10
9 〜1014Ω・cmとなるように構成することが好まし
い。電気抵抗が1014Ω・cm以上になると残留電位が
上昇しカブリの多い複写物となってしまい、また、10
9 Ω・cm以下になると画像のボケ、解像力の低下が生
じてしまう。また、保護層は像露光に用いられる光の透
過を実質上妨げないように構成されなければならない。
本発明で用いる保護層の膜厚は0.5〜20μm、好ま
しくは1〜10μmが適当である。塗布方法としては、
ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング
法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビ
ードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カ
ーテンコーティング法等の通常の方法を用いることがで
きる。
9 〜1014Ω・cmとなるように構成することが好まし
い。電気抵抗が1014Ω・cm以上になると残留電位が
上昇しカブリの多い複写物となってしまい、また、10
9 Ω・cm以下になると画像のボケ、解像力の低下が生
じてしまう。また、保護層は像露光に用いられる光の透
過を実質上妨げないように構成されなければならない。
本発明で用いる保護層の膜厚は0.5〜20μm、好ま
しくは1〜10μmが適当である。塗布方法としては、
ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング
法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビ
ードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カ
ーテンコーティング法等の通常の方法を用いることがで
きる。
【0040】
【実施例】以下、本発明を実施例によって説明する。な
お、合成例、比較例および実施例において、「部」は
「重量部」を示す。 合成例1(ヒドロキシガリウムフタロシアニンの合成) 1,3−ジイミノイソインドリン30部、三塩化ガリウ
ム9.1部をキノリン230部中に入れ、200℃にお
いて3時間反応させた後、生成物を濾別し、アセトン、
メタノールで洗浄した後、乾燥し、クロロガリウムフタ
ロシアニン結晶28部を得た。得られたクロロガリウム
フタロシアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃にて溶解
した後、5℃の蒸留水450部に上記溶液を滴下し、結
晶を再析出させた。蒸留水、希アンモニア水等で洗浄し
た後、乾燥し、2.5部のヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶を得た。その粉末X線回折図を図1に示す。
この結晶を自動乳鉢にて5.5時間粉砕し、非晶質のヒ
ドロキシガリウムフタロシアニンを得た。その粉末X線
回折図を図2に示す。
お、合成例、比較例および実施例において、「部」は
「重量部」を示す。 合成例1(ヒドロキシガリウムフタロシアニンの合成) 1,3−ジイミノイソインドリン30部、三塩化ガリウ
ム9.1部をキノリン230部中に入れ、200℃にお
いて3時間反応させた後、生成物を濾別し、アセトン、
メタノールで洗浄した後、乾燥し、クロロガリウムフタ
ロシアニン結晶28部を得た。得られたクロロガリウム
フタロシアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃にて溶解
した後、5℃の蒸留水450部に上記溶液を滴下し、結
晶を再析出させた。蒸留水、希アンモニア水等で洗浄し
た後、乾燥し、2.5部のヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶を得た。その粉末X線回折図を図1に示す。
この結晶を自動乳鉢にて5.5時間粉砕し、非晶質のヒ
ドロキシガリウムフタロシアニンを得た。その粉末X線
回折図を図2に示す。
【0041】合成例2 合成例1で得られた図1の粉末X線回折図を示すヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶0.5部を、モノクロ
ルベンゼン15部に加え、室温にて17時間撹拌した
後、結晶を分離し、メタノールで洗浄した後、乾燥し、
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶0.4部を得
た。その粉末X線回折図を図3に示す。
キシガリウムフタロシアニン結晶0.5部を、モノクロ
ルベンゼン15部に加え、室温にて17時間撹拌した
後、結晶を分離し、メタノールで洗浄した後、乾燥し、
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶0.4部を得
た。その粉末X線回折図を図3に示す。
【0042】合成例3 合成例1で得られた図2の粉末X線回折図を示すヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶0.5部を、ジメチル
スルホキシド15部、直径1mmのガラスビーズ30部
とともに24時間ミリングした後、結晶を分離し、メタ
ノールで洗浄した後、乾燥したヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶0.4部を得た。その粉末X線回折図を
図4に示す。
キシガリウムフタロシアニン結晶0.5部を、ジメチル
スルホキシド15部、直径1mmのガラスビーズ30部
とともに24時間ミリングした後、結晶を分離し、メタ
ノールで洗浄した後、乾燥したヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶0.4部を得た。その粉末X線回折図を
図4に示す。
【0043】合成例4 処理溶剤をベンジルアルコールにした以外は、合成例3
と同様に行ない、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶0.4部を得た。その粉末X線回折図を図5に示す。
と同様に行ない、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶0.4部を得た。その粉末X線回折図を図5に示す。
【0044】合成例5 合成例1で得られた図1の粉末X線回折図を示すヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶0.5部を、ジメチル
ホルムアミド15部、直径1mmのガラスビーズ30部
とともに24時間ミリングした後、結晶を分離し、メタ
ノールで洗浄した後、乾燥し、ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶0.4部を得た。その粉末X線回折図を
図6に示す。
キシガリウムフタロシアニン結晶0.5部を、ジメチル
ホルムアミド15部、直径1mmのガラスビーズ30部
とともに24時間ミリングした後、結晶を分離し、メタ
ノールで洗浄した後、乾燥し、ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶0.4部を得た。その粉末X線回折図を
図6に示す。
【0045】合成例6 合成例1で得られた図2の粉末X線回折図を示すヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶0.5部を、エチレン
グリコール5部加え、100℃にて7時間撹拌した後、
結晶を分離し、メタノールで洗浄した後、乾燥し、ヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶0.4部を得た。そ
の粉末X線回折図を図7に示す。
キシガリウムフタロシアニン結晶0.5部を、エチレン
グリコール5部加え、100℃にて7時間撹拌した後、
結晶を分離し、メタノールで洗浄した後、乾燥し、ヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶0.4部を得た。そ
の粉末X線回折図を図7に示す。
【0046】実施例1 まず、アルミニウム基板上にジルコニウム化合物(商品
名:オルガチックスZC540、松本製薬工業社製)1
0部およびγ−アミノプロピルトリメトキシシラン(商
品名:A1110、日本ユニカー社製)1部とi−プロ
ピルアルコール40部およびn−ブチルアルコール20
部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、150
℃において10分間加熱乾燥し、膜厚0.1μmの下引
層を形成した。次に、上記合成例5で得られたヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶1部を、ポリビニルブチ
ラール樹脂(商品名:エスレックBM−S、積水化学社
製)1部およびモノクロロベンゼン100部と混合し、
ガラスビーズとともにペイントシェーカーで1時間処理
して分散した後、得られた塗布液を上記下引き層上に浸
漬コーティング法で塗布し、100℃において10分間
加熱乾燥し、膜厚0.15μmの電荷発生層を形成し
た。また、分散後の前記ヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶の結晶型はX線回折によって分散前の結晶型と
比較して変化していないことを確認した。次に、前記例
示化合物(I−15)で示される化合物2部と下記構造
式(V)
名:オルガチックスZC540、松本製薬工業社製)1
0部およびγ−アミノプロピルトリメトキシシラン(商
品名:A1110、日本ユニカー社製)1部とi−プロ
ピルアルコール40部およびn−ブチルアルコール20
部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、150
℃において10分間加熱乾燥し、膜厚0.1μmの下引
層を形成した。次に、上記合成例5で得られたヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶1部を、ポリビニルブチ
ラール樹脂(商品名:エスレックBM−S、積水化学社
製)1部およびモノクロロベンゼン100部と混合し、
ガラスビーズとともにペイントシェーカーで1時間処理
して分散した後、得られた塗布液を上記下引き層上に浸
漬コーティング法で塗布し、100℃において10分間
加熱乾燥し、膜厚0.15μmの電荷発生層を形成し
た。また、分散後の前記ヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶の結晶型はX線回折によって分散前の結晶型と
比較して変化していないことを確認した。次に、前記例
示化合物(I−15)で示される化合物2部と下記構造
式(V)
【化6】 Mw=39000(粘度平均分子量) で示される繰り返し単位で構成されるポリ(4,4′−
シクロヘキシリデンジフェニレンカーボネート)3部を
モノクロロベンゼン20部に溶解し、得られた塗布液を
電荷発生層が形成されたアルミニウム基板上に浸漬コー
ティング法で塗布し、120℃において1時間加熱乾燥
して、膜厚20μmの電荷輸送層を形成した。
シクロヘキシリデンジフェニレンカーボネート)3部を
モノクロロベンゼン20部に溶解し、得られた塗布液を
電荷発生層が形成されたアルミニウム基板上に浸漬コー
ティング法で塗布し、120℃において1時間加熱乾燥
して、膜厚20μmの電荷輸送層を形成した。
【0047】このようにして得られた電子写真用感光体
の電子写真特性を、静電複写紙試験装置(川口電気:エ
レクトロスタティックアナライザーEPA−8100)
を用いて、常温常湿(20℃、40%RH)の環境下、
−6kVのコロナ放電を行ない、帯電させた後、タング
ステンランプの光を、モノクロメーターを用いて800
nmの単色光にし、感光体表面上で1μW/cm2 にな
るように調節し、照射した。そして、その表面電位VO
(ボルト)、半減露光量E1/2 (erg/cm2 )を測
定し、その後10 luxの白色光を1秒間照射し、残
留電位VR (ボルト)を測定した。さらに、上記の帯
電、露光を1000回繰り返した後のVO、E1/2 、V
R を測定し、またその変動量ΔVO 、ΔE1/2 、ΔVR
で表した。その結果を表3に示す。
の電子写真特性を、静電複写紙試験装置(川口電気:エ
レクトロスタティックアナライザーEPA−8100)
を用いて、常温常湿(20℃、40%RH)の環境下、
−6kVのコロナ放電を行ない、帯電させた後、タング
ステンランプの光を、モノクロメーターを用いて800
nmの単色光にし、感光体表面上で1μW/cm2 にな
るように調節し、照射した。そして、その表面電位VO
(ボルト)、半減露光量E1/2 (erg/cm2 )を測
定し、その後10 luxの白色光を1秒間照射し、残
留電位VR (ボルト)を測定した。さらに、上記の帯
電、露光を1000回繰り返した後のVO、E1/2 、V
R を測定し、またその変動量ΔVO 、ΔE1/2 、ΔVR
で表した。その結果を表3に示す。
【0048】実施例2 アセチルアセトンジルコニウムブトキシド (オルガチックスZC540、松本製薬工業社製) 10部 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン (A1100、日本ユニカー社製) 1部 i−プロピルアルコール 40部 n−ブチルアルコール 20部 下引き層の成分を、上記の組成に変更し、膜厚0.3μ
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
【0049】実施例3 アセチルアセトンジルコニウムブトキシド (オルガチックスZC540、松本製薬工業社製) 20部 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン (A1100、日本ユニカー社製) 2部 ポリビニルブチラール樹脂 (エスレックBM−S 積水化学(株)製) 1.5部 n−ブチルアルコール 70部 下引き層の成分を、上記の組成に変更し、膜厚0.9μ
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
【0050】実施例4 ジルコニウムn−ブトキシド (オルガチックスZA60、松本製薬工業社製) 20部 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン (A1100、日本ユニカー社製) 2部 ポリビニルブチラール樹脂 (エスレックBM−S 積水化学(株)製) 1.5部 n−ブチルアルコール 70部 下引き層の成分を、上記の組成に変更し、膜厚0.5μ
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
【0051】実施例5 実施例3の下引き層のうち、ポリビニルブチラール樹脂
をポリビニルホルマール樹脂(デンカホルマール#2
0)に変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真
感光体を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に
示す。
をポリビニルホルマール樹脂(デンカホルマール#2
0)に変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真
感光体を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に
示す。
【0052】実施例6 チタンアセチルアセトネート (オルガチックスTC100、松本製薬工業社製) 10部 γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン 1部 ポリビニルブチラール樹脂 (エスレックBM−1 積水化学(株)製) 1.5部 イソプロピルアルコール 70部 下引き層の成分を、上記の組成に変更し、膜厚0.9μ
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
【0053】実施例7 錫アセチルアセトネート 5部 γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン 1部 ポリビニルブチラール樹脂 (エスレックBM−S 積水化学(株)製) 1.5部 n−ブチルアルコール 70部 下引き層の成分を、上記の組成に変更し、膜厚0.9μ
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
【0054】実施例8 アルミニウムトリスアセチルアセトネート 5部 (アルミキレートA、川研ファインケミカル社製) γ−アミノプロピルトリエトキシシラン (A1100、日本ユニカー社製) 1部 ポリビニルブチラール樹脂 (エスレックBM−S 積水化学(株)製) 1.5部 n−ブチルアルコール 80部 下引き層の成分を、上記の組成に変更し、膜厚0.9μ
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
【0055】比較例1 共重合ナイロン (アラミンCM8000、東レ(株)製) 10部 エタノール 80部 下引き層の成分を、上記の組成に変更し、膜厚0.9μ
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
【0056】比較例2 変性(タイプ−8)ナイロン (ラッカマイドL5003、大日本インキ化学工業(株)製) 14部 メチルアルコール 60部 n−ブチルアルコール 40部 水 10部 下引き層の成分を、上記の組成に変更し、膜厚1.0μ
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
【0057】比較例3 アセチルアセトンジルコニウムブトキシド (オルガチックスZC540、松本製薬工業社製) 10部 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン (A1100、日本ユニカー社製) 2部 ポリビニルブチラール樹脂 (エスレックBM−S 積水化学(株)製) 3.5部 n−ブチルアルコール 70部 下引き層の成分を、上記の組成に変更し、膜厚1.0μ
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
mとした以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様の評価をした。その結果を表3に示す。
【0058】比較例4 チタンアセチルアセトネート (オルガチックスTC100、松本製薬工業社製) 10部 γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン 1部 ポリビニルブチラール樹脂 (エスレックBM−S 積水化学(株)製) 10部 イソプロピルアルコール 70部 上記の組成で下引き層塗布液を調液したところ、調液直
後に液がゲル化し、下引き層が形成できなかった。
後に液がゲル化し、下引き層が形成できなかった。
【表3】
【0059】
【発明の効果】本発明の電子感光体は、電荷発生層にお
ける電荷発生材料と、下引き層における構成材料とにつ
いて、上記した特定の組み合わせのものを使用したか
ら、本発明の電子写真感光体は、上記実施例および比較
例の比較からも明らかのように、高い光感度と優れた繰
り返し安定性を有するという優れた効果を奏する。
ける電荷発生材料と、下引き層における構成材料とにつ
いて、上記した特定の組み合わせのものを使用したか
ら、本発明の電子写真感光体は、上記実施例および比較
例の比較からも明らかのように、高い光感度と優れた繰
り返し安定性を有するという優れた効果を奏する。
【図1】 合成例1で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図2】 合成例1で得られた非晶質のヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンの粉末X線回折図を示す。
ウムフタロシアニンの粉末X線回折図を示す。
【図3】 合成例2で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図4】 合成例3で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図5】 合成例4で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図6】 合成例5で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図7】 合成例6で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図8】 本発明の電子写真用感光体の一例の模式的断
面図を示す。
面図を示す。
【図9】 本発明の電子写真用感光体の一例の模式的断
面図を示す。
面図を示す。
1…電荷発生層、2…電荷輸送層、3…導電性支持体、
4…下引層、5…保護層、
4…下引層、5…保護層、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 倫明 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 山崎 一夫 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 小関 一浩 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内
Claims (9)
- 【請求項1】 導電性支持体上に少なくとも下引き層、
電荷発生層、および電荷輸送層を順次積層してなる電子
写真感光体において、電荷発生層が、電荷発生材料とし
てのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
かつ下引き層が有機金属化合物とシランカップリング剤
を主成分として含有することを特徴とする電子写真感光
体。 - 【請求項2】 下引き層が、有機金属化合物およびシラ
ンカップリング剤に相溶する結着樹脂を、有機金属化合
物とシランカップリング剤の合計量に対して25重量%
以下の範囲で含有することを特徴とする請求項1記載の
電子写真感光体。 - 【請求項3】 有機金属化合物が、有機ジルコニウム化
合物であることを特徴とする請求項1または2記載の電
子写真感光体。 - 【請求項4】 有機金属化合物が、有機チタニウム化合
物であることを特徴とする請求項1または2記載の電子
写真感光体。 - 【請求項5】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
がX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±
0.2°)が7.7°、16.5°、25.1°、2
6.6°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の電子写真感光体。 - 【請求項6】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
がX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±
0.2°)が7.9°、16.5°、24.4°、2
7.6°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の電子写真感光体。 - 【請求項7】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
がX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±
0.2°)が7.0°、7.5°、10.5°、11.
7°、12.7°、17.3°、18.1°、24.5
°、26.2°、27.1°に強い回折ピークを有する
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であることを特
徴とする請求項1または2に記載の電子写真感光体。 - 【請求項8】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
がX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±
0.2°)が7.5°、9.9°、12.5°、16.
3°、18.6°、25.1°、28.3°に強い回折
ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
であることを特徴とする請求項1または2に記載の電子
写真感光体。 - 【請求項9】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
がX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±
0.2°)が6.8°、12.8°、15.8°、2
6.0°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4098595A JP3072674B2 (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 電子写真感光体 |
| US08/030,773 US5393629A (en) | 1991-04-26 | 1993-03-12 | Electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4098595A JP3072674B2 (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273777A true JPH05273777A (ja) | 1993-10-22 |
| JP3072674B2 JP3072674B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=14223991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4098595A Expired - Fee Related JP3072674B2 (ja) | 1991-04-26 | 1992-03-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3072674B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005092216A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Xerox Corp | 光導電性画像形成部材 |
| JP2005266809A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Xerox Corp | 画像形成部材 |
| KR100677605B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 반복사용에 의한 화상 열화를 억제할 수 있는 전자사진감광체 및 이를 채용한 전자사진 화상형성장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3381698B2 (ja) | 2000-02-04 | 2003-03-04 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP4098595A patent/JP3072674B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2005266809A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Xerox Corp | 画像形成部材 |
| KR100677605B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 반복사용에 의한 화상 열화를 억제할 수 있는 전자사진감광체 및 이를 채용한 전자사진 화상형성장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3072674B2 (ja) | 2000-07-31 |
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