JPH05277341A - フッ化窒素排ガスの除害装置 - Google Patents
フッ化窒素排ガスの除害装置Info
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- JPH05277341A JPH05277341A JP3063939A JP6393991A JPH05277341A JP H05277341 A JPH05277341 A JP H05277341A JP 3063939 A JP3063939 A JP 3063939A JP 6393991 A JP6393991 A JP 6393991A JP H05277341 A JPH05277341 A JP H05277341A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマＣＶＤ装置をフッ化窒素でクリーニ
ングする場合などにおいて、排ガス中に含有されるフッ
化窒素を簡便且つ安価に除害処理する。 【構成】 フッ化窒素に対して反応性を有するシリコ
ン、チタン、ゲルマニウムなどの反応性処理剤を充填し
た乾式反応器１２を排気系３のうちの排気ポンプ７の上
手側に配置することにより、フッ化窒素を反応器に送給
するだけで簡便且つ安価に除害し、装置全体をコンパク
トにまとめられる。
ングする場合などにおいて、排ガス中に含有されるフッ
化窒素を簡便且つ安価に除害処理する。 【構成】 フッ化窒素に対して反応性を有するシリコ
ン、チタン、ゲルマニウムなどの反応性処理剤を充填し
た乾式反応器１２を排気系３のうちの排気ポンプ７の上
手側に配置することにより、フッ化窒素を反応器に送給
するだけで簡便且つ安価に除害し、装置全体をコンパク
トにまとめられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フッ化窒素によるプラ
ズマ処理、例えば、半導体製造における薄膜形成工程後
のプラズマ・クリーニング処理やドライエッチング処理
などに伴うフッ化窒素排ガスの除害装置に関し、除害操
作を簡便且つ安価にし、装置全体をコンパクトにまとめ
られるものを提供する。
ズマ処理、例えば、半導体製造における薄膜形成工程後
のプラズマ・クリーニング処理やドライエッチング処理
などに伴うフッ化窒素排ガスの除害装置に関し、除害操
作を簡便且つ安価にし、装置全体をコンパクトにまとめ
られるものを提供する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体デバイス、太陽電池、感
光体ドラム等の製造に使用される薄膜形成用のプラズマ
ＣＶＤ装置では、ウエハー上に多結晶Ｓｉ、ＷＳｉ2、
ＰＳＧ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｓｉｏ2などを薄膜形成する場合、
ウエハー以外の装置内壁や治具類にもこれらの成分が汚
れとなって付着するので、装置内をＣＦ4ガスやＮＦ3ガ
スでプラズマ・クリーニングしていた。このうち、特
に、ＮＦ3は、ＣＦ4に比べてカーボンによる汚染の問題
がなく、また、カーボン・トラップのために酸素を混合
する必要もないうえ、エッチングレートも大きく、1989
年暮に化審法の数量制限が解除されたことにより、クリ
ーニングガスとしての有効性がきわめて高い。また、こ
のＮＦ3はエッチングレートが大きいことから、クリー
ニングガス以外にも、例えば、ＬＳＩの製造工程のう
ち、ドライエッチング用としても使用される。
光体ドラム等の製造に使用される薄膜形成用のプラズマ
ＣＶＤ装置では、ウエハー上に多結晶Ｓｉ、ＷＳｉ2、
ＰＳＧ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｓｉｏ2などを薄膜形成する場合、
ウエハー以外の装置内壁や治具類にもこれらの成分が汚
れとなって付着するので、装置内をＣＦ4ガスやＮＦ3ガ
スでプラズマ・クリーニングしていた。このうち、特
に、ＮＦ3は、ＣＦ4に比べてカーボンによる汚染の問題
がなく、また、カーボン・トラップのために酸素を混合
する必要もないうえ、エッチングレートも大きく、1989
年暮に化審法の数量制限が解除されたことにより、クリ
ーニングガスとしての有効性がきわめて高い。また、こ
のＮＦ3はエッチングレートが大きいことから、クリー
ニングガス以外にも、例えば、ＬＳＩの製造工程のう
ち、ドライエッチング用としても使用される。
【０００３】一方、上述のようにＣＶＤ装置をＮＦ3ガ
スでプラズマ・クリーニングすると、チャンバー内部の
全域に亘りプラズマを発生させることが難しく、導入し
たＮＦ3の１０％程度はプラズマにならなかったり、プ
ラズマ化された励起活性種同士が再結合してＮＦ3を生
成したりするので、チャンバーの排ガス中にはＮＦ3が
残留する虞れが大きく、環境汚染防止の観点からこれを
除害する必要がある。
スでプラズマ・クリーニングすると、チャンバー内部の
全域に亘りプラズマを発生させることが難しく、導入し
たＮＦ3の１０％程度はプラズマにならなかったり、プ
ラズマ化された励起活性種同士が再結合してＮＦ3を生
成したりするので、チャンバーの排ガス中にはＮＦ3が
残留する虞れが大きく、環境汚染防止の観点からこれを
除害する必要がある。
【０００４】即ち、本発明の対象となるフッ化窒素排ガ
スの除害装置の基本構造は、図１又は図３に示すよう
に、プラズマ処理チャンバー１の排気系３に排気ポンプ
７及び除害装置１２を設け、プラズマ処理チャンバー１
から排気系３に排出されるフッ化窒素排ガスを除害装置
１２で除害処理する形式のものである。この形式の従来
技術としては、図３に示すように、例えば、プラズマＣ
ＶＤチャンバー１で多結晶Ｓｉなどを薄膜形成した後
に、チャンバー１内をプラズマ・クリーニングする場合
に、上記除害装置１２がＮＦ3排ガス(即ち、ＮＦ3がＳｉ
と反応して生成したＳｉＦ4やプラズマによる他の励起
活性種などの混合ガスの中にＮＦ3が残留する)をＳｉ、
Ｔｉ、Ｃなどに接触させてフッ化物に変換する方式の除
害塔であり、排気ポンプ７の流通下手側にＮ2ガス送給
口及び除害塔１２を順番に配置したものがある。
スの除害装置の基本構造は、図１又は図３に示すよう
に、プラズマ処理チャンバー１の排気系３に排気ポンプ
７及び除害装置１２を設け、プラズマ処理チャンバー１
から排気系３に排出されるフッ化窒素排ガスを除害装置
１２で除害処理する形式のものである。この形式の従来
技術としては、図３に示すように、例えば、プラズマＣ
ＶＤチャンバー１で多結晶Ｓｉなどを薄膜形成した後
に、チャンバー１内をプラズマ・クリーニングする場合
に、上記除害装置１２がＮＦ3排ガス(即ち、ＮＦ3がＳｉ
と反応して生成したＳｉＦ4やプラズマによる他の励起
活性種などの混合ガスの中にＮＦ3が残留する)をＳｉ、
Ｔｉ、Ｃなどに接触させてフッ化物に変換する方式の除
害塔であり、排気ポンプ７の流通下手側にＮ2ガス送給
口及び除害塔１２を順番に配置したものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記除害塔１２は、Ｎ
2ガスで希釈されたＮＦ3排ガスをＳｉ、Ｔｉ、Ｃなどに
接触させる反応室と、フッ化物を除去するスクラバー
と、処理済み排ガスを冷却する冷却器から構成され、反
応室には反応促進のための反応ガス加温装置とカラム加
熱装置が併置される。従って、上記従来技術では、ＮＦ
3排ガスを除害する場合、反応ガスの加温操作、カ
ラムの加熱操作、処理済み排ガスの冷却操作という三
つの操作が必要になり、除害操作が煩雑でコストが増大
するうえ、排気ポンプ７の下手側に除害塔１２を配置す
るので装置全体が大型化する。本発明は、フッ化窒素排
ガスの除害を簡便且つ安価に実施することを技術的課題
とする。
2ガスで希釈されたＮＦ3排ガスをＳｉ、Ｔｉ、Ｃなどに
接触させる反応室と、フッ化物を除去するスクラバー
と、処理済み排ガスを冷却する冷却器から構成され、反
応室には反応促進のための反応ガス加温装置とカラム加
熱装置が併置される。従って、上記従来技術では、ＮＦ
3排ガスを除害する場合、反応ガスの加温操作、カ
ラムの加熱操作、処理済み排ガスの冷却操作という三
つの操作が必要になり、除害操作が煩雑でコストが増大
するうえ、排気ポンプ７の下手側に除害塔１２を配置す
るので装置全体が大型化する。本発明は、フッ化窒素排
ガスの除害を簡便且つ安価に実施することを技術的課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
の手段を、実施例に示す図面により以下に説明する。即
ち、本発明１は、前記基本構造のフッ化窒素排ガスの除
害装置において、上記除害装置１２がフッ化窒素に対し
て反応性を有するシリコン、チタン、ゲルマニウム、炭
素などの反応性処理剤を充填した乾式反応器であり、当
該反応器１２をチャンバー１と排気ポンプ７との間に介
装したことを特徴とするものである。
の手段を、実施例に示す図面により以下に説明する。即
ち、本発明１は、前記基本構造のフッ化窒素排ガスの除
害装置において、上記除害装置１２がフッ化窒素に対し
て反応性を有するシリコン、チタン、ゲルマニウム、炭
素などの反応性処理剤を充填した乾式反応器であり、当
該反応器１２をチャンバー１と排気ポンプ７との間に介
装したことを特徴とするものである。
【０００７】本発明２は、前記基本構造のフッ化窒素排
ガスの除害装置において、上記除害装置１２がフッ化窒
素に対して反応性を有するシリコン、チタン、ゲルマニ
ウム炭素などの反応性処理剤を充填した乾式反応器であ
り、チャンバー１と排気ポンプ７との間をフッ化窒素排
ガス用排気路１３と、半導体製造工程などで生じるプロ
セス排ガスを排出するプロセス排ガス用排気路１４との
二股状に分岐し、両排気路１３・１４に排ガスを切り替
え排気可能にする操作弁１５を設け、フッ化窒素排ガス
用排気路１３に上記乾式反応器１２を配置したことを特
徴とするものである。
ガスの除害装置において、上記除害装置１２がフッ化窒
素に対して反応性を有するシリコン、チタン、ゲルマニ
ウム炭素などの反応性処理剤を充填した乾式反応器であ
り、チャンバー１と排気ポンプ７との間をフッ化窒素排
ガス用排気路１３と、半導体製造工程などで生じるプロ
セス排ガスを排出するプロセス排ガス用排気路１４との
二股状に分岐し、両排気路１３・１４に排ガスを切り替
え排気可能にする操作弁１５を設け、フッ化窒素排ガス
用排気路１３に上記乾式反応器１２を配置したことを特
徴とするものである。
【０００８】上記半導体製造工程とは、例えば、プラズ
マＣＶＤによる多結晶Ｓｉ膜、窒化膜、ＳｉＯ2膜など
の薄膜形成工程をいう。上記フッ化窒素排ガスを伴う工
程とは、プラズマＣＶＤ装置のフッ化窒素によるプラズ
マ・クリーニング工程や、プラズマ・エッチング装置で
のフッ化窒素によるドライ・エッチング工程などをい
う。
マＣＶＤによる多結晶Ｓｉ膜、窒化膜、ＳｉＯ2膜など
の薄膜形成工程をいう。上記フッ化窒素排ガスを伴う工
程とは、プラズマＣＶＤ装置のフッ化窒素によるプラズ
マ・クリーニング工程や、プラズマ・エッチング装置で
のフッ化窒素によるドライ・エッチング工程などをい
う。
【０００９】
(１) 本発明１では、プラズマ処理チャンバー１から排
気系３に排出された排ガスに残留するフッ化窒素は、乾
式反応器１２でシリコンなどの反応性処理剤に接触して
フッ化物(例えば、フッ化シリコン)に変換される。この
場合、乾式反応器１２では基本的にフッ化窒素を送給す
るだけなので、前記従来技術のような反応ガスの加温
操作、カラムの加熱操作、処理済み排ガスの冷却操
作という三つの操作は必要ない。また、フッ化窒素に起
因して生成する上記フッ化物は、例えば薄膜形成装置な
どのような通常の半導体製造装置の排気系に装備されて
いる既存のスクラバーで容易に除害でき、専用の除害手
段を追加する必要はない。
気系３に排出された排ガスに残留するフッ化窒素は、乾
式反応器１２でシリコンなどの反応性処理剤に接触して
フッ化物(例えば、フッ化シリコン)に変換される。この
場合、乾式反応器１２では基本的にフッ化窒素を送給す
るだけなので、前記従来技術のような反応ガスの加温
操作、カラムの加熱操作、処理済み排ガスの冷却操
作という三つの操作は必要ない。また、フッ化窒素に起
因して生成する上記フッ化物は、例えば薄膜形成装置な
どのような通常の半導体製造装置の排気系に装備されて
いる既存のスクラバーで容易に除害でき、専用の除害手
段を追加する必要はない。
【００１０】(２) 本発明２では、排気系３を分岐する
ことにより、次の作用をする。 例えば、プラズマＣＶＤ装置による多結晶Ｓｉの薄
膜形成工程などでは、プロセス排ガス用排気路１４を開
きフッ化窒素排ガス用排気路１３を閉じて、プラズマＣ
ＶＤチャンバー１からプロセス排ガス用排気路１４にシ
ランなどのプロセス排ガスを流す。 薄膜形成工程後のプラズマＣＶＤチャンバー１のプ
ラズマ・クリーニングでは、プロセス排ガス用排気路１
４を閉じ、フッ化窒素排ガス用排気路１３を開いて、プ
ラズマＣＶＤチャンバー１からフッ化窒素排ガス用排気
路１３にフッ化窒素のクリーニング排ガスを流す。 従って、本発明２では、の薄膜形成工程などの半導体
製造工程では、排ガスはプロセス排ガス用排気路１４か
ら排気され、反応器１２による排気抵抗がないので、排
気ポンプ７の排気効率が向上する。また、上記(１)と同
様に、従来技術のような三つの操作は必要ない。
ことにより、次の作用をする。 例えば、プラズマＣＶＤ装置による多結晶Ｓｉの薄
膜形成工程などでは、プロセス排ガス用排気路１４を開
きフッ化窒素排ガス用排気路１３を閉じて、プラズマＣ
ＶＤチャンバー１からプロセス排ガス用排気路１４にシ
ランなどのプロセス排ガスを流す。 薄膜形成工程後のプラズマＣＶＤチャンバー１のプ
ラズマ・クリーニングでは、プロセス排ガス用排気路１
４を閉じ、フッ化窒素排ガス用排気路１３を開いて、プ
ラズマＣＶＤチャンバー１からフッ化窒素排ガス用排気
路１３にフッ化窒素のクリーニング排ガスを流す。 従って、本発明２では、の薄膜形成工程などの半導体
製造工程では、排ガスはプロセス排ガス用排気路１４か
ら排気され、反応器１２による排気抵抗がないので、排
気ポンプ７の排気効率が向上する。また、上記(１)と同
様に、従来技術のような三つの操作は必要ない。
【００１１】
(１) 本発明１及び２では、前記従来技術のような三つ
の操作は必要ないので、除害操作を簡便且つ安価に実施
できる。また、排気ポンプの流通上手側に反応器を配置
するので、排気ポンプの下手側に除害塔を配置した従来
技術に比べて、除害装置をコンパクトにまとめられる。 (２) 本発明２では、排気系を二股状に分岐することに
より、半導体製造工程などでは、プロセス排ガス用排気
路を開きフッ化窒素排ガス用排気路を閉じて、反応器に
よる排気抵抗をなくせるので、排気ポンプの排気効率が
向上し、半導体の生産性を高められる。
の操作は必要ないので、除害操作を簡便且つ安価に実施
できる。また、排気ポンプの流通上手側に反応器を配置
するので、排気ポンプの下手側に除害塔を配置した従来
技術に比べて、除害装置をコンパクトにまとめられる。 (２) 本発明２では、排気系を二股状に分岐することに
より、半導体製造工程などでは、プロセス排ガス用排気
路を開きフッ化窒素排ガス用排気路を閉じて、反応器に
よる排気抵抗をなくせるので、排気ポンプの排気効率が
向上し、半導体の生産性を高められる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は実施例１を示すフッ化窒素排ガスの除害装
置の概略系統図であり、当該除害装置はクリーニング処
理が施されるプラズマＣＶＤ装置を基本構造として構成
される。即ち、プラズマＣＶＤ装置はＣＶＤチャンバー
１とガス供給系２と排気系３から構成され、チャンバー
１の入口１ａにガス供給系２を、チャンバー１の出口１
ｂに排気系３を各々接続し、ＣＶＤチャンバー１のチャ
ンバー室４内に陽極と冷陰極が上下に対向した二極放電
型のプラズマ放電装置１０を配置し、放電装置１０の電
極５を高周波電源６に接続する。上記ガス供給系２は、
ガス供給路にＮＦ3ガス供給ボンベ２ａ、レギュレータ
２ｂ及び流量計２ｃなどを接続して構成され、必要に応
じてヘリウム、窒素などのイナートガスによる希釈ガス
供給系が並設される。
する。図１は実施例１を示すフッ化窒素排ガスの除害装
置の概略系統図であり、当該除害装置はクリーニング処
理が施されるプラズマＣＶＤ装置を基本構造として構成
される。即ち、プラズマＣＶＤ装置はＣＶＤチャンバー
１とガス供給系２と排気系３から構成され、チャンバー
１の入口１ａにガス供給系２を、チャンバー１の出口１
ｂに排気系３を各々接続し、ＣＶＤチャンバー１のチャ
ンバー室４内に陽極と冷陰極が上下に対向した二極放電
型のプラズマ放電装置１０を配置し、放電装置１０の電
極５を高周波電源６に接続する。上記ガス供給系２は、
ガス供給路にＮＦ3ガス供給ボンベ２ａ、レギュレータ
２ｂ及び流量計２ｃなどを接続して構成され、必要に応
じてヘリウム、窒素などのイナートガスによる希釈ガス
供給系が並設される。
【００１３】上記排気系３に排気ポンプ７をＣＶＤチャ
ンバー１に接近させて配置し、当該ポンプ７の流通上手
側に乾式反応器１２を介装する。上記乾式反応器１２
は、ＮＦ3に対して反応性を有するシリコン、チタン、
ゲルマニウム、炭素、タングステン、ホウ素、モリブデ
ン、セレン、テルルなどの反応性処理剤を充填した反応
筒を１筒又は直列状に複数個接続して構成され、反応性
処理剤はバインダーなどでそのまま成形したり、シリカ
ゲル、アルミナゲルなどの多孔性物質に担持される。こ
の場合、上記反応性処理剤にシリコン、チタン、ゲルマ
ニウム、炭素などを選択すると、ＮＦ3を昇華性のフッ
化物に変換できるため、半導体製造装置の排気系に装備
されている既存のスクラバーで容易に除害できる。
ンバー１に接近させて配置し、当該ポンプ７の流通上手
側に乾式反応器１２を介装する。上記乾式反応器１２
は、ＮＦ3に対して反応性を有するシリコン、チタン、
ゲルマニウム、炭素、タングステン、ホウ素、モリブデ
ン、セレン、テルルなどの反応性処理剤を充填した反応
筒を１筒又は直列状に複数個接続して構成され、反応性
処理剤はバインダーなどでそのまま成形したり、シリカ
ゲル、アルミナゲルなどの多孔性物質に担持される。こ
の場合、上記反応性処理剤にシリコン、チタン、ゲルマ
ニウム、炭素などを選択すると、ＮＦ3を昇華性のフッ
化物に変換できるため、半導体製造装置の排気系に装備
されている既存のスクラバーで容易に除害できる。
【００１４】そこで、ウエハー上にＳｉ3Ｎ4の保護膜を
薄膜形成処理し、その後工程としてプラズマＣＶＤ装置
をプラズマ・クリーニングする場合を例にとって、本除
害装置の機能を述べる。排気ポンプ７で排気しながら、
チャンバー１のプラズマ放電装置１０を作動して、ガス
供給系２からチャンバー１内にＮＦ3ガスを導入してプ
ラズマを発生させ、フッ素ラジカルなどの励起活性種で
チャンバー１内に付着したＳｉ3Ｎ4の汚染膜をガス状の
フッ化物(具体的には、ＳｉＦ4など)に変換してチャンバ
ー１内をクリーニングするとともに、ＳｉＦ4などは排
気系３の末尾に配置されたアルカリ・スクラバー１１な
どで除害される。この場合、クリーニング・チャンバー
１から排気系３に排出されたＮＦ3排ガス中には、チャ
ンバー１でプラズマ分解されなかった未反応のＮＦ3や
上記励起活性種同士が再結合したＮＦ3が含有される
が、このＮＦ3は乾式反応器１２を通過する際にＳｉな
どの反応性処理剤に接触し、ＳｉＦ4などのフッ化物に
変換されるので、前記アルカリ・スクラバー１１で容易
に除害される。
薄膜形成処理し、その後工程としてプラズマＣＶＤ装置
をプラズマ・クリーニングする場合を例にとって、本除
害装置の機能を述べる。排気ポンプ７で排気しながら、
チャンバー１のプラズマ放電装置１０を作動して、ガス
供給系２からチャンバー１内にＮＦ3ガスを導入してプ
ラズマを発生させ、フッ素ラジカルなどの励起活性種で
チャンバー１内に付着したＳｉ3Ｎ4の汚染膜をガス状の
フッ化物(具体的には、ＳｉＦ4など)に変換してチャンバ
ー１内をクリーニングするとともに、ＳｉＦ4などは排
気系３の末尾に配置されたアルカリ・スクラバー１１な
どで除害される。この場合、クリーニング・チャンバー
１から排気系３に排出されたＮＦ3排ガス中には、チャ
ンバー１でプラズマ分解されなかった未反応のＮＦ3や
上記励起活性種同士が再結合したＮＦ3が含有される
が、このＮＦ3は乾式反応器１２を通過する際にＳｉな
どの反応性処理剤に接触し、ＳｉＦ4などのフッ化物に
変換されるので、前記アルカリ・スクラバー１１で容易
に除害される。
【００１５】上述のように、本実施例では、排気ポンプ
７の上手側に乾式反応器１２を配置して排気系３を短縮
できるので、排気ポンプ７の下手側に除害塔を配置する
冒述の従来技術に比べて、除害装置全体をコンパクトに
まとめられる。また、上記従来技術では除害塔で煩雑な
操作を必要としたが、本実施例では反応器１２にＮＦ3
排ガスを送給するだけなので、除害処理を簡便且つ安価
に実施できる。
７の上手側に乾式反応器１２を配置して排気系３を短縮
できるので、排気ポンプ７の下手側に除害塔を配置する
冒述の従来技術に比べて、除害装置全体をコンパクトに
まとめられる。また、上記従来技術では除害塔で煩雑な
操作を必要としたが、本実施例では反応器１２にＮＦ3
排ガスを送給するだけなので、除害処理を簡便且つ安価
に実施できる。
【００１６】尚、本実施例では、除害対象になるＮＦ3
排ガスは、薄膜製造に用いたプラズマＣＶＤ装置をＮＦ
3でプラズマ・クリーニングする場合のクリーニング排ガ
スであったが、ドライ・エッチング装置を用いてＮＦ3
で薄膜をプラズマ・エッチングする場合のエッチング排
ガスであっても差し支えない。即ち、プラズマエッチン
グ・チャンバーの排気系に本実施例の乾式反応器を設
け、エッチング・チャンバーからのＮＦ3排ガスをこの
反応器で除害処理するのである。
排ガスは、薄膜製造に用いたプラズマＣＶＤ装置をＮＦ
3でプラズマ・クリーニングする場合のクリーニング排ガ
スであったが、ドライ・エッチング装置を用いてＮＦ3
で薄膜をプラズマ・エッチングする場合のエッチング排
ガスであっても差し支えない。即ち、プラズマエッチン
グ・チャンバーの排気系に本実施例の乾式反応器を設
け、エッチング・チャンバーからのＮＦ3排ガスをこの
反応器で除害処理するのである。
【００１７】図２は本発明の実施例２を示し、チャンバ
ー１と排気ポンプ７との間をフッ化窒素排ガス用排気路
１３と、半導体製造工程などで生じるプロセス排ガスを
排出するプロセス排ガス用排気路１４との二股状に分岐
し、両排気路１３・１４に排ガスを切り替え排気可能に
する操作弁１５ａ〜１５ｃを設け、フッ化窒素排ガス用
排気路１３に上記実施例１の乾式反応器１２を配置した
ものである。
ー１と排気ポンプ７との間をフッ化窒素排ガス用排気路
１３と、半導体製造工程などで生じるプロセス排ガスを
排出するプロセス排ガス用排気路１４との二股状に分岐
し、両排気路１３・１４に排ガスを切り替え排気可能に
する操作弁１５ａ〜１５ｃを設け、フッ化窒素排ガス用
排気路１３に上記実施例１の乾式反応器１２を配置した
ものである。
【００１８】そこで、本実施例２の機能を説明する。 例えば、プラズマＣＶＤ装置による多結晶Ｓｉの薄
膜形成工程などでは、プロセス排ガス用排気路１４の開
閉弁１５ｃを開弁し、フッ化窒素排ガス用排気路１３の
開閉弁１５ａ・１５ｂを閉弁して、ガス供給系２からプ
ラズマＣＶＤチャンバー１にＳｉＨ4などのプロセスガ
スを流し、プロセス排ガス用排気路１４に当該プロセス
の排ガスを流す。 上記薄膜形成工程後のプラズマＣＶＤチャンバー１
のクリーニングでは、プロセス排ガス用排気路１４を閉
じフッ化窒素排ガス用排気路１３を開いて、プラズマＣ
ＶＤチャンバー１からフッ化窒素排ガス用排気路１３に
ＮＦ3のクリーニング排ガスを流す。 本実施例２では、の薄膜形成工程などの半導体製造工
程では、排ガスは専らプロセス排ガス用排気路１４から
排気されるので、反応器１２による排気ポンプ７の排気
抵抗がなく、排気ポンプ７の排気効率が向上する。
膜形成工程などでは、プロセス排ガス用排気路１４の開
閉弁１５ｃを開弁し、フッ化窒素排ガス用排気路１３の
開閉弁１５ａ・１５ｂを閉弁して、ガス供給系２からプ
ラズマＣＶＤチャンバー１にＳｉＨ4などのプロセスガ
スを流し、プロセス排ガス用排気路１４に当該プロセス
の排ガスを流す。 上記薄膜形成工程後のプラズマＣＶＤチャンバー１
のクリーニングでは、プロセス排ガス用排気路１４を閉
じフッ化窒素排ガス用排気路１３を開いて、プラズマＣ
ＶＤチャンバー１からフッ化窒素排ガス用排気路１３に
ＮＦ3のクリーニング排ガスを流す。 本実施例２では、の薄膜形成工程などの半導体製造工
程では、排ガスは専らプロセス排ガス用排気路１４から
排気されるので、反応器１２による排気ポンプ７の排気
抵抗がなく、排気ポンプ７の排気効率が向上する。
【００１９】《試験例》本試験例では、上記実施例１の
プラズマＣＶＤチャンバー１を用い、排気ポンプ７で排
気しながら当該プラズマ・チャンバー１に１００％ＮＦ
3ガスを流し、チャンバー１でプラズマ放電を行いなが
らメタリックＳｉを充填した乾式反応器１２を通過さ
せ、排気ポンプ７の流通下手側の排気系ポイントで排ガ
ス中のＮＦ3濃度を測定した。また、比較例では、上記
乾式反応器を付設しない通常のプラズマＣＶＤ装置を用
い、当該ＣＶＤ装置にＮＦ3を流した場合の排気系での
ＮＦ3濃度を測定した。
プラズマＣＶＤチャンバー１を用い、排気ポンプ７で排
気しながら当該プラズマ・チャンバー１に１００％ＮＦ
3ガスを流し、チャンバー１でプラズマ放電を行いなが
らメタリックＳｉを充填した乾式反応器１２を通過さ
せ、排気ポンプ７の流通下手側の排気系ポイントで排ガ
ス中のＮＦ3濃度を測定した。また、比較例では、上記
乾式反応器を付設しない通常のプラズマＣＶＤ装置を用
い、当該ＣＶＤ装置にＮＦ3を流した場合の排気系での
ＮＦ3濃度を測定した。
【００２０】尚、反応条件は下記の通りであり、排気系
３でのＮＦ3濃度はガスクロマトグラフで測定された。 ＣＶＤチャンバーの高周波電源周波数 １ＭHz 同チャンバーでの印加電力 ２００Ｗ／cm2 チャンバーの温度 ４００℃ ＮＦ3ガスの流量 ３００cc／min 同ガス圧力 １Torr 反応処理剤の充填量 ２００ｇ この結果、ＮＦ3ガスを供給開始した後、３.０時間経過
時点でのＮＦ3濃度は、比較例では２７００ppmであった
が、本試験例ではＮＤであった。
３でのＮＦ3濃度はガスクロマトグラフで測定された。 ＣＶＤチャンバーの高周波電源周波数 １ＭHz 同チャンバーでの印加電力 ２００Ｗ／cm2 チャンバーの温度 ４００℃ ＮＦ3ガスの流量 ３００cc／min 同ガス圧力 １Torr 反応処理剤の充填量 ２００ｇ この結果、ＮＦ3ガスを供給開始した後、３.０時間経過
時点でのＮＦ3濃度は、比較例では２７００ppmであった
が、本試験例ではＮＤであった。
【図１】実施例１を示すフッ化窒素排ガス除害装置の概
略系統図である。
略系統図である。
【図２】実施例２を示す図１の相当図である。
【図３】従来技術を示す図１の相当図である。
１…チャンバー、 ２…ガス供給
系、３…排気系、 ７…排気ポ
ンプ、１０…チャンバーのプラズマ放電装置、１２…乾
式反応器、１３…フッ化窒素排ガス用排気路、 １４
…プロセス排ガス用排気路、１５…操作弁。
系、３…排気系、 ７…排気ポ
ンプ、１０…チャンバーのプラズマ放電装置、１２…乾
式反応器、１３…フッ化窒素排ガス用排気路、 １４
…プロセス排ガス用排気路、１５…操作弁。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐枝 学 滋賀県守山市勝部町1095番地 株式会社岩 谷ガス開発研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ処理チャンバー(１)の排気系
(３)に排気ポンプ７及び除害装置(１２)を設け、プラズ
マ処理チャンバー(１)から排気系(３)に排出されるフッ
化窒素排ガスを除害装置(１２)で除害処理するフッ化窒
素排ガスの除害装置において、上記除害装置(１２)がフ
ッ化窒素に対して反応性を有するシリコン、チタン、ゲ
ルマニウム、炭素などの反応性処理剤を充填した乾式反
応器であり、当該反応器(１２)をチャンバー(１)と排気
ポンプ(７)との間に介装したことを特徴とするフッ化窒
素排ガスの除害装置。 - 【請求項２】 プラズマ処理チャンバー(１)の排気系
(３)に排気ポンプ(７)及び除害装置(１２)を設け、プラ
ズマ処理チャンバー(１)から排気系(３)に排出されるフ
ッ化窒素排ガスを除害装置(１２)で除害処理するフッ化
窒素排ガスの除害装置において、上記除害装置(１２)が
フッ化窒素に対して反応性を有するシリコン、チタン、
ゲルマニウムなどの反応性処理剤を充填した乾式反応器
であり、チャンバー(１)と排気ポンプ(７)との間をフッ
化窒素排ガス用排気路(１３)と、半導体製造工程などで
生じるプロセス排ガスを排出するプロセス排ガス用排気
路(１４)との二股状に分岐し、両排気路(１３)・(１４)
に排ガスを切り替え排気可能にする操作弁(１５)を設
け、フッ化窒素排ガス用排気路(１３)に上記乾式反応器
(１２)を配置したことを特徴とするフッ化窒素排ガスの
除害装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063939A JPH05277341A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | フッ化窒素排ガスの除害装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063939A JPH05277341A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | フッ化窒素排ガスの除害装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05277341A true JPH05277341A (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=13243822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3063939A Pending JPH05277341A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | フッ化窒素排ガスの除害装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05277341A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113172047A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-27 | 四川欧瑞特光电科技有限公司 | 一种光学表面污染物的去除装置及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161619A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-03-29 | Asahi Glass Co Ltd | 排ガスの処理方法 |
| JPS62237929A (ja) * | 1986-04-05 | 1987-10-17 | Daido Sanso Kk | 三フツ化窒素ガスの処理方法およびその装置 |
| JPS6348570A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Canon Inc | カラ−トナ−画像用定着ロ−ラ− |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3063939A patent/JPH05277341A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161619A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-03-29 | Asahi Glass Co Ltd | 排ガスの処理方法 |
| JPS62237929A (ja) * | 1986-04-05 | 1987-10-17 | Daido Sanso Kk | 三フツ化窒素ガスの処理方法およびその装置 |
| JPS6348570A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Canon Inc | カラ−トナ−画像用定着ロ−ラ− |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113172047A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-27 | 四川欧瑞特光电科技有限公司 | 一种光学表面污染物的去除装置及方法 |
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