JPH05283334A - 金属配線層の平坦化方法および平坦化装置 - Google Patents
金属配線層の平坦化方法および平坦化装置Info
- Publication number
- JPH05283334A JPH05283334A JP3320379A JP32037991A JPH05283334A JP H05283334 A JPH05283334 A JP H05283334A JP 3320379 A JP3320379 A JP 3320379A JP 32037991 A JP32037991 A JP 32037991A JP H05283334 A JPH05283334 A JP H05283334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- wiring layer
- laser light
- flattening
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】層間パターンを合わせるための光学的なアライ
メントが可能になる金属配線層の平坦化方法を提供す
る。 【構成】半導体ウェハー１上に金属配線膜１４を生成し
た後に熱線を照射することにより、配線材料を加熱して
流動化させることによって平坦化する際に、ウェハー上
に予め形成されているアライメントマーク用凹凸パター
ン領域５上を避けて熱線を照射し、上記凹凸パターン領
域上を除いて金属配線膜を平坦化することを特徴とす
る。
メントが可能になる金属配線層の平坦化方法を提供す
る。 【構成】半導体ウェハー１上に金属配線膜１４を生成し
た後に熱線を照射することにより、配線材料を加熱して
流動化させることによって平坦化する際に、ウェハー上
に予め形成されているアライメントマーク用凹凸パター
ン領域５上を避けて熱線を照射し、上記凹凸パターン領
域上を除いて金属配線膜を平坦化することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハー上に多
層の金属配線を形成する際に配線層を平坦化する方法お
よび装置に係り、特に金属配線層形成後にレーザー光ビ
ームなどの熱線を照射して平坦化を行う方法および装置
に関する。
層の金属配線を形成する際に配線層を平坦化する方法お
よび装置に係り、特に金属配線層形成後にレーザー光ビ
ームなどの熱線を照射して平坦化を行う方法および装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の素子の微細化に伴い、配線
の接続孔（コンタクトホール、ヴィアホール）が小さく
なると、例えば図５に示すように、半導体基板１１上の
絶縁膜１２上に金属配線層１４を形成する際、絶縁膜１
２に開口された接続孔１３に対する配線層１４のカバレ
ージが悪くなり、接続孔１３内で配線層１４の段切れが
生じる。これを避けるために、基板１１上に配線層１４
を形成する際に、図６に示すように、配線層１４を平坦
化するようにしている。
の接続孔（コンタクトホール、ヴィアホール）が小さく
なると、例えば図５に示すように、半導体基板１１上の
絶縁膜１２上に金属配線層１４を形成する際、絶縁膜１
２に開口された接続孔１３に対する配線層１４のカバレ
ージが悪くなり、接続孔１３内で配線層１４の段切れが
生じる。これを避けるために、基板１１上に配線層１４
を形成する際に、図６に示すように、配線層１４を平坦
化するようにしている。
【０００３】上記したように配線層１４を平坦化する技
術としては、（ａ）配線膜の生成時に半導体基板にバイ
アス電圧を印加する方法（バイアス・スパッタ法、バイ
アスＥＣＲなど）、（ｂ）配線膜の生成時に加熱して配
線材料を流動化させる方法、（ｃ）配線膜の生成後に配
線膜の全面に例えばレーザー光ビームなどを照射するこ
とにより加熱して配線材料を流動化させる方法などがあ
る。
術としては、（ａ）配線膜の生成時に半導体基板にバイ
アス電圧を印加する方法（バイアス・スパッタ法、バイ
アスＥＣＲなど）、（ｂ）配線膜の生成時に加熱して配
線材料を流動化させる方法、（ｃ）配線膜の生成後に配
線膜の全面に例えばレーザー光ビームなどを照射するこ
とにより加熱して配線材料を流動化させる方法などがあ
る。
【０００４】一方、半導体装置の製造に際して、ウェハ
ー上に各層のパターンを形成する時には、フォトリソグ
ラフィ工程で層間のパターンを合わせるアライメントが
必要である。このアライメントは、通常は光学的な認識
方法を用いて行っている。即ち、ウェハー上に所望のパ
ターンを形成する時に、図７に示すように、基板１１上
に予め絶縁層により形成されているアライメントマーク
用の凹凸パターン５ａと、前記所望のパターンが形成さ
れているガラス・マスク８３上のアライメント用パター
ン８４とを、光学系８５を通して合わせる。
ー上に各層のパターンを形成する時には、フォトリソグ
ラフィ工程で層間のパターンを合わせるアライメントが
必要である。このアライメントは、通常は光学的な認識
方法を用いて行っている。即ち、ウェハー上に所望のパ
ターンを形成する時に、図７に示すように、基板１１上
に予め絶縁層により形成されているアライメントマーク
用の凹凸パターン５ａと、前記所望のパターンが形成さ
れているガラス・マスク８３上のアライメント用パター
ン８４とを、光学系８５を通して合わせる。
【０００５】上記基板上の凹凸パターン５ａは、図８に
示すように、通常はＨｅ−Ｎｅレーザー光１６の走査あ
るいは画像認識によって検出される。この際、パターン
認識の精度は、基板１１上の凹凸パターン５ａのエッジ
からの散乱光１６ａによって生じるコントラストの強弱
および鋭さに依存する。
示すように、通常はＨｅ−Ｎｅレーザー光１６の走査あ
るいは画像認識によって検出される。この際、パターン
認識の精度は、基板１１上の凹凸パターン５ａのエッジ
からの散乱光１６ａによって生じるコントラストの強弱
および鋭さに依存する。
【０００６】いま、図９に示すように、基板１１上に金
属配線膜１４を形成した後のフォトリソグラフィ工程で
基板上のアライメントマーク用の凹凸パターン５ａの検
出を行う場合を考える。この場合、通常は、フォトレジ
スト１５を透過してきたアライメント用光１６が金属配
線膜１４の表面で反射するが、この配線膜１４のカバレ
ージ部では反射光の方向が入射光の光軸からそれるの
で、コントラストが生じる。
属配線膜１４を形成した後のフォトリソグラフィ工程で
基板上のアライメントマーク用の凹凸パターン５ａの検
出を行う場合を考える。この場合、通常は、フォトレジ
スト１５を透過してきたアライメント用光１６が金属配
線膜１４の表面で反射するが、この配線膜１４のカバレ
ージ部では反射光の方向が入射光の光軸からそれるの
で、コントラストが生じる。
【０００７】しかし、図１０に示すように、基板１１上
の金属配線膜１４に対して前述したような平坦化を行っ
た後の工程でアライメントマーク用の凹凸パターン５ａ
の検出を行う場合には、フォトレジスト１５を透過して
きたアライメント用光１６が金属配線膜１４の表面で反
射する光に変化がなくなり、コントラストが生じなくな
るので、前述したようなアライメントが不可能になる。
の金属配線膜１４に対して前述したような平坦化を行っ
た後の工程でアライメントマーク用の凹凸パターン５ａ
の検出を行う場合には、フォトレジスト１５を透過して
きたアライメント用光１６が金属配線膜１４の表面で反
射する光に変化がなくなり、コントラストが生じなくな
るので、前述したようなアライメントが不可能になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
金属配線層の平坦化方法は、金属配線層の平坦化後に層
間パターンを合わせるための光学的なアライメントが不
可能になるという問題があった。
金属配線層の平坦化方法は、金属配線層の平坦化後に層
間パターンを合わせるための光学的なアライメントが不
可能になるという問題があった。
【０００９】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、層間パターンを合わせるための光学的なアラ
イメントが可能になる金属配線層の平坦化方法を提供す
ることを目的とする。
たもので、層間パターンを合わせるための光学的なアラ
イメントが可能になる金属配線層の平坦化方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェハ
ー上に金属配線膜を生成した後に熱線を照射することに
より、配線材料を加熱して流動化させることによって平
坦化する際に、上記ウェハー上に予め形成されているア
ライメントマーク用凹凸パターン領域上を避けて熱線を
照射し、上記凹凸パターン領域上を除いて金属配線膜を
平坦化することを特徴とする。
ー上に金属配線膜を生成した後に熱線を照射することに
より、配線材料を加熱して流動化させることによって平
坦化する際に、上記ウェハー上に予め形成されているア
ライメントマーク用凹凸パターン領域上を避けて熱線を
照射し、上記凹凸パターン領域上を除いて金属配線膜を
平坦化することを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明の平坦化方法によれば、半導体ウェハー
上に金属配線膜を生成した後に熱線を照射することによ
り平坦化する際に、アライメントマーク用の凹凸パター
ンの領域を避けるように熱熱線の照射領域を制限してい
る。
上に金属配線膜を生成した後に熱線を照射することによ
り平坦化する際に、アライメントマーク用の凹凸パター
ンの領域を避けるように熱熱線の照射領域を制限してい
る。
【００１２】これにより、金属配線層平坦化後の工程で
アライメントマーク用の凹凸パターンの検出を行う場
合、アライメント用光が金属配線層の表面で反射し、こ
の金属配線層のカバレージ部では反射の方向が入射光の
光軸からそれる。従って、反射光ひいてはパターン認識
装置の受光信号のコントラストが生じ、アライメントマ
ーク用の凹凸パターンの検出が可能になる。また、本発
明の平坦化装置によれば、本発明の平坦化方法を容易に
実現することができる。
アライメントマーク用の凹凸パターンの検出を行う場
合、アライメント用光が金属配線層の表面で反射し、こ
の金属配線層のカバレージ部では反射の方向が入射光の
光軸からそれる。従って、反射光ひいてはパターン認識
装置の受光信号のコントラストが生じ、アライメントマ
ーク用の凹凸パターンの検出が可能になる。また、本発
明の平坦化装置によれば、本発明の平坦化方法を容易に
実現することができる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】図１は、本発明の金属配線層の平坦化方法
を適用する半導体ウェハー１の上面を示している。この
ウェハー１は、複数のチップ領域２…を有し、図中３は
１回のパターン露光操作により露光可能な範囲を示して
いる。
を適用する半導体ウェハー１の上面を示している。この
ウェハー１は、複数のチップ領域２…を有し、図中３は
１回のパターン露光操作により露光可能な範囲を示して
いる。
【００１５】図２は、上記パターン露光範囲３を取り出
して拡大して示している。４はチップ領域２…間の領域
であり、このチップ間領域４…はウェハープロセス終了
後に個々のチップ領域２…に分割する場合にダイシング
される領域である。
して拡大して示している。４はチップ領域２…間の領域
であり、このチップ間領域４…はウェハープロセス終了
後に個々のチップ領域２…に分割する場合にダイシング
される領域である。
【００１６】上記パターン露光範囲４内には、特定位置
にアライメントマーク用の凹凸パターン領域５が形成さ
れている。例えば前記チップ間領域４…において互いに
直交する二方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に各１個づつ凹凸パ
ターン領域５が形成されている。この凹凸パターン領域
５は、例えば図３に示すように、ウェハー１上に絶縁層
がＸ方向あるいはＹ方向に間欠的に形成された凹凸パタ
ーン５ａを有する。この凹凸パターン５ａの形状は、露
光装置によって様々である。
にアライメントマーク用の凹凸パターン領域５が形成さ
れている。例えば前記チップ間領域４…において互いに
直交する二方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に各１個づつ凹凸パ
ターン領域５が形成されている。この凹凸パターン領域
５は、例えば図３に示すように、ウェハー１上に絶縁層
がＸ方向あるいはＹ方向に間欠的に形成された凹凸パタ
ーン５ａを有する。この凹凸パターン５ａの形状は、露
光装置によって様々である。
【００１７】ここで、図６および図９を参照して、上記
ウェハー１上に金属配線層を形成して平坦化する方法の
一例を説明する。半導体基板１１上に、トランジスタ、
抵抗、キャパシタなどの素子を形成する。この後、基板
上の層間絶縁膜１２に対して通常のフォトリソグラフィ
とＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法を用いて電極取
り出し用の孔１３を開ける。同時に、基板１１上の特定
位置にアライメントマーク用の凹凸パターン５ａを形成
する。この凹凸パターン５ａは、凸部（絶縁層）の厚さ
を１．０ミクロン、幅を２．０ミクロンとした。次に、
基板上の全面に、第１層の金属配線膜１４として、例え
ばアルミニウム系合金膜（例えばシリコン１％を含むア
ルミニウム膜）を通常のスパッタ法により１．０ミクロ
ンの厚みで生成する。
ウェハー１上に金属配線層を形成して平坦化する方法の
一例を説明する。半導体基板１１上に、トランジスタ、
抵抗、キャパシタなどの素子を形成する。この後、基板
上の層間絶縁膜１２に対して通常のフォトリソグラフィ
とＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法を用いて電極取
り出し用の孔１３を開ける。同時に、基板１１上の特定
位置にアライメントマーク用の凹凸パターン５ａを形成
する。この凹凸パターン５ａは、凸部（絶縁層）の厚さ
を１．０ミクロン、幅を２．０ミクロンとした。次に、
基板上の全面に、第１層の金属配線膜１４として、例え
ばアルミニウム系合金膜（例えばシリコン１％を含むア
ルミニウム膜）を通常のスパッタ法により１．０ミクロ
ンの厚みで生成する。
【００１８】この後、上記金属配線膜１４を平坦化する
ために、金属配線膜１４にレーザー光ビームを走査させ
ながら照射することにより、配線材料を加熱して溶融状
態にする（流動化させる）ことによって平坦化する。こ
の際、上記基板１１上に予め形成されている前記アライ
メントマーク用の凹凸パターン領域５…上を避けてレー
ザー光ビームを選択的に照射し、アライメントマーク用
の凹凸パターン５ａ上に金属配線膜１４の凹凸パターン
を残して平坦化する。上記レーザー光として、例えばＡ
ｒＦエキシマレーザー光を使用し、パルスエネルギー密
度は８．５Ｊ／ｃｍ2 に設定した。
ために、金属配線膜１４にレーザー光ビームを走査させ
ながら照射することにより、配線材料を加熱して溶融状
態にする（流動化させる）ことによって平坦化する。こ
の際、上記基板１１上に予め形成されている前記アライ
メントマーク用の凹凸パターン領域５…上を避けてレー
ザー光ビームを選択的に照射し、アライメントマーク用
の凹凸パターン５ａ上に金属配線膜１４の凹凸パターン
を残して平坦化する。上記レーザー光として、例えばＡ
ｒＦエキシマレーザー光を使用し、パルスエネルギー密
度は８．５Ｊ／ｃｍ2 に設定した。
【００１９】上記実施例の平坦化方法によれば、半導体
ウェハー上に金属配線膜１４を生成した後にレーザー光
ビームを照射することにより平坦化する際に、アライメ
ントマーク用の凹凸パターン領域５…上を避けるように
照射領域を制限しているので、図９に示したように、ア
ライメントマーク用の凹凸パターン５ａ上に金属配線膜
１４の凹凸パターンが残っている。
ウェハー上に金属配線膜１４を生成した後にレーザー光
ビームを照射することにより平坦化する際に、アライメ
ントマーク用の凹凸パターン領域５…上を避けるように
照射領域を制限しているので、図９に示したように、ア
ライメントマーク用の凹凸パターン５ａ上に金属配線膜
１４の凹凸パターンが残っている。
【００２０】これにより、金属配線層平坦化後のフォト
リソグラフィ工程でアライメントマーク用の凹凸パター
ン５ａの検出を行う場合、図９に示したように、フォト
レジスト１５を透過してきたアライメント用光１６が金
属配線膜１４の表面で反射し、この金属配線膜１４のカ
バレージ部では反射光の方向が入射光の光軸からそれ
る。
リソグラフィ工程でアライメントマーク用の凹凸パター
ン５ａの検出を行う場合、図９に示したように、フォト
レジスト１５を透過してきたアライメント用光１６が金
属配線膜１４の表面で反射し、この金属配線膜１４のカ
バレージ部では反射光の方向が入射光の光軸からそれ
る。
【００２１】従って、反射光ひいてはパターン認識装置
の受光信号のコントラストが生じ、アライメントマーク
用の凹凸パターン５ａの検出が可能になる。この場合、
パターン認識の精度は、金属配線膜１４のカバレージ部
からの散乱光によって生じるコントラストの強弱および
鋭さに依存するが、上記実施例によれば十分良好な認識
精度が得られる。
の受光信号のコントラストが生じ、アライメントマーク
用の凹凸パターン５ａの検出が可能になる。この場合、
パターン認識の精度は、金属配線膜１４のカバレージ部
からの散乱光によって生じるコントラストの強弱および
鋭さに依存するが、上記実施例によれば十分良好な認識
精度が得られる。
【００２２】なお、前記レーザー光として、ＡｒＦエキ
シマレーザー光を用いると、波長（１９３ｎｍ）が短い
ので金属配線層の表面だけを加熱でき、平坦化を良好に
行うことができる。また、前記レーザー光ビームに限ら
ず、その他の熱線、例えば電子線などを照射してもよ
い。また、金属配線膜としては、例えばアルミニウム
膜、銅あるいは銅系合金膜などを用いてもよい。
シマレーザー光を用いると、波長（１９３ｎｍ）が短い
ので金属配線層の表面だけを加熱でき、平坦化を良好に
行うことができる。また、前記レーザー光ビームに限ら
ず、その他の熱線、例えば電子線などを照射してもよ
い。また、金属配線膜としては、例えばアルミニウム
膜、銅あるいは銅系合金膜などを用いてもよい。
【００２３】図４は、上記平坦化方法を実現するための
平坦化装置の一実施例の構成を模式的に示している。こ
こで、５１はレーザー光源、５２はレーザー光、５３は
レーザー光源から送出されるレーザー光を反射させるた
めの反射ミラー、５４は反射ミラーから反射してくるレ
ーザー光をウェハー１上に照射するための光学レンズ
系、５５はウェハー１を載置してＸ、Ｙ方向に駆動する
ためのＸ−Ｙステージ、５６はレーザー光照射領域設定
信号入力に基づいてＸ−ＹステージをＸ−Ｙ方向に駆動
するためのＸ−Ｙステージ駆動系、５７は前記レーザー
光源５１の前方（レーザー光送出方向）に配設されたレ
ーザー光断続制御用のシャッター、５８はＸ−Ｙステー
ジ駆動系から与えられるステージ位置情報に基づいて上
記シャッターを駆動してレーザー光を断続させるシャッ
ター駆動系である。
平坦化装置の一実施例の構成を模式的に示している。こ
こで、５１はレーザー光源、５２はレーザー光、５３は
レーザー光源から送出されるレーザー光を反射させるた
めの反射ミラー、５４は反射ミラーから反射してくるレ
ーザー光をウェハー１上に照射するための光学レンズ
系、５５はウェハー１を載置してＸ、Ｙ方向に駆動する
ためのＸ−Ｙステージ、５６はレーザー光照射領域設定
信号入力に基づいてＸ−ＹステージをＸ−Ｙ方向に駆動
するためのＸ−Ｙステージ駆動系、５７は前記レーザー
光源５１の前方（レーザー光送出方向）に配設されたレ
ーザー光断続制御用のシャッター、５８はＸ−Ｙステー
ジ駆動系から与えられるステージ位置情報に基づいて上
記シャッターを駆動してレーザー光を断続させるシャッ
ター駆動系である。
【００２４】上記平坦化装置を使用すれば、ウェハー１
上に形成された金属配線膜を平坦化するために、金属配
線膜にレーザー光ビームを走査させながら照射すること
により、配線材料を加熱して溶融状態にすることによっ
て平坦化することが可能になる。この際、上記ウェハー
１上に予め形成されているアライメントマーク用の凹凸
パターンの領域を避けてレーザー光ビームを選択的に照
射するようにシャッター５７を断続制御し、アライメン
トマーク用の凹凸パターン上に金属配線膜の凹凸パター
ンを残して平坦化することが可能になる。即ち、上記実
施例の金属配線層の平坦化装置によれば、前述したよう
な金属配線層の平坦化方法を容易に実現することができ
る。
上に形成された金属配線膜を平坦化するために、金属配
線膜にレーザー光ビームを走査させながら照射すること
により、配線材料を加熱して溶融状態にすることによっ
て平坦化することが可能になる。この際、上記ウェハー
１上に予め形成されているアライメントマーク用の凹凸
パターンの領域を避けてレーザー光ビームを選択的に照
射するようにシャッター５７を断続制御し、アライメン
トマーク用の凹凸パターン上に金属配線膜の凹凸パター
ンを残して平坦化することが可能になる。即ち、上記実
施例の金属配線層の平坦化装置によれば、前述したよう
な金属配線層の平坦化方法を容易に実現することができ
る。
【００２５】なお、本発明の金属配線層の平坦化装置
は、上記実施例に限らず、レーザー光源５１としてエキ
シマレーザー光源を用い、Ｘ−Ｙステージ駆動系５６か
ら与えられるステージ位置情報に基づいてエキシマレー
ザー光源を直接に断続制御するようにすれば、前記シャ
ッター５７およびシャッター駆動系５８を省略できる。
は、上記実施例に限らず、レーザー光源５１としてエキ
シマレーザー光源を用い、Ｘ−Ｙステージ駆動系５６か
ら与えられるステージ位置情報に基づいてエキシマレー
ザー光源を直接に断続制御するようにすれば、前記シャ
ッター５７およびシャッター駆動系５８を省略できる。
【００２６】また、レーザー光照射領域設定信号入力に
基づいて前記反射ミラー５３あるいは光学レンズ系５４
を制御することによりレーザー光照射位置を制御するよ
うにすれば、前記Ｘ−Ｙステージ５５およびＸ−Ｙステ
ージ駆動系５６を省略できる。
基づいて前記反射ミラー５３あるいは光学レンズ系５４
を制御することによりレーザー光照射位置を制御するよ
うにすれば、前記Ｘ−Ｙステージ５５およびＸ−Ｙステ
ージ駆動系５６を省略できる。
【００２７】また、レーザー光に代えて金属配線層の溶
融が可能な熱エネルギーを有する電子ビームを常時発生
させ、この電子ビームをビームシャッターにより断続制
御するように実施することも可能である。
融が可能な熱エネルギーを有する電子ビームを常時発生
させ、この電子ビームをビームシャッターにより断続制
御するように実施することも可能である。
【００２８】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、層間パ
ターンを合わせるための光学的なアライメントが可能に
なる金属配線層の平坦化方法およびそれを容易に実現し
得る金属配線層の平坦化装置を提供できる。
ターンを合わせるための光学的なアライメントが可能に
なる金属配線層の平坦化方法およびそれを容易に実現し
得る金属配線層の平坦化装置を提供できる。
【図１】本発明の平坦化方法を適用する半導体ウェハー
の上面を示す平面図。
の上面を示す平面図。
【図２】図１中のパターン露光範囲を取り出して拡大し
て示す平面図。
て示す平面図。
【図３】図２中のアライメントマーク用の凹凸パターン
領域における凹凸パターンの一例を示す平面図。
領域における凹凸パターンの一例を示す平面図。
【図４】本発明の平坦化装置の一実施例の構成を模式的
に示す図。
に示す図。
【図５】半導体装置の製造に際して接続孔に対する配線
層のカバレージが悪い状態を示す断面図。
層のカバレージが悪い状態を示す断面図。
【図６】半導体装置の製造に際して配線層を平坦化した
状態を示す断面図。
状態を示す断面図。
【図７】半導体装置の製造に際してウェハー上のアライ
メントマーク用の凹凸パターンとガラス・マスク上のア
ライメント用パターンとの光学的アライメントを行う様
子を模式的に示す図。
メントマーク用の凹凸パターンとガラス・マスク上のア
ライメント用パターンとの光学的アライメントを行う様
子を模式的に示す図。
【図８】半導体装置の製造に際してアライメント時にア
ライメントマーク用の凹凸パターンからのアライメント
用反射光の経路を示す図。
ライメントマーク用の凹凸パターンからのアライメント
用反射光の経路を示す図。
【図９】半導体装置の製造に際してウェハー上に金属配
線膜を形成した後のフォトリソグラフィ工程におけるア
ライメント時のアライメント用反射光の経路を示す図。
線膜を形成した後のフォトリソグラフィ工程におけるア
ライメント時のアライメント用反射光の経路を示す図。
【図１０】半導体装置の製造に際してウェハー上に金属
配線膜を形成した後に平坦化を行った後のフォトリソグ
ラフィ工程におけるアライメント時のアライメント用反
射光の経路を示す図。
配線膜を形成した後に平坦化を行った後のフォトリソグ
ラフィ工程におけるアライメント時のアライメント用反
射光の経路を示す図。
１…半導体ウェハー、２…チップ領域、３…パターン露
光範囲、４…チップ間領域、５…アライメントマーク用
の凹凸パターン領域、５ａ…アライメントマーク用の凹
凸パターン、１１…半導体基板、１２…絶縁膜、１３…
接続孔、１４…金属配線膜、１５…フォトレジスト、１
６…アライメント用光、５１…レーザー光源、５２…レ
ーザー光、５３…反射ミラー、５４…光学レンズ系、５
５…Ｘ−Ｙステージ、５６…Ｘ−Ｙステージ駆動系、５
７…シャッター、５８…シャッター駆動系。
光範囲、４…チップ間領域、５…アライメントマーク用
の凹凸パターン領域、５ａ…アライメントマーク用の凹
凸パターン、１１…半導体基板、１２…絶縁膜、１３…
接続孔、１４…金属配線膜、１５…フォトレジスト、１
６…アライメント用光、５１…レーザー光源、５２…レ
ーザー光、５３…反射ミラー、５４…光学レンズ系、５
５…Ｘ−Ｙステージ、５６…Ｘ−Ｙステージ駆動系、５
７…シャッター、５８…シャッター駆動系。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7735−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｋ 7735−4Ｍ Ｎ
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体ウェハー上に金属配線膜を生成し
た後に熱線を照射することにより、配線材料を加熱して
流動化させることによって平坦化する際に、 上記ウェハー上に予め形成されているアライメントマー
ク用凹凸パターン領域上を避けて熱線を照射し、上記凹
凸パターン領域上を除いて金属配線膜を平坦化すること
を特徴とする金属配線層の平坦化方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の金属配線層の平坦化方法
において、前記金属配線膜はアルミニウム膜あるいはア
ルミニウム系合金膜であることを特徴とする金属配線層
の平坦化方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の金属配線層の平
坦化方法において、前記熱線はレーザー光ビームである
ことを特徴とする金属配線層の平坦化方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の金属配線層の平坦化方法
において、前記レーザー光はエキシマレーザー光である
ことを特徴とする金属配線層の平坦化方法。 - 【請求項５】 半導体ウェハー上に形成された金属配線
膜に熱線を走査させながら照射することにより、配線材
料を加熱して溶融状態にすることによって平坦化する金
属配線層の平坦化装置において、 前記熱線を照射する際、前記ウェハー上に予め形成され
ているアライメントマーク用凹凸パターン領域上を避け
て熱線を照射する選択的照射手段を具備することを特徴
とする金属配線層の平坦化装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の金属配線層の平坦化装置
において、前記熱線はレーザー光ビームであり、このレ
ーザー光ビームを走査させるために、レーザー光の照射
経路に配設された反射ミラーあるいは光学レンズ系を制
御する手段を有することを特徴とする金属配線層の平坦
化装置。 - 【請求項７】 請求項５または６記載の金属配線層の平
坦化装置において、前記熱線はエキシマレーザー光ビー
ムであり、前記選択的照射手段は上記エキシマレーザー
光の光源を断続制御することを特徴とする金属配線層の
平坦化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3320379A JPH05283334A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 金属配線層の平坦化方法および平坦化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3320379A JPH05283334A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 金属配線層の平坦化方法および平坦化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283334A true JPH05283334A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=18120820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3320379A Pending JPH05283334A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 金属配線層の平坦化方法および平坦化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283334A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003318372A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 電子装置の製造方法及び製造装置 |
| US7361849B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-04-22 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP3320379A patent/JPH05283334A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7361849B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-04-22 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7371976B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-05-13 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7385146B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-06-10 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7388159B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-06-17 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7449791B2 (en) * | 1996-12-19 | 2008-11-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit boards and method of producing the same |
| US7585541B2 (en) | 1996-12-19 | 2009-09-08 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7615162B2 (en) | 1996-12-19 | 2009-11-10 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7712212B2 (en) | 1996-12-19 | 2010-05-11 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board |
| USRE43509E1 (en) | 1996-12-19 | 2012-07-17 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| JP2003318372A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 電子装置の製造方法及び製造装置 |
| US7526858B2 (en) | 2002-04-25 | 2009-05-05 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for making electronic devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5716759A (en) | Method and apparatus for producing integrated circuit devices | |
| US5109149A (en) | Laser, direct-write integrated circuit production system | |
| JP3034428B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びにアライメント方法 | |
| US6552779B2 (en) | Flying image of a maskless exposure system | |
| CN100402220C (zh) | 用于去除薄膜的方法和装置 | |
| JPS61268042A (ja) | 半導体装置の冗長回路 | |
| US20030081188A1 (en) | Exposure process and exposure device | |
| JPH07221006A (ja) | 平坦化膜の形成方法およびその形成装置 | |
| JPH10142530A (ja) | 光変調デバイス、その製造方法および表示装置 | |
| JP2000252176A (ja) | 半導体ダイ | |
| JPH05283334A (ja) | 金属配線層の平坦化方法および平坦化装置 | |
| JP3736693B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィ用マスクおよびその製造方法 | |
| JPH11156563A (ja) | レーザ光による微小マーキング装置とそのマーキング方法 | |
| JPH0274022A (ja) | 露光装置およびパターン形成方法 | |
| JP3191918B2 (ja) | 微小ドットマークが刻印されてなる半導体ウェハ | |
| US6777172B2 (en) | Method and apparatus for using an excimer laser to pattern electrodeposited photoresist | |
| JPH11354415A (ja) | アライメントマークの形成方法、アライメント方法、半導体装置の製造方法及び露光装置 | |
| JPH1048810A (ja) | リソグラフィ方法 | |
| JP2000180648A (ja) | 光導波路素子の加工方法 | |
| JP2555046B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2002211030A (ja) | Ｌｅｄプリントヘッド及びその製造方法 | |
| JPH09223648A (ja) | 半導体ウェ−ハのマ−キング方法及びマ−キング装置 | |
| JP2850805B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH0574681A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP2001210573A (ja) | アライメントマークの形成方法 |