JPH05283724A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05283724A JPH05283724A JP4079807A JP7980792A JPH05283724A JP H05283724 A JPH05283724 A JP H05283724A JP 4079807 A JP4079807 A JP 4079807A JP 7980792 A JP7980792 A JP 7980792A JP H05283724 A JPH05283724 A JP H05283724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- photovoltaic device
- electrode
- electrode film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、絶縁基板の種類に関係なく、かつ
簡単に入射光を透過する光起電力装置を形成することを
目的とする。形成することを目的とするものである。 【構成】 本発明は、薄膜状基板２の絶縁表面に、第１
電極膜３ａ、３ｂ、３ｃ半導体光活性層６ａ、６ｂ、６
ｃ及び第２電極膜７ａ、７ｂ、７ｃを積層形成した後、
基板２及びその上の上記積層体の全てを貫通する複数の
小孔１１を機械的に形成したことを特徴とする。
簡単に入射光を透過する光起電力装置を形成することを
目的とする。形成することを目的とするものである。 【構成】 本発明は、薄膜状基板２の絶縁表面に、第１
電極膜３ａ、３ｂ、３ｃ半導体光活性層６ａ、６ｂ、６
ｃ及び第２電極膜７ａ、７ｂ、７ｃを積層形成した後、
基板２及びその上の上記積層体の全てを貫通する複数の
小孔１１を機械的に形成したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽光発電に利用され
る光起電力装置の製造方法に関する。
る光起電力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス等の透光性絶縁基板の表面に、酸
化インジウム錫、酸化錫等の透光性の第１電極膜と、非
晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド等の非晶質半
導体からなる半導体光活性層と、金属等の第２電極膜と
を積層形成し、少なくとも第２電極膜を部分的に除去し
て、入射光の一部を透過する複数の透過孔を形成した光
起電力装置は、サンルーフ等への使用に有用であるとし
て、既に知られている（実開昭６３−１７４４６８号公
報）。
化インジウム錫、酸化錫等の透光性の第１電極膜と、非
晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド等の非晶質半
導体からなる半導体光活性層と、金属等の第２電極膜と
を積層形成し、少なくとも第２電極膜を部分的に除去し
て、入射光の一部を透過する複数の透過孔を形成した光
起電力装置は、サンルーフ等への使用に有用であるとし
て、既に知られている（実開昭６３−１７４４６８号公
報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】然るに、上述の開示技
術によれば、複数の透過孔は、フォトリソグラフィ法に
よる選択的なウエットエッチング加工により形成されて
いた。従って、例えば、光起電力装置に可撓性を持たせ
るべく絶縁基板を高分子樹脂フィルムにて構成した場
合、ウエットエッチングでは、高分子樹脂フィルムが吸
水性を有するため、適宜に透過孔を形成することができ
ない。
術によれば、複数の透過孔は、フォトリソグラフィ法に
よる選択的なウエットエッチング加工により形成されて
いた。従って、例えば、光起電力装置に可撓性を持たせ
るべく絶縁基板を高分子樹脂フィルムにて構成した場
合、ウエットエッチングでは、高分子樹脂フィルムが吸
水性を有するため、適宜に透過孔を形成することができ
ない。
【０００４】また、絶縁基板として、表面が絶縁処理さ
れたステンレス等の非透光性基板を用いた場合、電極膜
に透過孔を形成したとしても、その透過孔を透過した光
は、絶縁基板を透過することはできない。
れたステンレス等の非透光性基板を用いた場合、電極膜
に透過孔を形成したとしても、その透過孔を透過した光
は、絶縁基板を透過することはできない。
【０００５】更に、上述のように選択エッチング加工を
用いて透過孔を形成する方法にあっては、レジスト塗
布、エッチング等の複雑な工程を要する。
用いて透過孔を形成する方法にあっては、レジスト塗
布、エッチング等の複雑な工程を要する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板の種
類に関係なく簡単に入射光の透過孔を形成することを目
的とするものであり、薄膜状基板の絶縁表面に、第１電
極膜、半導体光活性層及び第２電極膜を積層形成した
後、上記基板及びその上の上記積層体の全てを貫通する
複数の小孔を機械的に形成することを特徴としている。
類に関係なく簡単に入射光の透過孔を形成することを目
的とするものであり、薄膜状基板の絶縁表面に、第１電
極膜、半導体光活性層及び第２電極膜を積層形成した
後、上記基板及びその上の上記積層体の全てを貫通する
複数の小孔を機械的に形成することを特徴としている。
【０００７】
【作用】本発明によれば、薄膜状基板と、この絶縁表面
に積層形成された第１電極膜、半導体光活性層及び第２
電極膜との全てを貫通する複数の小孔を機械的に形成す
ることにより、基板の種類に関係なく、小孔を通して光
が透過する。
に積層形成された第１電極膜、半導体光活性層及び第２
電極膜との全てを貫通する複数の小孔を機械的に形成す
ることにより、基板の種類に関係なく、小孔を通して光
が透過する。
【０００８】
【実施例】図１〜図４は、本発明の光起電力装置の製造
方法を工程順に示す断面図である。
方法を工程順に示す断面図である。
【０００９】図１の工程において、ガラス、セラミック
ス、金属等からなる支持基板１上に、ポリイミド等の高
分子樹脂フィルムからなる膜厚５〜１００μｍの薄膜状
の絶縁基板２が形成される。その後、絶縁基板２の上面
に、隣接間隔部ａｂ、ｂｃを隔てて第１電極膜３ａ、３
ｂ、３ｃが分離形成される。これら第１電極膜３ａ、３
ｂ、３ｃは、絶縁基板２が透光性を備える場合、酸化イ
ンジウム錫、酸化錫等の透明導電膜からなり、絶縁基板
２が非透光性である場合、アルミニウム、チタン、銀等
の金属膜からなる。
ス、金属等からなる支持基板１上に、ポリイミド等の高
分子樹脂フィルムからなる膜厚５〜１００μｍの薄膜状
の絶縁基板２が形成される。その後、絶縁基板２の上面
に、隣接間隔部ａｂ、ｂｃを隔てて第１電極膜３ａ、３
ｂ、３ｃが分離形成される。これら第１電極膜３ａ、３
ｂ、３ｃは、絶縁基板２が透光性を備える場合、酸化イ
ンジウム錫、酸化錫等の透明導電膜からなり、絶縁基板
２が非透光性である場合、アルミニウム、チタン、銀等
の金属膜からなる。
【００１０】更に、第１電極膜３ａ、３ｂ、３ｃの一側
縁上（図中、左側縁）に、隣接間隔部ａｂ、ｂｃと平行
に、隣接間隔部ａｂ、ｂｃに近い側から、可撓性を有す
る金属ペーストからなる導電部材４ａｂ、４ｂｃと、可
撓性を有する絶縁ペーストからなる絶縁部材５ａｂ、５
ｂｃとが帯状に並列形成される。
縁上（図中、左側縁）に、隣接間隔部ａｂ、ｂｃと平行
に、隣接間隔部ａｂ、ｂｃに近い側から、可撓性を有す
る金属ペーストからなる導電部材４ａｂ、４ｂｃと、可
撓性を有する絶縁ペーストからなる絶縁部材５ａｂ、５
ｂｃとが帯状に並列形成される。
【００１１】図２の工程において、第１電極膜３ａ、３
ｂ、３ｃ、導電部材４ａｂ、４ｂｃ及び絶縁部材５ａ
ｂ、５ｂｃを含んで絶縁基板２の略全面に、ｐｎ、ｐｉ
ｎ接合等の半導体接合を備え、非晶質シリコン、非晶質
シリコンカーバイド等からなる半導体光活性層６が、プ
ラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法等により形成される。
ｂ、３ｃ、導電部材４ａｂ、４ｂｃ及び絶縁部材５ａ
ｂ、５ｂｃを含んで絶縁基板２の略全面に、ｐｎ、ｐｉ
ｎ接合等の半導体接合を備え、非晶質シリコン、非晶質
シリコンカーバイド等からなる半導体光活性層６が、プ
ラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法等により形成される。
【００１２】続いて、半導体光活性層６上に、第２電極
膜７が形成される。この第２電極膜７は、第１電極膜３
ａ、３ｂ、３ｃが透光性を備える場合、アルミニウム、
チタン、銀等の金属膜からなり、逆に、第１電極膜３
ａ、３ｂ、３ｃが非透光性である場合、酸化インジウム
錫、酸化錫等の透明導電膜からなる。
膜７が形成される。この第２電極膜７は、第１電極膜３
ａ、３ｂ、３ｃが透光性を備える場合、アルミニウム、
チタン、銀等の金属膜からなり、逆に、第１電極膜３
ａ、３ｂ、３ｃが非透光性である場合、酸化インジウム
錫、酸化錫等の透明導電膜からなる。
【００１３】更に、導電部材４ａｂ、４ｂｃと、絶縁部
材５ａｂ、５ｂｃとの表面に位置する半導体光活性層６
及び第２電極膜７の積層部分に、レーザビームが照射さ
れる。この照射により、導電部材４ａｂ、４ｂｃの表面
に位置する積層部分は、溶融してシリサイド合金とな
り、導電部材４ａｂ、４ｂｃと当接する。一方、絶縁部
材５ａｂ、５ｂｃの表面に位置する積層部分は、レーザ
ビームの照射により除去される。その結果、複数に分離
された第２電極膜７ａ、７ｂ、７ｃが形成されると共
に、第２電極膜７ａ、７ｂと第１電極膜３ｂ、３ｃとの
電気的接続がなされる。
材５ａｂ、５ｂｃとの表面に位置する半導体光活性層６
及び第２電極膜７の積層部分に、レーザビームが照射さ
れる。この照射により、導電部材４ａｂ、４ｂｃの表面
に位置する積層部分は、溶融してシリサイド合金とな
り、導電部材４ａｂ、４ｂｃと当接する。一方、絶縁部
材５ａｂ、５ｂｃの表面に位置する積層部分は、レーザ
ビームの照射により除去される。その結果、複数に分離
された第２電極膜７ａ、７ｂ、７ｃが形成されると共
に、第２電極膜７ａ、７ｂと第１電極膜３ｂ、３ｃとの
電気的接続がなされる。
【００１４】図３の工程において、第２電極膜７ａ、７
ｂ、７ｃを含んで積層体を被覆するように、ポリイミ
ド、ＥＶＡ、ＰＥＴ等の高分子樹脂フィルムからなる保
護膜８が形成される。続いて、これまでの工程で製造さ
れたものを水中に浸漬することにより、支持基板１から
絶縁基板２が剥離され、可撓性の光起電力装置９が形成
される。
ｂ、７ｃを含んで積層体を被覆するように、ポリイミ
ド、ＥＶＡ、ＰＥＴ等の高分子樹脂フィルムからなる保
護膜８が形成される。続いて、これまでの工程で製造さ
れたものを水中に浸漬することにより、支持基板１から
絶縁基板２が剥離され、可撓性の光起電力装置９が形成
される。
【００１５】図４に示す最終工程では、複数の金属刃を
備えるホールカッタ装置１０を用いて、光起電力装置９
を完全に貫通する複数の透過孔１１が、機械的に形成さ
れる。これら透過孔１１は、第２電極膜７ａ、７ｂと第
１電極膜３ｂ、３ｃとの電気的接続に悪影響を与えるこ
とがないように、この部分を除いて形成される。こうし
て、複数の透過孔１１を備えた光起電力装置９が製造さ
れる。
備えるホールカッタ装置１０を用いて、光起電力装置９
を完全に貫通する複数の透過孔１１が、機械的に形成さ
れる。これら透過孔１１は、第２電極膜７ａ、７ｂと第
１電極膜３ｂ、３ｃとの電気的接続に悪影響を与えるこ
とがないように、この部分を除いて形成される。こうし
て、複数の透過孔１１を備えた光起電力装置９が製造さ
れる。
【００１６】尚、本発明の光起電力装置９をサンルーフ
等として使用する場合には、光起電力装置９を両面を透
光性の保護膜にて被覆することにより、透過孔１１を通
して雨水等が進入しないようにすればよい。
等として使用する場合には、光起電力装置９を両面を透
光性の保護膜にて被覆することにより、透過孔１１を通
して雨水等が進入しないようにすればよい。
【００１７】ところで、上述の例では、絶縁基板２とし
て、高分子樹脂フィルムを用いているが、表面に絶縁処
理を施したステンレス板を用いてもよい。その場合、支
持基板１は全く不要である。
て、高分子樹脂フィルムを用いているが、表面に絶縁処
理を施したステンレス板を用いてもよい。その場合、支
持基板１は全く不要である。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、薄膜状基板の絶縁表面に、第
１電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜を積層形成し
た後、上記基板及びその上の上記積層体の全てを貫通す
る複数の小孔を機械的に形成したので、基板の種類に関
係なく、かつ簡単に透過性を備える光起電力装置を製造
することができる。
１電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜を積層形成し
た後、上記基板及びその上の上記積層体の全てを貫通す
る複数の小孔を機械的に形成したので、基板の種類に関
係なく、かつ簡単に透過性を備える光起電力装置を製造
することができる。
【図１】本発明の第１工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第２工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第３工程を示す断面図である。
【図４】本発明の最終工程を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上妻 信一 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 坂田 仁 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 邑田 健治 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 高岡 圭二 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 井上 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 薄膜状基板の絶縁表面に、第１電極膜、
半導体光活性層及び第２電極膜を積層形成した後、上記
基板及びその上の上記積層体の全てを貫通する複数の小
孔を機械的に形成することを特徴とした光起電力装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04079807A JP3075830B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04079807A JP3075830B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283724A true JPH05283724A (ja) | 1993-10-29 |
| JP3075830B2 JP3075830B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=13700489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04079807A Expired - Lifetime JP3075830B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3075830B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135464A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-01 JP JP04079807A patent/JP3075830B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135464A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3075830B2 (ja) | 2000-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3035565B2 (ja) | 薄膜太陽電池の作製方法 | |
| US9865753B2 (en) | Metallization of solar cells using metal foils | |
| AU2004204637B2 (en) | Transparent thin-film solar cell module and its manufacturing method | |
| US8168881B2 (en) | Monolithic photovoltaic module | |
| JP4101611B2 (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| CN103730529A (zh) | 包括太阳能电池的光伏模块用背接触式背板及其制造方法 | |
| WO2008026581A1 (fr) | Module de pile solaire | |
| JPH0851229A (ja) | 集積型太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2001168357A (ja) | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JP2680582B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH053151B2 (ja) | ||
| JP3237621B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP3393842B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
| JP2002076392A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP3075830B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2002299663A (ja) | シースルー型薄膜太陽電池モジュール | |
| JPH0779004A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2013211286A (ja) | 配線基板、太陽電池モジュール、及び配線基板の製造方法 | |
| JPH0243776A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP3332487B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH08125209A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP2877545B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP2001156310A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2869184B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2819538B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080609 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 12 |