JPH05283965A - Ｓａｗデバイスの製造方法 - Google Patents
Ｓａｗデバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH05283965A JPH05283965A JP7648592A JP7648592A JPH05283965A JP H05283965 A JPH05283965 A JP H05283965A JP 7648592 A JP7648592 A JP 7648592A JP 7648592 A JP7648592 A JP 7648592A JP H05283965 A JPH05283965 A JP H05283965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- saw device
- chip
- comb
- metal thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 通信機器等に使用されるＳＡＷデバイスの製
造方法に関し、チップ状のＳＡＷデバイスを多数個取り
する際に、中央部と外周部で特性バラツキが発生し歩留
りが悪いという課題を解決し、特性バラツキを抑制し歩
留りを向上することが可能なＳＡＷデバイスの製造方法
を提供することを目的とする。 【構成】 フォトリソグラフィ用マスクパターンを作製
する際に、予め段階的に入出力の櫛型電極部のピッチを
変えて周波数の異なるマスクパターンを１枚のマスクの
中に作製し、圧電体基板上で数％程度の膜厚分布を持つ
金属薄膜の厚みに対応させることにより、製造工程を追
加することなく所望の周波数特性を有するチップをほぼ
全数作製することができ、製造歩留りを飛躍的に向上さ
せることができる。
造方法に関し、チップ状のＳＡＷデバイスを多数個取り
する際に、中央部と外周部で特性バラツキが発生し歩留
りが悪いという課題を解決し、特性バラツキを抑制し歩
留りを向上することが可能なＳＡＷデバイスの製造方法
を提供することを目的とする。 【構成】 フォトリソグラフィ用マスクパターンを作製
する際に、予め段階的に入出力の櫛型電極部のピッチを
変えて周波数の異なるマスクパターンを１枚のマスクの
中に作製し、圧電体基板上で数％程度の膜厚分布を持つ
金属薄膜の厚みに対応させることにより、製造工程を追
加することなく所望の周波数特性を有するチップをほぼ
全数作製することができ、製造歩留りを飛躍的に向上さ
せることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は通信機器などに使用され
るＳＡＷデバイスの製造方法に関するものである。
るＳＡＷデバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来のＳＡＷデバイスの製造方法
について説明する。
について説明する。
【０００３】図５は従来のＳＡＷデバイスの製造方法を
示すものであり、同図に示すように、圧電体基板の片面
にエレクトロンビーム法、または抵抗加熱法、あるいは
スパッタリング法等によりアルミニウム等の金属を蒸着
させる金属薄膜形成工程と、形成された金属薄膜をフォ
トリソグラフィ法やドライエッチング法等により入出力
の櫛型電極部およびパット電極部からなるチップ状のＳ
ＡＷデバイスを格子状に複数個配列したパターンを圧電
体基板上に形成するパターンニング工程と、上記入出力
の櫛型電極部およびパット電極部が形成されていない部
分で複数のチップに切断するチップ分割工程と、分割さ
れた各チップをベースとなるステムに接着固定するダイ
ボンド工程と、接着固定されたチップとステムとを電気
的に接続するワイヤボンディング工程と、チップが接着
固定され電気的に接続されたステムをキャンにより封止
する封止工程と、この一連の工程で作製したＳＡＷデバ
イスの電気的特性を測定する特性試験工程を経て、ここ
で良否を判別して完成させるという製造方法によりチッ
プ状のＳＡＷデバイスを得るものであった。
示すものであり、同図に示すように、圧電体基板の片面
にエレクトロンビーム法、または抵抗加熱法、あるいは
スパッタリング法等によりアルミニウム等の金属を蒸着
させる金属薄膜形成工程と、形成された金属薄膜をフォ
トリソグラフィ法やドライエッチング法等により入出力
の櫛型電極部およびパット電極部からなるチップ状のＳ
ＡＷデバイスを格子状に複数個配列したパターンを圧電
体基板上に形成するパターンニング工程と、上記入出力
の櫛型電極部およびパット電極部が形成されていない部
分で複数のチップに切断するチップ分割工程と、分割さ
れた各チップをベースとなるステムに接着固定するダイ
ボンド工程と、接着固定されたチップとステムとを電気
的に接続するワイヤボンディング工程と、チップが接着
固定され電気的に接続されたステムをキャンにより封止
する封止工程と、この一連の工程で作製したＳＡＷデバ
イスの電気的特性を測定する特性試験工程を経て、ここ
で良否を判別して完成させるという製造方法によりチッ
プ状のＳＡＷデバイスを得るものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のＳＡＷデバイスの製造方法では圧電体基板の結晶方位
を設定し、その結晶方位に応じた金属薄膜の設定を行
い、更にその金属薄膜の設定に応じた所望の周波数特性
を有するように入出力の櫛型電極部のピッチを設定する
ために、パターンニング工程で使用するマスクパターン
は設定された金属薄膜に対応して格子状に配列した複数
個のチップがすべて均一に形成されたものであった。
のＳＡＷデバイスの製造方法では圧電体基板の結晶方位
を設定し、その結晶方位に応じた金属薄膜の設定を行
い、更にその金属薄膜の設定に応じた所望の周波数特性
を有するように入出力の櫛型電極部のピッチを設定する
ために、パターンニング工程で使用するマスクパターン
は設定された金属薄膜に対応して格子状に配列した複数
個のチップがすべて均一に形成されたものであった。
【０００５】しかしながらエレクトロンビーム法、また
は抵抗加熱法、あるいはスパッタリング法等により蒸着
される金属薄膜形成工程は必ずしも均一な厚みが得られ
るものではなく、むしろ圧電体基板上で数％程度の膜厚
分布を持つのが大多数であり、一般的にＳＡＷデバイス
の電気的特性である周波数特性は圧電体基板上を伝わる
弾性表面波の伝搬速度により決定され、この弾性表面波
の伝搬速度は圧電体基板の結晶方位ならびに入出力の櫛
型電極部のピッチおよび厚み等により決定されるという
ことから、圧電体基板上に格子状に複数個形成されるそ
れぞれのチップには、入出力の櫛型電極部の金属薄膜の
厚みにより所望の周波数特性を有さない製品が作製さ
れ、不良品となり製造歩留りが低下するという問題があ
った。
は抵抗加熱法、あるいはスパッタリング法等により蒸着
される金属薄膜形成工程は必ずしも均一な厚みが得られ
るものではなく、むしろ圧電体基板上で数％程度の膜厚
分布を持つのが大多数であり、一般的にＳＡＷデバイス
の電気的特性である周波数特性は圧電体基板上を伝わる
弾性表面波の伝搬速度により決定され、この弾性表面波
の伝搬速度は圧電体基板の結晶方位ならびに入出力の櫛
型電極部のピッチおよび厚み等により決定されるという
ことから、圧電体基板上に格子状に複数個形成されるそ
れぞれのチップには、入出力の櫛型電極部の金属薄膜の
厚みにより所望の周波数特性を有さない製品が作製さ
れ、不良品となり製造歩留りが低下するという問題があ
った。
【０００６】このような状態を図４に示し、同図は圧電
体基板位置において得られたＳＡＷデバイスが有する周
波数特性を分布図で示したものであり、圧電体基板の中
心部では周波数特性が低く、外周部に向かうに伴って周
波数特性が高くなるのを示したものである。
体基板位置において得られたＳＡＷデバイスが有する周
波数特性を分布図で示したものであり、圧電体基板の中
心部では周波数特性が低く、外周部に向かうに伴って周
波数特性が高くなるのを示したものである。
【０００７】本発明は上記の問題点を解決するもので、
コストアップを防止し、かつ製造工程を追加することな
しに圧電体基板上の場所による特性バラツキを抑制し、
製造歩留りを向上させることが可能なＳＡＷデバイスの
製造方法を提供することを目的としたものである。
コストアップを防止し、かつ製造工程を追加することな
しに圧電体基板上の場所による特性バラツキを抑制し、
製造歩留りを向上させることが可能なＳＡＷデバイスの
製造方法を提供することを目的としたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明によるＳＡＷデバイスの製造方法は、圧電体基
板上に形成された金属薄膜にパターン形成を行うフォト
リソグラフィ用マスクパターンを、櫛型電極部とパット
電極部からなるチップ状のパターンを１つの単位とし、
このチップを格子状に複数個配列した多数個取りのパタ
ーンとし、かつ上記櫛型電極部のピッチが中心部に配置
されるチップより外周部に配置されるチップの方が大き
いようにして同パターンを構成し、この同パターンを用
いてパターンニングを行って後、上記複数個のチップ群
を切断分割し、この分割された個々のチップをベースと
なるステムに接着固定し、この接着固定されたチップと
ステムをワイヤボンディングにより電気的に接続して封
止を行う製造方法としたものである。
に本発明によるＳＡＷデバイスの製造方法は、圧電体基
板上に形成された金属薄膜にパターン形成を行うフォト
リソグラフィ用マスクパターンを、櫛型電極部とパット
電極部からなるチップ状のパターンを１つの単位とし、
このチップを格子状に複数個配列した多数個取りのパタ
ーンとし、かつ上記櫛型電極部のピッチが中心部に配置
されるチップより外周部に配置されるチップの方が大き
いようにして同パターンを構成し、この同パターンを用
いてパターンニングを行って後、上記複数個のチップ群
を切断分割し、この分割された個々のチップをベースと
なるステムに接着固定し、この接着固定されたチップと
ステムをワイヤボンディングにより電気的に接続して封
止を行う製造方法としたものである。
【０００９】
【作用】この製造方法により、予め段階的に入出力の櫛
型電極部のピッチを変えて周波数が異なるように作製し
たマスクパターンを、圧電体基板上で数％程度の膜厚分
布を持って形成された金属薄膜のそれぞれの厚みに対応
させることにより、所望の周波数特性を有するチップを
ほぼ全数にわたって作製することができる。
型電極部のピッチを変えて周波数が異なるように作製し
たマスクパターンを、圧電体基板上で数％程度の膜厚分
布を持って形成された金属薄膜のそれぞれの厚みに対応
させることにより、所望の周波数特性を有するチップを
ほぼ全数にわたって作製することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を用い
て説明する。
て説明する。
【００１１】なお、製造工程は従来例で図５を用いて説
明した製造工程と同様であるため、詳細な説明は省略す
る。
明した製造工程と同様であるため、詳細な説明は省略す
る。
【００１２】本実施例において、上記図５の金属薄膜形
成工程の形成方法に抵抗加熱法を採用した場合、圧電体
基板上の金属薄膜の厚みは中心部が厚く、周辺部が薄く
なる特長がある。したがって、従来のフォトリソグラフ
ィ用マスクパターンを用いてチップ状のＳＡＷデバイス
を作製すると、周波数特性は中心部を基準とした場合に
上記従来例の図４のグラフに示すように中心部が低く、
周辺部が高くなる。仮に、この周波数特性のバラツキを
４００ｋHzとした時、求められているバラツキ精度が２
００ｋHzであったならば、製造歩留りは約５０％という
ことになり、この周波数特性のバラツキをフォトリソグ
ラフィ用マスクパターンで解決する方法について詳細に
説明する。
成工程の形成方法に抵抗加熱法を採用した場合、圧電体
基板上の金属薄膜の厚みは中心部が厚く、周辺部が薄く
なる特長がある。したがって、従来のフォトリソグラフ
ィ用マスクパターンを用いてチップ状のＳＡＷデバイス
を作製すると、周波数特性は中心部を基準とした場合に
上記従来例の図４のグラフに示すように中心部が低く、
周辺部が高くなる。仮に、この周波数特性のバラツキを
４００ｋHzとした時、求められているバラツキ精度が２
００ｋHzであったならば、製造歩留りは約５０％という
ことになり、この周波数特性のバラツキをフォトリソグ
ラフィ用マスクパターンで解決する方法について詳細に
説明する。
【００１３】図１は本実施例によるフォトリソグラフィ
用マスクパターンを示す平面図であり、パターン本体１
の上面に入出力の櫛型電極部３とパット電極部４からな
るチップ状のＳＡＷデバイス用パターン２を１つの単位
とし、このＳＡＷデバイス用パターン２を格子状に複数
個配列した多数個取りによってパターン本体１を構成し
ている。
用マスクパターンを示す平面図であり、パターン本体１
の上面に入出力の櫛型電極部３とパット電極部４からな
るチップ状のＳＡＷデバイス用パターン２を１つの単位
とし、このＳＡＷデバイス用パターン２を格子状に複数
個配列した多数個取りによってパターン本体１を構成し
ている。
【００１４】また、個々のＳＡＷデバイス用パターン２
は、図２にその要部を示すように、入出力の櫛型電極部
３とパット電極部４より形成され、本実施例では上記櫛
型電極部３の幅寸法は櫛型電極部３のピッチ寸法ａの１
／４になるように形成した。
は、図２にその要部を示すように、入出力の櫛型電極部
３とパット電極部４より形成され、本実施例では上記櫛
型電極部３の幅寸法は櫛型電極部３のピッチ寸法ａの１
／４になるように形成した。
【００１５】このように形成された個々のＳＡＷデバイ
ス用パターン２を格子状に複数個配列した構成の上記図
１では、同図の太実線で囲んだ位置を境界にして中心部
Ａと外周部Ｂの２つのブロックに分割し、この中心部Ａ
に配置されるＳＡＷデバイス用パターン２の櫛型電極部
３のピッチ寸法ａと、外周部Ｂに配置されるＳＡＷデバ
イス用パターン２の櫛型電極部３のピッチ寸法ａに変化
を持たせ、本実施例では中心部Ａの同ピッチ寸法ａを
１．０とした場合に外周部Ｂの同ピッチ寸法ａが１．０
００６の比率となるように外周部Ｂ側を大きくし、それ
ぞれのチップ群に２００ｋHzの周波数差をあらかじめ持
たせるように構成した。
ス用パターン２を格子状に複数個配列した構成の上記図
１では、同図の太実線で囲んだ位置を境界にして中心部
Ａと外周部Ｂの２つのブロックに分割し、この中心部Ａ
に配置されるＳＡＷデバイス用パターン２の櫛型電極部
３のピッチ寸法ａと、外周部Ｂに配置されるＳＡＷデバ
イス用パターン２の櫛型電極部３のピッチ寸法ａに変化
を持たせ、本実施例では中心部Ａの同ピッチ寸法ａを
１．０とした場合に外周部Ｂの同ピッチ寸法ａが１．０
００６の比率となるように外周部Ｂ側を大きくし、それ
ぞれのチップ群に２００ｋHzの周波数差をあらかじめ持
たせるように構成した。
【００１６】このようにして作製したフォトリソグラフ
ィ用マスクパターンを用いて、以下前述の従来例で説明
した製造方法により作製したＳＡＷデバイスの周波数特
性を図３に分布図で示す。同図から明確なように、圧電
体基板の上面に形成された金属薄膜のバラツキに対応す
るようにあらかじめ周波数差を持たせて形成したフォト
リソグラフィ用マスクパターンを用いることにより、上
記同パターンの中心部Ａ群のチップと、外周部Ｂ群のチ
ップの周波数特性はそのバラツキが抑制され、所望通り
に２００ｋHzの範囲内に収めることができ、ほぼ１００
％の製造歩留りを確保することができる。
ィ用マスクパターンを用いて、以下前述の従来例で説明
した製造方法により作製したＳＡＷデバイスの周波数特
性を図３に分布図で示す。同図から明確なように、圧電
体基板の上面に形成された金属薄膜のバラツキに対応す
るようにあらかじめ周波数差を持たせて形成したフォト
リソグラフィ用マスクパターンを用いることにより、上
記同パターンの中心部Ａ群のチップと、外周部Ｂ群のチ
ップの周波数特性はそのバラツキが抑制され、所望通り
に２００ｋHzの範囲内に収めることができ、ほぼ１００
％の製造歩留りを確保することができる。
【００１７】また、上記本実施例では２００ｋHzの周波
数差を補正するためにパターン本体１を中心部Ａと外周
部Ｂの２ブロックに分割する構成としたが、１００ｋH
z，５０ｋHzといった周波数のように、更にバラツキ精
度を向上させる場合に対しても、１枚のフォトリソグラ
フィ用マスクパターンの中に複数段階に細分割して入出
力の櫛型電極部のピッチを変えたチップ群を配置してや
れば容易に対処できるということは言うまでもないこと
である。
数差を補正するためにパターン本体１を中心部Ａと外周
部Ｂの２ブロックに分割する構成としたが、１００ｋH
z，５０ｋHzといった周波数のように、更にバラツキ精
度を向上させる場合に対しても、１枚のフォトリソグラ
フィ用マスクパターンの中に複数段階に細分割して入出
力の櫛型電極部のピッチを変えたチップ群を配置してや
れば容易に対処できるということは言うまでもないこと
である。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によるＳＡＷデバイ
スの製造方法は、フォトリソグラフィ用マスクパターン
を作製する際に段階的に入出力の櫛型電極部のピッチを
変えたチップ群を作製することにより、ＳＡＷデバイス
の製造工程になんら特別な工程を追加することなく対応
できるだけではなく、各々のＳＡＷデバイスの周波数特
性のバラツキを抑制し、製造歩留りを飛躍的に向上させ
てコストダウンを図ることができるものである。
スの製造方法は、フォトリソグラフィ用マスクパターン
を作製する際に段階的に入出力の櫛型電極部のピッチを
変えたチップ群を作製することにより、ＳＡＷデバイス
の製造工程になんら特別な工程を追加することなく対応
できるだけではなく、各々のＳＡＷデバイスの周波数特
性のバラツキを抑制し、製造歩留りを飛躍的に向上させ
てコストダウンを図ることができるものである。
【図１】本発明の一実施例におけるフォトリソグラフィ
用マスクパターンの平面図
用マスクパターンの平面図
【図２】同実施例によるＳＡＷデバイスの同パターンを
示す要部の平面図
示す要部の平面図
【図３】同実施例により得られたＳＡＷデバイスの周波
数特性図
数特性図
【図４】従来のＳＡＷデバイスの周波数特性図
【図５】従来および本発明によるＳＡＷデバイスの製造
方法を示す製造工程図
方法を示す製造工程図
１ パターン本体 ２ ＳＡＷデバイス用パターン ３ 櫛型電極部 ４ パット電極部
Claims (1)
- 【請求項１】圧電体基板上に金属薄膜を形成し、この金
属薄膜に櫛型電極部とパット電極部からなるチップ状の
ＳＡＷデバイスの上記櫛型電極部のピッチが中心部に配
置されるチップより外周部に配置されるチップの方が大
きいものであるように格子状に複数個配列されたフォト
リソグラフィ用マスクパターンによりパターンニングを
行って後、上記複数個のチップ群を切断分割し、この分
割された個々のチップをベースとなるステムに接着固定
し、この接着固定されたチップとステムをワイヤボンデ
ィングにより電気的に接続して封止を行うＳＡＷデバイ
スの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7648592A JPH05283965A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Ｓａｗデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7648592A JPH05283965A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Ｓａｗデバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283965A true JPH05283965A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13606514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7648592A Pending JPH05283965A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Ｓａｗデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283965A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007209000A (ja) * | 2007-02-21 | 2007-08-16 | Infineon Technologies Ag | 所定の層の厚さ特性を有する層の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7648592A patent/JPH05283965A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007209000A (ja) * | 2007-02-21 | 2007-08-16 | Infineon Technologies Ag | 所定の層の厚さ特性を有する層の製造方法 |
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