JPH0528531A - 光デイスク装置の光学系 - Google Patents
光デイスク装置の光学系Info
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- JPH0528531A JPH0528531A JP3274426A JP27442691A JPH0528531A JP H0528531 A JPH0528531 A JP H0528531A JP 3274426 A JP3274426 A JP 3274426A JP 27442691 A JP27442691 A JP 27442691A JP H0528531 A JPH0528531 A JP H0528531A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光源の発振波長が変化した場合であっても、
ディスク上に収束されるスポットの所定ピットからのズ
レを抑制することのできる光ディスク装置の光学系を提
供すること。 【構成】 半導体レーザ１からの発散光束を平行光束と
するコリメータレンズ２と、平行光束の断面形状を整形
するための第１アナモプリズム３と、第１アナモプリズ
ム３とは異なる硝材から形成され、第１アナモプリズム
３と共働して平行光束の断面形状を整形する第２アナモ
プリズム４と、断面形状を整形された平行光束を光ディ
スク８上に収束させる対物レンズ７と、光ディスク８か
らの反射光の一部を分離して受光手段１３に導くビーム
スプリッタと、受光手段１３により光電変換された信号
を検出する検出手段と、から構成されることを特徴とし
ている。
ディスク上に収束されるスポットの所定ピットからのズ
レを抑制することのできる光ディスク装置の光学系を提
供すること。 【構成】 半導体レーザ１からの発散光束を平行光束と
するコリメータレンズ２と、平行光束の断面形状を整形
するための第１アナモプリズム３と、第１アナモプリズ
ム３とは異なる硝材から形成され、第１アナモプリズム
３と共働して平行光束の断面形状を整形する第２アナモ
プリズム４と、断面形状を整形された平行光束を光ディ
スク８上に収束させる対物レンズ７と、光ディスク８か
らの反射光の一部を分離して受光手段１３に導くビーム
スプリッタと、受光手段１３により光電変換された信号
を検出する検出手段と、から構成されることを特徴とし
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光源から射出された
発散光束を光ディスク上に収束させると共に、この光デ
ィスクからの反射光を受光して、情報を光学的に記録、
再生する光ディスク装置の光学系の改良に関するもので
ある。
発散光束を光ディスク上に収束させると共に、この光デ
ィスクからの反射光を受光して、情報を光学的に記録、
再生する光ディスク装置の光学系の改良に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置は、一般に光源としてコ
ヒーレントな半導体レーザを用いている。半導体レーザ
から射出される光束は、断面が楕円形の発散光束となっ
ている。この発散光束はコリメータレンズによって平行
光束とされ、対物レンズを介して光ディスク上に収束さ
れる。
ヒーレントな半導体レーザを用いている。半導体レーザ
から射出される光束は、断面が楕円形の発散光束となっ
ている。この発散光束はコリメータレンズによって平行
光束とされ、対物レンズを介して光ディスク上に収束さ
れる。
【０００３】ところで、情報を光ディスクへ記録する時
及び情報を光ディスクから消去する時に光ディスクに収
束させる光束は、高出力である必要があり、半導体レー
ザの射出光量を有効に利用しなければならない。そのた
め、前述のコリメータレンズには、開口数が高い（焦点
距離が短い）ものが用いられる。ところが、このコリメ
ータレンズを通過した半導体レーザからの射出光束の水
平方向の光束幅は対物レンズの絞りより狭くなってしま
い、光ディスク上に十分に絞り込むことができない。そ
のため、一般的に一つ又は二つのアナモプリズムを用い
て平行光束の楕円率を変化させて前記水平方向の光束幅
を拡大して、平行光束が対物レンズの開口を満たし、光
ディスク上の所定ピット（位置）に所望のスポットを得
るようにしている。このアナモプリズムは平行光束の断
面を略円形に整形する機能を有するものであり、二つ用
いられる場合には、これらのアナモプリズムは、一般
に、同一の硝材から製造されている。
及び情報を光ディスクから消去する時に光ディスクに収
束させる光束は、高出力である必要があり、半導体レー
ザの射出光量を有効に利用しなければならない。そのた
め、前述のコリメータレンズには、開口数が高い（焦点
距離が短い）ものが用いられる。ところが、このコリメ
ータレンズを通過した半導体レーザからの射出光束の水
平方向の光束幅は対物レンズの絞りより狭くなってしま
い、光ディスク上に十分に絞り込むことができない。そ
のため、一般的に一つ又は二つのアナモプリズムを用い
て平行光束の楕円率を変化させて前記水平方向の光束幅
を拡大して、平行光束が対物レンズの開口を満たし、光
ディスク上の所定ピット（位置）に所望のスポットを得
るようにしている。このアナモプリズムは平行光束の断
面を略円形に整形する機能を有するものであり、二つ用
いられる場合には、これらのアナモプリズムは、一般
に、同一の硝材から製造されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザの発振波長は、その出力や周囲温度等により微妙
に変化するため、上記の従来の光ディスク装置の光学系
においては、その発振波長に変化が生じた場合、アナモ
プリズムからの射出光束の角度が変化するため、スポッ
トが前記所定ピットから外れてしまい、記録時または再
生時の信号の精度の低下を招くおそれがあるという問題
点がある。
レーザの発振波長は、その出力や周囲温度等により微妙
に変化するため、上記の従来の光ディスク装置の光学系
においては、その発振波長に変化が生じた場合、アナモ
プリズムからの射出光束の角度が変化するため、スポッ
トが前記所定ピットから外れてしまい、記録時または再
生時の信号の精度の低下を招くおそれがあるという問題
点がある。
【０００５】特に、記録・再生の切り換えにおいては、
半導体レーザの発振波長が瞬時に変化するため、記録信
号または再生信号が劣化する。
半導体レーザの発振波長が瞬時に変化するため、記録信
号または再生信号が劣化する。
【０００６】この発明は、上記実情を考え合わせなされ
たもので、半導体レーザの発振波長が変化した場合であ
っても、ディスク上に収束されるスポットの所定ピット
からのズレを抑制することのできる光ディスク装置の光
学系を提供することを目的とするものである。
たもので、半導体レーザの発振波長が変化した場合であ
っても、ディスク上に収束されるスポットの所定ピット
からのズレを抑制することのできる光ディスク装置の光
学系を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光ディス
ク装置の光学系は、上記目的を達成するため、光源から
射出される発散光束を平行光束とするコリメータレンズ
と、前記平行光束の断面形状を整形するための第１アナ
モプリズムと、該第１アナモプリズムを形成する硝材と
は異なる硝材から形成され、前記第１アナモプリズムと
共働して前記平行光束の断面形状を整形する第２アナモ
プリズムと、前記断面形状を整形された前記平行光束を
光ディスク上に収束させる対物レンズと、前記光ディス
クからの反射光の一部を分離して受光手段に導くビーム
スプリッタと、前記受光手段により光電変換された信号
を検出する検出手段と、から構成されることを特徴とし
ている。
ク装置の光学系は、上記目的を達成するため、光源から
射出される発散光束を平行光束とするコリメータレンズ
と、前記平行光束の断面形状を整形するための第１アナ
モプリズムと、該第１アナモプリズムを形成する硝材と
は異なる硝材から形成され、前記第１アナモプリズムと
共働して前記平行光束の断面形状を整形する第２アナモ
プリズムと、前記断面形状を整形された前記平行光束を
光ディスク上に収束させる対物レンズと、前記光ディス
クからの反射光の一部を分離して受光手段に導くビーム
スプリッタと、前記受光手段により光電変換された信号
を検出する検出手段と、から構成されることを特徴とし
ている。
【０００８】
【実施例】以下、この発明に係る光ディスク装置の光学
系の実施例について図面を参照しつつ説明する。
系の実施例について図面を参照しつつ説明する。
【０００９】まず、図２に示すように、屈折率がそれぞ
れｎ１及びｎ２の異なる硝材よりなる第１アナモプリズ
ム３と第２アナモプリズム４とを配置して構成されるプ
リズム系を考える。
れｎ１及びｎ２の異なる硝材よりなる第１アナモプリズ
ム３と第２アナモプリズム４とを配置して構成されるプ
リズム系を考える。
【００１０】この構成は、平行光束のビーム整形を、入
射光の波長により射出角が異なる分散を補正しながら行
なうために最低限必要なもので、光ディスク装置の光学
系への適用にあたっては、後述するように種々の変形が
考えられる。
射光の波長により射出角が異なる分散を補正しながら行
なうために最低限必要なもので、光ディスク装置の光学
系への適用にあたっては、後述するように種々の変形が
考えられる。
【００１１】図２に示すように、屈折率ｎ０の媒質（空
気）から第１アナモプリズム３の入射端面へ入射する平
行光束の入射角をθ１、この面での屈折角をθ２、第１
アナモプリズム３の射出端面への入射角をθ３、この面
での屈折角をθ４、第２アナモプリズム４の入射端面へ
の入射角をθ５、この面での屈折角をθ６、第２アナモ
プリズム４の射出端面への入射角をθ７、この面での屈
折角をθ８とする。
気）から第１アナモプリズム３の入射端面へ入射する平
行光束の入射角をθ１、この面での屈折角をθ２、第１
アナモプリズム３の射出端面への入射角をθ３、この面
での屈折角をθ４、第２アナモプリズム４の入射端面へ
の入射角をθ５、この面での屈折角をθ６、第２アナモ
プリズム４の射出端面への入射角をθ７、この面での屈
折角をθ８とする。
【００１２】アナモプリズムの屈折率は、透過する光の
波長に応じて変化するため、このプリズム系を透過する
光の波長によって、前記の角度θ２ないしθ８は変化す
る。
波長に応じて変化するため、このプリズム系を透過する
光の波長によって、前記の角度θ２ないしθ８は変化す
る。
【００１３】一方、後述するように、第２アナモプリズ
ム４の射出端面の後段には、光ディスクの記録面に臨む
対物レンズが設けられており、このプリズム系を透過す
る光は対物レンズを介して光ディスク上にスポットとし
て収束されるが、光の波長の変化によってθ８が変化す
るとスポットの収束位置も変化することとなる。
ム４の射出端面の後段には、光ディスクの記録面に臨む
対物レンズが設けられており、このプリズム系を透過す
る光は対物レンズを介して光ディスク上にスポットとし
て収束されるが、光の波長の変化によってθ８が変化す
るとスポットの収束位置も変化することとなる。
【００１４】対物レンズの焦点距離をｆ、光の波長の変
化に応じて変化する屈折角θ８の変化量をΔθ８とすれ
ば、スポットの収束位置の変化量（ズレ）Ｓは、 Ｓ＝ｆ・ｔａｎΔθ８ と表すことができる。
化に応じて変化する屈折角θ８の変化量をΔθ８とすれ
ば、スポットの収束位置の変化量（ズレ）Ｓは、 Ｓ＝ｆ・ｔａｎΔθ８ と表すことができる。
【００１５】次に、上記の構成に用いられるアナモプリ
ズムの具体的な設計例を表１に示す。ここに示される組
合せは、光源としての半導体レーザの発振波長変動範囲
をλ＝７８０〜７９０ｎｍと仮定し、第１及び第２アナ
モプリズムによる総合倍率を２．７４６としている。
ズムの具体的な設計例を表１に示す。ここに示される組
合せは、光源としての半導体レーザの発振波長変動範囲
をλ＝７８０〜７９０ｎｍと仮定し、第１及び第２アナ
モプリズムによる総合倍率を２．７４６としている。
【００１６】表中、各アナモプリズムを構成する硝材を
示す記号はいずれも商品名である（以下、同じ）。ま
た、角度の単位はｄｅｇｒｅｅとする（以下、同じ）。
示す記号はいずれも商品名である（以下、同じ）。ま
た、角度の単位はｄｅｇｒｅｅとする（以下、同じ）。
【００１７】記号γ０は第１及び第２アナモプリズムの
角倍率（アナモ倍率）で、以下のように求められるもの
である。すなわち、屈折率αの媒質から屈折率βのアナ
モプリズムの入射端面へ入射する光束の入射角をφ１、
この端面での屈折角をφ２とすると、 γ０＝ｃｏｓφ２／ｃｏｓφ１ ＝ｃｏｓφ２／（１−ｓｉｎ２φ１）１／２ ＝ｃｏｓφ２／（１−（β／αｓｉｎφ２）２）１／２ 但し、α≒１（空気）
角倍率（アナモ倍率）で、以下のように求められるもの
である。すなわち、屈折率αの媒質から屈折率βのアナ
モプリズムの入射端面へ入射する光束の入射角をφ１、
この端面での屈折角をφ２とすると、 γ０＝ｃｏｓφ２／ｃｏｓφ１ ＝ｃｏｓφ２／（１−ｓｉｎ２φ１）１／２ ＝ｃｏｓφ２／（１−（β／αｓｉｎφ２）２）１／２ 但し、α≒１（空気）
【００１８】また、記号γ１は各硝材をこの実施例に用
いた場合の角倍率を示している。
いた場合の角倍率を示している。
【００１９】
【表１】
【００２０】上述したようなプリズム系を採用すること
により、半導体レーザの発振波長に変化が生じた場合で
も、射出光束の角度が変化せず、ディスク上に収束され
るスポットの所定ピットからのズレを抑制することので
きる。
により、半導体レーザの発振波長に変化が生じた場合で
も、射出光束の角度が変化せず、ディスク上に収束され
るスポットの所定ピットからのズレを抑制することので
きる。
【００２１】また、図３に示すように、屈折率ｎ１の第
１アナモプリズム３０と屈折率ｎ２の第２アナモプリズ
ム４０とを配置し、第１アナモプリズム３０の頂角Ｐ１
と、第２アナモプリズム４０の入射端面での屈折角θ６
とを、 条件式：０．８ ≦（（ｎ１−１）Ｐ１）／（（ｎ２−１）θ６）≦１．２５ …（ａ） を満足するように規定することにより、入、射出光の光
軸を略平行に揃えることが可能になり、部品配置が容易
にできる。
１アナモプリズム３０と屈折率ｎ２の第２アナモプリズ
ム４０とを配置し、第１アナモプリズム３０の頂角Ｐ１
と、第２アナモプリズム４０の入射端面での屈折角θ６
とを、 条件式：０．８ ≦（（ｎ１−１）Ｐ１）／（（ｎ２−１）θ６）≦１．２５ …（ａ） を満足するように規定することにより、入、射出光の光
軸を略平行に揃えることが可能になり、部品配置が容易
にできる。
【００２２】さらに、第１、第２アナモプリズム３０、
４０の共通使用波長近傍における屈折率変化をそれぞれ
Δｎ１、Δｎ２とし、第２アナモプリズム４０の角倍率
をγとすると、各アナモプリズムの色収差はΔｎｉＰｉ
／ｎｉ（ｉ＝１、２）に略比例し、両アナモプリズムの
色収差を互いに打ち消し合う傾向に働くようにプリズム
を配置した場合、第１アナモプリズム３０による色収差
は第２アナモプリズム４０によって１／γに圧縮される
ので、第１アナモプリズム３０が第２アナモプリズム４
０に比べてγ倍だけ大きな色収差を有するときに、全光
学系での色収差を補正することができる。以下に示す条
件式はこのことより導かれるものである。
４０の共通使用波長近傍における屈折率変化をそれぞれ
Δｎ１、Δｎ２とし、第２アナモプリズム４０の角倍率
をγとすると、各アナモプリズムの色収差はΔｎｉＰｉ
／ｎｉ（ｉ＝１、２）に略比例し、両アナモプリズムの
色収差を互いに打ち消し合う傾向に働くようにプリズム
を配置した場合、第１アナモプリズム３０による色収差
は第２アナモプリズム４０によって１／γに圧縮される
ので、第１アナモプリズム３０が第２アナモプリズム４
０に比べてγ倍だけ大きな色収差を有するときに、全光
学系での色収差を補正することができる。以下に示す条
件式はこのことより導かれるものである。
【００２３】
条件式：０．８ ≦（Δｎ１Ｐ１／ｎ１）／（Δｎ２θ６γ／ｎ２）≦１．２
５
【００２４】次に、上述の条件（ａ）を満足する具体的
な設計例を表２〜表５に示す。
な設計例を表２〜表５に示す。
【００２５】ここに示される組合せは、半導体レーザの
発振波長変動範囲をλ＝７８０〜７９０ｎｍと仮定して
いる。
発振波長変動範囲をλ＝７８０〜７９０ｎｍと仮定して
いる。
【００２６】なお、表３〜表５に示した設計例において
は、第２アナモプリズムがビームスプリッタの反射光分
離機能を兼ね備えているタイプのものである。
は、第２アナモプリズムがビームスプリッタの反射光分
離機能を兼ね備えているタイプのものである。
【００２７】また、図３示すように、記号Ｐ１及びＰ２
は、それぞれ第１及び第２アナモプリズムの頂角を示
し、記号θ１は第１アナモプリズム３０の入射端面への
入射角、θ２はその入射端面での屈折角、θ３は第１ア
ナモプリズム３０の射出端面への入射角、θ４はその射
出端面での屈折角、θ５は第２アナモプリズム４０の入
射端面への入射角、θ６はその入射端面での屈折角を、
それぞれ示している。
は、それぞれ第１及び第２アナモプリズムの頂角を示
し、記号θ１は第１アナモプリズム３０の入射端面への
入射角、θ２はその入射端面での屈折角、θ３は第１ア
ナモプリズム３０の射出端面への入射角、θ４はその射
出端面での屈折角、θ５は第２アナモプリズム４０の入
射端面への入射角、θ６はその入射端面での屈折角を、
それぞれ示している。
【００２８】
【表２】
【００２９】
【表３】
【００３０】
【表４】
【００３１】
【表５】
【００３２】次に、図１に基づいて、上述したプリズム
系を含む光ディスク装置の光学系の具体的な構成例を説
明する。
系を含む光ディスク装置の光学系の具体的な構成例を説
明する。
【００３３】符号１は光源としての半導体レーザで、こ
の半導体レーザ１からの発散光束は、コリメータレンズ
２によって平行光束とされる。このとき、この平行光束
の断面形状は楕円形状となっている。この平行光束は、
整形プリズムとしての第１アナモプリズム３、第２アナ
モプリズム４によってその楕円形状の断面を円形状とさ
れる。断面形状を円形状とされた平行光束は、ルーチン
プリズム５、立上げルーチンプリズム６、対物レンズ７
を介して光ディスク８上に収束される。対物レンズ７と
立上げルーチンプリズム６とは光ディスク８のラジアル
方向Ｘにスライドされるヘッド（図示せず）内に設けら
れており、その他の部品は固定されている。また、対物
レンズ７はヘッド内に設けられたアクチュエータ（図示
せず）に搭載されており、その光軸方向Ｚに駆動され
る。
の半導体レーザ１からの発散光束は、コリメータレンズ
２によって平行光束とされる。このとき、この平行光束
の断面形状は楕円形状となっている。この平行光束は、
整形プリズムとしての第１アナモプリズム３、第２アナ
モプリズム４によってその楕円形状の断面を円形状とさ
れる。断面形状を円形状とされた平行光束は、ルーチン
プリズム５、立上げルーチンプリズム６、対物レンズ７
を介して光ディスク８上に収束される。対物レンズ７と
立上げルーチンプリズム６とは光ディスク８のラジアル
方向Ｘにスライドされるヘッド（図示せず）内に設けら
れており、その他の部品は固定されている。また、対物
レンズ７はヘッド内に設けられたアクチュエータ（図示
せず）に搭載されており、その光軸方向Ｚに駆動され
る。
【００３４】第２アナモプリズム４の反射面には、ハー
フミラープリズム９が貼り付けられている。ハーフミラ
ープリズム９には、λ／２板１０が貼り付けられてい
る。
フミラープリズム９が貼り付けられている。ハーフミラ
ープリズム９には、λ／２板１０が貼り付けられてい
る。
【００３５】光ディスク８から反射された光束は、一部
がハーフミラープリズム９の反射面９ａにより反射さ
れ、λ／２板１０により偏光方向が４５゜回転される。
λ／２板１０を通過した光束は、集光レンズ１１により
偏光ビームスプリッタ１２に導かれる。偏光ビームスプ
リッタ１２に導かれた光束のうちのｐ偏光成分は、偏光
分離面１２ａを透過して第１の記録信号検出用の第１の
受光素子１３上に集光される。また、偏光ビームスプリ
ッタ１２に導かれた光束のうちのｓ偏光成分は、偏光分
離面１２ａと全反射面１２ｂとで反射され、第２の記録
信号検出用の受光素子１４に集光する。
がハーフミラープリズム９の反射面９ａにより反射さ
れ、λ／２板１０により偏光方向が４５゜回転される。
λ／２板１０を通過した光束は、集光レンズ１１により
偏光ビームスプリッタ１２に導かれる。偏光ビームスプ
リッタ１２に導かれた光束のうちのｐ偏光成分は、偏光
分離面１２ａを透過して第１の記録信号検出用の第１の
受光素子１３上に集光される。また、偏光ビームスプリ
ッタ１２に導かれた光束のうちのｓ偏光成分は、偏光分
離面１２ａと全反射面１２ｂとで反射され、第２の記録
信号検出用の受光素子１４に集光する。
【００３６】この光学系に含まれる第１アナモプリズム
３と第２アナモプリズム４とは共働して、コリメータレ
ンズ２からの平行光束を整形するものである。また、第
１アナモプリズム３と第２アナモプリズム４とは、それ
ぞれ異なる硝材から構成されている。
３と第２アナモプリズム４とは共働して、コリメータレ
ンズ２からの平行光束を整形するものである。また、第
１アナモプリズム３と第２アナモプリズム４とは、それ
ぞれ異なる硝材から構成されている。
【００３７】第１アナモプリズム３は、図４（Ａ）に示
すように、アナモプリズムベース２０に固定されてい
る。アナモプリズムベース２０には、一対の案内係止溝
２１、２１と一対の位置決孔２２、２２とが設けられて
いる。アナモプリズムベース２０は、案内係止溝２１、
２１を挿通する一対のビス２３、２３により光学系取付
ベース２４に取り付けられる。光学系取付ベース２４に
は、起立する調整ガイド面２４ａが設けられている。こ
の調整ガイド面２４ａは、アナモプリズムベース２０の
一方の立壁面２０ａが面当接可能とされている。第１ア
ナモプリズム３は、図５中矢印で示す方向に、調整ガイ
ド面２４ａに沿って移動可能とされ、光束の光軸Ｋをシ
フト可能とされている。この光軸Ｋシフト時には、図４
（Ｂ）に示すように、位置決孔２２、２２に挿通可能と
されている一対の調整ピン２６、２６を介して位置決め
調整を行い、所定の位置でビス２３、２３を締結するよ
うになっている。
すように、アナモプリズムベース２０に固定されてい
る。アナモプリズムベース２０には、一対の案内係止溝
２１、２１と一対の位置決孔２２、２２とが設けられて
いる。アナモプリズムベース２０は、案内係止溝２１、
２１を挿通する一対のビス２３、２３により光学系取付
ベース２４に取り付けられる。光学系取付ベース２４に
は、起立する調整ガイド面２４ａが設けられている。こ
の調整ガイド面２４ａは、アナモプリズムベース２０の
一方の立壁面２０ａが面当接可能とされている。第１ア
ナモプリズム３は、図５中矢印で示す方向に、調整ガイ
ド面２４ａに沿って移動可能とされ、光束の光軸Ｋをシ
フト可能とされている。この光軸Ｋシフト時には、図４
（Ｂ）に示すように、位置決孔２２、２２に挿通可能と
されている一対の調整ピン２６、２６を介して位置決め
調整を行い、所定の位置でビス２３、２３を締結するよ
うになっている。
【００３８】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明に係る
光ディスク装置の光学系によれば、半導体レーザの出力
の変化や周囲の温度変化等によって、半導体レーザの発
振波長が変化した場合であっても、アナモプリズムの色
収差を補正してディスク上に収束されるスポットの所定
ピットからのズレを抑制することができる。
光ディスク装置の光学系によれば、半導体レーザの出力
の変化や周囲の温度変化等によって、半導体レーザの発
振波長が変化した場合であっても、アナモプリズムの色
収差を補正してディスク上に収束されるスポットの所定
ピットからのズレを抑制することができる。
【図１】 本発明の実施例に係る光ディスク装置の光学
系の全体構成図である。
系の全体構成図である。
【図２】 本発明の第１実施例に係るプリズム系の配置
図である。
図である。
【図３】 本発明の第２実施例に係るプリズム系の配置
図である。
図である。
【図４】 本発明の第３実施例に係る第１アナモプリズ
ムの取付を示す図である。
ムの取付を示す図である。
【図５】 本発明の第３実施例に係る第１アナモプリズ
ムの偏心移動を示す図である。
ムの偏心移動を示す図である。
１ 半導体レーザ（光源）
２ コリメータレンズ
３、３０ 第１アナモプリズム（ビーム整形プリズム）
４、４０ 第２アナモプリズム（ビーム整形プリズム）
７ 対物レンズ
８ 光ディスク
１３ 受光素子（受光手段）
１４ 受光素子（受光手段）
─────────────────────────────────────────────────────
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(72)発明者 丸山 晃一
東京都板橋区前野町２丁目36番９号旭光学
工業株式会社内
(72)発明者 野口 正人
東京都板橋区前野町２丁目36番９号旭光学
工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 光源から射出される発散光束を平行光束
とするコリメータレンズと、前記平行光束の断面形状を
整形するための第１アナモプリズムと、該第１アナモプ
リズムを形成する硝材とは異なる硝材から形成され、前
記第１アナモプリズムと共働して前記平行光束の断面形
状を整形する第２アナモプリズムと、前記断面形状を整
形された前記平行光束を光ディスク上に収束させる対物
レンズと、前記光ディスクからの反射光の一部を分離し
て受光手段に導くビームスプリッタと、前記受光手段に
より光電変換された信号を検出する検出手段と、から構
成されることを特徴とする光ディスク装置の光学系。 - 【請求項２】 前記第２アナモプリズムは前記ビームス
プリッタの反射光分離機能を兼ね備えていることを特徴
とする請求項１に記載の光ディスク装置の光学系。 - 【請求項３】 前記第１アナモプリズムは、前記平行光
束の光軸を偏心可能に前記装置に取り付けられているこ
とを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置の光学
系。 - 【請求項４】 前記第１，第２アナモプリズムの屈折率
をそれぞれｎ１、ｎ２とし、前記第１アナモプリズムの
頂角をＰ１とし、前記第２アナモプリズムの入射端面で
の屈折角をθ６として、 ０．８ ≦（（ｎ１−１）Ｐ１）／（（ｎ２−１）θ６） ≦１．２５ の条件を満足することを特徴とする請求項１に記載の光
ディスク装置の光学系。 - 【請求項５】 前記第１、第２アナモプリズムの屈折率
をそれぞれｎ１、ｎ２とし、前記第１アナモプリズムの
頂角をＰ１とし、前記第２アナモプリズムの入射端面で
の屈折角をθ６とし、前記第１、第２アナモプリズムの
共通使用波長近傍における屈折率変化をそれぞれΔｎ
１、Δｎ２とし、前記第２アナモプリズムの角倍率をγ
として、 ０．８≦（Δｎ１Ｐ１／ｎ１）／（Δｎ２θ
６γ／ｎ２）≦１．２５の条件を略満足することを特徴
とする請求項１に記載の光ディスク装置の光学系。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274426A JPH0528531A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 光デイスク装置の光学系 |
| US07/917,324 US5477386A (en) | 1991-07-24 | 1992-07-23 | Optical system for optical disc apparatus including anamorphic prisms |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274426A JPH0528531A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 光デイスク装置の光学系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528531A true JPH0528531A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=17541512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3274426A Pending JPH0528531A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 光デイスク装置の光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100421045B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2004-03-04 | 삼성전자주식회사 | 박형 광픽업장치 |
| CN104375257A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-02-25 | 张毅 | 一种折射光学镜头 |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP3274426A patent/JPH0528531A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100421045B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2004-03-04 | 삼성전자주식회사 | 박형 광픽업장치 |
| US6873592B2 (en) | 2001-07-10 | 2005-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slim optical pickup apparatus |
| CN104375257A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-02-25 | 张毅 | 一种折射光学镜头 |
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